DE19632136A1

DE19632136A1 - Digitalspeicherelement

Info

Publication number: DE19632136A1
Application number: DE19632136A
Authority: DE
Inventors: Hans W P Dr Koops; Gerhard Dipl Ing Hanke
Original assignee: Deutsche Telekom AG
Current assignee: Deutsche Telekom AG
Priority date: 1996-08-09
Filing date: 1996-08-09
Publication date: 1998-02-12
Also published as: EP0823711A2; NO318995B1; US5917747A; NO971963D0; DE59710200D1; EP0823711A3; TW325565B; EP0823711B1; ATE242537T1; JPH10106256A; NO971963L

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Digitalspeicherelement der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 näher definierten Art. Speicherschaltungen solcher Art sind mit diskreten Bauelementen vorausgesetzt. Vergleichbare Digitalspeicher elemente sind noch nicht bekannt.

Von Digitalspeicherelementen wird neben geringer Größe vor allem eine hohe Geschwindigkeit der Ein- und Auslesevorgän ge verlangt. Halbleiterspeicher erreichen zwar hohe Spei cherdichte, aber nur Bruchteile von GHz. Bekannte Digital speicherelement mit einer Speicherkapazität und mehreren Röhren, von denen wenigstens eine mit Elektronenstrahlab lenkung gesteuert ist, sind nur eine Größenordnung schnel ler und zu groß.

Auf miniaturisierten Feldemissions-Röhren basierende Digitalspeicherelemente, die bei Frequenzen im oberen GHz-Bereich arbeiten sind nicht bekannt. Die herkömmlichen Vakuum-Mikroelektronischen Röhren leiden an einer zu großen Gitter-Anoden und Gitter-Kathoden-Kapazität, die ihre Funktionsweise auf wenige GHz begrenzt. Zuverlässige Mikroröhren aus Metall oder Siliziumkathoden sind bisher nicht vorgestellt worden. Die durch den Herstellungsprozeß bedingte Individualität der einzelnen Emitter und die Schwierigkeit pro Emitter einen den Strom stabilisierenden Widerstand oder Regler einzubauen haben bisher die weitere Verwendung derartiger Elemente für komplexe Schaltungen verhindert [I. Brodie, J. J. Muray "The physics of micro and nano-fabrication" Plenum Press, NY 1992]. Bisher können halbwegs zuverlässige Ergebnisse nur durch die Verwendung von ganzen Kathoden-Arrays erzielt werden und sind auch Grundlage zur Herstellung flacher Bildschirme mit Feld emittern [DE-OS 44 16 597.8]. Ein Digitalspeicherelement mit Einschreib-, Lese- und Löscheinrichtung ist nicht bekannt.

Die Erfindung hat sich zur Aufgabe gestellt, ein Digital speicherelement zu schaffen, das sich mit Frequenzen im oberen GHz-Bereich beschreiben und lesen läßt und das in seinen geometrischen Abmessungen so klein ist, daß große Speicherdichte erzielbar ist.

Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 aufgeführten Merkmalen.

Vorteilhafte Weiterbildungsmöglichkeiten sind in den Kenn zeichen der Unteransprüche 2 bis 4 beschrieben.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbei spielen näher erklärt. In der zugehörigen Zeichnung ist als

Fig. 1 die Struktur eines Digitalspeicherelements dargestellt.

Die Fig. 1 zeigt eine schnelles Digitalspeicherelement aus drei miniaturisierten Röhren mit THz-Schalteigenschaften. Die Einschreib-Röhre wird benutzt, um die Speicherkapazität C zu laden. Die Lösch-Röhre wird benutzt, um die Speicherka pazität C zu entladen. Die Auslese-Röhre wird benutzt, um den Zustand der Speicherkapazität C auszulesen. C ist die Speicherkapazität.

Das Speicherelement ist eine kleine Kapazität, die durch den Elektronenstrahl einer Vakuum-Mikroelektronischen Feldemissions-Röhre (Einschreib-Röhre) zum Einschreiben der Information aufgeladen wird. Die Kapazität ist so klein, daß ein Puls von ca. 10⁴ Elektronen ausreicht, um diese auf mit positiver Saugspannung geschaltete Entladeeinrichtung in Form einer Lösch-Röhre eingeschaltet wird. Die Feldemissionskathode dieser Lösch-Röhre ist Teil der Speicher-Kapazität. Der Ladezustand der Kapazität wird durch die Ausleseröhre angezeigt. Diese emittiert einen Elektronenstrahl und enthält als zweites Element ein Ablenkelement AB. Bei ungeladener Ablenkplatten-Kapazität geht der Strahl der Röhre geradlinig durch das Ablenkelement AB hindurch und landet auf dem Detektor D1. Ist die Kapazität geladen, so bewirkt die ebenfalls zur Kapazität gehörige Ablenkelementseite durch ihre Aufladung und das so entstandene elektrische Feld die Ablenkung des Strahles, so daß dieser auf den Detektor D2 trifft.

Die Erfindung basiert auf der Anwendungen der Elektronenstrahl-induzierten Deposition. Diese additive Lithographie mit Elektronen ermöglicht es miniaturisierte Röhren mit 0.5 µm Länge und 1 µm Breite auf einer metallischen Leiterbahnstruktur mit Hilfe eines rechnergesteuerten Elektronenstrahles aufzubauen. Durch die Herstellungsmethode können sehr feine leitfähige Spitzen für die Elektronenemission durch Tunneleffekt direkt an der erforderlichen Stelle der Schaltung aufgebaut werden. Aus deponierten senkrecht stehenden oder im Raum beim Aufbau geführten Drähten können die benötigten Detektoren und Extraktorstrukturen aufgebaut werden.

Alle Strukturen sind 0.1-0.2 µm dick und ca. 2 µm hoch. Dadurch ist die Gesamtstruktur sehr klein und benötigt keinen hohen Strom und keine hohe Leistung. Die Drähte mit 0.1 µm Durchmesser und bis zu 10 µm Länge können eine bis zu 2 MA/cm² große Stromdichten tragen. Der Wert ist 8 mal höher als z. B. bei Aluminium (250 000 A/cm²). Feldemission ist aus den Drahtspitzen mit ca. 15fach geringerem Innenwiderstand möglich als bei herkömmlichen Feldemittern der Vakuummikroelektronik. Feldemitter-Elektronenquellen können mit dieser Technik mit eingebautem Strom-Stabi lisierwiderstand aufgebaut werden. Damit arbeitet jede Spitze kontrolliert und die Anforderung nach Redundanz an die Spitzen in der Röhre oder in den parallel angeordneten Emittern wird verringert.

Die Drähte enden in einer sehr feinen Spitze mit Radien < 5 nm, aber mit nanometergroßen Kristallen, die aus der Spitze herausragen und dadurch eine Feldverstärkung bewirken. Das äußert sich in einer stark verringerten Extraktionsspannung für den Feld-Elektronen-Strom. Der Widerstand der deponierten Materialien ist über die Depositions-Be dingungen im Bereich von 5 Größenordnungen einstellbar. Damit kann mit der Feldemission ein Röhren-Innenwiderstand unter MW erreicht werden. Die Speicherfunktionen können mit einem Signal zu Rausch-Abstand von 100 ausgeführt werden, wenn 10 000 Elektronen zur Ladung der Kapazität eingesetzt werden. Zur Stromstabilisierung der Emission kann mit dem Verfahren ein Stabilisierwiderstand pro Emitterspitze eingefügt werden, so daß stets die gleiche Anzahl von Elektronen verwendet wird.

Das Bauelement benötigt kein Halbleitermaterial als Grundlage. Glas oder Quarz können eingesetzt werde. Die Leiterbahnen werden im Lift-off-Prozeß durch Lithographie und Aufdampfen hergestellt. Die Technik ist zu allen anderen elektronischen Aufbautechniken kompatibel.

Mit der rechnergesteuerten Deposition werden 3-dimensionale Strukturen hergestellt, die als Elektroden für Mikro-Röhren und Röhrensysteme dienen, die einzelne Strahlen erzeugen, oder die vielmals nebeneinander hergestellt werden können.

Damit ist eine Technik gefunden, mit der vielfache Elektronenstrahlen auf lithographischen Schaltungen und Trägerplatinen hergestellt werden können, die dann wiederum Trägerplatinen hergestellt werden können, die dann wiederum als Produktionsmittel für Depositions-Strukturen einsetzbar sind. Aus derartigen Mikroröhren, ist der beschriebene schnelle löschbare Digitalspeicher mit 100 GHz Schaltzeiten in paralleler Herstellungstechnik zu produzieren.

Durch die Feinheit der Definition der Materialerzeugung mit Rechnersteuerung können neuartige Röhren Bauelemente Differenzverstärker und andere Schaltungen ohne die Verwendung von Halbleitermaterialien direkt aufgeschrieben werden. Diese Schaltungen können auf Grund der Kleinheit und der Nanometerpräzision bei höheren Frequenzen als sie mit herkömmlichen Röhren erreichbar, betrieben werden. Die Herstellungstechnik für elektronische Schaltungen ist stark vereinfacht, die Packungsdichte ist stark erhöht.

Die Herstellung der Digitalspeicherelemente kann mit addi tiver Lithographie aus Mikroröhren erfolgen, (entsprechend der erwähnten früheren Patentanmeldung DE-OS 44 16 597.8), ohne die Verwendung von Halbleiter-Materialien mit Nanome ter-Präzision durch Rechnersteuerung, mit für hohe Lebens dauer kontrollierten Feldstärken im Element die nur im Emitterbereich über 106 V/cm ansteigen. Dadurch wird das Wachstum von Kohlenstoff-Brücken aus Polymeren als Kurz schlußleiter verhindert und unterdrückt. Die Erhöhung der "transconductance", Erniedrigung des Innenwiderstandes, gelingt, falls erforderlich, durch die Verwendung mehrerer deponierter Kathoden mit nanokristallinem Aufbau, sowie durch Erhöhung der Packungsdichte der Röhren unter Verwen dung von 0,5 µm Technologie für Leiterbahnen und Abstände. Fig. 1 zeigt den Prinzipaufbau des Digitalspeicherelementes mit je einer Einschreib-, Lösch- und Ausleseröhre.

Die Funktionsweise des Digitalspeicherelementes ist wie folgt erklärbar:

1) Aufladen der Speicherkapazität C mit Einschreib-Röhre durch Spannung an K_er bis zur erforderlichen Ablenk spannung am Ablenkelement AB_ar der Auslese-Röhre. Spannungspuls mit Strombegrenzer-Widerstand kann die Ladungsmenge definieren.
2) Auslesen der Kapazität mit der Ausleseröhre. Bei ungeladener Kapazität fällt der Auslesestrahl auf den Detektor D1_ar. Bei anliegender negativer Ladespannung an der Kapazität wird der Auslesestrahl abgelenkt und fällt auf den Detektor D2_ar. So kann der Ladezustand ausgelesen werden ohne den Speicherinhalt zu verändern.
3) Löschen des Speicherinhaltes der Kapazität C geschieht durch Anlegen einer Lösch-Extraktorspannung +U_extr an der Anode der Löschröhre A_lr. Bei angelegter Spannung erfolgt Feldemission an der Löschröhre. Der Entladestrom kann auf 150 µA eingestellt werden, so daß die Entladung in 0.1 ps erfolgen kann um steilere Pulsprofile zu erhalten.

Schaltspannungen -20 V bis +20 V für Experimente (im Einsatzfall real ± 10 V)
Layout CD = 0.5 µm (kleinste Linienbreite und Linienabstand (Au-lift-off).
Deponatstrukturen aus Me₂Au(tfac), bei 300 pA Schreibstrom, 25 keV Elektronen.
3 Kathoden-Spitzen je 2 Min = 6 Min, 12 Extraktor oder Anodendrähte 1 µm je 1 Min = 12 Minuten. Rechnergesteuerte Plazierung der Deponate in 4 µm × 2 µm großem Gesichtsfeld

Eine Abschätzung zur Grenzfrequenz der Schreib-, Lösch- und Lesevorgänge ergibt folgende Werte:
Annahme:
Die Feldemitter-Röhre arbeitet bei 150 µA, U_extr < 10 V, Transconductance R_i < 15 µS
Schaltmöglichkeiten der Feldemissionsröhre:

1) Spitze auf -U_ext; Extraktor auf 0 V, (Einschreibröhre)
2) Extraktor auf +U_extr, Spitze auf 0 V; (Löschröhre)
3) Ablenkung des Strahles mit Ablenkplatten Up < 10 V (Ausleseröhre)

Speicherkapazität
C = e₀ e_r·F/d = 8,86·10^-12 1·(0.2·10^-6)²/10^-6 As/V = 3,5·10^-18 F
Stabdurchmesser 0.2 µm, Länge 1 µm, Abstand, 1 µm, Dielektrikum Luft e_r = 1.

Um diese Kapazität auf 5 Volt Ablenkspannung zu laden ist eine Ladung von
Q = C·U = 1,6·10^-17 As = 100 e = 100 Elektronen erforderlich.

Diese Ladung kann in 1 psec mit einem Strom von 16 µA aufgebracht werden (entspricht einer Frequenz 1 THz)
Der statistische Fehler ist dann 10% oder S/N = 10 (Signal-Rausch-Verhältnis)
Schalten mit 0.1 ps kann bei 160 µA Entladestrom erfolgen (Spannungspuls an der Extraktor-Röhre)

Claims

1. Digitalspeicherelement mit Eingangsanschlüssen zum Ein schreiben und zum Löschen und Ausgängen zum Zustands auslesen, das aus einer Speicherkapazität und mehreren miniaturisierten Elektronenröhren besteht, von denen wenigstens eine mit Elektronenstrahlablenkung gesteuert ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine sehr kleine Speicherkapazität C mit Elementen von drei miniaturisierten Elektronenröhren, hergestellt durch Konventionelle und additive Lithographie, und zwar mit der Anode einer Einschreib-Röhre, mit der Kathode einer Lösch-Röhre (K_lr) und mit einem Ablenk element einer Auslese-Röhre (AB_ar) in Verbindung steht, so daß sie mit der Einschreib-Röhre auf- und mit der Lösch-Röhre entladbar ist und den Elektronenstrahl der Auslese-Röhre, abhängig vom dabei unverändert bleiben den Ladezustand, auf einen von zwei mit den Zustands ausgängen verbundenen Detektoren (ungeladen auf D_1ar bzw. bei negativer Ladespannung auf D_2ar) ablenkt.

2. Digitalspeicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Einschreib- und Lösch-Röhre Dioden sind und daß der Kathode der Einschreib-Röhre (K_er) ein Strombegrenzer-Widerstand zugeordnet ist, der die La dungsmenge an der Speicherkapazität C bei einem Span nungspuls bis zur erforderlichen Ablenk-Spannung am Ablenkelement (AB_ar) der Auslese-Röhre definiert.

3. Digitalspeicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Auslese-Röhre aus einer Kathode, ei nem geteilten Extraktor und zwei gegeneinander isolier ten Anoden besteht, die mit Ausgangsanschlüssen bzw. weiteren Speicherelementen eine Speichermatrix verbun den sind.

4. Digitalspeicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das Löschen des Speicherinhaltes der Speicherkapazität C durch Anlegen einer Lösch-Extrak torspannung +U_extr an der Anode der Lösch-Röhre (A_lr) mittels Feldemission erfolgt.