DE19621353A1 - Duplexer und ein Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents
Duplexer und ein Verfahren zum Herstellen desselbenInfo
- Publication number
- DE19621353A1 DE19621353A1 DE1996121353 DE19621353A DE19621353A1 DE 19621353 A1 DE19621353 A1 DE 19621353A1 DE 1996121353 DE1996121353 DE 1996121353 DE 19621353 A DE19621353 A DE 19621353A DE 19621353 A1 DE19621353 A1 DE 19621353A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- duplexer
- pattern
- matching circuit
- phase matching
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Duplexer,
und im besonderen auf einen Duplexer, in dem ein akustisches
Oberflächenwellen-(SAW)-Bandpaßfilter (nachfolgend als SAW-
Bandpaßfilter bezeichnet) verwendet wird.
In jüngster Zeit ist die Größe von tragbaren Kommunika
tionseinrichtungen, von denen ein Beispiel ein tragbares
Telefon ist, rapide reduziert worden. Im Zusammenhang damit
wird die Reduzierung der Größe und die Verbesserung der
Leistung von Komponenten, die in tragbaren Kommunikations
einrichtungen verwendet werden, gewünscht. Ein Duplexer ist
als Komponente bekannt, um ein Signal in Funkkommunikations
einrichtungen, wie bei einem tragbaren Telefon, zu teilen
oder zu erzeugen. Viele Duplexer sind aus einem Bandpaß
filter unter Verwendung eines dielektrischen Filters, eines
Bandsperrfilters oder einer Kombination von beiden Filtern
konstruiert. Duplexer unter Verwendung eines SAW-Bandpaß
filters werden zur Zeit untersucht und entwickelt.
Um zu verhindern, daß sich Filtercharakteristiken von
zwei SAW-Bandpaßfilterchips (die Durchlaßbandmittenfrequen
zen f₁ bzw. f₂ haben), die einen Duplexer bilden, gegensei
tig behindern, ist es herkömmlicherweise notwendig, eine
Phasenanpaßschaltung in jedem der zwei SAW-Bandpaßfilter
chips vorzusehen. Die Konstante der Anpaßschaltung wird
durch die Mittenfrequenzen der zwei Filterchips und eine
Differenz zwischen ihnen bestimmt. Durch Unterbringen der
Filterchips in einer Keramikpackung wird ein kompakter
Duplexer vorgesehen.
Fig. 1A, 1B und 1C zeigen eine Konstruktion eines
herkömmlichen Duplexers 11. Fig. 1A ist eine perspektivische
Ansicht, Fig. 1B eine obere Schnittansicht und Fig. 1C eine
Längsschnittansicht.
Der in Fig. 1A-1C gezeigte Duplexer 11 ist eine mehr
schichtige Keramikpackung 18 mit einer Vielzahl von rohen
Blättern 12. Eine Erdungsschicht GND ist in jedem der rohen
Blätter 12 gebildet. Eine Phasenanpaßleitung 13a ist
zwischen den vorbestimmten rohen Blättern 12 vorgesehen, und
eine andere Anpaßleitung 13b ist zwischen den vorbestimmten
rohen Blättern 12 vorgesehen. Filterchips 14a und 14b sind
in einem Raum montiert, der durch drei obere Schichten 12
gebildet wird. Um die Filterchips 14a und 14b herum sind
Erdungsanschlüsse 15, Filtersignalanschlüsse 16 und gemein
same Signalanschlüsse 17 gebildet. Ein Empfangsanschluß 19,
ein Sendeanschluß 20 und ein Antennenanschluß 21 sind gebil
det, um sich von dem Boden zu der Seite der mehrschichtigen
Keramikpackung 18 zu erstrecken.
Drähte 22 stellen die elektrische Verbindung zwischen
den Filterchips 14a und 14b nahe des oberen Endes der mehr
schichtigen Keramikpackung 18 und den jeweiligen Erdungs
anschlüssen 15, Filtersignalanschlüssen 16 und gemeinsamen
Signalanschlüssen 17 her. Eine Metallkappe 23 dichtet eine
obere Öffnung hermetisch ab.
Die Filterchips 14a und 14b haben verschiedene Mitten
frequenzen. Die Phasenanpaßleitungen 13a und 13b werden zur
gleichen Zeit wie die mehrschichtige Keramikpackung 18 aus
Streifenleitungen gebildet. Durch Vorsehen der Phasenanpaß
leitungen 13a und 13b innerhalb der mehrschichtigen Keramik
packung 18 kann die Dielektrizitätskonstante der Packung
genutzt werden. Durch Reduzieren der Länge der Leitungen
wird die Reduzierung der Größe der Packung erreicht.
In dem Duplexer 11, der wie oben konstruiert ist,
werden die Charakteristiken der Filterchips 14a und 14b
durch die Schaltungsmuster der Phasenanpaßleitungen 13a und
13b beeinträchtigt. Zum Beispiel ist die Impedanz der Fil
terchips 14a und 14b mit der Leitungsimpedanz Z₀ einer
externen Schaltung in einem Durchlaßband im wesentlichen
identisch (in diesem Fall beträgt Z₀ ≈ 50 Ω). In dem Dämp
fungsband ist die Impedanz der Filterchips 14a und 14b im
Niveau weit höher als die einer externen Schaltung. Eine
Verschlechterung dieser Aspekte der Charakteristiken der
Filterchips 14a und 14b sollte vermieden werden. Zu diesem
Zweck ist es ideal, daß in einem Durchlaßband für einen der
Filterchips 14a und 14b die Impedanz des anderen der Filter
chips 14a und 14b unendlich ist und der Reflexionskoeffi
zient im wesentlichen 1 ist.
Eine Phasenanpaßschaltung ist notwendig, um die oben
beschriebene Charakteristik vorzusehen. In der Praxis wird
eine Phasenanpaßschaltung durch eine Streifenleitung verkör
pert. Wenn eine Phasenanpaßschaltung durch ein Streifen
leitungsmuster verkörpert wird, wird der Widerstand der
Phasenanpaßschaltung zu der Länge der Leitung proportional.
Ein großer Widerstand führt zu einer Erhöhung der schweben
den Kapazität, die die verteilte Konstante beeinträchtigt,
und zu einem Signalübertragungsverlust. Je höher die Fre
quenz und je höher die Dielektrizitätskonstante der Packung
ist, um so mehr wird die Phasenanpaßschaltungskonstante
durch die schwebende Kapazität beeinträchtigt. Eine Möglich
keit, dieses Problem zu lösen, besteht darin, ein Leitungs
muster zu konstruieren, indem ein Leiter mit niedrigem
Widerstand in einem Material gebildet wird, das eine kleine
Dielektrizitätskonstante hat. Zum Beispiel wird ein Kupfer
leitermuster in einem Glaskeramikmaterial gebildet.
Das Bilden eines Kupferleitermusters in einem Glaskera
mikmaterial, das durch eine kleine Dielektrizitätskonstante
gekennzeichnet ist, sieht einen Duplexer mit verbesserter
Qualität vor. Jedoch ist bekannt, daß ein Glaskeramikmate
rial eine relativ niedrige Starrheit hat und einen ungünsti
gen Kontakt mit einem Leiter vorsieht. Deshalb mangelt es
einem Glaskeramikmaterial bei der praktischen Verwendung an
Zuverlässigkeit.
Das Verwenden eines Aluminiumoxidkeramikmaterials
anstelle eines Glaskeramikmaterials und das Verwenden von
Wolfram anstelle von Kupfer führt zu einem Verlust auf Grund
des Widerstandes des Leiters und führt auch zu einer Ver
schlechterung der Charakteristik auf Grund der schwebenden
Kapazität.
Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
einen Duplexer vorzusehen, bei dem die obengenannten Pro
bleme eliminiert sind.
Eine andere und spezifischere Aufgabe der vorliegenden
Erfindung ist es, einen Duplexer vorzusehen, bei dem das
Leitermaterial eine verbesserte Charakteristik hat. Es wird
auch beabsichtigt, daß die Packung gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Kombination von verschiedenen Frequenzcharak
teristikmustern ermöglicht und der Duplexer eine verbesserte
Flexibilität hinsichtlich der Orientierung der Außenverbin
dungsanschlüsse vorsieht.
Um die obengenannten Ziele zu erreichen, sieht die vor
liegende Erfindung einen Duplexer vor, der durch eine mehr
schichtige Packung verkörpert wird, welche mehrschichtige
Packung umfaßt: eine vorbestimmte Anzahl von akustischen
Oberflächenwellenbandpaßfilterchips mit verschiedenen Durch
laßbandmittenfrequenzen; und Phasenanpaßschaltungsmuster,
die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilter
chips vorgesehen sind; bei dem die Phasenanpaßschaltungsmu
ster auf einer Oberflächenschicht der mehrschichtigen Pac
kung gebildet sind. Die Phasenanpaßschaltungsmuster können
gebildet sein als Mikrostreifenleitungen oder als Schichten,
die ein Kupferglied enthalten. Gemäß dem Duplexer der vor
liegenden Erfindung ist es möglich, ein Phasenanpaßschal
tungsmuster aus einem Leiter mit niedrigem Widerstand zu
bilden, so daß eine Verschlechterung des Reflexionskoeffizi
enten auf Grund der schwebenden Kapazität abgestellt wird,
so daß die Verschlechterung der Filtercharakteristik unter
drückt oder reduziert wird.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung ist über den Phasenanpaßschaltungsmustern mit
Hilfe einer Lücke eine Erdungsschicht vorgesehen. Gemäß
diesem Aspekt der Erfindung kann ein externer Einfluß, wie
die charakteristische Impedanz, reduziert werden, so daß die
Stabilität der Multiplexcharakteristik gewährleistet ist.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung ist eine vorbestimmte Anzahl von Außen
verbindungsanschlüssen in einer untersten Schicht der mehr
schichtigen Packung gebildet und ist jedes der Phasen
anpaßschaltungsmuster durch einen gemeinsamen Anschluß mit
einem der Außenverbindungsanschlüsse verbunden. Die Phasen
anpaßschaltungsmuster können eine vorbestimmte Anzahl von
Einstellungsmustern zur Einstellung der Länge der Phasen
anpaßschaltungsmuster enthalten. Gemäß diesem Aspekt der
Erfindung können Außenverbindungsanschlüsse, die in der
Packung gebildet sind, mit einer verbesserten Flexibilität
orientiert werden und wird die Einstellung der Länge der
Leitungen erleichtert. Somit kann eine gemeinsame Packung
für verschiedene Typen von Duplexern verwendet werden, und
der Duplexer sieht eine verbesserte Flexibilität hinsicht
lich der Orientierung der Außenverbindungsanschlüsse vor.
Die obengenannten Ziele können auch durch ein Verfahren
zum Herstellen eines Duplexers erreicht werden, der durch
eine mehrschichtige Packung verkörpert wird, die mit einer
vorbestimmten Anzahl von akustischen Oberflächenwellen
bandpaßfilterchips versehen ist, die verschiedene Durchlaß
bandmittenfrequenzen haben, und mit Phasenanpaßschaltungs
mustern, die zwischen den akustischen Oberflächenwellen
bandpaßfilterchips vorgesehen sind, welches Verfahren die
Schritte umfaßt: Bilden einer vorbestimmten Anzahl von rohen
Blättern; Bilden von vorbestimmten Mustern auf dem rohen
Blatt und Bilden von Öffnungen nach Erfordernis; Zusammen
setzen der vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern zu einer
mehrschichtigen Rohblattstruktur und Unterziehen der mehr
schichtigen Rohblattstruktur einem Sinterprozeß; Bilden
eines Musterfilms oben auf der mehrschichtigen Rohblatt
struktur; Ätzen des Musterfilms, um die vorbestimmte Anzahl
von Anpaßschaltungsmustern zu bilden; Trennen der mehr
schichtigen Rohblattstruktur in individuelle mehrschichtige
Packungen; Bilden von Außenverbindungsanschlüssen in der
mehrschichtigen Packung; Montieren der akustischen Oberflä
chenwellenbandpaßfilterchips in die mehrschichtige Packung;
Herstellen von erforderlichen elektrischen Verbindungen in
der mehrschichtigen Packung; und hermetisches Abdichten der
mehrschichtigen Packung mit einer Kappe. Gemäß diesem Aspekt
der Erfindung wird das Phasenanpaßschaltungsmuster in einem
Prozeß gebildet, der von jenem des rohen Blattes getrennt
ist. Somit ist die Auswahl eines Materials für den Leiter
nicht von der Sintertemperatur des rohen Blattes abhängig.
Die obengenannten Ziele können auch durch einen Duple
xer erreicht werden, der umfaßt: eine vorbestimmte Anzahl
von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips, die
verschiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben; und eine
mehrschichtige Packung, die die vorbestimmte Anzahl von
Filterchips hat, die auf einer Chipmontageoberfläche mon
tiert sind, und Anschlüsse, zur Verbindung mit externen
Schaltungen, die in einer Bodenschicht der mehrschichtigen
Packung gebildet sind, wobei ein Phasenanpaßschaltungsmuster
zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips
verbunden ist, bei dem das Phasenanpaßschaltungsmuster
zwischen der Chipmontageoberfläche und den Anschlüssen
gebildet ist. Die Phasenanpaßmuster können gebildet sein als
Mikrostreifenleitungen oder als Schichten, die ein Kupfer
glied enthalten. Gemäß dem oben beschriebenen Duplexer kann
einer Verschlechterung des Reflexionskoeffizienten auf Grund
der schwebenden Kapazität abgeholfen werden, so daß eine
Verschlechterung der Filtercharakteristik verhindert werden
kann. Da das Phasenanpaßschaltungsmuster gebildet ist, um
der Platte zugewandt zu sein, auf der der Duplexer montiert
wird, wird eine Strahlung nach außen eingeschränkt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform können zwischen
der Chipmontageoberfläche und den Anschlüssen gemeinsame
Erdungsmuster gebildet sein. Gemäß diesem Aspekt der vorlie
genden Erfindung können Verdrahtungen (Kronierungen), die
außen an der Packung gebildet sind, um das gemeinsame
Erdungsmuster und die Anschlüsse zu verbinden, kürzer sein.
Als Resultat ist es möglich, eine Induktivität der Kronie
rungen zu reduzieren und die Dämpfungscharakteristik außer
halb des Durchlaßbandes zu verbessern.
Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform kann ein
Antennenanschlußmuster, das mit den Filterchips verbunden
ist, innerhalb der mehrschichtigen Packung gebildet sein.
Gemäß diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann das
Lecken von Signalen von dem Antennenanschlußmuster reduziert
werden.
Andere Aufgaben und weitere Merkmale der vorliegenden
Erfindung gehen aus der folgenden eingehenden Beschreibung
zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen hervor, in denen
Fig. 1A eine perspektivische Ansicht eines herkömmli
chen Duplexers ist;
Fig. 1B eine obere Schnittansicht des herkömmlichen
Duplexers ist;
Fig. 1C eine Längsschnittansicht des herkömmlichen
Duplexers ist;
Fig. 2A eine perspektivische Ansicht eines Duplexers
gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist;
Fig. 2B eine Längsschnittansicht des Duplexers gemäß
der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3 ein Beispiel einer Schaltung des Duplexers von
Fig. 2A und 2B zeigt;
Fig. 4 eine Charakteristik des Duplexers von Fig. 2A
und 2B zeigt;
Fig. 5 einen Prozeß zum Herstellen des Duplexers gemäß
der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 6A und 6B grafische Darstellungen sind, die Fre
quenzcharakteristiken des Duplexers gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines Duplexers
gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist;
Fig. 8 eine grafische Darstellung ist, die eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten
Ausführungsform zeigt;
Fig. 9 eine grafische Darstellung ist, die eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten
Ausführungsform zeigt;
Fig. 10 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß
einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
ist;
Fig. 11 eine Draufsicht auf den Duplexer gemäß der
vierten Ausführungsform ist;
Fig. 12 eine perspektivische Ansicht des Duplexers
gemäß der vierten Ausführungsform ist;
Fig. 13 eine grafische Darstellung ist, die eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der vierten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 14 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß
einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
ist;
Fig. 15 eine perspektivische Ansicht des Duplexers
gemäß der fünften Ausführungsform ist;
Fig. 16 eine grafische Darstellung ist, die eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der fünften
Ausführungsform zeigt;
Fig. 17 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß
einer sechsten Ausführungsform ist; und
Fig. 18 eine perspektivische Ansicht des Duplexers
gemäß der sechsten Ausführungsform ist.
Fig. 2A und 2B zeigen eine Konstruktion eines Duplexers
gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. Genauer gesagt, Fig. 2A ist eine perspektivische
Ansicht, und Fig. 2B ist eine Längsschnittansicht. In einem
Duplexer 31, der in Fig. 2A und 2B gezeigt ist, ist eine
mehrschichtige Keramikpackung 32 zum Beispiel aus vier
Schichten 32₁-32₄ gebildet. Erdungs-(GND)-Muster sind auf
der Unterseite der Schichten 32₁ und 32₃ gebildet.
Signalmuster (einschließlich eines Musters für die
Energiezuführung) sind auf der Unterseite der Schicht 32₂
gebildet. Die Schichten 32₁-32₄ sind mit jeweiligen
Öffnungen versehen, um einen Hohlraum zum Unterbringen von
SAW-Bandpaßfilterchips 33a und 33b zu schaffen. Die
Frequenzcharakteristiken der Filterchips 33a und 33b sind
unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben.
Die Filterchips 33a und 33b sind auf die Unterseite der
Schicht 32₁ montiert und mit jeweiligen Signalmustern auf
der Schicht 32₂ durch Drähte 34 verbunden. Eine Kappe 35 ist
vorgesehen, um die Öffnung der Schicht 32₃ zu bedecken, um
den Hohlraum hermetisch abzudichten.
Durchgangslöcher verbinden die Schichten 32₁-32₄.
Außenverbindungsanschlüsse 36a-36c sind vorgesehen, um
sich von jeweiligen lateralen Seiten der Packung 32 zu der
Unterseite der Schicht 32₄ zu erstrecken. Zum Beispiel ist
der Außenverbindungsanschluß 36a, der in Fig. 2A und 2B
gezeigt ist, ein Empfangsanschluß, der mit dem Filterchip 33b
verbunden ist; ist der Außenverbindungsanschluß 36b ein
Sendeanschluß, der mit den Filterchips 33b verbunden ist;
und ist der Außenverbindungsanschluß 36c ein Antennenan
schluß, der mit einem gemeinsamen Anschluß verbunden ist,
der später beschrieben ist.
Wie in Fig. 2A gezeigt sind zwei mäanderförmige
Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b, die zum Beispiel
aus einem Kupfermaterial gebildet sind und den Filterchips
33a bzw. 33b entsprechen, auf der obersten Schicht 32₁
vorgesehen. Ein Ende von jedem der Muster 37a und 37b ist
mit einem gemeinsamen Anschlußmuster 37c verbunden, und das
andere Ende von jedem der Muster 37a und 37b ist durch die
Durchgangslöcher mit den Filterchips 33a bzw. 33b verbunden.
Das gemeinsame Anschlußmuster 37c ist mit dem Antennen
anschluß 36c verbunden, der an der mehrschichtigen Packung
32 gebildet ist.
Fig. 3 zeigt ein Schaltungsbeispiel des Duplexers von
Fig. 2A und 2B. Fig. 4 zeigt eine Charakteristik des Duple
xers von Fig. 2A und 2B. Wie in Fig. 3 gezeigt, sind zwei
Filterchips F₁ und F₂ (33a, 33b) durch die Phasenanpaßschal
tungen 37a und 37b verbunden mit gemeinsamen Anschlüssen T₁
und T₂ (gemeinsames Anschlußmuster 37c), die mit dem Anten
nenanschluß 36c verbunden sind. Der Empfangsanschluß 36a ist
mit einem Anschluß A₁ oder einem Anschluß B₁ verbunden; und
der Sendeanschluß 36b ist mit einem Anschluß A₂ oder einem
Anschluß B₂ verbunden, wobei die Anschlüsse A₁ und A₂ in dem
Filterchip F₁ vorgesehen sind und die Anschlüsse B₁ und B₂ in
dem Filterchip F₂ vorgesehen sind.
Wie in Fig. 4 gezeigt, haben die Filterchips F₁ und F₂
(33a, 33b) verschiedene Mittenfrequenzen. Zum Beispiel hat
der Filterchip F₁ (33a) eine Mittenfrequenz (f₁) von 836
MHz, und der Filterchip F₂ (33b) hat eine Mittenfrequenz von
881 MHz.
Fig. 5 zeigt einen Prozeß zum Herstellen des Duplexers
gemäß der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf Fig. 5
wird eine notwendige Anzahl von rohen Blättern gebildet
(Schritt S1), die die Schichten 32₁-32₄ von Fig. 2A und 2B
verkörpern. Ein rohes Blatt ist ein Keramikblatt, das nicht
dem Sintern unterzogen wurde und aus einem Aluminiumoxid mit
einer Dielektrizitätskonstante von 9,7 gebildet ist. Auf der
jeweiligen Schicht, die durch das rohe Blatt verkörpert
wird, werden ein Signalmuster und ein Erdungsmuster gebil
det. Öffnungen, die einen Hohlraum zum Unterbringen der
Filterchips 33a und 33b bilden, werden auch gebildet (S2).
Anschließend werden die rohen Blätter aufeinanderge
setzt, und die resultierende mehrschichtige Struktur wird
für etwa 5-24 Stunden dem Sintern bei 1500-1600°C
unterzogen (S3). In diesem Zustand ist eine Vielzahl von
mehrschichtigen Keramikpackungen nicht voneinander getrennt.
Ein Musterfilm, der zum Beispiel aus Kupfer gebildet ist,
wird durch Dampfabscheidung auf der obersten Schicht vorge
sehen (S4). Der Musterfilm wird dann geätzt, so daß eine
gewünschte Anzahl von mäanderförmigen Phasenanpaßschaltungs
mustern 37a und 37b und gemeinsame Anschlußmuster 37c wie in
Fig. 2A gebildet werden (S5). Danach wird die mehrschichtige
Struktur in individuelle mehrschichtige Keramikpackungen 32
zerschnitten (S6).
Die Außenverbindungsanschlüsse 36a-36c werden gebil
det, um sich von dem Boden der mehrschichtigen Keramikpac
kung 32 zu deren jeweiligen Seiten zu erstrecken. Die Fil
terchips 33a und 33b werden auf die mehrschichtige Keramik
packung 32 montiert und durch die Drähte 34 mit den jeweili
gen Signalmustern elektrisch verbunden. Die Packung 32 wird
dann durch die Kappe 35 hermetisch abgedichtet (S7).
Wie oben beschrieben, sind der Prozeß zum Bilden der
mehrschichtigen Keramikpackung 32 und der Prozeß zum Bilden
der Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b voneinander
getrennt. Ein Vorteil, der sich aus dieser Konstruktion
ergibt, ist der, daß ein Material mit niedrigem Widerstand
(zum Beispiel ein Kupfermaterial oder ein Verbundmaterial
mit Kupfer, Nickel und Aluminium) beim Bilden der Muster 37a
und 37b verwendet werden kann, wodurch es möglich wird, den
Verlust auf Grund der Anpaßschaltung zu reduzieren. Daher
kann die Länge der Anpaßschaltungsmuster reduziert werden,
so daß die Packung kompakt sein kann und die Filtercharakte
ristik verbessert werden kann.
Fig. 6A und 6B sind grafische Darstellungen, die eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen. Fig. 6A ist eine grafische Darstellung,
die die allgemeine Frequenzcharakteristik zeigt. Fig. 6B ist
eine grafische Darstellung im vergrößerten Maßstab, die eine
Veränderung des Verlustes zeigt, der von der Konstruktion
des Leitermusters abhängt. Die in Fig. 6A und 6B gezeigte
Frequenzcharakteristik wird experimentell erhalten, indem
das Phasenanpaßschaltungsmuster 37a gebildet wird, um eine
Breite von etwa 200 µm und eine Länge von etwa 40 mm zu
haben, und indem das Phasenanpaßschaltungsmuster 37b gebil
det wird, um eine Breite von etwa 200 µm und eine Länge von
etwa 35 mm zu haben. Die Dielektrizitätskonstante der
Schicht 32₁ der mehrschichtigen Keramikpackung 32, die den
Duplexer 31 bildet, beträgt 9,7.
Wie in Fig. 6A gezeigt, erfolgt in dem Filterchip F₁
(33a) eine Dämpfung von 2,19 dB bei 824 MHz, eine Dämpfung
von 2,70 dB bei 849 MHz, eine Dämpfung von 41,80 dB bei 869
MHz und eine Dämpfung von 28,30 dB bei 894 MHz. In dem
Filterchip F₂ (33b) erfolgt eine Dämpfung von 3,78 dB bei
869 MHz, eine Dämpfung von 3,12 dB bei 894 MHz, eine Dämp
fung von 42,84 dB bei 824 MHz und eine Dämpfung von 34,94 dB
bei 894 MHz.
In Fig. 6B kennzeichnet eine durchgehende Linie eine
Frequenzcharakteristik eines herkömmlichen Duplexers, der
wie in Fig. 1A-1C konstruiert ist, bei dem die Phasen
anpaßschaltung innerhalb der Packung vorgesehen ist, indem
ein Wolframleitermuster in einem Aluminiumoxidkeramikmate
rial gebildet wird; eine gestrichelte Linie kennzeichnet
eine Frequenzcharakteristik des Duplexers von Fig. 2A und
2B, bei dem die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b auf
der obersten Schicht vorgesehen sind, indem ein Wolfram
leitermuster in einem Aluminiumkeramikmaterial gebildet
wird; und eine Strichpunktlinie kennzeichnet eine
Frequenzcharakteristik des Duplexers von Fig. 2A und 2B, bei
dem die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b auf der
obersten Schicht vorgesehen sind, indem ein Kupferleiter
muster in einem Aluminiumoxidkeramikmaterial gebildet wird.
Unter Bezugnahme auf Fig. 6B sei erwähnt, daß unter der
Bedingung, daß das Phasenanpaßmuster durch Bilden des Wolf
ramleitermusters in dem Aluminiumoxidkeramikmaterial kon
struiert ist, die Frequenzcharakteristik der Konstruktion,
bei der das Phasenanpaßschaltungsmuster nahe des oberen
Endes der Packung vorgesehen ist (gestrichelte Linie), eine
kleinere Dämpfung der Mittenfrequenz und eine bessere
Filtercharakteristik vorsieht als die Konstruktion, bei der
die Phasenanpaßschaltung innerhalb der Packung eingebaut ist
(durchgehende Linie). Es wird eingeschätzt, daß die Kon
struktion, bei der das Kupferleitermuster anstelle des
Wolframleitermusters verwendet wird (Strichpunktlinie), eine
kleinere Dämpfung und eine günstige Filtercharakteristik auf
Grund einer Reduzierung des Hochfrequenzverlustes vorsieht,
die sich aus einer Reduzierung des Gleichstromwiderstandes
ergibt.
Zusammenfassend wird festgestellt, daß durch Vorsehen
eines Phasenanpaßschaltungsmusters, das aus einem Material
mit niedrigem Widerstand, wie Kupfer, nahe des oberen Endes
der mehrschichtigen Keramikpackung 32 gebildet ist, eine
Verschlechterung der Filtercharakteristik auf Grund des
Widerstandes des Musters auf die Hälfte jener der herkömm
lichen Packung reduziert wird. Ferner wird eingeschätzt, daß
eine Verschlechterung des Reflexionskoeffizienten auf Grund
der schwebenden Kapazität abgestellt werden kann, so daß
eine Verschlechterung der Filtercharakteristik des Duplexers 31
verhindert werden kann. Da das gemeinsame Anschlußmuster
37c mit dem Antennenanschluß 36c auf einer der beiden Seiten
der mehrschichtigen Keramikpackung 32 verbunden werden kann,
kann eine Platte, auf der der Duplexer montiert wird, mit
erhöhter Flexibilität hinsichtlich der Orientierung der
Anschlüsse (Sendeanschlüsse und Empfangsanschlüsse) konstru
iert werden.
Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht des Duplexers
31 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Der in Fig. 7 gezeigte Duplexer ist so konstru
iert, daß zum Beispiel fünf diskrete Einstellmuster 41a₁-41a₅
am Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters 37a auf der
obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpackung 32 zum
Zweck des Einstellens der Länge des Leitungsmusters vorgese
hen sind. Ferner sind zum Beispiel fünf diskrete Einstell
muster 41b₁-41b₅ am Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters
37b auf der obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpac
kung 32 vorgesehen.
Sobald die Länge des Leitungsmusters bestimmt ist, wird
eines der Einstellmuster des Musters 37a mit dem gemeinsamen
Anschlußmuster 37c durch einen Draht 42 verbunden. Zum
Beispiel kann das Einstellmuster 41a₅ mit dem gemeinsamen
Anschlußmuster 37a verbunden sein. Ferner wird eines der
Einstellmuster des Musters 37b mit dem gemeinsamen Anschluß
muster 37c durch den Draht 42 verbunden. Zum Beispiel ist
das Einstellmuster 41b₃ mit dem gemeinsamen Anschlußmuster
37b verbunden. In diesem Fall wird der Draht 42 auch verwen
det, um die Einstellmuster 41b₃-41b₅ miteinander zu ver
binden.
Die Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅ werden
gebildet, wenn die Muster 37a und 37b gebildet werden.
Fig. 8 ist eine grafische Darstellung, die eine Fre
quenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten Ausfüh
rungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf Fig. 8 bezeichnet F₁
eine Frequenzcharakteristik des Duplexers 31, bei dem die
Mittenfrequenz des Filterchips 33a (F₁) 875 MHz beträgt und
die zugeordnete Auswahl eines der Einstellmuster (41a₁-41a₅)
des Phasenanpaßschaltungsmusters 37a erfolgt und die
erforderliche Verbindung unter Verwendung des Drahtes 42
hergestellt wird. F₂ bezeichnet eine Frequenzcharakteristik
des Filterchips 33b (F₂), bei dem die Mittenfrequenz 937 MHz
beträgt und die zugeordnete Auswahl eines der Einstellmuster
(41b₁-41b₅) der Phasenanpaßschaltung 37b erfolgt und die
erforderliche Verbindung unter Verwendung des Drahtes 42
hergestellt wird. Es wird herausgefunden, daß eine beträcht
liche Reduzierung der Dämpfung der Mittenfrequenzen erreicht
wird. Das heißt, es wird derselbe Effekt wie durch die erste
Ausführungsform vorgesehen. Wie oben beschrieben, ermöglicht
die zweite Ausführungsform Kombinationen von Filterchips,
die verschiedene Sätze von Mittenfrequenzen haben, ohne die
mehrschichtige Keramikpackung 32 abzuwandeln.
Während die Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅
bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform als
diskrete Muster gebildet sind, können die Einstellmuster ein
aneinandergrenzendes Muster sein, so daß die Länge des
Leitungsmusters durch Verändern einer Bondposition des
Drahtes 42 eingestellt werden kann. Die unnötigen Abschnitte
der Einstellmuster bei dieser Anordnung können jedoch eine
ungünstige Auswirkung auf die Phasenanpassung ergeben. Die
zweite Ausführungsform löst dieses Problem, indem die dis
krete Konfiguration-vorgesehen wird. Wenn die Länge der
Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅ kurz ist und
deren unnötige Abschnitte keine ungünstige Auswirkung auf
die Phasenanpassung haben, ist es deshalb nicht nötig, die
diskreten Muster zu bilden.
Bei einer alternativen Lösung werden die Phasenanpaß
schaltungsmuster 37a und 37b wie in Fig. 2A gebildet, und es
wird eine vorbestimmte Anzahl von Einstellmustern gebildet,
die die mäanderförmige Konfiguration der Muster 37a und 37b
umgehen. Die Leitungslänge der Muster 37a und 37b wird so
eingestellt, daß der Zwischenabschnitt nach Erfordernis
getrimmt oder entfernt wird.
Fig. 9 ist eine Längsschnittansicht des Duplexers 31
gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. In dem Duplexer 31 von Fig. 9 ist ein Abstandshalter
51 auf der obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpac
kung 32, die in Fig. 2A und 2B gezeigt ist, angeordnet, um
als Erdungsschicht zu dienen, wobei eine Schirmkappe 52 auf
dem Abstandshalter 51 vorgesehen ist. Die anderen Aspekte
der Konstruktion sind dieselben wie jene der Konstruktion
von Fig. 2A und 2B (oder Fig. 7). Der Abstandshalter 51
gestattet es, die Schirmkappe 52 über den Phasenanpaßschal
tungsmustern 37a und 37b mit Hilfe einer Lücke 53 vorzuse
hen.
Gemäß dieser Anordnung verhindert die Schirmkappe 52,
daß die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b durch die
Umgebung beeinträchtigt werden. Auf die zweite Ausführungs
form (Fig. 7) angewendet, gewährleistet die dritte Ausfüh
rungsform, daß der Draht 42 zweckmäßig geschützt wird.
Es erfolgt nun unter Bezugnahme auf Fig. 10-12 eine
Beschreibung einer vierten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Fig. 10 ist eine Längsschnittansicht eines Duple
xers 61 gemäß der vierten Ausführungsform, Fig. 11 ist eine
Bodenansicht des Duplexers 61, und Fig. 12 ist eine perspek
tivische Ansicht des Duplexers 61.
Der Duplexer 61 umfaßt eine mehrschichtige Keramikpac
kung 62, die gebildet ist aus vier Schichten 62₁-62₄, den
Filterchips 33a und 33b und der Kappe 35. Wie in Fig. 11
gezeigt, sind ein Empfangsanschluß 66a, ein Sendeanschluß
66b, Antennenanschlüsse 66c und der Erdungsanschluß 66d auf
der Unterseite der Bodenschicht 62₄ der mehrschichtigen
Keramikpackung 62 gebildet.
Die Anschlüsse 66a-66d sind mit den Filterchips 33a
und 33b, die in der mehrschichtigen Keramikpackung 62 vorge
sehen sind, durch Verdrahtungen (nachfolgend als Kronierun
gen bezeichnet) 66a-1-66d-1, die in Fig. 12 gezeigt sind
und auf den jeweiligen Seiten der mehrschichtigen Keramik
packung 62 zu bilden sind, elektrisch verbunden. Die
Anschlüsse 66a-66d, die auf der Unterseite der Boden
schicht 62₄ gebildet sind, entsprechen Anschlüssen, die in
Anspruch 8 beschrieben sind. Wenn der Duplexer 61 auf einer
anderen Schaltungsplatte montiert wird, sind die Anschlüsse
66a-66d mit der Schaltungsplatte gekoppelt.
In der oberen Schicht 62₁ und der zweiten Schicht 62₂
ist eine Öffnung gebildet, um einen ersten Hohlraum 64 zum
Aufnehmen der akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilter
chips 33a und 33b vorzusehen. Die Filterchips 33a und 33b
sind auf einer Chipmontageoberfläche 63 montiert, die auf
der dritten Schicht 62₃ gebildet ist. Daher sind die Filter
chips 33a und 33b in dem ersten Hohlraum 64 angeordnet, der
durch die Schichten 62₁ und 62₂ in Kooperation miteinander
gebildet wird.
Vorbestimmte Signalmuster und Erdungsmuster sind auf
der zweiten Schicht 62₂ gebildet, von welchen Mustern jedes
mit den jeweiligen Kronierungen 66a-1-66d-1 verbunden ist.
Die Signalmuster und die Erdungsmuster, die auf der zweiten
Schicht 62₂ gebildet sind, sind auch mit den Filterchips 33a
und 33b durch die Drähte 34 verbunden. Auf diese Weise wird
die elektrische Verbindung zwischen den Filterchips 33a und
33b und den Anschlüssen 66a-66d gesichert.
Die Kappe 35 ist auf der oberen Schicht 62₁ gebildet,
um den ersten Hohlraum 64, der in der mehrschichtigen Kera
mikpackung 62 gebildet ist, zu bedecken. Auf diese Weise
wird gesichert, daß die mehrschichtige Keramikpackung 62,
die die Filterchips 33a und 33b enthält, hermetisch abge
dichtet ist.
Die Bodenschicht 62₄ ist auch mit einer Öffnung verse
hen, so daß die dritte Schicht 62₃ und die Bodenschicht 62₄
in Kooperation miteinander einen zweiten Hohlraum 67 auf dem
Boden der mehrschichtigen Keramikpackung 62 bilden. Auf der
Unterseite der dritten Schicht 62₃, die in dem zweiten
Hohlraum 67 exponiert ist, ist ein mäanderförmiges Phasen
anpaßschaltungsmuster 68 gebildet. Das Phasenanpaßschal
tungsmuster 68 ist in Form von Mikrostreifenleitungen gebil
det. Die Mikroleitungen sind gebildet aus Kupfer oder einem
leitfähigen Material, dessen Hauptkomponente Kupfer ist. Ein
Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 ist mit den Filter
chips 33a und 33b durch ein Durchgangsloch 69 verbunden, und
sein anderes Ende ist mit dem Antennenanschluß 66c durch
eine Verdrahtung (nicht gezeigt) verbunden, die auf der
dritten Schicht 62₃ gebildet ist.
Es sei erwähnt, daß das Phasenanpaßschaltungsmuster 68
in dem Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform in dem
zweiten Hohlraum 67 gebildet ist, der auf dem Boden der
mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet ist. Daher wird,
wenn der Duplexer 61 auf einer anderen Schaltungsplatte
montiert wird, das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 der Platte
zugewandt sein, auf der der Duplexer 61 montiert ist, so daß
die Strahlung nach außen eingeschränkt wird.
Fig. 13 ist eine grafische Darstellung, die eine Cha
rakteristik der Dämpfung in Abhängigkeit von der Frequenz
des Duplexers gemäß der vierten Ausführungsform zeigt. Die
in Fig. 13 gezeigte Frequenzcharakteristik wird durch Mes
sung erhalten, die unter derselben Bedingung wie die Messung
von Fig. 6A und 6B durchgeführt wird. Genauer gesagt, die
Frequenzcharakteristik von Fig. 13 wird experimentell erhal
ten, indem das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 gebildet wird,
um eine Breite von etwa 200 µm und eine Länge von etwa 25 mm
zu haben. Die Dielektrizitätskonstante der dritten Schicht
62₃ der mehrschichtigen Keramikpackung 32, die den Duplexer
31 bildet, beträgt 9,7. Fig. 13 zeigt einen Verlust auf
Grund des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 und eine Verände
rung eines Verlustes, die durch einen der Filterchips in
einem Durchlaßband für den anderen der Filterchips vorgese
hen wird. Mit anderen Worten, Fig. 13 zeigt eine Duplexlei
stung des Duplexers 61.
Wenn Fig. 13 mit Fig. 6A und 6B verglichen wird, weisen
der Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform und der
Duplexer 31 gemäß der ersten Ausführungsform weitgehend
ähnliche Charakteristiken auf. Der Duplexer 61 sieht eine
ausgezeichnete Filtercharakteristik vor.
Wie oben beschrieben, kann durch die Verwendung eines
Materials mit niedrigem Widerstand, wie Kupfer, um das
Phasenanpaßschaltungsmuster 68 in dem Duplexer 61 zu bilden,
eine Verschlechterung der Filtercharakteristik auf Grund
eines Verlustes, der durch den Widerstand des Musters 68
vorgesehen wird, auf etwa die Hälfte reduziert werden.
Ferner wird eingeschätzt, daß der Verschlechterung des
Reflexionskoeffizienten auf Grund der schwebenden Kapazität
abgeholfen werden kann, so daß die Verschlechterung der
Filtercharakteristik des Duplexers 61 verhindert werden
kann.
Da die Antennenanschlüsse 66c gebildet sind, um sich
von den beiden Seiten des Bodens der mehrschichtigen Kera
mikpackung 62 zu erstrecken, ist eine erhöhte Flexibilität
hinsichtlich der Orientierung der Anschlüsse vorhanden. Da
das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 des Duplexers 61 der
Platte zugewandt wird, auf der der Duplexer 61 montiert
wird, wird die Strahlung nach außen eingeschränkt.
Wie die Phasenanpaßschaltungsmuster von Fig. 7 kann das
Phasenanpaßschaltungsmuster 68 in diskrete Muster eingeteilt
werden. Alternativ kann die Leitungslänge nicht durch Teilen
des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 sondern durch Verändern
von Drahtbondpositionen verändert werden.
Bei einer alternativen Lösung ist das Phasenanpaßschal
tungsmuster 68 wie in Fig. 2A gebildet, und eine vorbe
stimmte Anzahl von Einstellmustern, die die mäanderförmige
Konfiguration der Muster (die den Mustern 37a und 37b ent
sprechen) umgehen, ist gebildet. Die Leitungslänge des
Musters 68 wird so eingestellt, daß der Zwischenabschnitt
nach Bedarf getrimmt oder entfernt wird.
Unter Bezugnahme auf Fig. 14 und 15 erfolgt nun eine
Beschreibung einer fünften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Fig. 14 ist eine Längsschnittansicht eines Duple
xers 71 gemäß der fünften Ausführungsform, und Fig. 15 ist
eine perspektivische Ansicht des Duplexers 71. In Fig. 14
und 15 sind jene Komponenten, die den Komponenten des Duple
xers 61 gemäß der vierten Ausführungsform entsprechen, die
unter Bezugnahme auf Fig. 10-12 beschrieben wurde, mit
denselben Bezugszahlen bezeichnet, und ihre Beschreibung
wird weggelassen.
Der Duplexer 71 gemäß der fünften Ausführungsform
unterscheidet sich von dem Duplexer 61 gemäß der vierten
Ausführungsform darin, daß ein gemeinsames Erdungsmuster 72
zwischen der Chipmontageoberfläche 63 und den Anschlüssen
66a-66d gebildet ist.
Genauer gesagt, die dritte Schicht 62₃ ist in zwei Sub
schichten geteilt, und ein leitfähiger Film ist zwischen den
Subschichten gebildet, so daß das gemeinsame Erdungsmuster
72 zwischen der Chipmontageoberfläche 63 und den Anschlüssen
66a-66d gebildet ist.
Das gemeinsame Erdungsmuster 72 ist mit den Kronierun
gen 66d-1 verbunden, die in Fig. 15 gezeigt sind. Somit ist
das gemeinsame Erdungsmuster 72 durch die Kronierungen 66d-1
mit den Erdungsanschlüssen 66d verbunden, die am Boden
gebildet sind.
Da das gemeinsame Erdungsmuster 72 mit den Erdungs
anschlüssen 66d in dem Duplexer 71 verbunden ist, der die
oben beschriebene Anordnung hat, können die Kronierungen
66d-1, die auf der Seite der mehrschichtigen Keramikpackung
62 gebildet sind, relativ kurz sein (siehe Fig. 15). Durch
Reduzieren der Länge der Kronierungen 66d-1 ist es möglich,
eine Induktivität der Kronierungen 66d-1 zu reduzieren.
Fig. 16 ist eine grafische Darstellung, die die Charak
teristik (durch gekennzeichnet) des Duplexers 71 gemäß
der fünften Ausführungsform im Vergleich zu der Charakteri
stik (durch gekennzeichnet) eines herkömmlichen Duplexers
zeigt. Wie in Fig. 16 gezeigt, ist die Dämpfungscharakteri
stik des Duplexers 71 gemäß der fünften Ausführungsform
besonders außerhalb des Durchlaßbandes besser als jene des
herkömmlichen Duplexers.
Es erfolgt nun unter Bezugnahme auf Fig. 17 und 18 eine
Beschreibung einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. Fig. 17 ist eine Längsschnittansicht eines Duple
xers 81 gemäß der sechsten Ausführungsform, und Fig. 18 ist
eine perspektivische Ansicht des Duplexers 81 gemäß der
sechsten Ausführungsform. In Fig. 17 und 18 sind jene Kompo
nenten, die den Komponenten des Duplexers 61 gemäß der
vierten Ausführungsform entsprechen, die unter Bezugnahme
auf Fig. 10-12 beschrieben wurde, mit denselben Bezugszah
len bezeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.
Der Duplexer 81 gemäß der sechsten Ausführungsform
unterscheidet sich von dem Duplexer 61 gemäß der vierten
Ausführungsform darin, daß ein Antennenanschlußmuster 82,
das mit den Filterchips 33a und 33b verbunden ist, innerhalb
der mehrschichtigen Packung 62 gebildet ist.
Genauer gesagt, der Antennenmusteranschluß 82 ist
zwischen der Unterseite der zweiten Schicht 62₂ und der
Oberseite der dritten Schicht 62₃ gebildet, die die mehr
schichtige Keramikpackung 62 des Duplexers 71 darstellen.
Die Enden des Antennenanschlußmusters 82 sind mit einem Paar
von Kronierungen 66c-1 verbunden, die auf den jeweiligen
Seiten der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet sind,
wie in Fig. 18 gezeigt.
Mit der oben beschriebenen Anordnung des Duplexers 81
ist das Lecken von Signalen von dem Antennenanschlußmuster
82 kleiner als bei den anderen Anordnungen. Bei einer Kon
struktion wie jener des Duplexers 31, die unter Bezugnahme
auf Fig. 2A und 2B beschrieben wurde, bei der das gemeinsame
Anschlußmuster 37c, das als Antennenanschlußmuster fungiert,
oben auf der mehrschichtigen Packung 32 exponiert ist,
können Signale von dem gemeinsamen Anschlußmuster 37c
lecken. Gemäß der sechsten Ausführungsform, bei der das
Antennenanschlußmuster 82 innerhalb der mehrschichtigen
Keramikpackung 62 gebildet ist, führt jedoch die mehrschich
tige Keramikpackung 62 eine Abschirmfunktion aus. Deshalb
erzeugt das Antennenanschlußmuster 82 ein kleineres Lecken
als die Antennenanschlußmuster, die anderweitig gebildet
sind.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben
beschriebenen Ausführungsformen begrenzt, und Veränderungen
und Abwandlungen können vorgenommen werden, ohne den
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
Claims (12)
1. Duplexer (31), der durch eine mehrschichtige
Packung (32) verkörpert wird, welche mehrschichtige Packung
(32) umfaßt:
eine vorbestimmte Anzahl von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) mit verschie denen Durchlaßbandmittenfrequenzen; und
Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b), die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) vorgesehen sind; bei dem
die Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b) auf einer Oberflächenschicht der mehrschichtigen Packung (32) gebildet sind.
eine vorbestimmte Anzahl von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) mit verschie denen Durchlaßbandmittenfrequenzen; und
Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b), die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) vorgesehen sind; bei dem
die Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b) auf einer Oberflächenschicht der mehrschichtigen Packung (32) gebildet sind.
2. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasenanpaß
schaltungsmuster (37a, 37b) als Mikrostreifenleitungen
gebildet sind.
3. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasenanpaß
schaltungsmuster (37a, 37b) als Schichten gebildet sind, die
ein Kupferglied enthalten.
4. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem über den Phasen
anpaßschaltungsmustern (37a, 37b) mit Hilfe einer Isolier
schicht (53) eine Erdungsschicht vorgesehen ist.
5. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem eine vorbe
stimmte Anzahl von Außenverbindungsanschlüssen (36a-36c)
in einer Bodenschicht der mehrschichtigen Packung (32)
gebildet ist und jedes der Phasenanpaßschaltungsmuster (37a,
37b) durch einen gemeinsamen Anschluß (37c) mit einem der
Außenverbindungsanschlüsse (36a-36c) verbunden ist.
6. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasen
anpaßschaltungsmuster (37a, 37b) eine vorbestimmte Anzahl
von Einstellmustern (41a₁-41a₅, 41b₁-41b₅) zur Einstel
lung der Länge der Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b)
enthalten.
7. Verfahren zum Herstellen eines Duplexers (31), der
durch eine mehrschichtige Packung (32) verkörpert wird, die
mit einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Oberflächen
wellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) versehen ist, die ver
schiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben, und mit
Phasenanpaßschaltungsmustern (37a, 37b), die zwischen den
akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b)
vorgesehen sind, welches Verfahren die Schritte umfaßt:
Bilden einer vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄);
Bilden von vorbestimmten Mustern auf dem rohen Blatt (32₁-32₄) und Bilden von Öffnungen nach Erfordernis;
Zusammensetzen der vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄) zu einer mehrschichtigen Rohblattstruk tur und Unterziehen der mehrschichtigen Rohblattstruktur einem Sinterprozeß;
Bilden eines Musterfilms oben auf der mehrschich tigen Rohblattstruktur;
Ätzen des Musterfilms, um die vorbestimmte Anzahl von Anpaßschaltungsmustern (37a, 37b) zu bilden;
Trennen der mehrschichtigen Rohblattstruktur in individuelle mehrschichtige Packungen (32);
Bilden von Außenverbindungsanschlüssen (36a-36c) in der mehrschichtigen Packung (32);
Montieren der akustischen Oberflächenwellenband paßfilterchips (33a, 33b) in die mehrschichtige Packung (32);
Herstellen von erforderlichen elektrischen Verbin dungen in der mehrschichtigen Packung (32); und
hermetisches Abdichten der mehrschichtigen Packung (32) mit einer Kappe (52).
Bilden einer vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄);
Bilden von vorbestimmten Mustern auf dem rohen Blatt (32₁-32₄) und Bilden von Öffnungen nach Erfordernis;
Zusammensetzen der vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄) zu einer mehrschichtigen Rohblattstruk tur und Unterziehen der mehrschichtigen Rohblattstruktur einem Sinterprozeß;
Bilden eines Musterfilms oben auf der mehrschich tigen Rohblattstruktur;
Ätzen des Musterfilms, um die vorbestimmte Anzahl von Anpaßschaltungsmustern (37a, 37b) zu bilden;
Trennen der mehrschichtigen Rohblattstruktur in individuelle mehrschichtige Packungen (32);
Bilden von Außenverbindungsanschlüssen (36a-36c) in der mehrschichtigen Packung (32);
Montieren der akustischen Oberflächenwellenband paßfilterchips (33a, 33b) in die mehrschichtige Packung (32);
Herstellen von erforderlichen elektrischen Verbin dungen in der mehrschichtigen Packung (32); und
hermetisches Abdichten der mehrschichtigen Packung (32) mit einer Kappe (52).
8. Duplexer (61) mit:
einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Ober flächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b), die verschiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben; und
einer mehrschichtigen Packung (62), die die vorbe stimmte Anzahl von Filterchips (33a, 33b) hat, die auf einer Chipmontageoberfläche (63) montiert sind, und Anschlüsse (66a-66d), zur Verbindung mit externen Schaltungen, die auf einer Bodenschicht (62₄) der mehrschichtigen Packung (62) gebildet sind, wobei ein Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaß filterchips (33a, 33b) verbunden ist, bei dem
das Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen der Chipmontageoberfläche (63) und den Anschlüssen (66a-66d) gebildet ist.
einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Ober flächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b), die verschiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben; und
einer mehrschichtigen Packung (62), die die vorbe stimmte Anzahl von Filterchips (33a, 33b) hat, die auf einer Chipmontageoberfläche (63) montiert sind, und Anschlüsse (66a-66d), zur Verbindung mit externen Schaltungen, die auf einer Bodenschicht (62₄) der mehrschichtigen Packung (62) gebildet sind, wobei ein Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaß filterchips (33a, 33b) verbunden ist, bei dem
das Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen der Chipmontageoberfläche (63) und den Anschlüssen (66a-66d) gebildet ist.
9. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem das Phasenanpaß
muster (68) als Mikrostreifenleitungen gebildet ist.
10. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem das Phasenanpaß
muster (68) als Schichten gebildet ist, die ein Kupferglied
enthalten.
11. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem gemeinsame
Erdungsmuster (72) zwischen der Chipmontageoberfläche (63)
und den Anschlüssen (66a-66d) gebildet sind.
12. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem ein Antennen
anschlußmuster (82), das mit den Filterchips (33a, 33b)
verbunden ist, innerhalb der mehrschichtigen Packung (62)
gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13431195 | 1995-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19621353A1 true DE19621353A1 (de) | 1997-02-20 |
DE19621353C2 DE19621353C2 (de) | 2000-05-18 |
Family
ID=15125336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996121353 Expired - Fee Related DE19621353C2 (de) | 1995-05-31 | 1996-05-29 | Duplexer und ein Verfahren zum Herstellen desselben |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100273654B1 (de) |
DE (1) | DE19621353C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0911965A2 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Komplexes elektronisches Bauteil |
DE10322136A1 (de) * | 2003-05-16 | 2004-12-09 | Epcos Ag | Frontend-Modul mit geringer Einfügedämpfung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638780B1 (ko) | 2003-04-25 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3619871A1 (de) * | 1986-06-13 | 1987-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung keramischen materials mit piezoelektrischen eigenschaften |
JP2905094B2 (ja) * | 1994-07-01 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | 分波器パッケージ |
-
1996
- 1996-05-29 DE DE1996121353 patent/DE19621353C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-31 KR KR1019960019023A patent/KR100273654B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0911965A2 (de) * | 1997-10-23 | 1999-04-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Komplexes elektronisches Bauteil |
EP0911965A3 (de) * | 1997-10-23 | 1999-05-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Komplexes elektronisches Bauteil |
US6252778B1 (en) | 1997-10-23 | 2001-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Complex electronic component |
DE10322136A1 (de) * | 2003-05-16 | 2004-12-09 | Epcos Ag | Frontend-Modul mit geringer Einfügedämpfung |
DE10322136B4 (de) * | 2003-05-16 | 2011-05-19 | Epcos Ag | Frontend-Modul mit geringer Einfügedämpfung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19621353C2 (de) | 2000-05-18 |
KR100273654B1 (ko) | 2000-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19712065C2 (de) | Duplexer-Baueinheit | |
DE19514798C2 (de) | Duplexer-Paket | |
DE10024956C2 (de) | Antennenduplexer | |
DE60313409T2 (de) | Akustisches Bandsperrenfilter | |
DE10138335B4 (de) | Oberflächenwellen-Bauteil | |
DE10139164B4 (de) | Monolithische LC-Komponenten | |
DE602004007458T2 (de) | Symmetrierglied | |
DE4330108C2 (de) | Dielektrische Filteranordnung | |
DE19633954A1 (de) | Filtervorrichtung und Zweiband-Radiosystem, in welchem die Filtervorrichtung verwendet ist | |
DE69933682T2 (de) | Wellenleitungsfilter vom dämpfungstyp mit mehreren dielektrischen schichten | |
DE69734846T2 (de) | Frequenzweiche für Zweiband-Mobilfunkendgeräte | |
DE60217762T2 (de) | Laminiertes Filter, integrierte Vorrichtung und Kommunikationsgerät | |
DE69727353T2 (de) | Dielektrisches laminiertes Filter und Übertragungsvorrichtung | |
DE69931546T2 (de) | Nichtreziproke Schaltungsanordnung | |
DE4008507A1 (de) | Laminiertes lc-filter | |
DE10248493A1 (de) | Verzweigungsfilter und Kommunikationsvorrichtung | |
DE2829809A1 (de) | In reihe geschalteter durchgangskondensator | |
DE19628890A1 (de) | Elektronikteile mit eingebauten Induktoren | |
DE10239887A1 (de) | LC-Filterschaltung, laminierte LC-Verbundkomponente, Multiplexer und Radiokommunikationsvorrichtung | |
DE10115775A1 (de) | Duplexervorrichtung | |
DE10138812B4 (de) | Duplexervorrichtung | |
DE112010000694T5 (de) | Duplexfilter mit oberem Vertiefungsmuster und Hohlraum | |
EP0947030B1 (de) | Mikrowellenfilter | |
DE10010086A1 (de) | Filter mit verteilten Konstanten, Verfahren zur Herstellung desselben sowie Schaltungsmodul mit einem solchen | |
DE69836288T2 (de) | Nichtreziproke Schaltungsanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |