DE19621353A1 - Duplexer und ein Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Duplexer, und im besonderen auf einen Duplexer, in dem ein akustisches Oberflächenwellen-(SAW)-Bandpaßfilter (nachfolgend als SAW- Bandpaßfilter bezeichnet) verwendet wird.

In jüngster Zeit ist die Größe von tragbaren Kommunika­ tionseinrichtungen, von denen ein Beispiel ein tragbares Telefon ist, rapide reduziert worden. Im Zusammenhang damit wird die Reduzierung der Größe und die Verbesserung der Leistung von Komponenten, die in tragbaren Kommunikations­ einrichtungen verwendet werden, gewünscht. Ein Duplexer ist als Komponente bekannt, um ein Signal in Funkkommunikations­ einrichtungen, wie bei einem tragbaren Telefon, zu teilen oder zu erzeugen. Viele Duplexer sind aus einem Bandpaß­ filter unter Verwendung eines dielektrischen Filters, eines Bandsperrfilters oder einer Kombination von beiden Filtern konstruiert. Duplexer unter Verwendung eines SAW-Bandpaß­ filters werden zur Zeit untersucht und entwickelt.

2. Beschreibung der verwandten Technik

Um zu verhindern, daß sich Filtercharakteristiken von zwei SAW-Bandpaßfilterchips (die Durchlaßbandmittenfrequen­ zen f₁ bzw. f₂ haben), die einen Duplexer bilden, gegensei­ tig behindern, ist es herkömmlicherweise notwendig, eine Phasenanpaßschaltung in jedem der zwei SAW-Bandpaßfilter­ chips vorzusehen. Die Konstante der Anpaßschaltung wird durch die Mittenfrequenzen der zwei Filterchips und eine Differenz zwischen ihnen bestimmt. Durch Unterbringen der Filterchips in einer Keramikpackung wird ein kompakter Duplexer vorgesehen.

Fig. 1A, 1B und 1C zeigen eine Konstruktion eines herkömmlichen Duplexers 11. Fig. 1A ist eine perspektivische Ansicht, Fig. 1B eine obere Schnittansicht und Fig. 1C eine Längsschnittansicht.

Der in Fig. 1A-1C gezeigte Duplexer 11 ist eine mehr­ schichtige Keramikpackung 18 mit einer Vielzahl von rohen Blättern 12. Eine Erdungsschicht GND ist in jedem der rohen Blätter 12 gebildet. Eine Phasenanpaßleitung 13a ist zwischen den vorbestimmten rohen Blättern 12 vorgesehen, und eine andere Anpaßleitung 13b ist zwischen den vorbestimmten rohen Blättern 12 vorgesehen. Filterchips 14a und 14b sind in einem Raum montiert, der durch drei obere Schichten 12 gebildet wird. Um die Filterchips 14a und 14b herum sind Erdungsanschlüsse 15, Filtersignalanschlüsse 16 und gemein­ same Signalanschlüsse 17 gebildet. Ein Empfangsanschluß 19, ein Sendeanschluß 20 und ein Antennenanschluß 21 sind gebil­ det, um sich von dem Boden zu der Seite der mehrschichtigen Keramikpackung 18 zu erstrecken.

Drähte 22 stellen die elektrische Verbindung zwischen den Filterchips 14a und 14b nahe des oberen Endes der mehr­ schichtigen Keramikpackung 18 und den jeweiligen Erdungs­ anschlüssen 15, Filtersignalanschlüssen 16 und gemeinsamen Signalanschlüssen 17 her. Eine Metallkappe 23 dichtet eine obere Öffnung hermetisch ab.

Die Filterchips 14a und 14b haben verschiedene Mitten­ frequenzen. Die Phasenanpaßleitungen 13a und 13b werden zur gleichen Zeit wie die mehrschichtige Keramikpackung 18 aus Streifenleitungen gebildet. Durch Vorsehen der Phasenanpaß­ leitungen 13a und 13b innerhalb der mehrschichtigen Keramik­ packung 18 kann die Dielektrizitätskonstante der Packung genutzt werden. Durch Reduzieren der Länge der Leitungen wird die Reduzierung der Größe der Packung erreicht.

In dem Duplexer 11, der wie oben konstruiert ist, werden die Charakteristiken der Filterchips 14a und 14b durch die Schaltungsmuster der Phasenanpaßleitungen 13a und 13b beeinträchtigt. Zum Beispiel ist die Impedanz der Fil­ terchips 14a und 14b mit der Leitungsimpedanz Z₀ einer externen Schaltung in einem Durchlaßband im wesentlichen identisch (in diesem Fall beträgt Z₀ ≈ 50 Ω). In dem Dämp­ fungsband ist die Impedanz der Filterchips 14a und 14b im Niveau weit höher als die einer externen Schaltung. Eine Verschlechterung dieser Aspekte der Charakteristiken der Filterchips 14a und 14b sollte vermieden werden. Zu diesem Zweck ist es ideal, daß in einem Durchlaßband für einen der Filterchips 14a und 14b die Impedanz des anderen der Filter­ chips 14a und 14b unendlich ist und der Reflexionskoeffi­ zient im wesentlichen 1 ist.

Eine Phasenanpaßschaltung ist notwendig, um die oben beschriebene Charakteristik vorzusehen. In der Praxis wird eine Phasenanpaßschaltung durch eine Streifenleitung verkör­ pert. Wenn eine Phasenanpaßschaltung durch ein Streifen­ leitungsmuster verkörpert wird, wird der Widerstand der Phasenanpaßschaltung zu der Länge der Leitung proportional. Ein großer Widerstand führt zu einer Erhöhung der schweben­ den Kapazität, die die verteilte Konstante beeinträchtigt, und zu einem Signalübertragungsverlust. Je höher die Fre­ quenz und je höher die Dielektrizitätskonstante der Packung ist, um so mehr wird die Phasenanpaßschaltungskonstante durch die schwebende Kapazität beeinträchtigt. Eine Möglich­ keit, dieses Problem zu lösen, besteht darin, ein Leitungs­ muster zu konstruieren, indem ein Leiter mit niedrigem Widerstand in einem Material gebildet wird, das eine kleine Dielektrizitätskonstante hat. Zum Beispiel wird ein Kupfer­ leitermuster in einem Glaskeramikmaterial gebildet.

Das Bilden eines Kupferleitermusters in einem Glaskera­ mikmaterial, das durch eine kleine Dielektrizitätskonstante gekennzeichnet ist, sieht einen Duplexer mit verbesserter Qualität vor. Jedoch ist bekannt, daß ein Glaskeramikmate­ rial eine relativ niedrige Starrheit hat und einen ungünsti­ gen Kontakt mit einem Leiter vorsieht. Deshalb mangelt es einem Glaskeramikmaterial bei der praktischen Verwendung an Zuverlässigkeit.

Das Verwenden eines Aluminiumoxidkeramikmaterials anstelle eines Glaskeramikmaterials und das Verwenden von Wolfram anstelle von Kupfer führt zu einem Verlust auf Grund des Widerstandes des Leiters und führt auch zu einer Ver­ schlechterung der Charakteristik auf Grund der schwebenden Kapazität.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Duplexer vorzusehen, bei dem die obengenannten Pro­ bleme eliminiert sind.

Eine andere und spezifischere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Duplexer vorzusehen, bei dem das Leitermaterial eine verbesserte Charakteristik hat. Es wird auch beabsichtigt, daß die Packung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Kombination von verschiedenen Frequenzcharak­ teristikmustern ermöglicht und der Duplexer eine verbesserte Flexibilität hinsichtlich der Orientierung der Außenverbin­ dungsanschlüsse vorsieht.

Um die obengenannten Ziele zu erreichen, sieht die vor­ liegende Erfindung einen Duplexer vor, der durch eine mehr­ schichtige Packung verkörpert wird, welche mehrschichtige Packung umfaßt: eine vorbestimmte Anzahl von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips mit verschiedenen Durch­ laßbandmittenfrequenzen; und Phasenanpaßschaltungsmuster, die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilter­ chips vorgesehen sind; bei dem die Phasenanpaßschaltungsmu­ ster auf einer Oberflächenschicht der mehrschichtigen Pac­ kung gebildet sind. Die Phasenanpaßschaltungsmuster können gebildet sein als Mikrostreifenleitungen oder als Schichten, die ein Kupferglied enthalten. Gemäß dem Duplexer der vor­ liegenden Erfindung ist es möglich, ein Phasenanpaßschal­ tungsmuster aus einem Leiter mit niedrigem Widerstand zu bilden, so daß eine Verschlechterung des Reflexionskoeffizi­ enten auf Grund der schwebenden Kapazität abgestellt wird, so daß die Verschlechterung der Filtercharakteristik unter­ drückt oder reduziert wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist über den Phasenanpaßschaltungsmustern mit Hilfe einer Lücke eine Erdungsschicht vorgesehen. Gemäß diesem Aspekt der Erfindung kann ein externer Einfluß, wie die charakteristische Impedanz, reduziert werden, so daß die Stabilität der Multiplexcharakteristik gewährleistet ist.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung ist eine vorbestimmte Anzahl von Außen­ verbindungsanschlüssen in einer untersten Schicht der mehr­ schichtigen Packung gebildet und ist jedes der Phasen­ anpaßschaltungsmuster durch einen gemeinsamen Anschluß mit einem der Außenverbindungsanschlüsse verbunden. Die Phasen­ anpaßschaltungsmuster können eine vorbestimmte Anzahl von Einstellungsmustern zur Einstellung der Länge der Phasen­ anpaßschaltungsmuster enthalten. Gemäß diesem Aspekt der Erfindung können Außenverbindungsanschlüsse, die in der Packung gebildet sind, mit einer verbesserten Flexibilität orientiert werden und wird die Einstellung der Länge der Leitungen erleichtert. Somit kann eine gemeinsame Packung für verschiedene Typen von Duplexern verwendet werden, und der Duplexer sieht eine verbesserte Flexibilität hinsicht­ lich der Orientierung der Außenverbindungsanschlüsse vor.

Die obengenannten Ziele können auch durch ein Verfahren zum Herstellen eines Duplexers erreicht werden, der durch eine mehrschichtige Packung verkörpert wird, die mit einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Oberflächenwellen­ bandpaßfilterchips versehen ist, die verschiedene Durchlaß­ bandmittenfrequenzen haben, und mit Phasenanpaßschaltungs­ mustern, die zwischen den akustischen Oberflächenwellen­ bandpaßfilterchips vorgesehen sind, welches Verfahren die Schritte umfaßt: Bilden einer vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern; Bilden von vorbestimmten Mustern auf dem rohen Blatt und Bilden von Öffnungen nach Erfordernis; Zusammen­ setzen der vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern zu einer mehrschichtigen Rohblattstruktur und Unterziehen der mehr­ schichtigen Rohblattstruktur einem Sinterprozeß; Bilden eines Musterfilms oben auf der mehrschichtigen Rohblatt­ struktur; Ätzen des Musterfilms, um die vorbestimmte Anzahl von Anpaßschaltungsmustern zu bilden; Trennen der mehr­ schichtigen Rohblattstruktur in individuelle mehrschichtige Packungen; Bilden von Außenverbindungsanschlüssen in der mehrschichtigen Packung; Montieren der akustischen Oberflä­ chenwellenbandpaßfilterchips in die mehrschichtige Packung; Herstellen von erforderlichen elektrischen Verbindungen in der mehrschichtigen Packung; und hermetisches Abdichten der mehrschichtigen Packung mit einer Kappe. Gemäß diesem Aspekt der Erfindung wird das Phasenanpaßschaltungsmuster in einem Prozeß gebildet, der von jenem des rohen Blattes getrennt ist. Somit ist die Auswahl eines Materials für den Leiter nicht von der Sintertemperatur des rohen Blattes abhängig.

Die obengenannten Ziele können auch durch einen Duple­ xer erreicht werden, der umfaßt: eine vorbestimmte Anzahl von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips, die verschiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben; und eine mehrschichtige Packung, die die vorbestimmte Anzahl von Filterchips hat, die auf einer Chipmontageoberfläche mon­ tiert sind, und Anschlüsse, zur Verbindung mit externen Schaltungen, die in einer Bodenschicht der mehrschichtigen Packung gebildet sind, wobei ein Phasenanpaßschaltungsmuster zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips verbunden ist, bei dem das Phasenanpaßschaltungsmuster zwischen der Chipmontageoberfläche und den Anschlüssen gebildet ist. Die Phasenanpaßmuster können gebildet sein als Mikrostreifenleitungen oder als Schichten, die ein Kupfer­ glied enthalten. Gemäß dem oben beschriebenen Duplexer kann einer Verschlechterung des Reflexionskoeffizienten auf Grund der schwebenden Kapazität abgeholfen werden, so daß eine Verschlechterung der Filtercharakteristik verhindert werden kann. Da das Phasenanpaßschaltungsmuster gebildet ist, um der Platte zugewandt zu sein, auf der der Duplexer montiert wird, wird eine Strahlung nach außen eingeschränkt.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform können zwischen der Chipmontageoberfläche und den Anschlüssen gemeinsame Erdungsmuster gebildet sein. Gemäß diesem Aspekt der vorlie­ genden Erfindung können Verdrahtungen (Kronierungen), die außen an der Packung gebildet sind, um das gemeinsame Erdungsmuster und die Anschlüsse zu verbinden, kürzer sein. Als Resultat ist es möglich, eine Induktivität der Kronie­ rungen zu reduzieren und die Dämpfungscharakteristik außer­ halb des Durchlaßbandes zu verbessern.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform kann ein Antennenanschlußmuster, das mit den Filterchips verbunden ist, innerhalb der mehrschichtigen Packung gebildet sein. Gemäß diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann das Lecken von Signalen von dem Antennenanschlußmuster reduziert werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Andere Aufgaben und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden eingehenden Beschreibung zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen hervor, in denen

Fig. 1A eine perspektivische Ansicht eines herkömmli­ chen Duplexers ist;

Fig. 1B eine obere Schnittansicht des herkömmlichen Duplexers ist;

Fig. 1C eine Längsschnittansicht des herkömmlichen Duplexers ist;

Fig. 2A eine perspektivische Ansicht eines Duplexers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung ist;

Fig. 2B eine Längsschnittansicht des Duplexers gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 3 ein Beispiel einer Schaltung des Duplexers von Fig. 2A und 2B zeigt;

Fig. 4 eine Charakteristik des Duplexers von Fig. 2A und 2B zeigt;

Fig. 5 einen Prozeß zum Herstellen des Duplexers gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6A und 6B grafische Darstellungen sind, die Fre­ quenzcharakteristiken des Duplexers gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines Duplexers gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung ist;

Fig. 8 eine grafische Darstellung ist, die eine Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 9 eine grafische Darstellung ist, die eine Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt;

Fig. 10 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 11 eine Draufsicht auf den Duplexer gemäß der vierten Ausführungsform ist;

Fig. 12 eine perspektivische Ansicht des Duplexers gemäß der vierten Ausführungsform ist;

Fig. 13 eine grafische Darstellung ist, die eine Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 14 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 15 eine perspektivische Ansicht des Duplexers gemäß der fünften Ausführungsform ist;

Fig. 16 eine grafische Darstellung ist, die eine Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der fünften Ausführungsform zeigt;

Fig. 17 eine Längsschnittansicht eines Duplexers gemäß einer sechsten Ausführungsform ist; und

Fig. 18 eine perspektivische Ansicht des Duplexers gemäß der sechsten Ausführungsform ist.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Fig. 2A und 2B zeigen eine Konstruktion eines Duplexers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung. Genauer gesagt, Fig. 2A ist eine perspektivische Ansicht, und Fig. 2B ist eine Längsschnittansicht. In einem Duplexer 31, der in Fig. 2A und 2B gezeigt ist, ist eine mehrschichtige Keramikpackung 32 zum Beispiel aus vier Schichten 32₁-32₄ gebildet. Erdungs-(GND)-Muster sind auf der Unterseite der Schichten 32₁ und 32₃ gebildet. Signalmuster (einschließlich eines Musters für die Energiezuführung) sind auf der Unterseite der Schicht 32₂ gebildet. Die Schichten 32₁-32₄ sind mit jeweiligen Öffnungen versehen, um einen Hohlraum zum Unterbringen von SAW-Bandpaßfilterchips 33a und 33b zu schaffen. Die Frequenzcharakteristiken der Filterchips 33a und 33b sind unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben.

Die Filterchips 33a und 33b sind auf die Unterseite der Schicht 32₁ montiert und mit jeweiligen Signalmustern auf der Schicht 32₂ durch Drähte 34 verbunden. Eine Kappe 35 ist vorgesehen, um die Öffnung der Schicht 32₃ zu bedecken, um den Hohlraum hermetisch abzudichten.

Durchgangslöcher verbinden die Schichten 32₁-32₄. Außenverbindungsanschlüsse 36a-36c sind vorgesehen, um sich von jeweiligen lateralen Seiten der Packung 32 zu der Unterseite der Schicht 32₄ zu erstrecken. Zum Beispiel ist der Außenverbindungsanschluß 36a, der in Fig. 2A und 2B gezeigt ist, ein Empfangsanschluß, der mit dem Filterchip 33b verbunden ist; ist der Außenverbindungsanschluß 36b ein Sendeanschluß, der mit den Filterchips 33b verbunden ist; und ist der Außenverbindungsanschluß 36c ein Antennenan­ schluß, der mit einem gemeinsamen Anschluß verbunden ist, der später beschrieben ist.

Wie in Fig. 2A gezeigt sind zwei mäanderförmige Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b, die zum Beispiel aus einem Kupfermaterial gebildet sind und den Filterchips 33a bzw. 33b entsprechen, auf der obersten Schicht 32₁ vorgesehen. Ein Ende von jedem der Muster 37a und 37b ist mit einem gemeinsamen Anschlußmuster 37c verbunden, und das andere Ende von jedem der Muster 37a und 37b ist durch die Durchgangslöcher mit den Filterchips 33a bzw. 33b verbunden. Das gemeinsame Anschlußmuster 37c ist mit dem Antennen­ anschluß 36c verbunden, der an der mehrschichtigen Packung 32 gebildet ist.

Fig. 3 zeigt ein Schaltungsbeispiel des Duplexers von Fig. 2A und 2B. Fig. 4 zeigt eine Charakteristik des Duple­ xers von Fig. 2A und 2B. Wie in Fig. 3 gezeigt, sind zwei Filterchips F₁ und F₂ (33a, 33b) durch die Phasenanpaßschal­ tungen 37a und 37b verbunden mit gemeinsamen Anschlüssen T₁ und T₂ (gemeinsames Anschlußmuster 37c), die mit dem Anten­ nenanschluß 36c verbunden sind. Der Empfangsanschluß 36a ist mit einem Anschluß A₁ oder einem Anschluß B₁ verbunden; und der Sendeanschluß 36b ist mit einem Anschluß A₂ oder einem Anschluß B₂ verbunden, wobei die Anschlüsse A₁ und A₂ in dem Filterchip F₁ vorgesehen sind und die Anschlüsse B₁ und B₂ in dem Filterchip F₂ vorgesehen sind.

Wie in Fig. 4 gezeigt, haben die Filterchips F₁ und F₂ (33a, 33b) verschiedene Mittenfrequenzen. Zum Beispiel hat der Filterchip F₁ (33a) eine Mittenfrequenz (f₁) von 836 MHz, und der Filterchip F₂ (33b) hat eine Mittenfrequenz von 881 MHz.

Fig. 5 zeigt einen Prozeß zum Herstellen des Duplexers gemäß der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf Fig. 5 wird eine notwendige Anzahl von rohen Blättern gebildet (Schritt S1), die die Schichten 32₁-32₄ von Fig. 2A und 2B verkörpern. Ein rohes Blatt ist ein Keramikblatt, das nicht dem Sintern unterzogen wurde und aus einem Aluminiumoxid mit einer Dielektrizitätskonstante von 9,7 gebildet ist. Auf der jeweiligen Schicht, die durch das rohe Blatt verkörpert wird, werden ein Signalmuster und ein Erdungsmuster gebil­ det. Öffnungen, die einen Hohlraum zum Unterbringen der Filterchips 33a und 33b bilden, werden auch gebildet (S2).

Anschließend werden die rohen Blätter aufeinanderge­ setzt, und die resultierende mehrschichtige Struktur wird für etwa 5-24 Stunden dem Sintern bei 1500-1600°C unterzogen (S3). In diesem Zustand ist eine Vielzahl von mehrschichtigen Keramikpackungen nicht voneinander getrennt. Ein Musterfilm, der zum Beispiel aus Kupfer gebildet ist, wird durch Dampfabscheidung auf der obersten Schicht vorge­ sehen (S4). Der Musterfilm wird dann geätzt, so daß eine gewünschte Anzahl von mäanderförmigen Phasenanpaßschaltungs­ mustern 37a und 37b und gemeinsame Anschlußmuster 37c wie in Fig. 2A gebildet werden (S5). Danach wird die mehrschichtige Struktur in individuelle mehrschichtige Keramikpackungen 32 zerschnitten (S6).

Die Außenverbindungsanschlüsse 36a-36c werden gebil­ det, um sich von dem Boden der mehrschichtigen Keramikpac­ kung 32 zu deren jeweiligen Seiten zu erstrecken. Die Fil­ terchips 33a und 33b werden auf die mehrschichtige Keramik­ packung 32 montiert und durch die Drähte 34 mit den jeweili­ gen Signalmustern elektrisch verbunden. Die Packung 32 wird dann durch die Kappe 35 hermetisch abgedichtet (S7).

Wie oben beschrieben, sind der Prozeß zum Bilden der mehrschichtigen Keramikpackung 32 und der Prozeß zum Bilden der Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b voneinander getrennt. Ein Vorteil, der sich aus dieser Konstruktion ergibt, ist der, daß ein Material mit niedrigem Widerstand (zum Beispiel ein Kupfermaterial oder ein Verbundmaterial mit Kupfer, Nickel und Aluminium) beim Bilden der Muster 37a und 37b verwendet werden kann, wodurch es möglich wird, den Verlust auf Grund der Anpaßschaltung zu reduzieren. Daher kann die Länge der Anpaßschaltungsmuster reduziert werden, so daß die Packung kompakt sein kann und die Filtercharakte­ ristik verbessert werden kann.

Fig. 6A und 6B sind grafische Darstellungen, die eine Frequenzcharakteristik des Duplexers gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen. Fig. 6A ist eine grafische Darstellung, die die allgemeine Frequenzcharakteristik zeigt. Fig. 6B ist eine grafische Darstellung im vergrößerten Maßstab, die eine Veränderung des Verlustes zeigt, der von der Konstruktion des Leitermusters abhängt. Die in Fig. 6A und 6B gezeigte Frequenzcharakteristik wird experimentell erhalten, indem das Phasenanpaßschaltungsmuster 37a gebildet wird, um eine Breite von etwa 200 µm und eine Länge von etwa 40 mm zu haben, und indem das Phasenanpaßschaltungsmuster 37b gebil­ det wird, um eine Breite von etwa 200 µm und eine Länge von etwa 35 mm zu haben. Die Dielektrizitätskonstante der Schicht 32₁ der mehrschichtigen Keramikpackung 32, die den Duplexer 31 bildet, beträgt 9,7.

Wie in Fig. 6A gezeigt, erfolgt in dem Filterchip F₁ (33a) eine Dämpfung von 2,19 dB bei 824 MHz, eine Dämpfung von 2,70 dB bei 849 MHz, eine Dämpfung von 41,80 dB bei 869 MHz und eine Dämpfung von 28,30 dB bei 894 MHz. In dem Filterchip F₂ (33b) erfolgt eine Dämpfung von 3,78 dB bei 869 MHz, eine Dämpfung von 3,12 dB bei 894 MHz, eine Dämp­ fung von 42,84 dB bei 824 MHz und eine Dämpfung von 34,94 dB bei 894 MHz.

In Fig. 6B kennzeichnet eine durchgehende Linie eine Frequenzcharakteristik eines herkömmlichen Duplexers, der wie in Fig. 1A-1C konstruiert ist, bei dem die Phasen­ anpaßschaltung innerhalb der Packung vorgesehen ist, indem ein Wolframleitermuster in einem Aluminiumoxidkeramikmate­ rial gebildet wird; eine gestrichelte Linie kennzeichnet eine Frequenzcharakteristik des Duplexers von Fig. 2A und 2B, bei dem die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b auf der obersten Schicht vorgesehen sind, indem ein Wolfram­ leitermuster in einem Aluminiumkeramikmaterial gebildet wird; und eine Strichpunktlinie kennzeichnet eine Frequenzcharakteristik des Duplexers von Fig. 2A und 2B, bei dem die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b auf der obersten Schicht vorgesehen sind, indem ein Kupferleiter­ muster in einem Aluminiumoxidkeramikmaterial gebildet wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 6B sei erwähnt, daß unter der Bedingung, daß das Phasenanpaßmuster durch Bilden des Wolf­ ramleitermusters in dem Aluminiumoxidkeramikmaterial kon­ struiert ist, die Frequenzcharakteristik der Konstruktion, bei der das Phasenanpaßschaltungsmuster nahe des oberen Endes der Packung vorgesehen ist (gestrichelte Linie), eine kleinere Dämpfung der Mittenfrequenz und eine bessere Filtercharakteristik vorsieht als die Konstruktion, bei der die Phasenanpaßschaltung innerhalb der Packung eingebaut ist (durchgehende Linie). Es wird eingeschätzt, daß die Kon­ struktion, bei der das Kupferleitermuster anstelle des Wolframleitermusters verwendet wird (Strichpunktlinie), eine kleinere Dämpfung und eine günstige Filtercharakteristik auf Grund einer Reduzierung des Hochfrequenzverlustes vorsieht, die sich aus einer Reduzierung des Gleichstromwiderstandes ergibt.

Zusammenfassend wird festgestellt, daß durch Vorsehen eines Phasenanpaßschaltungsmusters, das aus einem Material mit niedrigem Widerstand, wie Kupfer, nahe des oberen Endes der mehrschichtigen Keramikpackung 32 gebildet ist, eine Verschlechterung der Filtercharakteristik auf Grund des Widerstandes des Musters auf die Hälfte jener der herkömm­ lichen Packung reduziert wird. Ferner wird eingeschätzt, daß eine Verschlechterung des Reflexionskoeffizienten auf Grund der schwebenden Kapazität abgestellt werden kann, so daß eine Verschlechterung der Filtercharakteristik des Duplexers 31 verhindert werden kann. Da das gemeinsame Anschlußmuster 37c mit dem Antennenanschluß 36c auf einer der beiden Seiten der mehrschichtigen Keramikpackung 32 verbunden werden kann, kann eine Platte, auf der der Duplexer montiert wird, mit erhöhter Flexibilität hinsichtlich der Orientierung der Anschlüsse (Sendeanschlüsse und Empfangsanschlüsse) konstru­ iert werden.

Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht des Duplexers 31 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der in Fig. 7 gezeigte Duplexer ist so konstru­ iert, daß zum Beispiel fünf diskrete Einstellmuster 41a₁-41a₅ am Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters 37a auf der obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpackung 32 zum Zweck des Einstellens der Länge des Leitungsmusters vorgese­ hen sind. Ferner sind zum Beispiel fünf diskrete Einstell­ muster 41b₁-41b₅ am Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters 37b auf der obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpac­ kung 32 vorgesehen.

Sobald die Länge des Leitungsmusters bestimmt ist, wird eines der Einstellmuster des Musters 37a mit dem gemeinsamen Anschlußmuster 37c durch einen Draht 42 verbunden. Zum Beispiel kann das Einstellmuster 41a₅ mit dem gemeinsamen Anschlußmuster 37a verbunden sein. Ferner wird eines der Einstellmuster des Musters 37b mit dem gemeinsamen Anschluß­ muster 37c durch den Draht 42 verbunden. Zum Beispiel ist das Einstellmuster 41b₃ mit dem gemeinsamen Anschlußmuster 37b verbunden. In diesem Fall wird der Draht 42 auch verwen­ det, um die Einstellmuster 41b₃-41b₅ miteinander zu ver­ binden.

Die Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅ werden gebildet, wenn die Muster 37a und 37b gebildet werden.

Fig. 8 ist eine grafische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik des Duplexers gemäß der zweiten Ausfüh­ rungsform zeigt. Unter Bezugnahme auf Fig. 8 bezeichnet F₁ eine Frequenzcharakteristik des Duplexers 31, bei dem die Mittenfrequenz des Filterchips 33a (F₁) 875 MHz beträgt und die zugeordnete Auswahl eines der Einstellmuster (41a₁-41a₅) des Phasenanpaßschaltungsmusters 37a erfolgt und die erforderliche Verbindung unter Verwendung des Drahtes 42 hergestellt wird. F₂ bezeichnet eine Frequenzcharakteristik des Filterchips 33b (F₂), bei dem die Mittenfrequenz 937 MHz beträgt und die zugeordnete Auswahl eines der Einstellmuster (41b₁-41b₅) der Phasenanpaßschaltung 37b erfolgt und die erforderliche Verbindung unter Verwendung des Drahtes 42 hergestellt wird. Es wird herausgefunden, daß eine beträcht­ liche Reduzierung der Dämpfung der Mittenfrequenzen erreicht wird. Das heißt, es wird derselbe Effekt wie durch die erste Ausführungsform vorgesehen. Wie oben beschrieben, ermöglicht die zweite Ausführungsform Kombinationen von Filterchips, die verschiedene Sätze von Mittenfrequenzen haben, ohne die mehrschichtige Keramikpackung 32 abzuwandeln.

Während die Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅ bei der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform als diskrete Muster gebildet sind, können die Einstellmuster ein aneinandergrenzendes Muster sein, so daß die Länge des Leitungsmusters durch Verändern einer Bondposition des Drahtes 42 eingestellt werden kann. Die unnötigen Abschnitte der Einstellmuster bei dieser Anordnung können jedoch eine ungünstige Auswirkung auf die Phasenanpassung ergeben. Die zweite Ausführungsform löst dieses Problem, indem die dis­ krete Konfiguration-vorgesehen wird. Wenn die Länge der Einstellmuster 41a₁-41a₅ und 41b₁-41b₅ kurz ist und deren unnötige Abschnitte keine ungünstige Auswirkung auf die Phasenanpassung haben, ist es deshalb nicht nötig, die diskreten Muster zu bilden.

Bei einer alternativen Lösung werden die Phasenanpaß­ schaltungsmuster 37a und 37b wie in Fig. 2A gebildet, und es wird eine vorbestimmte Anzahl von Einstellmustern gebildet, die die mäanderförmige Konfiguration der Muster 37a und 37b umgehen. Die Leitungslänge der Muster 37a und 37b wird so eingestellt, daß der Zwischenabschnitt nach Erfordernis getrimmt oder entfernt wird.

Fig. 9 ist eine Längsschnittansicht des Duplexers 31 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung. In dem Duplexer 31 von Fig. 9 ist ein Abstandshalter 51 auf der obersten Schicht der mehrschichtigen Keramikpac­ kung 32, die in Fig. 2A und 2B gezeigt ist, angeordnet, um als Erdungsschicht zu dienen, wobei eine Schirmkappe 52 auf dem Abstandshalter 51 vorgesehen ist. Die anderen Aspekte der Konstruktion sind dieselben wie jene der Konstruktion von Fig. 2A und 2B (oder Fig. 7). Der Abstandshalter 51 gestattet es, die Schirmkappe 52 über den Phasenanpaßschal­ tungsmustern 37a und 37b mit Hilfe einer Lücke 53 vorzuse­ hen.

Gemäß dieser Anordnung verhindert die Schirmkappe 52, daß die Phasenanpaßschaltungsmuster 37a und 37b durch die Umgebung beeinträchtigt werden. Auf die zweite Ausführungs­ form (Fig. 7) angewendet, gewährleistet die dritte Ausfüh­ rungsform, daß der Draht 42 zweckmäßig geschützt wird.

Es erfolgt nun unter Bezugnahme auf Fig. 10-12 eine Beschreibung einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 10 ist eine Längsschnittansicht eines Duple­ xers 61 gemäß der vierten Ausführungsform, Fig. 11 ist eine Bodenansicht des Duplexers 61, und Fig. 12 ist eine perspek­ tivische Ansicht des Duplexers 61.

Der Duplexer 61 umfaßt eine mehrschichtige Keramikpac­ kung 62, die gebildet ist aus vier Schichten 62₁-62₄, den Filterchips 33a und 33b und der Kappe 35. Wie in Fig. 11 gezeigt, sind ein Empfangsanschluß 66a, ein Sendeanschluß 66b, Antennenanschlüsse 66c und der Erdungsanschluß 66d auf der Unterseite der Bodenschicht 62₄ der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet.

Die Anschlüsse 66a-66d sind mit den Filterchips 33a und 33b, die in der mehrschichtigen Keramikpackung 62 vorge­ sehen sind, durch Verdrahtungen (nachfolgend als Kronierun­ gen bezeichnet) 66a_-1-66d_-1, die in Fig. 12 gezeigt sind und auf den jeweiligen Seiten der mehrschichtigen Keramik­ packung 62 zu bilden sind, elektrisch verbunden. Die Anschlüsse 66a-66d, die auf der Unterseite der Boden­ schicht 62₄ gebildet sind, entsprechen Anschlüssen, die in Anspruch 8 beschrieben sind. Wenn der Duplexer 61 auf einer anderen Schaltungsplatte montiert wird, sind die Anschlüsse 66a-66d mit der Schaltungsplatte gekoppelt.

In der oberen Schicht 62₁ und der zweiten Schicht 62₂ ist eine Öffnung gebildet, um einen ersten Hohlraum 64 zum Aufnehmen der akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilter­ chips 33a und 33b vorzusehen. Die Filterchips 33a und 33b sind auf einer Chipmontageoberfläche 63 montiert, die auf der dritten Schicht 62₃ gebildet ist. Daher sind die Filter­ chips 33a und 33b in dem ersten Hohlraum 64 angeordnet, der durch die Schichten 62₁ und 62₂ in Kooperation miteinander gebildet wird.

Vorbestimmte Signalmuster und Erdungsmuster sind auf der zweiten Schicht 62₂ gebildet, von welchen Mustern jedes mit den jeweiligen Kronierungen 66a_-1-66d_-1 verbunden ist. Die Signalmuster und die Erdungsmuster, die auf der zweiten Schicht 62₂ gebildet sind, sind auch mit den Filterchips 33a und 33b durch die Drähte 34 verbunden. Auf diese Weise wird die elektrische Verbindung zwischen den Filterchips 33a und 33b und den Anschlüssen 66a-66d gesichert.

Die Kappe 35 ist auf der oberen Schicht 62₁ gebildet, um den ersten Hohlraum 64, der in der mehrschichtigen Kera­ mikpackung 62 gebildet ist, zu bedecken. Auf diese Weise wird gesichert, daß die mehrschichtige Keramikpackung 62, die die Filterchips 33a und 33b enthält, hermetisch abge­ dichtet ist.

Die Bodenschicht 62₄ ist auch mit einer Öffnung verse­ hen, so daß die dritte Schicht 62₃ und die Bodenschicht 62₄ in Kooperation miteinander einen zweiten Hohlraum 67 auf dem Boden der mehrschichtigen Keramikpackung 62 bilden. Auf der Unterseite der dritten Schicht 62₃, die in dem zweiten Hohlraum 67 exponiert ist, ist ein mäanderförmiges Phasen­ anpaßschaltungsmuster 68 gebildet. Das Phasenanpaßschal­ tungsmuster 68 ist in Form von Mikrostreifenleitungen gebil­ det. Die Mikroleitungen sind gebildet aus Kupfer oder einem leitfähigen Material, dessen Hauptkomponente Kupfer ist. Ein Ende des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 ist mit den Filter­ chips 33a und 33b durch ein Durchgangsloch 69 verbunden, und sein anderes Ende ist mit dem Antennenanschluß 66c durch eine Verdrahtung (nicht gezeigt) verbunden, die auf der dritten Schicht 62₃ gebildet ist.

Es sei erwähnt, daß das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 in dem Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform in dem zweiten Hohlraum 67 gebildet ist, der auf dem Boden der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet ist. Daher wird, wenn der Duplexer 61 auf einer anderen Schaltungsplatte montiert wird, das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 der Platte zugewandt sein, auf der der Duplexer 61 montiert ist, so daß die Strahlung nach außen eingeschränkt wird.

Fig. 13 ist eine grafische Darstellung, die eine Cha­ rakteristik der Dämpfung in Abhängigkeit von der Frequenz des Duplexers gemäß der vierten Ausführungsform zeigt. Die in Fig. 13 gezeigte Frequenzcharakteristik wird durch Mes­ sung erhalten, die unter derselben Bedingung wie die Messung von Fig. 6A und 6B durchgeführt wird. Genauer gesagt, die Frequenzcharakteristik von Fig. 13 wird experimentell erhal­ ten, indem das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 gebildet wird, um eine Breite von etwa 200 µm und eine Länge von etwa 25 mm zu haben. Die Dielektrizitätskonstante der dritten Schicht 62₃ der mehrschichtigen Keramikpackung 32, die den Duplexer 31 bildet, beträgt 9,7. Fig. 13 zeigt einen Verlust auf Grund des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 und eine Verände­ rung eines Verlustes, die durch einen der Filterchips in einem Durchlaßband für den anderen der Filterchips vorgese­ hen wird. Mit anderen Worten, Fig. 13 zeigt eine Duplexlei­ stung des Duplexers 61.

Wenn Fig. 13 mit Fig. 6A und 6B verglichen wird, weisen der Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform und der Duplexer 31 gemäß der ersten Ausführungsform weitgehend ähnliche Charakteristiken auf. Der Duplexer 61 sieht eine ausgezeichnete Filtercharakteristik vor.

Wie oben beschrieben, kann durch die Verwendung eines Materials mit niedrigem Widerstand, wie Kupfer, um das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 in dem Duplexer 61 zu bilden, eine Verschlechterung der Filtercharakteristik auf Grund eines Verlustes, der durch den Widerstand des Musters 68 vorgesehen wird, auf etwa die Hälfte reduziert werden. Ferner wird eingeschätzt, daß der Verschlechterung des Reflexionskoeffizienten auf Grund der schwebenden Kapazität abgeholfen werden kann, so daß die Verschlechterung der Filtercharakteristik des Duplexers 61 verhindert werden kann.

Da die Antennenanschlüsse 66c gebildet sind, um sich von den beiden Seiten des Bodens der mehrschichtigen Kera­ mikpackung 62 zu erstrecken, ist eine erhöhte Flexibilität hinsichtlich der Orientierung der Anschlüsse vorhanden. Da das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 des Duplexers 61 der Platte zugewandt wird, auf der der Duplexer 61 montiert wird, wird die Strahlung nach außen eingeschränkt.

Wie die Phasenanpaßschaltungsmuster von Fig. 7 kann das Phasenanpaßschaltungsmuster 68 in diskrete Muster eingeteilt werden. Alternativ kann die Leitungslänge nicht durch Teilen des Phasenanpaßschaltungsmusters 68 sondern durch Verändern von Drahtbondpositionen verändert werden.

Bei einer alternativen Lösung ist das Phasenanpaßschal­ tungsmuster 68 wie in Fig. 2A gebildet, und eine vorbe­ stimmte Anzahl von Einstellmustern, die die mäanderförmige Konfiguration der Muster (die den Mustern 37a und 37b ent­ sprechen) umgehen, ist gebildet. Die Leitungslänge des Musters 68 wird so eingestellt, daß der Zwischenabschnitt nach Bedarf getrimmt oder entfernt wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 14 und 15 erfolgt nun eine Beschreibung einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 14 ist eine Längsschnittansicht eines Duple­ xers 71 gemäß der fünften Ausführungsform, und Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht des Duplexers 71. In Fig. 14 und 15 sind jene Komponenten, die den Komponenten des Duple­ xers 61 gemäß der vierten Ausführungsform entsprechen, die unter Bezugnahme auf Fig. 10-12 beschrieben wurde, mit denselben Bezugszahlen bezeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.

Der Duplexer 71 gemäß der fünften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform darin, daß ein gemeinsames Erdungsmuster 72 zwischen der Chipmontageoberfläche 63 und den Anschlüssen 66a-66d gebildet ist.

Genauer gesagt, die dritte Schicht 62₃ ist in zwei Sub­ schichten geteilt, und ein leitfähiger Film ist zwischen den Subschichten gebildet, so daß das gemeinsame Erdungsmuster 72 zwischen der Chipmontageoberfläche 63 und den Anschlüssen 66a-66d gebildet ist.

Das gemeinsame Erdungsmuster 72 ist mit den Kronierun­ gen 66d_-1 verbunden, die in Fig. 15 gezeigt sind. Somit ist das gemeinsame Erdungsmuster 72 durch die Kronierungen 66d_-1 mit den Erdungsanschlüssen 66d verbunden, die am Boden gebildet sind.

Da das gemeinsame Erdungsmuster 72 mit den Erdungs­ anschlüssen 66d in dem Duplexer 71 verbunden ist, der die oben beschriebene Anordnung hat, können die Kronierungen 66d_-1, die auf der Seite der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet sind, relativ kurz sein (siehe Fig. 15). Durch Reduzieren der Länge der Kronierungen 66d_-1 ist es möglich, eine Induktivität der Kronierungen 66d_-1 zu reduzieren.

Fig. 16 ist eine grafische Darstellung, die die Charak­ teristik (durch gekennzeichnet) des Duplexers 71 gemäß der fünften Ausführungsform im Vergleich zu der Charakteri­ stik (durch gekennzeichnet) eines herkömmlichen Duplexers zeigt. Wie in Fig. 16 gezeigt, ist die Dämpfungscharakteri­ stik des Duplexers 71 gemäß der fünften Ausführungsform besonders außerhalb des Durchlaßbandes besser als jene des herkömmlichen Duplexers.

Es erfolgt nun unter Bezugnahme auf Fig. 17 und 18 eine Beschreibung einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 17 ist eine Längsschnittansicht eines Duple­ xers 81 gemäß der sechsten Ausführungsform, und Fig. 18 ist eine perspektivische Ansicht des Duplexers 81 gemäß der sechsten Ausführungsform. In Fig. 17 und 18 sind jene Kompo­ nenten, die den Komponenten des Duplexers 61 gemäß der vierten Ausführungsform entsprechen, die unter Bezugnahme auf Fig. 10-12 beschrieben wurde, mit denselben Bezugszah­ len bezeichnet, und ihre Beschreibung wird weggelassen.

Der Duplexer 81 gemäß der sechsten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Duplexer 61 gemäß der vierten Ausführungsform darin, daß ein Antennenanschlußmuster 82, das mit den Filterchips 33a und 33b verbunden ist, innerhalb der mehrschichtigen Packung 62 gebildet ist.

Genauer gesagt, der Antennenmusteranschluß 82 ist zwischen der Unterseite der zweiten Schicht 62₂ und der Oberseite der dritten Schicht 62₃ gebildet, die die mehr­ schichtige Keramikpackung 62 des Duplexers 71 darstellen. Die Enden des Antennenanschlußmusters 82 sind mit einem Paar von Kronierungen 66c_-1 verbunden, die auf den jeweiligen Seiten der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet sind, wie in Fig. 18 gezeigt.

Mit der oben beschriebenen Anordnung des Duplexers 81 ist das Lecken von Signalen von dem Antennenanschlußmuster 82 kleiner als bei den anderen Anordnungen. Bei einer Kon­ struktion wie jener des Duplexers 31, die unter Bezugnahme auf Fig. 2A und 2B beschrieben wurde, bei der das gemeinsame Anschlußmuster 37c, das als Antennenanschlußmuster fungiert, oben auf der mehrschichtigen Packung 32 exponiert ist, können Signale von dem gemeinsamen Anschlußmuster 37c lecken. Gemäß der sechsten Ausführungsform, bei der das Antennenanschlußmuster 82 innerhalb der mehrschichtigen Keramikpackung 62 gebildet ist, führt jedoch die mehrschich­ tige Keramikpackung 62 eine Abschirmfunktion aus. Deshalb erzeugt das Antennenanschlußmuster 82 ein kleineres Lecken als die Antennenanschlußmuster, die anderweitig gebildet sind.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen begrenzt, und Veränderungen und Abwandlungen können vorgenommen werden, ohne den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Claims (12)

1. Duplexer (31), der durch eine mehrschichtige Packung (32) verkörpert wird, welche mehrschichtige Packung (32) umfaßt:
eine vorbestimmte Anzahl von akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) mit verschie­ denen Durchlaßbandmittenfrequenzen; und
Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b), die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) vorgesehen sind; bei dem
die Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b) auf einer Oberflächenschicht der mehrschichtigen Packung (32) gebildet sind.

2. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasenanpaß­ schaltungsmuster (37a, 37b) als Mikrostreifenleitungen gebildet sind.

3. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasenanpaß­ schaltungsmuster (37a, 37b) als Schichten gebildet sind, die ein Kupferglied enthalten.

4. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem über den Phasen­ anpaßschaltungsmustern (37a, 37b) mit Hilfe einer Isolier­ schicht (53) eine Erdungsschicht vorgesehen ist.

5. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem eine vorbe­ stimmte Anzahl von Außenverbindungsanschlüssen (36a-36c) in einer Bodenschicht der mehrschichtigen Packung (32) gebildet ist und jedes der Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b) durch einen gemeinsamen Anschluß (37c) mit einem der Außenverbindungsanschlüsse (36a-36c) verbunden ist.

6. Duplexer nach Anspruch 1, bei dem die Phasen­ anpaßschaltungsmuster (37a, 37b) eine vorbestimmte Anzahl von Einstellmustern (41a₁-41a₅, 41b₁-41b₅) zur Einstel­ lung der Länge der Phasenanpaßschaltungsmuster (37a, 37b) enthalten.

7. Verfahren zum Herstellen eines Duplexers (31), der durch eine mehrschichtige Packung (32) verkörpert wird, die mit einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Oberflächen­ wellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) versehen ist, die ver­ schiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben, und mit Phasenanpaßschaltungsmustern (37a, 37b), die zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b) vorgesehen sind, welches Verfahren die Schritte umfaßt:
Bilden einer vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄);
Bilden von vorbestimmten Mustern auf dem rohen Blatt (32₁-32₄) und Bilden von Öffnungen nach Erfordernis;
Zusammensetzen der vorbestimmten Anzahl von rohen Blättern (32₁-32₄) zu einer mehrschichtigen Rohblattstruk­ tur und Unterziehen der mehrschichtigen Rohblattstruktur einem Sinterprozeß;
Bilden eines Musterfilms oben auf der mehrschich­ tigen Rohblattstruktur;
Ätzen des Musterfilms, um die vorbestimmte Anzahl von Anpaßschaltungsmustern (37a, 37b) zu bilden;
Trennen der mehrschichtigen Rohblattstruktur in individuelle mehrschichtige Packungen (32);
Bilden von Außenverbindungsanschlüssen (36a-36c) in der mehrschichtigen Packung (32);
Montieren der akustischen Oberflächenwellenband­ paßfilterchips (33a, 33b) in die mehrschichtige Packung (32);
Herstellen von erforderlichen elektrischen Verbin­ dungen in der mehrschichtigen Packung (32); und
hermetisches Abdichten der mehrschichtigen Packung (32) mit einer Kappe (52).

8. Duplexer (61) mit:
einer vorbestimmten Anzahl von akustischen Ober­ flächenwellenbandpaßfilterchips (33a, 33b), die verschiedene Durchlaßbandmittenfrequenzen haben; und
einer mehrschichtigen Packung (62), die die vorbe­ stimmte Anzahl von Filterchips (33a, 33b) hat, die auf einer Chipmontageoberfläche (63) montiert sind, und Anschlüsse (66a-66d), zur Verbindung mit externen Schaltungen, die auf einer Bodenschicht (62₄) der mehrschichtigen Packung (62) gebildet sind, wobei ein Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen den akustischen Oberflächenwellenbandpaß­ filterchips (33a, 33b) verbunden ist, bei dem
das Phasenanpaßschaltungsmuster (68) zwischen der Chipmontageoberfläche (63) und den Anschlüssen (66a-66d) gebildet ist.

9. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem das Phasenanpaß­ muster (68) als Mikrostreifenleitungen gebildet ist.

10. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem das Phasenanpaß­ muster (68) als Schichten gebildet ist, die ein Kupferglied enthalten.

11. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem gemeinsame Erdungsmuster (72) zwischen der Chipmontageoberfläche (63) und den Anschlüssen (66a-66d) gebildet sind.

12. Duplexer nach Anspruch 8, bei dem ein Antennen­ anschlußmuster (82), das mit den Filterchips (33a, 33b) verbunden ist, innerhalb der mehrschichtigen Packung (62) gebildet ist.