DE19626427A1

DE19626427A1 - Bildsensorfeld mit Testmöglichkeit für Bildelementensensoren

Info

Publication number: DE19626427A1
Application number: DE19626427A
Authority: DE
Inventors: James S Prater
Original assignee: Hyundai Electronics Industries Co Ltd; Hyundai Electronics America Inc
Current assignee: Intellectual Ventures II LLC
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1996-07-01
Publication date: 1997-01-02
Anticipated expiration: 2016-07-02
Also published as: JPH10308902A; US5654537A; JP3138957B2; TW382108B; KR100195858B1; KR970002374A; GB2302954A; DE19626427C2; GB9613681D0; GB2302954B

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Bildsen sorfeld. Insbesondere betrifft die Erfindung ein derartiges Bildsensorfeld, in welchem jede Bildelementsensorschaltung in dem Feld durch steuerbare Rücksetzspannungssignale getestet werden kann, die an das lichtempfindliche Element in jeder Sensorschaltung angelegt werden.

Konventionelle Brennebenen-Bildscannerfelder werden auf die selbe Weise getestet, wie sie auch normalerweise eingesetzt werden. Ein Bild mit einer bestimmten Lichtintensität wird an den Bildscanner (Bildabtaster) angelegt, und jede Zeile des Bildscanners wird ausgelesen, um die Stärke des photo elektrischen Signals zu messen, welches von jeder Bildele mentsensorschaltung (Pixel-Sensorschaltung) an jedem Pixel ort erfaßt wird. In einem zweidimensionalen Sensorfeld muß daher zum Testen der Sensoren jede Zeile des Feldes mit un terschiedlichen Beleuchtungspegeln beleuchtet werden, wie für den Test gewünscht, und muß jeder Pixelsensor bei jedem Beleuchtungspegel ausgelesen werden. Offensichtlich ist dies ein zeitaufwendiger Vorgang, der eine exakte Beleuchtung erfordert, sowie die normale Genauigkeit beim Auslesen von Signalen von dem Feld.

Fig. 5 zeigt eine einfache Konstruktion für ein konventio nelles Feld. Das Feld weist Spalten A-N und Zeilen 1-n auf. Jede Pixelsensorschaltung kann daher durch den Spaltenbuch staben und die Zeilennummer bezeichnet werden. Daher würde die Pixelsensorschaltung in der zweiten Spalte und der zwei ten Zeile durch B2 bezeichnet.

Jeder der Pixelsensorschaltungen ist an eine Spaltenleitung 10, 12 oder 14 in Fig. 5 angeschlossen. Jede Spaltenleitung wird durch die Pixelsensorschaltung, beispielsweise AI, auf der Spaltenleitung 10 über einen Last-Feldeffekttransistor (FET) 16 getrieben. Der Last-FET erhält eine Vorspannung VL1 um der Spaltenleitung einen vorbestimmten Widerstand zu ge ben. Das Ausgangssignal der Pixelsensorschaltung wird von der Spaltenleitung abgenommen, und stellt den Spannungsabfall über dem Last-FET dar.

Zum Auslesen eines Feldes dieses Typs werden hintereinander die Zeilenzugriffs-Treiberleitungen Zeile 1 bis Zeile n frei geschaltet. Dann wird die Ausgangsspannung über dem Last-FET für jede Spaltenleitung bestimmt, um die Beleuchtung zu er fassen, die von dem Pixelsensor in dieser Spalte für die Zei le gemessen wird, die von der Zeilenzugriffsleitung getrieben wird, welche freigeschaltet wurde.

Eine einfache Pixelsensorschaltung ist in Fig. 5 als der A1- Pixelsensor dargestellt. Dieser Pixelsensor arbeitet so, daß der Rücksetz-FET 18 durch das Rücksetzsignal freigeschaltet wird, um die Spannung am Schaltungsknoten 20 auf V_DD minus dem Spannungsabfall über dem FET 18 zu bringen. V_DD beträgt typischerweise 3 V bis 5 V, und der Spannungsabfall über dem FET 18 beträgt etwa 0,7 V. Die Photodiode 22 wird daher durch die Spannung am Schaltungsknoten 20 in Sperrichtung geschal tet. Wenn Licht auf die Photodiode 22 einfällt, verschwindet Ladung über dem Übergang der Photodiode 22 infolge eines Kriechstroms, und sinkt die Spannung am Schaltungsknoten 20 ab. Die Spannung am Schaltungsknoten 20 nach einer bestimmten Belichtungszeit der Photodiode 22 ist ein Maß für die Licht intensität, die von der Photodiode 22 erfaßt wird.

Der FET 24 mit dem Last-FET 16 auf der Spaltenleitung 10 arbeitet als Source-Folgerschaltung, welche eine Spannung proportional zur Spannung am Knoten 20 auf der Ausgangslei tung 26 am Last-FET 16 ausgibt. Die Pixelsensorschaltung A1 wird das Signal ROW 1 (Zeile 1) ausgewählt, welches den FET 29 freischaltet. Daher arbeitet der FET 28 einfach als Schal ter in der Source-Folgerschaltung, die aus dem FET 24 mit ei nem Lastwiderstand besteht, der von dem Last-FET 16 zur Ver fügung gestellt wird. Die Kleinsignalverstärkung des Source- Folgers beträgt etwa 0,85.

Wie bereits erläutert wurde jeder der Pixelsensoren in Fig. 5 in der Vergangenheit dadurch getestet, daß jeder Sensor zurückgesetzt wurde, und ein unterschiedlicher Beleuchtungs pegel bei aufeinanderfolgenden Tests bei jeder Photodiode 22 in dem Sensorfeld zur Verfügung gestellt wurde.

Zwar ist dies durchführbar, jedoch ist es mühsam, und erfor dert eine relativ exakte Regelung der Beleuchtung während der Tests.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereit stellung einer Bildsensorfeldanordnung, welche es ermöglicht, daß jede Pixelsensorschaltung elektrisch getestet werden kann, wobei eine Bildbeleuchtung an das Feld angelegt wird, oder auch nicht.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wurde der voranstehend ge nannte Vorteil dadurch erzielt, daß der Rücksetz-FET mit ei ner steuerbaren Spannung getrieben wird, um die Sperrspannung über der Photodiode auf jeden auswählbaren Pegel einer Test spannung einzustellen. Auf diese Weise kann jede Pixelsensor schaltung in dem Feld so getestet werden, als hätte sie eine gewünschte Beleuchtungsmenge erhalten.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die Treiberspannung für den Rücksetztransistor über die Spalten ausgangsleitung zur Verfügung gestellt wird. Die steuerbare Testspannung kann an die Spaltenleitung angelegt werden, wenn kein Zeilenzugriffs-Freischaltsignal an das Feld angelegt wird. In dieser Situation ist die Spaltenleitungs-Sourcefol gerschaltung durch die Zeilenzugriffs-FETs gesperrt. Daher kann eine getrennte Testspannung die Spaltenleitung über ei nen Rücksetzschalter treiben, und kann über den Pixelsensor- Rücksetztransistor an die Pixelsensor-Photodiode angeschlos sen werden.

Ein weiteres Merkmal besteht darin, daß die variable Rück setzspannung, welche zum Treiben der Spaltenleitung dient, zwischen Masse und der normalen Vorspannung V_DD für den Pixelsensor variiert werden kann, durch Verwendung parallel geschalteter P-Kanal-FETs und N-Kanal-FETs.

Ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Pixelsensorschaltung auf jede Sperrspannung über der Photodiode eingestellt werden kann, und daher die Schaltung einfach und schnell getestet werden kann, ohne daß es erforderlich ist, eine exakt gesteuerte Beleuchtung für die Pixelsensoren zur Verfügung zu stellen. Ein weiterer Vorteil der Erfindung, wenn eine variable Testspannung an die Spaltenleitung angelegt wird, besteht darin, daß keine zusätzlichen Spannungs- oder Testleitungen in die integrier te Schaltung eingebaut werden müssen, welche den Bildfeld scanner bildet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestell ter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale hervorgeht. Es zeigt:

Fig. 5 einen konventionellen Bildfeld-Brennebenenscanner und eine Pixelsensorschaltung in einem derartigen Feld;

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, bei welcher die steuerbare Testspannung über den Rücksetz-FET an gelegt wird, um die Photodiode in Sperrichtung zu schalten;

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Pixelsensor schaltung mit ihrer Spaltenleitung, wobei die Steuer-Testspannung über die Spaltenleitung und den Rücksetztransistor angelegt wird;

Fig. 4 ein Zeitablaufdiagramm, welches die relativen Zeit punkte zwischen Rücksetz- und Zeilenzugriffssigna len zeigt, die in den Fig. 2 und 3 verwendet werden; und

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Zeitgeberlogik, welche Rücksetz- und Zeilenzugriffssignale erzeugt.

Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung, die in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine einstellbare Rücksetzspannungsver sorgung 30 dazu verwendet, den Rücksetz-FET 32 in jeder Pixelsensorschaltung 34 zu treiben. Jetzt kann der Schal tungsknoten 36 auf jede Spannung eingestellt werden, die zur Untersuchung der Schaltung gewünscht ist, auf der Grundlage der Steuerung der Spannung von der Rücksetzspannungsversor gungsschaltung 30. Die Photodiode 38 kann beleuchtet werden, um ihre Betriebsfähigkeit zu testen; das bevorzugte Verfahren zum Testen der Zelle 34 besteht jedoch darin, einfach Test spannungen, die zwischen Masse und V_DD geändert werden, am Schaltungsknoten 36 durch die Rücksetzspannungsversorgungs schaltung 30 zur Verfügung zu stellen.

Wie aus Fig. 4 hervorgeht, schaltet während jedes Testzyklus das Rücksetzsignal 41 den Rücksetz-FET 32 frei, um die Test spannung von der Rücksetzspannungsversorgungsschaltung 30 an den Schaltungsknoten 36 anzulegen. Ein bestimmtes Zeitinter vall T₁ später schaltet der Zeilenimpuls 43 in Fig. 4 den Zeilen-FET 40 frei. Die Source-Folgerschaltung, die aus dem FET 42 und dem Last-FET 44 besteht, erzeugt dann eine Aus gangsspannung am Schaltungsknoten 46, die proportional zur Spannung am Schaltungsknoten 36 ist. Auf diese Weise, nämlich durch Anlegen einer unterschiedlichen Rücksetzversorgungs testspannung an den Schaltungsknoten 36 in jedem Zyklus der Rücksetz- und Zeilenimpulse, kann die Operation der Pixelsen sorschaltung 34 für jede Spannung zwischen Masse und V_DD ge testet werden, die an den Schaltungsknoten 36 angelegt wird. Die Rücksetz- und Zeilenimpulse, die in Fig. 1 dargestellt sind, werden durch die Adressen-Dekodier/Zeitgeber-Logik 45 erzeugt, auf der Grundlage der Adresse des Signals und des Taktes.

Das Zeitintervall T₁ zwischen dem Rücksetzimpuls 41 und dem Zeilenimpuls 43 kann als Integrationszeit zur Integration der Lichtintensität verwendet werden, die an die Photodiode 38 angelegt wird, wenn es gewünscht ist, die Photodiode zu testen. Bei dem bevorzugten Einsatzzweck der Schaltung wird jedoch die Photodiode 38 nicht beleuchtet, und werden unter schiedliche Testspannungen direkt von der Rücksetzspannungs versorgungsschaltung 30 über den Rücksetztransistor 32 an den Schaltungsknoten 36 angelegt. Bei einem derartigen Testvor gang kann der Zeitraum T₁ zwischen den Impulsen 41 und 43 so kurz wie möglich ausgebildet werden, und liegt typischer weise in der Größenordnung von Nanosekunden. Die Dauer des Rücksetzimpulses 41 und des Zeilenimpulses 43 ist unkritisch, abgesehen davon, daß sie ausreichend lang sein sollte, damit sich die Spannungen in den Schaltungen beruhigen können.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 3 wird die Testspannung von der Rücksetzspannungsversorgungs schaltung 50 über die Spaltenleitung 52 angelegt. Der Rück setz-FET 54 ist zwischen die Spaltenleitung und den Schal tungsknoten 56 geschaltet. Der Rücksetzimpuls 41 und der Zeilenzugriffsimpuls 43 sind durch ein Zeitintervall T₁ ge trennt, ebenso wie voranstehend in bezug auf Fig. 2 beschrie ben. Wenn der Rücksetzimpuls vorhanden ist, wird daher die Rücksetzversorgungsspannung an die Spaltenleitung 52 und über den Rücksetz-FET 54 an den Schaltungsknoten 56 angelegt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Zeilenzugriffs-FET 60 nicht leitend oder gesperrt. Nachdem die Photodiode 58 in Sperrichtung ge schaltet wurde, infolge der Tatsache, daß die Testspannung an den Schaltungsknoten 56 während des Rücksetzimpulses ange legt wurde, schaltet nunmehr der Zeilenzugriffsimpuls 43 den Zeilen-FET-Schalter 60 frei, und das Nichtvorhandensein des Rücksetzimpulses sperrt die Rücksetzspannungsversorgungs- Schalttransistoren 68 und 69. Nunmehr ist der Last-FET 64 als Source-Folgerschaltung mit dem FET 62 geschaltet, und ist die Spannung am Ausgangsschaltungsknoten 66 proportional zur Testspannung, die an den Schaltungsknoten 56 angelegt wird.

Wie voranstehend in bezug auf die Fig. 2 und 4 erläutert wur de, können die Rücksetz- und Zeilenzugriffsimpulse 41 und 43 bei der Ausführungsform gemäß Fig. 3 dazu vorgesehen werden, einen Beleuchtungstest der Photodiode 58 dadurch durchzufüh ren, daß das Zeitintervall zwischen dem Impuls 41 und dem Im puls 43 eingestellt wird, während die Photodiode beleuchtet wird. Alternativ hierzu kann das Zeitintervall praktisch auf Null verringert und der Zeilenimpuls 43 verlängert werden. Wenn maximal viel Licht an die Photodiode angelegt wird, kann das Ausgangssignal an aufeinanderfolgenden Zeitpunkten abge tastet werden. Zu jedem Abtastzeitpunkt hat die Spannung über der Photodiode auf einen anderen Spannungswert abgenommen. Der Auslesewert zu jedem Abtastzeitpunkt kann daher der Aus lesewert einer neuen Testspannung über der Photodiode in der Sensorschaltung sein. Der bevorzugte Test für die Ausfüh rungsform gemäß Fig. 3 besteht jedoch darin, einen Zyklus für die Rücksetz- und Zeilenimpulse durchzuführen, und in jedem Zyklus durch die Rücksetzspannungsversorgungsschaltung 50 ei ne unterschiedliche Testspannung zur Verfügung zu stellen.

Ein zusätzliches Merkmal in der Ausführungsform gemäß Fig. 3 stellt die Verwendung eines parallelen N-Kanal-FET 68 und ei nes P-Kanal-FET 69 zu dem Zweck dar, die Rücksetzversorgungs spannung 50 an die Spaltenleitung 52 zu übertragen. Durch diese Konstruktion ist es möglich, daß die Testspannung auf jeden Wert zwischen Masse und V_DD eingestellt werden kann, unabhängig von dem Spannungsabfall zwischen Drain und Source über den FETs. Im Betrieb wird die Spannung von Masse bis V_DD, minus dem FET-Spannungsabfall, über den N-Kanal-FET 68 zur Verfügung gestellt. Spannungen zwischen dem Spannungs abfall über dem FET und V_DD können durch den P-Kanal-FET 69 zur Verfügung gestellt werden. Durch den parallelen Einsatz von N-Kanal- und P-Kanal-FETs kann daher jede Spannung zwi schen Masse und V_DD an die Spaltenleitung und daher an den Rücksetz-FET 54 angelegt werden. Der Gesamtumfang der vorlie genden Erfindung ergibt sich aus der Gesamtheit der vorlie genden Anmeldeunterlagen und soll von den beigefügten Patent ansprüchen umfaßt sein.

Claims

1. Testvorrichtung für ein zweidimensionales Bildscannerfeld, bei welchem Pixelsensorschaltungen vorgesehen sind, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, zum Testen der Pixel sensorschaltung, gekennzeichnet durch:
eine Rücksetzspannungsversorgung, die eine Quelle für aus wählbare Testspannungen zur Verfügung stellt;
eine Rücksetzvorrichtung zum Rücksetzen der Betriebsspan nung einer lichtempfindlichen Vorrichtung in einer Pixel sensorschaltung auf eine Testspannung von der Rücksetz spannungsversorgung;
eine Versorgungsspannung für die Pixelsensorschaltung; und
eine Meßvorrichtung zur Erfassung des Ausgangssignals der Pixelsensorschaltung in Reaktion auf das Anlegen der Test spannung an die lichtempfindliche Vorrichtung.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch:
eine Zeilenzugriffsvorrichtung zur elektrischen Verbindung jeder Pixelsensorschaltung in einer Zeile mit einer Spal tenleitung für die Pixelsensorschaltung;
wobei die Rücksetzvorrichtung die Testspannung zu einem ersten Zeitpunkt zurücksetzt, und die Zeilenzugriffsvor richtung die Pixelsensorschaltung mit der Spaltenleitung zu einem zweiten Zeitpunkt verbindet, der hinter dem er sten Zeitpunkt liegt, wodurch die Rücksetzvorrichtung und die Zeilenzugriffsvorrichtung wiederholt einen Zyklus durchlaufen können, um einen aufeinanderfolgenden Test der Pixelsensorschaltung zur Verfügung zu stellen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücksetzvorrichtung aufweist:
eine Rücksetzspannungsversorgung zum Anlegen der Testspan nungen an die Spaltenleitung;
eine Schaltervorrichtung zum Verbinden der Rücksetzspan nungsversorgung mit der Spaltenleitung nur während des Vorhandenseins des Rücksetzsignals; und
einen Rücksetzschalter zum Einstellen der Spannung von der Spaltenleitung für die lichtempfindliche Vorrichtung nur während des Vorhandenseins des Rücksetzsignals.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltervorrichtung aufweist:
eine p-Kanal-Halbleitervorrichtung parallel zu einer n- Kanal-Halbleitervorrichtung zur Bereitstellung eines Schal ters, der einen vollständigen Bereich von Testspannungen durchläßt, unabhängig von Spannungsabfällen über jeder Halbleitervorrichtung.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücksetzvorrichtung aufweist:
eine Rücksetzspannungsversorgung zum Anlegen der Testspan nungen an die Spaltenleitung;
eine Schaltervorrichtung zum Verbinden der Rücksetzspan nungsversorgung mit der Spaltenleitung nur während des Vorhandenseins des Rücksetzsignals; und
einen Rücksetzschalter zur Einstellung der Spannung von der Spaltenleitung für die lichtempfindliche Vorrichtung nur während des Vorhandenseins des Rücksetzsignals.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltervorrichtung aufweist:
eine p-Kanal-Halbleitervorrichtung parallel zu einer n- Kanal-Halbleitervorrichtung zur Bereitstellung eines Schalters zum Durchlassen eines vollständigen Bereichs von Testspannungen unabhängig von Spannungsabfällen über jeder Halbleitervorrichtung.

7. Verfahren zum Testen eines Brennebenenbildscannerfeldes, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Bereitstellen einer Versorgungsspannung für eine Pixel sensorschaltung;
b) Rücksetzen einer Betriebsspannung über einer licht empfindlichen Vorrichtung in der Pixelsensorschaltung auf eine von der Versorgungsspannung verschiedene Test spannung;
c) Treiben der Betriebsspannung über der lichtempfindli chen Vorrichtung auf eine Ausgangsleitung, nachdem die Betriebsspannung über der lichtempfindlichen Vorrich tung auf die Testspannung durch den Rücksetzschritt zurückgesetzt wurde; und
d) Bereitstellen von der Ausgangsleitung eines Ausgangs rücksetzsignals proportional zur Betriebsspannung über der lichtempfindlichen Vorrichtung.

8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte:

e) Abschalten des Treiberschrittes zum elektrischen Iso lieren der Betriebsspannung über der lichtempfindlichen Vorrichtung von der Ausgangsleitung;
f) Anlegen der Testspannung an die Ausgangsleitung in dem Rücksetzschritt;
g) einen zweiten Schaltschritt zum Anlegen der Testspan nung über die Ausgangsleitung über die lichtempfindli che Vorrichtung als rückgesetzte Betriebsspannung; und
h) Sperren des zweiten Schaltschrittes nach dem zweiten Schaltschritt und Freischalten des Treiberschrittes zum Treiben der rückgesetzten Betriebsspannung auf die Leitung, wodurch der Schritt d) ein Ausgangstestsignal zur Verfügung stellt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte:
Wiederholen der Schritte e) bis h) in aufeinanderfolgen den Testzyklen; und
Andern der durch den Rücksetzschritt zur Verfügung gestell ten Testspannung in jedem Testzyklus.

10. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte:
Wiederholen der Schritte b) bis d) in aufeinanderfolgen den Testzyklen; und
Ändern der durch den Rücksetzschritt zur Verfügung ge stellten Testspannung in jedem Testzyklus.

11. Bildscannerfeld mit mehreren Pixelmeßschaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß jede Pixelmeßschaltung aufweist:
eine Photodiode, die durch eine Rücksetzspannung in Sperrichtung geschaltet wird;
eine Source-Folger-Feldeffekttransistorschaltung zum Trei ben eines Ausgangssignals proportional zu einem Betriebs signal entsprechend der Spannung über der Photodiode;
eine Versorgungsspannungsquelle zur Betriebsversorgung der Source-Folgerschaltung;
eine von der Versorgungsspannungsquelle getrennte Rück setzspannungsquelle zum Liefern einer Testspannung als Rücksetzspannung;
einen Rücksetz-Feldeffekttransistor zum Anlegen der Rück setzspannung, um die Photodiode in Sperrichtung zu schal ten; und
einen Zeitgeber, um zuerst den Rücksetz-Feldeffekttran sistor freizuschalten, um die Testspannung als Betriebs spannung über der Photodiode anzulegen, und dann die Source-Folgerschaltung freizuschalten, um ein Ausgangs signal proportional zur Betriebsspannung zu treiben.

12. Feld nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß:
der Zeitgeber zyklisch das Freischalten des Rücksetz transistors und das Freischalten der Source-Folgerschal tung wiederholt, um mehrere aufeinanderfolgende Test zyklen zur Verfügung zu stellen; und
die Rücksetzspannungsquelle in jedem Testzyklus eine unterschiedliche Testspannung liefert.

13. Feld nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Folgerschaltung in mehreren der Pixelsensorschal tungen das Ausgangssignal auf eine gemeinsame Ausgangs leitung treibt, die gemeinsam von den Sensorschaltungen genutzt wird, und daß das Feld weiterhin aufweist:
den Rücksetz-Feldeffekttransistor, der auf den Zeitgeber reagiert, um die Rücksetzspannung an die Photodiode über den Rücksetztransistor und die gemeinsame Ausgangslei tung in einem ersten Zeitintervall anzulegen; und
einen Zugriffs-Feldeffekttransistor, der auf den Zeit geber reagiert, um die Source-Folgerschaltung in einem zweiten Zeitintervall freizuschalten, welches auf das erste Zeitintervall folgt, wodurch die Rücksetzspannung über die gemeinsame Ausgangsleitung während des ersten Intervalls angelegt werden kann, und das Ausgangssignal auf der gemeinsamen Ausgangsleitung während des zweiten Intervalls zur Verfügung gestellt werden kann.

14. Feld nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Folgerschaltung von mehreren der Pixelsensorschal tungen das Ausgangssignal auf eine gemeinsame Ausgangs leitung treibt, die gemeinsam von den Sensorschaltungen genutzt wird, und daß das Feld weiterhin aufweist:
eine Rücksetzschalterschaltung, die auf den Zeitgeber reagiert, um die Rücksetzspannung an die gemeinsame Aus gangsleitung in einem ersten Zeitintervall anzulegen;
wobei der Rücksetz-Feldeffekttransistor auf den Zeit geber reagiert, um die Rücksetzspannung von der gemein samen Ausgangsleitung an die Photodiode während des er sten Zeitintervalls anzulegen; und
einen Zugriffs-Feldeffekttransistor, der auf den Zeit geber reagiert, um die Source-Folgerschaltung in einem zweiten Zeitintervall freizuschalten, welches auf das erste Zeitintervall folgt, wodurch die Rücksetzspannung über die gemeinsame Ausgangsleitung während des ersten Intervalls angelegt werden kann, und das Ausgangssignal auf der gemeinsamen Ausgangsleitung während des zweiten Intervalls zur Verfügung gestellt werden kann.

15. Feld nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß:
der Zeitgeber zyklisch das Freischalten der Rücksetz schaltung und des Rücksetztransistors wiederholt, und die Freischaltung der Source-Folgerschaltung wiederholt, um mehrere aufeinanderfolgende Testzyklen zur Verfügung zu stellen; und
die Rücksetzspannungsquelle in jedem Testzyklus eine unterschiedliche Testspannung liefert.

16. Feld nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücksetzschalterschaltung aufweist:
einen n-Kanal-Feldeffekttransistor parallel zu einem n-Kanal-Feldeffekttransistor zur Bereitstellung eines Schalters zum Anlegen eines vollständigen Bereichs von Testspannungen an die gemeinsame Ausgangsleitung unab hängig von Spannungsabfällen über den p-Kanal-Feldeffekt transistor und den n-Kanal-Feldeffekttransistor.

17. Verfahren zur Untersuchung einer Pixelsensorschaltung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
Anlegen einer ersten Versorgungsspannung an die Pixel sensorschaltung;
Anlegen einer zweiten Testspannung an eine Rücksetz schaltung der Pixelsensorschaltung; und
periodisches Freischalten der Rücksetzschaltung.

18. Verfahren für ein Bildsensorfeld mit mehreren Sensor schaltungen und lichtempfindlichen Vorrichtungen, zum Testen der Sensorschaltungen ohne Beleuchtung der licht empfindlichen Vorrichtungen, mit dem Schritt des Anlegens einer variablen Spannung an zumindest eine der Sensor schaltungen.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die variable Spannung an eine Rücksetzschaltung der Sen sorschaltung angelegt wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Rücksetzschaltung periodisch freigeschaltet wird.