DE19611028A1 - Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents

Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungs­ vorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 6. Insbesonde­ re betrifft sie eine Belichtungsvorrichtung zur Herstel­ lung von Halbleitervorrichtungen, die in der Anlage ist, auf einer Strichplatte befindliche Muster aufeinanderfol­ gend abzubilden, indem die Belichtungsenergie überlagert wird und die Muster auf der Strichplatte auf eine Platte projiziert werden, wobei ein zusätzliches optisches Sy­ stem verwendet wird, das durch eine Blende laufendes Licht kondensorartig sammelt, wobei dies in einem Takt­ prozeß erfolgt, während dem ein Schirm durch eine Muster­ synthese belichtet wird.
Um einen elektronischen Schaltkreis auf einem Halb­ leiterwafer oder einem Glassubstrat einer Flüssigkri­ stallvorrichtung auszubilden, sind Muster notwendig, auf denen die elektronischen Schaltkreise aufgebaut oder aus­ gebildet werden. Eine Glasplatte mit einer derartigen Mu­ sterung wird als Strichplatte oder Maske bezeichnet.
Eine Belichtungsvorrichtung projiziert das Muster auf der Strichplatte auf einen Halbleiterwafer oder ein Substrat einer Flüssigkristallvorrichtung. Wenn die Größe einer Anzeige außerhalb des Belichtungsbereiches einer Projektionslinse während der Schritte des Herstellens ei­ ner Flüssigkristallvorrichtung liegt, wird eine Schirm­ synthese durchgeführt, in der der Anzeigeschirm unter­ teilt und selektiv belichtet wird.
Um Muster auf der Strichplatte aufeinanderfolgend für die Schirmsynthese in der Herstellungsreihenfolge aus zu­ bilden, müssen die Muster auf der Strichplatte, welche nicht dem momentan während des Herstellungsprozesses ver­ wendeten Muster entsprechen, künstlich abgedeckt werden. Eine Blende wird verwendet, den Rest der Muster künstlich vor dem Licht während der Herstellungsabfolge abzudecken, um die Muster auf der Strichplatte wie oben erwähnt zu projizieren.
Die Steuerung der erwähnten Blende und die aufeinan­ derfolgende Belichtung des Musters auf der Strichplatte mit Licht ist ein diffiziler Vorgang, der ein wesentli­ cher Faktor bei der Verbesserung der Produktivität bei der Belichtung des Musters einer Flüssigkristallanzeige­ vorrichtung mit Licht ist.
Gemäß Fig. 4 weist eine Belichtungsvorrichtung be­ kannter Bauweise im wesentlichen die folgenden Elemente auf: eine Lichtquelle 1 mit einer Hochdruck-Quecksilber­ bogenlampe 1, einen Reflektor 2, eine Kondensorlinse 3, eine Blende 4, eine Strichplatte 5, eine Projektionslinse 6 und eine Platte 7.
Ein Lichtpunkt von der Lichtquelle 1 wird durch den Reflektor 2 flächenausleuchtend gestreut. Mit dieser Flä­ chenausleuchtung wird die Kondensorlinse 3 bestrahlt. Die Kondensorlinse 3 sammelt die Flächenausleuchtung und strahlt sie auf die Strichplatte 5 mit den entsprechenden Mustern ab.
Die Blende 4 deckt die Strichplatte 5 mit Ausnahme des zu belichtenden Musters ab. Demzufolge wird Licht von der Kondensorlinse 3 auf dasjenige Muster der Strichplat­ te 5 gestrahlt, das durch die Blende 4 dem Licht ausge­ setzt ist. Die Projektionslinse 6 projiziert das nicht von der Blende 4 abgedeckte Muster auf der Strichplatte 5 auf die Oberfläche der Platte 7. Ein Resist auf der Platte 7 wird von dem Licht belichtet, das durch das Muster auf der Strichplatte 5 beeinflußt wurde.
Hierbei wird die auf jedes Muster der Strichplatte 5 abgestrahlte Belichtungsenergie nur auf das Muster ver­ teilt, welches über die Blende 4 dem einfallenden Licht ausgesetzt ist, wie in Fig. 7 gezeigt, so daß die Belich­ tungsenergie nicht überlagert wird.
Wenn das Muster auf der Strichplatte 5, wie in Fig. 5 gezeigt ausgebildet ist, ist die Größe der Blende 4, die die verbleibenden Teile abdeckt, welche nicht zu belich­ ten sind, so eingestellt, daß sie größer als das zu be­ lichtende Muster ist. Dies bedeutet, daß, da die Möglich­ keit besteht, daß die Qualität des belichteten Musters durch Streuung von Licht an den Kanten der Blende 4 ver­ schlechtert wird, die Blende 4 so eingestellt wird, daß der Teil, auf den Licht fallen kann, größer ist als das dem Licht ausgesetzte Muster auf der Strichplatte 5.
Wenn somit das Muster auf der Platte 7 jeweils unmit­ telbar aneinandergrenzend ohne irgendeinen Abstand proji­ ziert wird, wie in Fig. 6 gezeigt, muß das Muster auf der Strichplatte 5, das dem Licht ausgesetzt wird, so ausge­ bildet werden, daß eine gleichmäßige Beabstandung vor­ liegt, wie in Fig. 5 gezeigt.
Somit wird bei der bekannten Technik der praktisch verwendbare Bereich auf der Strichplatte verringert und eine hohe Präzision bei der Anordnung, um einen Abstand zwischen jedem Muster aufrecht zu erhalten, wenn die Mu­ ster ausgebildet werden, ist notwendig.
Weiter besteht die Möglichkeit, daß, wenn ein Muster, das auf eine Platte projiziert wird, nicht präzise ausge­ richtet ist, die Belichtung zwischen den Mustern zu hoch oder zu niedrig sein kann, was zu einer Verschlechterung des hergestellten Produktes führt.
Es von daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halblei­ tervorrichtungen zu schaffen, die in der Lage ist, Muster auf einer Strichplatte aufeinanderfolgend abzubilden.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die in An­ spruch 1 bzw. 6 angegebenen Merkmale.
Allgemein gesagt schafft die vorliegende Erfindung eine Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halblei­ tervorrichtungen, die in der Lage ist, Muster auf einer Strichplatte aufeinanderfolgend abzubilden, indem die Be­ lichtungsenergie überlagert wird und die Muster auf der Strichplatte auf eine Platte projiziert werden, wobei ein zusätzliches optisches System verwendet wird, welches durch eine Blende laufendes Licht kondensorartig sammelt, wobei dies in einem getakteten Herstellungsprozeß er­ folgt, bei dem ein Schirm durch Mustersynthese belichtet wird.
Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung umfaßt im wesentlichen eine Strichplatte, auf welchen zu belichten­ de Muster ausgebildet sind, eine Blende, die einen zu be­ lichtenden Bereich auf der Strichplatte festlegt, sowie ein optisches System, das zwischen der Blende und der Strichplatte angeordnet ist, um das durch die Blende fal­ lende Licht kondensorartig zu sammeln und auf eine Platte abzustrahlen.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Ge­ genstand der jeweiligen Unteransprüche.
Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vor­ liegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform unter Be­ zugnahme auf die Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematisch vereinfachte Darstellung ei­ ner Belichtungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Aus­ führungsform dieser Erfindung;
Fig. 2 eine schematisch vereinfachte Darstellung von Mustern auf einer Strichplatte in der Belichtungsvorrich­ tung gemäß der bevorzugten Ausführungsform dieser Erfin­ dung;
Fig. 3 eine grafische Darstellung zur Erläuterung der Belichtungsenergie, die in der Belichtungsvorrichtung ge­ mäß der bevorzugten Ausführungsform dieser Erfindung auf die Platte projiziert wird;
Fig. 4 eine schematisch vereinfachte Darstellung ei­ ner Belichtungsvorrichtung nach dem Stand der Technik;
Fig. 5 eine schematisch vereinfachte Darstellung ei­ ner Strichplatte nach dem Stand der Technik;
Fig. 6 eine schematisch vereinfachte Darstellung ei­ ner Strichplatte nach dem Stand der Technik, wie sie auf eine Platte projiziert wird; und
Fig. 7 eine grafische Darstellung zur Erläuterung der Belichtungsenergie, die in der Belichtungsvorrichtung nach dem Stand der Technik auf die Platte projiziert wird.
Es sei festzuhalten, daß die nachfolgende Beschrei­ bung einer bevorzugten Ausführungsform als rein exempla­ risch und nicht einschränkend zu verstehen ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung wird nun im Detail und unter Bezug auf die zuge­ hörigen Figuren der Zeichnung beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Belichtungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Lichtquelle 1 gibt ein Punktlicht ab. Ein Reflektor 2 streut das von der Lichtquelle 1 erzeugte Punktlicht in ein flächenverteiltes oder flächenausleuchtendes Licht. Eine Strichplatte 5 weist eine Mehrzahl von Mustern auf, welche abzubilden sind. Eine Kondensorlinse 3 sammelt das durch den Reflektor 2 verteilte Licht und strahlt das kondensorartig gesammelte Licht auf die Strichplatte 5. Eine Blende 4 steuert einen dem Licht auszusetzenden Be­ reich, indem die Muster mit Ausnahme des zu belichtenden Musters auf der Strichplatte 5 abgedeckt werden. Eine Korrekturlinse 9 zwischen der Blende 4 und der Strich­ platte 5 sammelt das durch eine Korrekturplatte 8 einfal­ lende Licht und strahlt dieses Licht auf die Strichplatte 5. Eine Projektionslinse 6 projiziert das Muster auf oder von der Strichplatte 5 auf eine Platte 7.
Die Korrekturplatte 8 kompensiert gemäß der bevorzug­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung von der Dicke der Korrekturlinse 9 und der Strichplatte 5 bewirk­ te Asymmetrien, wobei die Korrekturplatte 8 die gleiche Materialqualität und Dicke wie die Strichplatte 5 hat.
Die Korrekturlinse 9 ist gemäß einer bevorzugten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung aus einem opti­ schen System aufgebaut mit einem Gleichheitsverhältnis von 1 : 1, wobei asymmetrische Aberrationen wie Verzer­ rung, Coma, etc. nicht auftreten und nur eine symmetri­ sche Aberration, beispielsweise eine sphärische Aberrati­ on innerhalb eines bestimmten Bereiches auftritt.
Die nachfolgende Beschreibung betrifft die Arbeits­ weise der Belichtungsvorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsfarm der vorliegenden Erfindung mit dem obigen Aufbau.
Ein Punktlicht, das von der Lichtquelle 1 mit einer Hochdruck-Quecksilberbogenlampe erzeugt wird, wird durch den Reflektor 2 in ein oberflächenausleuchtendes Licht gestreut und fällt auf die Kondensorlinse 3. Die Konden­ sorlinse 3 sammelt das einfallende oberflächenausleuch­ tende Licht und strahlt das gesammelte Licht auf die Strichplatte 5, auf der die abzubildenden Muster ausge­ bildet sind.
Hierbei deckt die Blende 4 diejenigen Teile der Strichplatte 5 ab, welche nicht abzubilden sind. Licht läuft durch einen Belichtungsbereich 4a der Blende 4. In­ folgedessen wird nur ein bestimmter Lichtanteil von der Kondensorlinse 3 durch die Blende 4 auf die Strichplatte 5 gestrahlt.
Der Belichtungsbereich 4a hat eine bestimmte Größe, die größer als das mit dem Licht abzubildende Muster ist. Licht von dem Belichtungsbereich 4a läuft durch die Kor­ rekturplatte 8 und trifft auf die Korrekturlinse 9.
Das durch den Belichtungsbereich 4a und die Korrek­ turplatte 8 laufende Licht wird durch die Korrekturlinse 9 auf die Strichplatte 5 gestrahlt. Ein Abschnitt des Mu­ sters auf der Strichplatte 5 entsprechend dem Belich­ tungsbereich 4a wird dann durch die Projektionslinse 6 auf die Platte 7 projiziert.
An dem Rand oder den Grenzlinien des Belichtungsbe­ reiches 4a wird Belichtungsenergie eines bestimmten Gra­ des gemäß Fig. 3 im wesentlichen mittig um die Grenzlini­ en herum durch eine symmetrische Aberration, beispiels­ weise eine sphärische Aberration, verteilt, die aufgrund der Korrekturlinse 9 erzeugt wird.
Wie in Fig. 2 gezeigt, kann eine Strichplatte 5 gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zwei Muster P1 und P2 haben. Die Muster P1 und P2 sind einander un­ mittelbar benachbart. Nachdem das erste Muster P1 auf der Strichplatte 5 dem Licht ausgesetzt wurde, wird das zwei­ te Muster P2 dem Licht ausgesetzt. Fig. 3 zeigt die Ver­ teilung der Belichtungsenergie mit einem bestimmten Grad nach der zweiten Belichtung.
Demzufolge findet eine Überlagerung von Lichtenergie statt, die sich von der Energieverteilung des Lichtes bei dem herkömmlichen Muster gemäß Fig. 7 unterscheidet, wo­ bei der Belichtungsbereich bei dem Belichtungsvorgang der Muster P1 und P2 gemäß Fig. 3 "gemittelt" wird.
Die gestrichelten Linien in Fig. 3 zeigen die Vertei­ lung der Lichtenergie äquivalent zu dem Licht, das den Belichtungsbereich 4a in der Blende 4 durchläuft.
Infolgedessen ist die Verteilung der Belichtungsener­ gie an den Rändern oder Grenzlinien des Belichtungsberei­ ches 4a identisch mit derjenigen Belichtungsenergie, die äquivalent zu dem verbleibenden, hiervon unterschiedli­ chen zu belichtenden Bereich ist und somit wird das Mu­ ster auch an den Rändern oder Grenzlinien des Belich­ tungsbereiches 4a auf die Platte 7 projiziert.
Da die Belichtungsenergie durch die Korrekturlinse 9 gemäß obiger Beschreibung überlagert wird, wird jedes Mu­ ster auf der Strichplatte 5 bei der bevorzugten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung korrekt dem Licht ausgesetzt, obgleich die Muster aneinander fortlaufend ohne einen gleichmäßigen Abstand voneinander ausgebildet sind.
Wenn die Korrekturlinse 9 unter Verwendung eines Spiegels durch ein reflektierendes optisches System er­ setzt wird, kann der Belichtungsvorgang auf der Strich­ platte kontinuierlich durchgeführt werden.
Gemäß obiger Beschreibung ist die Belichtungsvorrich­ tung gemäß der dargestellten und beschriebenen bevorzug­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in der La­ ge, Muster auf einer Strichplatte aufeinanderfolgend da­ durch abzubilden, daß die Belichtungsenergie überlagert wird und die Muster auf der Strichplatte auf eine Platte projiziert werden, wobei ein zusätzliches optisches Sy­ stem verwendet wird, das durch eine Blende fallendes Licht kondensorartig sammelt, wobei dies in einem Takt­ prozeß erfolgt, bei dem ein Schirm dem Licht durch eine Mustersynthese ausgesetzt wird.
Indem die Strichplatte kontinuierlich ausgebildet werden kann, kann die verwendbare Fläche der Strichplatte maximiert werden und eine präzise Anordnung zur Aufrecht­ erhaltung des Abstandes zwischen den einzelnen Mustern ist nicht notwendig.
Weiterhin wird die kritische Größe von entweder Man­ gel oder Überschuß von Belichtung zwischen den einzelnen Mustern verringert, so daß die Herstellung vereinfacht wird und die Herstellungsleistung pro Zeiteinheit kann verbessert werden, indem die Zeit zum Ausrichten von Strichplatte und Platte verringert werden kann.
Insoweit zusammenfassend wird somit eine Belichtungs­ vorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen geschaffen. Die Strichplatte 5 weist durch Licht abzubil­ dende Muster oder Musterungen auf. Die Blende 4 steuert einen Belichtungsbereich 4a der Strichplatte 5. Ein opti­ sches System zwischen der Blende 4 und der Strichplatte 5 sammelt kondensorartig durch die Blende 4 fallendes Licht. Einander unmittelbar benachbarte Muster auf der Strichplatte 5 werden aufeinanderfolgend dadurch proji­ ziert, daß die Belichtungsenergie überlagert wird. Ein weiteres optisches System, im wesentlichen bestehend aus der Korrekturlinse 9 und der Korrekturplatte 8 sammelt kondensorartig durch die Blende 4 fallendes Licht. Der verwendbare Bereich auf der Strichplatte 5 wird maxi­ miert, der Abstand zwischen einzelnen Mustern auf der Strichplatte 5 ist nicht kritisch und Qualitätsver­ schlechterungen durch entweder Mangel oder Überschuß an Belichtungslicht zwischen den einzelnen Mustern wird ver­ ringert.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist eine Viel­ zahl von Modifikationen und Abwandlungen für den Durch­ schnittsfachmann möglich oder denkbar, ohne hierbei den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Claims (9)

1. Eine Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, mit:
einer Strichplatte (5) mit durch Licht zu übertra­ genden Mustern;
einer Blende (4) zur Steuerung eines Belichtungsbe­ reiches (4a) der Strichplatte (5); und
einem optischen System zwischen der Blende (4) und der Strichplatte (5) zur Kondensierung von Licht.
2. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das optische System ein Gleichheits­ verhältnis von 1 : 1, keine asymmetrische Aberration und eine symmetrische Charakteristik-Aberration hat.
3. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die symmetrische Charakteristik-Aber­ ration eine sphärische Aberration innerhalb eines be­ stimmten Bereiches ist.
4. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin gekennzeichnet durch eine Korrekturplatte (8) mit der gleichen Materialqualität und Dicke wie die Strichplatte (5), wobei die Korrekturplatte (8) zwischen der Blende (4) und dem optischen System angeordnet ist, um eine Asymmetrie der Strichplatte (5) zu korrigieren.
5. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strichplatte (5) eine Mehrzahl von unmittelbar einander benachbarten aufeinanderfolgen­ den Mustern (P1, P2) aufweist.
6. Eine Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, mit:
einer Lichtquelle (1) zur Erzeugung eines Punktlich­ tes;
einem Reflektor (2) zur Verteilung des Punktlichtes in ein oberflächenausleuchtendes Licht;
einer Kondensorlinse (3) zur Kondensierung von Licht von dem Reflektor (2);
einer Strichplatte (5) mit einer Mehrzahl von Mu­ stern hierauf;
einer Blende (4) zur Steuerung eines Belichtungsbe­ reiches (4a) der Strichplatte (5);
einer Projektionslinse (6) zur Projizierung eines Musters der Strichplatte (5); und
einem optischen System zwischen der Blende (4) und der Strichplatte (5) zur Kondensierung von Licht.
7. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das optische System ein Gleichheits­ verhältnis von 1 : 1, keine asymmetrische Aberration und eine symmetrische Charakteristik-Aberration hat.
8. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Strichplatte (5) eine Mehrzahl von unmittelbar einander benachbarten aufeinanderfolgen­ den Mustern (P1, P2) aufweist.
9. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 6, weiterhin gekennzeichnet durch eine Korrekturplatte (8) mit der gleichen Materialqualität und Dicke wie die Strichplatte (5) zwischen der Blende (4) und dem optischen System zur Korrektur einer Asymmetrie der Strichplatte 5.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000068738A1 (fr) * 1999-05-07 2000-11-16 Nikon Corporation Table de montage, micro-appareil, masque photographique, procede d'exposition, et procede de fabrication d'appareil
JP4005881B2 (ja) 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 露光装置の検査方法
US7113128B1 (en) 2004-10-15 2006-09-26 Telecommunication Systems, Inc. Culled satellite ephemeris information for quick, accurate assisted locating satellite location determination for cell site antennas
US7629926B2 (en) 2004-10-15 2009-12-08 Telecommunication Systems, Inc. Culled satellite ephemeris information for quick, accurate assisted locating satellite location determination for cell site antennas

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2050590C2 (de) * 1970-10-15 1982-06-16 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Projektionseinrichtung
US3815993A (en) * 1972-02-15 1974-06-11 M Tarabocchia Light projection apparatus and method for photoprinting
JPS6018983B2 (ja) * 1975-05-20 1985-05-14 ソニー株式会社 露光方法
US4474463A (en) * 1982-08-30 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Mixer coupling lens subassembly for photolithographic system
JPS6045252A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Canon Inc 投影露光装置の照明系
GB2153543B (en) * 1983-12-28 1988-09-01 Canon Kk A projection exposure apparatus
JPS60200525A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Hitachi Ltd パタ−ン露光方法
JPS6120322A (ja) * 1984-07-07 1986-01-29 Ushio Inc 水銀灯による半導体ウエハ−材料の露光方法
JPH0721586B2 (ja) * 1985-09-30 1995-03-08 株式会社ニコン 像形成光学装置
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
US5260771A (en) * 1988-03-07 1993-11-09 Hitachi, Ltd. Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US5311362A (en) * 1989-04-20 1994-05-10 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3075381B2 (ja) * 1992-02-17 2000-08-14 株式会社ニコン 投影露光装置及び転写方法
JP3304378B2 (ja) * 1992-02-25 2002-07-22 株式会社ニコン 投影露光装置、及び素子製造方法
US5300967A (en) * 1992-07-31 1994-04-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US5320918A (en) * 1992-12-31 1994-06-14 At&T Bell Laboratories Optical lithographical imaging system including optical transmission diffraction devices
US5486896A (en) * 1993-02-19 1996-01-23 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3284645B2 (ja) * 1993-02-19 2002-05-20 株式会社ニコン 露光装置および露光方法
US5392119A (en) * 1993-07-13 1995-02-21 Litel Instruments Plate correction of imaging systems
JPH0745509A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Nec Yamagata Ltd 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6067145A (en) 2000-05-23
FR2732483B1 (fr) 1997-10-17
KR0143814B1 (ko) 1998-07-01
JPH08274022A (ja) 1996-10-18
GB2299408A (en) 1996-10-02
GB9604975D0 (en) 1996-05-08
GB2299408B (en) 1999-05-26
FR2732483A1 (fr) 1996-10-04
CN1136708A (zh) 1996-11-27
KR960035157A (ko) 1996-10-24

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