DE19641584C1 - Anordnung und Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf ein Substrat - Google Patents
Anordnung und Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf ein SubstratInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum Aufbringen
einer dünnen Schicht eines Materials auf ein Substrat mit
einer Vakuumbeschichtungsanlage, die mindestens eine Teilchen
bündelnde Zusatzeinrichtung und eine an die Zusatzeinrichtung
angeschlossene Zusatzspannungsquelle aufweist.
Bei einer bekannten Anordnung dieser Art (M. Fukutomi,
S. Akoi, K. Komori, Y. Tanaka, T. Asano and H. Maeda "Control
of Y₂O₃-stabilized ZrO₂ thin film orientation by modified bias
sputtering", 1994, Thin Solid Films 239, Seite 123-126) han
delt es sich um eine herkömmliche Magnetron-Sputteranlage mit
einer mit Gleichspannung beaufschlagten Zusatzeinrichtung.
Zur Herstellung von beispielsweise dünnen YSZ-Pufferschichten
(YSZ = Yttrium stabilisiertes Zirconiumoxid) ist die herkömm
liche Magnetron-Sputteranlage allein nicht ohne weiteres
einsetzbar, da beim Abscheiden der YSZ-Schichten eine be
stimmte Kristallorientierung erreicht werden muß. Bei der
bekannten Anordnung ist hierfür die Zusatzeinrichtung vor
gesehen, die eine Bündelung von Ionen zu einem Ionenstrahl
als Teilchenstrahl ermöglicht. Dieser Teilchenstrahl kann un
ter einem vorgegebenen Winkel auf ein Substrat gerichtet
werden. Bei der bekannten Anordnung besteht die Zusatzein
richtung aus Metallplatten und einem elliptischen Metallzy
linder, die mit einer Gleichspannung beaufschlagt sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung an
zugeben, mit der eine noch bessere Bündelung des Teilchen
strahles und damit eine noch bessere Qualität der abgeschie
denen dünnen Schichten erreicht werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs angegebe
nen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Zusatzspan
nungsquelle eine Mittelfrequenzspannungsquelle ist.
Der wesentliche Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung be
steht darin, daß unter Beibehaltung der Zusatzeinrichtung der
bekannten Anordnung allein durch ein Anlegen einer Mittelfre
quenzspannung ein aus positiv und negativ geladenen Ionen und
Elektronen gebildeter, quasi neutraler Plasmastrahl als
Teilchenstrahl gebildet wird. Der quasi neutrale Plasmastrahl
weist eine sehr geringe Divergenz auf, da eine gegenseitige
Coulomb-Abstoßung von im Plasmastrahl enthaltenen Ionen
vermieden wird. Außerdem tritt keine Aufladung des zu
beschichtenden Substrates auf, so daß ein Ablenken des
Teilchenstrahles durch eine Ladung auf dem Substrat unterbun
den wird.
Um die Bündelung des Plasmas durch die mit der Zusatzspan
nungsquelle beaufschlagten Zusatzeinrichtung besonders gut
einstellen zu können, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn
die Zusatzspannungsquelle eine Mittelfrequenzspannungsquelle
ist, die an ihrem Ausgang eine mit einer Gleichspannung
überlagerte Mittelfrequenzspannung abgibt.
Konstruktiv einfache und damit kostengünstige Zusatzeinrich
tungen sind beispielsweise Gitter, so daß es als vorteilhaft
angesehen wird, wenn die Zusatzeinrichtung mindestens ein
Gitter ist. Der wesentliche Vorteil eines Gitters als Zusatz
einrichtung besteht darin, daß mit einem Gitter eine beson
ders gute Bündelung des Teilchenstrahles erreichbar ist.
Gitter als Zusatzeinrichtungen in Vakuumbeschichtungsanlagen
sind für sich schon aus der US-Patentschrift 4,717,462 und
aus der europäischen Patentschrift 0 313 750 A1 bekannt.
In der erfindungsgemäßen Anordnung können verschiedene Vaku
umbeschichtungsanlagen eingesetzt werden; als besonders vor
teilhaft wird es jedoch angesehen, wenn die Vakuumbeschich
tungsanlage eine Magnetron-Sputteranlage ist, da in Magne
tron-Sputteranlagen der Ionenanteil im Plasma relativ hoch
ist.
Die Erfindung bezieht sich außerdem auf ein Verfahren zum
Aufbringen einer dünnen Schicht eines Materials auf ein
Substrat durch Vakuumbeschichten, bei dem ein Targetmaterial
in die Dampfphase überführt wird, mit Teilchen der Dampfphase
durch Anlegen einer Zusatzspannung an eine Teilchen bündelnde
Zusatzeinrichtung ein Teilchenstrahl gebildet wird und
der Teilchenstrahl durch die Zusatzeinrichtung auf das
Substrat gelenkt wird. Ein solches Verfahren ist der eingangs
behandelten Literaturstelle entnehmbar.
Bei diesem Verfahren wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß
die dünne Schicht mittels der mit einer Mittelfrequenzspan
nung beaufschlagten Zusatzeinrichtung aufgebracht wird.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin,
daß die Qualität der dünnen Schicht durch die Mittelfrequenz
spannung deutlich verbessert werden kann.
Um die Teilchen im Plasma besonders gut bündeln zu können,
wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die dünne Schicht
mittels der mit einer aus einer Mittelfrequenzspannung und
einer Gleichspannung gebildeten Überlagerungsspannung beauf
schlagten Zusatzeinrichtung aufgebracht wird.
Kostengünstige Zusatzeinrichtungen sind beispielsweise Git
ter, so daß es als vorteilhaft angesehen wird, wenn die dünne
Schicht mittels mindestens eines Gitters als die Zusatzein
richtung aufgebracht wird.
Eine Vakuumbeschichtungsanlage, die einen relativ hohen An
teil an Ionen im Plasma ermöglicht, ist die Magnetron-Sput
teranlage, so daß es als vorteilhaft angesehen wird, wenn zum
Überführen des Targetmaterials in die Dampfphase eine Ma
gnetron-Sputteranlage verwendet wird.
Zur Erläuterung der Erfindung ist in der
Figur ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung zum Aufbringen
einer dünnen Schicht eines Materials dargestellt.
Ein Rezipient 12 weist eine Öffnung 13 und eine weitere Öff
nung 14 auf. Die eine Öffnung 13 dient zum Einlassen eines
Gases 15 in den Rezipienten 12. Der Gasfluß in den Rezipien
ten 12 wird durch einen Gasdurchflußregler 16 geregelt. Die
weitere Öffnung 14 dient zum Evakuieren des Rezipienten 12;
sie ist an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschlossen.
Im Rezipienten 12 ist eine Kathode 19 angebracht, an der ein
metallisches Target 20 befestigt ist. Die Kathode 19 ist mit
einer elektrischen Kontaktstange 21 verbunden, die durch eine
elektrisch isolierte und abgedichtete, zusätzliche Öffnung 22
aus dem Rezipienten 12 herausgeführt ist. Im Bereich des aus
dem Rezipienten 12 herausgeführten Endes 23 der Kontaktstange
21 ist eine Stromversorgung 26 mit ihrem Minuspol angeschlos
sen. Der Pluspol der Stromversorgung 26 ist mit dem Rezipien
ten 12 verbunden. Im Rezipienten 12 befindet sich ein
Substrathalter 30, auf dem ein mit einer dünnen Schicht zu
beschichtendes Substrat 33 aufliegt. Über dem Substrat 33 und
dem Substrathalter 30 befindet sich ein Gitter 40. Eine mit
ihrem einen Ende an dem Gitter 40 befestigte weitere Kon
taktstange 41 ist durch eine elektrisch isolierte und abge
dichtete, ergänzende Öffnung 42 aus dem Rezipienten 12 her
ausgeführt. Im Bereich des anderen Endes der weiteren Kon
taktstange 41 ist eine Mittelfrequenzspannungsquelle 45 an
geschlossen, die an ihrem Ausgang eine aus einer Mittelfre
quenzspannung und einer Gleichspannung gebildete Überlage
rungsspannung Um abgibt. Der Frequenzbereich der Mittelfre
quenzspannung liegt beispielsweise zwischen 1 kHz und
250 kHz.
Zum Aufbringen einer dünnen Schicht eines Materials wird der
Rezipient 12 über die weitere Öffnung 14 mittels der nicht
dargestellten Vakuumpumpe evakuiert. Um eine definierte Gas
zusammensetzung in der Restatmosphäre des Rezipienten 12 zu
erzielen, wird ein beispielsweise argonhaltiges Gas 15 über
die eine Öffnung 13 in den Rezipienten 12 eingelassen. Ist
ein hinreichend geringer Druck im Rezipienten 12 durch ste
tiges Evakuieren erreicht worden, so wird eine Gleichspannung
oder eine niederfrequente Wechselspannung U zwischen der
Kathode und dem als Anode wirkenden Rezipienten 12 angelegt.
Aufgrund des niedrigen Druckes im Rezipienten 12 kommt es zu
einer Gasentladung. Die Gasmoleküle werden ionisiert und
prallen auf das Target 20. Hierbei werden Atome aus dem
Target 20 herausgelöst, die zusammen mit Atomen des ar
gonhaltigen Gases 15 ein Plasma bilden. Mittels der Mittel
frequenzspannungsquelle 45 wird die Überlagerungsspannung Um
an das Gitter 40 angelegt. Durch die dadurch auf das Gitter
40 aufgebrachte Ladung werden je nach ihrer Polarität positiv
geladene oder negativ geladene Ionen und Elektronen des
Plasmas zum Gitter 40 hin beschleunigt. Hierbei werden im
Falle des positiv geladenen Gitters 40 die negativ geladenen
Ionen und die Elektronen zum Gitter 40 beschleunigt, wohin
gegen die positiv geladenen Ionen vom Gitter 40 abgestoßen
werden. Im Falle des negativ geladenen Gitters 40 werden dem
entsprechend die positiv geladenen Ionen zum Gitter 40 hin
beschleunigt und die negativ geladenen Ionen und die Elek
tronen abgestoßen. Durch diesen Beschleunigungsprozeß, der
aufgrund der mittelfrequenten Überlagerungsspannung Um am
Gitter 40 sowohl die positiv als auch die negativ geladenen
Ionen und die Elektronen erfaßt, wird ein gerichteter, aus
den positiv und den negativ geladenen Ionen und den
Elektronen bestehender Plasmastrahl I gebildet. Im Plas
mastrahl I kommt es zu einer Rekombination von positiv gela
denen Ionen mit Elektronen. Je nach der Ausrichtung des Git
ters 40 zum Substrathalter 30 fällt der Plasmastrahl I unter
einem bestimmten Winkel α auf das Substrat 33 auf. Dieser
Winkel α kann, wie in der Figur dargestellt, auch durch eine
entsprechende Ausgestaltung des Substrathalters 30 erreicht
werden. Durch den Winkel α läßt sich eine Vorzugsorientierung
des Kristallgitters beim Schichtwachstum der dünnen Schicht,
eine sogenannte Textur der aufgewachsenen Schicht, erzielen.
Dies ist insbesondere beim Schichtwachstum auf metallischen
und keramischen Substraten vorteilhaft.
Durch das Gitter 40 wird der Innenraum des Rezipienten 12 in
einen Plasmaraum PR und einen Substratraum SR getrennt. Durch
eine geeignet gewählte Position der einen Öffnung 13 und der
weiteren Öffnung 14 am Rezipienten 12 ist es möglich, einen
Druckgradienten zwischen dem Plasmaraum PR mit einem höheren
Druck und dem Substratraum SR mit einem niedrigeren Druck zu
erzeugen. Der hohe Druck in der Nähe des Targets 20 begün
stigt einen hohen Ionenanteil im Plasma; der niedrige Druck
in der Nähe des Substrates 33 reduziert die Streuung der im
Plasma enthaltenen Teilchen und somit die Unschärfe des er
zeugten Plasmastrahles I. In dieser Weise wird auch eine Be
schichtung größerer Substratflächen ermöglicht. Der Beschich
tungsvorgang wird durch Abschalten der Stromversorgung 26
beendet.
Claims (10)
1. Anordnung zum Aufbringen einer dünnen Schicht eines Mate
rials auf ein Substrat mit
- - einer Vakuumbeschichtungsanlage, die
- - mindestens eine Teilchen bündelnde Zusatzeinrichtung und
- - eine an die Zusatzeinrichtung angeschlossene Zusatzspan nungsquelle aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Zusatzspannungsquelle eine Mittelfrequenzspannungsquelle
(45) ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Zusatzspannungsquelle eine Mittelfrequenzspannungsquelle
(45) ist, die an ihrem Ausgang eine mit einer Gleichspannung
überlagerte Mittelfrequenzspannung abgibt.
3. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Zusatzeinrichtung mindestens ein Gitter (40) ist.
4. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Vakuumbeschichtungsanlage eine Magnetron-Sputteranlage
ist.
5. Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Schicht eines Mate
rials auf ein Substrat durch Vakuumbeschichten, bei dem
- - ein Targetmaterial in die Dampfphase überführt wird,
- - mit Teilchen der Dampfphase durch Anlegen einer Spannung an eine Teilchen bündelnde Zusatzeinrichtung ein Teilchen strahl gebildet wird und
- - der Teilchenstrahl durch die Zusatzeinrichtung auf das Substrat gelenkt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
die dünne Schicht mittels der mit einer Mittelfrequenzspann
ung beaufschlagten Zusatzeinrichtung aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
die dünne Schicht mittels der mit einer aus einer
Mittelfrequenzspannung und einer Gleichspannung gebildeten
Überlagerungsspannung (Um) beaufschlagten Zusatzeinrichtung
aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die dünne Schicht mittels mindestens eines Gitters (40) als
die Zusatzeinrichtung aufgebracht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
zum Überführen des Targetmaterials in die Dampfphase eine Ma
gnetron-Sputteranlage verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996141584 DE19641584C1 (de) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Anordnung und Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf ein Substrat |
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Publications (1)
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DE19641584C1 true DE19641584C1 (de) | 1998-01-08 |
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ID=7808255
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DE1996141584 Expired - Fee Related DE19641584C1 (de) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Anordnung und Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf ein Substrat |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE19641584C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999050471A1 (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Universiteit Gent | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings |
EP1868255A1 (de) | 2006-06-14 | 2007-12-19 | Novaled AG | Methode zur Oberflächenbehandlung im Vakuum |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4717462A (en) * | 1985-10-25 | 1988-01-05 | Hitachi, Ltd. | Sputtering apparatus |
EP0313750A1 (de) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | International Business Machines Corporation | Magnetron-Bedampfungssystem zum Ätzen oder Niederschlagen |
-
1996
- 1996-09-30 DE DE1996141584 patent/DE19641584C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4717462A (en) * | 1985-10-25 | 1988-01-05 | Hitachi, Ltd. | Sputtering apparatus |
EP0313750A1 (de) * | 1987-10-29 | 1989-05-03 | International Business Machines Corporation | Magnetron-Bedampfungssystem zum Ätzen oder Niederschlagen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NL-Z.: Thin Solid Films 239 (1994), S.123-126 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999050471A1 (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Universiteit Gent | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings |
EP1868255A1 (de) | 2006-06-14 | 2007-12-19 | Novaled AG | Methode zur Oberflächenbehandlung im Vakuum |
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