DE1962294A1 - Elektrischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Elektrischer Kondensator und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- DE1962294A1 DE1962294A1 DE19691962294 DE1962294A DE1962294A1 DE 1962294 A1 DE1962294 A1 DE 1962294A1 DE 19691962294 DE19691962294 DE 19691962294 DE 1962294 A DE1962294 A DE 1962294A DE 1962294 A1 DE1962294 A1 DE 1962294A1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
Description
E-Nr.
Reg. Nr.
Titel:
Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung"
Verzeichnis der verwendeten Bezeichnungen
Bezugszeichen
Übersetzung
fooäy portion anode lead spherical grain
dielectric layer pore depoaito Grundkörper
Änodenleitung
kugelförmiges Körnchen dielektrische Schicht Pore Zwischenschicht
Claims (1)
- W.Mosebaoh-C.P.Piper 5-2Patentansprüche/1. ))Elöktr!scher Kondensator mit einer porösen Sinteranode^—' aus Ventilmetall, insbesondere Tantal, einer in den Poren und auf der äußeren Oberfläche befindlichen dielektrischen Schicht aua einem Oxid des Yentilmetalls, einer halbleitenden Schicht ala zweitem Belag und einer zwischen der Oxidschicht und der Halbleiterschioht angeordneten Zwischenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß nur die äußere Oberfläche der Sinteranode mit der Zwischenschicht überzogen ist und diese aus dielektrischem Material besteht·2.) Elektrischer Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Gesamtdielektrikums in den Poren geringer ist als on der äußeren Oberfläche der Sinteranode.3.) Elektrischer Kondensator naoh Anspruch 1 oder 2„ dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus Siliziumnitrid besteht.4«) Elektrischer Kondensator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus Siliziumnitrid eine maximale Schichtdicke von 2 yum hat«^5») Elektrischer Kondensator nach Anspruch 1 odor 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus einsm Oxid des Yentilmstails feaateht.W.Hosebach-C.P.Pipor 5-2 - »-§.) Vorfahren zur Herstellung eines elektrischen Kondensators naoh einem der Ansprüche 1 bis 5t dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Oxidschicht durch anodisohe Oxidation hergestellt, dann der hierbei verwendete Elektrolyt aus den Poren der Sinteranode entfernt, daraufhin die dielektrische Zwischenschicht erzeugt und danach die Formierung fortgesetzt wird.7.) Vorfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Oxidschicht durch anodisohe Oxidation in einer wäßrigen, 0,02 Prozent Phosphorsäure, enthaltenden Elektrolytlösung erzeugt wird·8·) Verfahren nach Anspruch 6 oder' 7, dadurch gekennzeichnet» daß die dielektrische Zwischenschicht durch chemische Reaktion und mittels Gasentladung hergestellt wird»9·) Verfahren nach Anspruch 6 oder 7» dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrisoho Zwiochensohioht duroh anodischö Oxidation hergestellt wird·10·) Vorfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der dielektrischen Zwischenschicht die Sinteranode in einen aus gleiohen Volumenteilen JLthylonglykol und V/asaer mit einom Zusatz von 0,005 Volumenprozent Phosphorsäure bestehenden Elektrolyten getaucht wird·11·) Vorfahren naoh Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der dielektrischen Zwischenschicht die Sinteranode in einen aus 70 Volumprozent Eineaeig und 30 Volumprozent Wasser bestehenden Elektrolyten getauoht wird ·- 5-12,1969009840/1164
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB59340/68A GB1165510A (en) | 1968-12-13 | 1968-12-13 | Solid Electrolytic Capacitors |
GB5934068 | 1968-12-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1962294A1 true DE1962294A1 (de) | 1970-10-01 |
DE1962294B2 DE1962294B2 (de) | 1975-06-19 |
DE1962294C3 DE1962294C3 (de) | 1976-01-29 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1962294B2 (de) | 1975-06-19 |
ES374548A1 (es) | 1972-04-01 |
FR2026073A1 (de) | 1970-09-11 |
US3614544A (en) | 1971-10-19 |
NL6918733A (de) | 1970-06-16 |
CH516864A (de) | 1971-12-15 |
GB1165510A (en) | 1969-10-01 |
BE743109A (de) | 1970-06-15 |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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