DE19610253C2 - Atomizing device - Google Patents

Atomizing device

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Description

Die Erfindung betrifft eine Zerstäubungseinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruch 1. Eine solche Zer­ stäubungseinrichtung ist aus der Europäischen Offenlegungsschrift 0 701 270 bekannt.The invention relates to an atomizing device according to the preamble of claim 1. Such a Zer dusting device is from the European laid-open specification 0 701 270 known.

Es sind eine Vielzahl von Zerstäubungseinrichtungen nach dem Magnetronprinzip bekannt. Sie arbeiten alle nach einem Grundprinzip, indem ein ebenes Target als Katode zerstäubt wird. Unter diesem Target ist ein Magnetsystem angeordnet, dessen Kraftlinien tunnelförmig aus dem Target austreten und dadurch in diesem Bereich die Teilchen abgestäubt werden. Es sind sogenannte Planarmagnetrons. Das Target besteht meist aus einem Stück und ist rechteckig, kreis- oder ringförmig oder auch mehrteilig. Dieser Targetgeometrie ist das Ma­ gnetsystem angepaßt. Entsprechend dem Prozeß und den gewünschten Schichten wird ne­ ben dem Prozeßgas ein Reaktivgas zugeführt. Die nach dem Grundprinzip arbeitenden Ein­ richtungen haben den Nachteil, daß dadurch, daß das Abstäuben von Teilchen nur in einem eng begrenzten linienförmigen Erosions-Bereich der Targetoberfläche erfolgt, der Ausnut­ zungsgrad an Targetmaterial sehr gering ist und noch unter 30% liegt. Dadurch ist ein öfte­ rer Wechsel der Targets erforderlich und die Prozeßdauer begrenzt. Bei Durchlaufanlagen ist eine Vakuumunterbrechung unvermeidbar.A large number of atomizing devices based on the magnetron principle are known. They all work on a basic principle by atomizing a flat target as a cathode becomes. A magnet system is arranged under this target, the lines of force of which are tunnel-shaped emerge from the target and the particles are dusted in this area. They are so-called planar magnetrons. The target usually consists of one piece and is rectangular, circular or ring-shaped or also multi-part. This target geometry is the measure gnet system adapted. According to the process and the desired layers, ne ben the process gas fed a reactive gas. The one working according to the basic principle directions have the disadvantage that the fact that the dusting of particles only in one narrowly defined linear erosion area of the target surface occurs, the groove degree of target material is very low and is still below 30%. This is often The target must be changed and the process time limited. For continuous systems a vacuum interruption is inevitable.

Um die Targetausnutzung zu verbessern, ist die Geometrie der Targets und Magnetsysteme so gestaltet worden, daß ein relativ großer Teil der Fläche abgestäubt wird. Dazu sind bei­ spielsweise die Targets dreieckförmig ausgebildet (DD 150 909). Selbst dadurch ist eine Tar­ getausnutzung von nur 50 % möglich. Außerdem ist mit derartigen Einrichtungen - auch bei optimaler Kühlung des Targets - die technisch-physikalische Grenze erreicht, und damit Lei­ stungsdichte und Beschichtungsrate nicht beliebig zu steigern. Die Fachwelt hat in vielen Varianten der Ausgestaltung der Einrichtungen eine gewisse Erhöhung der Produktivität derartiger Einrichtungen erreicht, aber nicht die Targetausnutzung wesentlich erhöht.To improve target utilization, the geometry of the targets and magnet systems have been designed so that a relatively large part of the area is dusted. These are at for example, the targets are triangular (DD 150 909). Even so is a tar use of only 50% possible. In addition, with such facilities - also at optimal cooling of the target - reaches the technical-physical limit, and thus lei density and coating rate cannot be increased arbitrarily. The professional world has in many Variants in the design of the facilities a certain increase in productivity such facilities achieved, but not significantly increased target utilization.

Zur Erhöhung der Substratausnutzung sind sog. Rotable-Magnetrons bzw. Rohrmagnetrons bekannt, die zwischen dem Target und Substrat eine Relativbewegung ausführen. So ist eine bevorzugte Ausführung der Zerstäubungseinrichtung, das Target als Zylinder auszubilden und das Magnetsystem in dem Target anzuordnen. Die Feldlinien greifen durch das Rohr und verlaufen entlang der Rohrachse. Eine Anode umgibt das rohrförmige Target mit Aus­ nahme des Ringspaltbereiches, in dem das Abstäuben der Targetoberfläche durch die Aus­ bildung einer Gasentladung erfolgt (DE 32 29 969 A1; EP 0 070 899 B1; DE 27 07 144). Obwohl bei dieser Ausführung eine Targetausnutzung von ca 80% erreicht wird, besteht der Nachteil, daß die Anode beschichtet wird. Besonders bei der Abscheidung von isolieren­ den Schichten wird damit die Standzeit nicht mehr durch die Targetlebensdauer, sondern durch die Anode bestimmt.So-called rotatable magnetrons or tubular magnetrons are used to increase substrate utilization known that perform a relative movement between the target and substrate. So is one preferred embodiment of the atomizing device to form the target as a cylinder and arrange the magnet system in the target. The field lines reach through the pipe  and run along the pipe axis. An anode surrounds the tubular target with Aus took the annular gap area in which the dusting of the target surface by the Aus formation of a gas discharge takes place (DE 32 29 969 A1; EP 0 070 899 B1; DE 27 07 144). Although a target utilization of approx. 80% is achieved with this version, there is the disadvantage that the anode is coated. Especially when isolating the service life is no longer determined by the target life, but by the layers determined by the anode.

Es ist auch bekannt, mehrere rohrförmige Targets in einer Einrichtung rotieren zu lassen und ein Magnetsystem in jedem Rohr anzuordnen (WO 92/01081) oder das Magnetsystem au­ ßerhalb der rotierenden Targets anzuordnen (EP 0 589 699 A1; US 5,158,660). Die Targets sind aus gleichem oder unterschiedlichem Material und als Katode gepolt. Diese Einrichtun­ gen haben den Nachteil, daß durch die Gleichstrombetriebsweise Überschläge - d. h. Bo­ genentladungen - auftreten, und damit die Schichtqualität entscheidend verschlechtert wird. Bekannte Schaltungen zur Erkennung und Verhinderung von Bogenentladungen sind sehr aufwendig und bieten keine hohe Sicherheit. Das Problem der Anodenstandzeit wird damit auch nicht gelöst.It is also known to rotate several tubular targets in one device and to arrange a magnet system in each tube (WO 92/01081) or the magnet system au To be arranged outside the rotating targets (EP 0 589 699 A1; US 5,158,660). The targets are made of the same or different material and poled as a cathode. This facility gen have the disadvantage that due to the DC mode of operation flashovers - d. H. Bo gene discharges - occur, and thus the layer quality is significantly deteriorated. Known circuits for detecting and preventing arc discharges are very popular complex and do not offer a high level of security. The problem of anode service life is thus solved not solved either.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zerstäubungseinrichtung zu schaffen, wel­ che das Targetmaterial über lange Zeit gleichbleibend abstäubt und damit ein hoher Ausnut­ zungsgrad erreichbar ist. Die Beschichtungsrate soll hoch sein. Es soll weiterhin das Entste­ hen von Bögen verhindert werden und der Zerstäubungsprozeß über lange Zeit stabil sein. Die Einrichtung soll zur Beschichtung von elektrisch leitenden und nichtleitenden Substraten, vorzugsweise zur plasmagestützten sowie zur reaktiven Beschichtung, geeignet sein. Die Betriebszeit der Beschichtungseinrichtung soll nicht durch die Beschichtung der Anode be­ grenzt werden.The invention has for its object to provide an atomizing device, wel dust the target material consistently over a long period of time and thus a high groove efficiency is achievable. The coating rate should be high. It should continue to be the worst hen arches are prevented and the atomization process is stable for a long time. The device is intended for coating electrically conductive and non-conductive substrates, preferably suitable for plasma-based and reactive coating. The Operating time of the coating device should not be due to the coating of the anode be limited.

Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen nach dem Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Aus­ gestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 18 beschrieben.This object is achieved with the features of claim 1. More advantageous off designs are described in claims 2 to 18.

Ein wesentliches Merkmal ist, daß zwischen den Elektroden eine Streublende isoliert ange­ ordnet ist, um diese gegen Bedampfung zu schützen. Das Potential ist floatend. Diese Streublende ist zweckmäßig aus zwei voneinander isolierten Teilen, so daß sich dazwischen ein plasmafreier Raum bildet, der Bogenentladungen von Elektrode zur Streufeldblende un­ terbindet.An important feature is that between the electrodes a stray aperture is insulated is arranged to protect them against vaporization. The potential is floating. This Scattering aperture is useful from two parts isolated from each other, so that between them forms a plasma-free space that unloads arc from electrode to stray field connects.

Die erfindungsgemäße Zerstäubungseinrichtung besteht aus mindestens zwei um ihre Längsachse rotierenden Rohren als Elektroden. In jedem Rohr ist ein Magnetsystem ange­ ordnet, dessen Feldlinien aus der Oberfläche des Rohres austreten. Dieses an sich bekannte Prinzip der rotierenden Rohre aus Zerstäubungsmaterial unterscheidet sich jedoch von den bekannten Rohrmagnetrons dadurch, daß die Rohre nicht an Katodenpotential gelegt sind, sondern daß sie im Wechsel als Katode und Anode geschaltet werden. D. h. es entsteht eine Glimmentladung jeweils im Wechsel zwischen beiden Elektroden. Die zugehörige Stromver­ sorgung ist derart ausgebildet, daß sie ständig die Polarität umschaltet, was im einfachsten Falle mittels einer Wechselstromquelle möglich ist oder durch eine entsprechend umschaltba­ re Gleichstromquelle. Die Pulsfrequenz, d. h. die Frequenz des Wechselstromes oder die Fre­ quenz der Gleichstrompulse, wird durch bekannte elektronische Mittel so eingestellt, daß sie um den Faktor ca. 100 größer ist als die Drehzahl der Elektroden. Dieser Unterschied der Frequenzen ist eine Voraussetzung für die Funktion des Prinzips, damit die jeweils freigesput­ terte Fläche den anodenwirksamen Bereich während der Dauer einer Halbwelle nicht verläßt. Mit dieser Zerstäubungseinrichtung wird das gepulste Zerstäuben ausgeführt, bei dem vor dem Umschlagen der Glimmentladung in eine Bogenentladung der Beschichtungsprozeß durch eine Regenerierungsphase unterbrochen wird, so daß die Qualität der aufgestäubten Schicht nicht negativ beeinflußt wird.The atomizing device according to the invention consists of at least two around its Longitudinal rotating tubes as electrodes. There is a magnet system in each tube orders, whose field lines emerge from the surface of the pipe. This known per se Principle of rotating pipes made of atomizing material differs from that known tubular magnetrons in that the tubes are not connected to the cathode potential, but that they are alternately switched as cathode and anode. That is, it creates one Glow discharge alternating between the two electrodes. The associated Stromver supply is designed such that it constantly switches the polarity, which is the simplest  Case is possible by means of an alternating current source or by a corresponding switchable re DC power source. The pulse rate, i.e. H. the frequency of the alternating current or the fre frequency of the DC pulses, is adjusted by known electronic means so that it 100 times greater than the speed of the electrodes. This difference the Frequencies is a prerequisite for the functioning of the principle, so that each can be released tter area does not leave the anode-active area during the duration of a half wave. With this atomization device, the pulsed atomization is carried out at the front turning the glow discharge into an arc discharge the coating process is interrupted by a regeneration phase, so that the quality of the dusted Layer is not adversely affected.

Überraschenderweise bringt die Kombination des Prinzips der rotierenden Targets, die ent­ gegen der bekannten rotierenden Magnetrons nicht als Katode geschaltet sind, mit dem gepulsten Zerstäuben durch Gleich- oder Wechselstrom, der an beide Elektroden im Wechsel geschaltet ist, eine Lösung der Aufgabe auf apparativ einfache Weise. Es werden die bisher mit großem Aufwand erreichten guten Ergebnisse bezüglich Schichteigenschaften und Wirt­ schaftlichkeit der Einrichtung noch übertroffen, die von der Fachwelt bisher realisiert wur­ den. Die Einrichtung hat noch den Vorteil, daß sie sehr erweiterungsfähig und prozeßvaria­ bel ist. So ist es möglich, diese so auszugestalten, daß sie für jede Art von Substratbeschich­ tung bezüglich Material und Beschichtungsmaterial einschließlich Legierungen geeignet ist. Die Substrate können an zwei sich gegenüberliegenden Seiten vorbeigeführt werden. Es ist auch relative Betriebsweise möglich. D. h. es sind alle Verfahrensvarianten zur Beschichtung von Substraten durch Aufstäuben in der erfindungsgemäßen Einrichtung auszuüben, indem die Einrichtung mit einfachen bekannten Mitteln ausgerüstet werden kann.Surprisingly, the combination of the principle of rotating targets ent are not connected as a cathode against the known rotating magnetrons, with the pulsed atomization by direct or alternating current, which is alternately applied to both electrodes is switched, a solution of the task in a simple manner. So far it will be good results with regard to layer properties and host were achieved with great effort even more economically than the facility that has so far been realized by experts the. The device still has the advantage that it is very expandable and process-variant is. So it is possible to design them in such a way that they can be used for any type of substrate coating tion with regard to material and coating material including alloys. The substrates can be guided past two opposite sides. It is relative operation is also possible. That is, there are all process variants for coating of substrates by dusting in the device according to the invention by the device can be equipped with simple known means.

An zwei Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert.The invention is explained in more detail using two exemplary embodiments.

In den zugehörigen Zeichnungen zeigenShow in the accompanying drawings

Fig. 1: eine Zerstäubungseinrichtung zum Beschichten von ebenen Substraten mit einer Oxidschicht, Fig. 1: an atomizing device for the coating of flat substrates with an oxide layer,

Fig. 2: eine Zerstäubungseinrichtung zum Beschichten von Kunststoffband mit einer Legie­ rungsschicht Fig. 2: an atomizing device for coating plastic tape with an alloy layer

Mit der Zerstäubungseinrichtung gemäß Fig. 1 werden ebene Substrate aus Glas mit Alumi­ niumoxid beschichtet.With the atomiser in accordance with Fig. 1 are coated flat substrates of glass with Alumi niumoxid.

In einer Vakuumkammer 1 sind zwei wassergekühlte Elektroden 2; 2' aus Al als Rohre ne­ beneinander angeordnet. (Der Antrieb ist nicht gezeichnet.) In den Elektroden 2; 2' sind be­ kannte Magnetsysteme 3; 3' feststehend angeordnet. Um die Elektroden 2, 2' befinden sich Dunkelfeldabschirmungen 4; 4', die bewirken, daß keine Nebenentladungen auf der Elek­ trodenoberfläche brennen und daß die abgestäubten Teilchen gezielt auf die durch die Va­ kuumkammer 1 bewegten, über Schleusen 5 ein- und ausgebrachten Substrate 6, gelangen. Das Prozeßgas Ar und Reaktivgas O2 wird über den geregelten Gaseinlaß 7 in die Vakuum­ kammer 1 eingebracht. Die beiden Elektroden 2; 2' sind über eine an sich bekannte Schalt­ einheit 8 an eine DC-Stromversorgung 9 angeschlossen, so daß sie wechselweise Anode und Katode sind. In bekannter Weise wird mittels in der Vakuumkammer 1 angeordneter Senso­ ren der Plasmazustand in situ gemessen und das gewonnene Signal einer üblichen Elektro­ nikeinheit 10 zugeführt und in dieser mit einem experimentell ermittelten Wert verglichen und der Prozeß gesteuert. Damit werden die Umschaltzeiten von Katoden- auf Anodenpo­ tential ermittelt. Arbeitet beispielsweise die Elketrode 2 als Anode, werden die Potentialflä­ chen des Plasmaraumes und die Elektrode 2' selbst mit zusätzlicher Unterstützung des um­ gepolten Plasmas regeneriert. Die Elektronikeinheit 10 ermittelt den Zeitpunkt des Umschal­ tens der Elektrode 2 auf Anodenpotential und die Elektrode 2' wird von Anoden- auf Kato­ denpotential umgeschaltet.In a vacuum chamber 1 there are two water-cooled electrodes 2 ; 2 'of Al arranged as tubes next to each other. (The drive is not shown.) In the electrodes 2 ; 2 'are known magnet systems 3 ; 3 'arranged fixed. There are dark field shields 4 around the electrodes 2 , 2 '; 4 ', which cause no side discharges to burn on the electrode surface and that the dusted particles are brought onto the substrates 6 moved and moved through the vacuum chamber 1 via locks 5 . The process gas Ar and reactive gas O 2 is introduced into the vacuum chamber 1 via the regulated gas inlet 7 . The two electrodes 2 ; 2 'are connected via a known switching unit 8 to a DC power supply 9 , so that they are alternately anode and cathode. In a known manner, the plasma state is measured in situ by means of sensors arranged in the vacuum chamber 1 and the signal obtained is fed to a conventional electronic unit 10 and compared in this with an experimentally determined value and the process is controlled. The switching times from cathode to anode potential are thus determined. For example, operates the Elketrode 2 as the anode, the Potentialflä surfaces of the plasma chamber and the electrode 2 'itself with additional support of the regenerated to polarized plasma. The electronics unit 10 determines the time of switching the electrode 2 to the anode potential and the electrode 2 'is switched from the anode to the cathode potential.

Zwischen den beiden Elektroden 2; 2' ist eine Streufeldblende 11 angeordnet, die in ihren Abmessungen so gewählt ist, daß die jeweils als Anode dienende Elektrode 2; 2' nicht be­ dampft werden kann. Um auch zu verhindern, daß Überschläge - d. h. Bogenentladungen - von den Elektroden 2; 2' nach der Streufeldblende 11 auftreten, besteht die Streufeldblende 11 aus zwei elektrisch voneinander isolierten Teilen und besitzt floatendes Potential. Somit wird ein plasmafreier Raum geschaffen, der der Reduzierung der Überschläge dient.Between the two electrodes 2 ; 2 'a stray field diaphragm 11 is arranged, the dimensions of which are chosen such that the electrode 2 ; 2 'cannot be steamed. To also prevent flashovers - ie arc discharges - from the electrodes 2 ; 2 'occur after the stray field diaphragm 11 , the stray field diaphragm 11 consists of two parts which are electrically isolated from one another and has floating potential. This creates a plasma-free space that serves to reduce the rollovers.

Durch diese Prozeßführung ergeben sich unterschiedliche Beschichtungszeiten mit den Elek­ troden 2 und 2', die sonst zu Inhomogenitäten der aufgebrachten Schichten führen würden. Durch die Relativbewegung zwischen den als Target im Wechsel abstäubenden Elektroden 2; 2' erfolgt ein Ausgleich, und es bildet sich eine Dampfwolke, die sich über dem Substrat 6 ausbreitet und eine homogene Schicht erzeugt.This process leads to different coating times with the electrodes 2 and 2 ', which would otherwise lead to inhomogeneities of the applied layers. Due to the relative movement between the electrodes 2 ; 2 'is equalized and a vapor cloud is formed which spreads over the substrate 6 and produces a homogeneous layer.

In der Zerstäubungseinrichtung gem. Fig. 2, die als Chargenanlage ausgebildet ist, wird ein Kunststoffband mit SiO2 beschichtet. In der Vakuumkammer 1 ist eine Kühlwalze 12 ange­ ordnet, über die das zu beschichtende Band 13 aus Polyester von einem Abwickel 14 zum Aufwickel 15 läuft. Unter der Kühlwalze 12 sind die rotierenden Elektroden 2; 2' aus Si in einer Ebene angeordnet. In den Elektroden 2; 2' ist feststehend je ein Magnetsystem 3; 3'. Über den regelbaren Gaseinlaß 7 wird das Prozeßgas ArO2 eingebracht. Die Einrichtung ar­ beitet mit Wechselstrom im bipolaren Betrieb, den ein Sinusgenerator 16 erzeugt. Die beiden Elektroden sind aus Si und werden - wie in Fig. 1 beschrieben - wechselweise durch die Schalteinheit 8 an Katoden- und Anodenpotential gelegt. Der Sinusgenerator 16 arbeitet mit einer Frequenz von 100 kHz und hat eine Leistung von 50 kW, wobei der Vollwert je Elek­ trode 2; 2' mit 25 kW vorgegeben wird. In bekannter Weise bewirkt eine Steuereinheit 17 durch Verarbeitung der Meßwerte und einer Sollwertvorgabe, daß ggf. Impulse einer Halb­ welle einer Polung ausgeblendet werden und die Taktfrequenz einer Halbwelle ein Fortschal­ ten bewirkt.In the atomizing device acc. Fig. 2, which is designed as a batch system, a plastic strip is coated with SiO 2 . In the vacuum chamber 1 , a cooling roller 12 is arranged, over which the belt 13 to be coated made of polyester runs from an unwinder 14 to the winder 15 . Under the cooling roller 12, the rotating electrodes 2; 2 'of Si arranged in one plane. In the electrodes 2 ; 2 'is a fixed magnet system 3 ; 3 '. The process gas ArO 2 is introduced via the controllable gas inlet 7 . The device works with alternating current in bipolar mode, which a sine generator 16 generates. The two electrodes are made of Si and - as described in FIG. 1 - are alternately connected to the cathode and anode potential by the switching unit 8 . The sine generator 16 operates at a frequency of 100 kHz and has an output of 50 kW, the full value per electrode 2 ; 2 'is specified with 25 kW. In a known manner, a control unit 17, by processing the measured values and specifying a setpoint, causes pulses of a half-wave of a polarity to be masked out and the clock frequency of a half-wave causes a continuation.

Claims (18)

1. Zerstäubungseinrichtung zum Beschichten von Substraten nach dem Magnetronprin­ zip durch eine Niederdruck-Glimmentladung, bestehend aus einer evakuierbaren Be­ schichtungskammer mit mindestens zwei Zerstäubungsquellen, die jeweils aus einer rohrförmig ausgebildeten, um ihre Längsachse drehbaren Elektrode und einem in der Elektrode angeordneten, sich relativ zu der Elektrode bewegenden Magnetsystem mit zugehörigen Polschuhen bestehen, und mit Mitteln zur Bewegung der zu beschichtenden Substrate im gleichen Abstand zu den Elektroden durch den Zerstäubungsbereich, und aus einer steuerbaren Stromversorgungseinrichtung, einer Evakuierungseinrichtung, einem Gaseinlaß und Antriebsmitteln für die Relativbewe­ gung der Elektroden und der Magnetsysteme, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromversor­ gungseinrichtung (8, 9; 8, 16) die Elektroden (2, 2') im gegenseitigen Wechsel als zer­ stäubende Katode und Anode schaltet,
daß zwischen den Elektroden (2, 2') eine Streufeldblende (11) mit floatendem Potential zur Ab­ schirmung der Elektroden (2, 2'), angeordnet ist und daß diese Streufeldblende (11) aus zwei voneinander isolierten Teilen besteht. 1. Sputtering device for coating substrates according to the magnetron principle by a low-pressure glow discharge, consisting of an evacuable loading coating chamber with at least two sputtering sources, each consisting of a tubular electrode rotatable about its longitudinal axis and an electrode arranged in the electrode, relative to one another consist of the electrode-moving magnet system with associated pole pieces, and with means for moving the substrates to be coated at the same distance from the electrodes through the sputtering area, and from a controllable power supply device, an evacuation device, a gas inlet and drive means for the relative movement of the electrodes and the magnet systems , characterized ,
that the Stromversor supply device ( 8 , 9 ; 8 , 16 ) switches the electrodes ( 2 , 2 ') alternately as zer atomizing cathode and anode,
that between the electrodes ( 2 , 2 ') is a stray field diaphragm ( 11 ) with floating potential for shielding the electrodes ( 2 , 2 '), and that this stray field diaphragm ( 11 ) consists of two mutually insulated parts. 2. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgung (8, 9; 8, 16) eine Wechselstromquelle ist.2. Atomizing device according to claim 1, characterized in that the power supply ( 8 , 9 ; 8 , 16 ) is an AC power source. 3. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgung (8, 9; 8, 16) eine umschaltbare Gleichstromquelle ist.3. Atomizing device according to claim 1, characterized in that the power supply ( 8 , 9 ; 8 , 16 ) is a switchable direct current source. 4. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetsystem (3, 3') in der Elektrode (2, 2') feststehend ange­ ordnet ist und die Elektrode (2, 2') um das Magnetsystem (3, 3') mit konstanter Geschwin­ digkeit rotiert. 4. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 3, characterized in that the magnet system ( 3 , 3 ') in the electrode ( 2 , 2 ') is fixedly arranged and the electrode ( 2 , 2 ') around the magnet system ( 3 , 3 ') rotates at a constant speed. 5. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetsystem (3, 3') jeder Elektrode (2, 2') aus mehreren Magne­ ten besteht, die in Längsrichtung der Elektrode (2, 2') in einer Reihe aneinander angeord­ net sind und jeweils getrennte und/oder gemeinsame Polschuhe besitzen.5. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the magnet system ( 3 , 3 ') of each electrode ( 2 , 2 ') consists of several magnets which in the longitudinal direction of the electrode ( 2 , 2 ') in a row are arranged against each other and each have separate and / or common pole pieces. 6. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Polwechsel der Elektroden (2, 2') um mindestens den Faktor 100 höher als die Drehzahl der Elektroden (2, 2') eingestellt ist.6. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the pole change of the electrodes ( 2 , 2 ') is set at least 100 times higher than the speed of the electrodes ( 2 , 2 '). 7. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnete des Magnetsystemss (3, 3') Elektro- und/oder Permanentmagnete sind.7. Atomizing device according to claim 4 or 5, characterized in that the magnets of the magnet system ( 3 , 3 ') are electric and / or permanent magnets. 8. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Polschuhen des Magnetsystems (3, 3') und der Elektrode (2, 2') varia­ bel ist.8. Atomizing device according to claim 1 to 7, characterized in that the distance between the pole pieces of the magnet system ( 3 , 3 ') and the electrode ( 2 , 2 ') is variable. 9. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2, 2') aus gleichem oder unterschiedlichem Material sind.9. Atomizing device according to claim 1 to 8, characterized in that the electrodes ( 2 , 2 ') are made of the same or different material. 10. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Elektroden (2, 2') das zu zerstäubende Material auf der Abstäubungsseite aufgebracht ist.10. Atomizing device according to claim 9, characterized in that on the electrodes ( 2 , 2 ') the material to be atomized is applied to the atomizing side. 11. Zerstäubungseinrichtung nach einer der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2, 2') gekühlt sind.11. Atomizing device according to one of claims 1 to 10, characterized in that the electrodes ( 2 , 2 ') are cooled. 12. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in den Elektroden (2, 2') Kühlkanäle zum Durchlauf von Kühlwasser eingebracht sind.12. Atomizing device according to claim 11, characterized in that in the electrodes ( 2 , 2 ') cooling channels are introduced for the passage of cooling water. 13. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Elek­ troden (2, 2') doppelwandig ausgebildet sind und durch den Zwischenraum Kühlwasser fließt.13. Atomizing device according to claim 11, characterized in that the elec trodes ( 2 , 2 ') are double-walled and cooling water flows through the intermediate space. 14. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß in jeder Elektrode (2, 2') zwei Magnetsysteme (3, 3') sich gegenüber­ liegend angeordnet sind und die zu beschichtenden Substrate (6) auf zwei sich gegen­ überliegenden Seiten an den Elektroden (2, 2') bewegbar angeordnet sind.14. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 13, characterized in that in each electrode ( 2 , 2 ') two magnet systems ( 3 , 3 ') are arranged opposite one another and the substrates ( 6 ) to be coated on two against each other overlying sides are arranged movably on the electrodes ( 2 , 2 '). 15. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Beschichtung flexibler, insbesondere bandförmiger Substrate (13) über den Elektroden (2, 2') eine Kühlwalze (12) so angeordnet ist, daß der Abstand zwischen jeder Elektrode (2, 2') und der Kühlwalze (12) im Zerstäubungsbereich gleich ist.15. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 14, characterized in that in the coating of flexible, in particular ribbon-shaped substrates ( 13 ) over the electrodes ( 2 , 2 '), a cooling roller ( 12 ) is arranged so that the distance between each Electrode ( 2 , 2 ') and the cooling roller ( 12 ) in the atomization area is the same. 16. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zur reaktiven Beschichtung der Substrate (6) die Gaszuführun­ gen (7) in der Zerstäubungszone in Substratnähe endend und regelbar angeordnet sind.16. Atomization device according to at least one of claims 1 to 15, characterized in that for the reactive coating of the substrates ( 6 ), the gas feeds ( 7 ) are arranged in the atomization zone in the vicinity of the substrate in an ending and controllable manner. 17. Zerstäubungseinrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Gas­ zuführung (7) in mehrere Bereiche aufgeteilt ist und diese Bereiche getrennt regelbar sind.17. Atomizing device according to claim 16, characterized in that the gas supply ( 7 ) is divided into several areas and these areas can be controlled separately. 18. Zerstäubungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß um jede Elektrode (2, 2') eine Dunkelfeldabschirmung (4, 4'), die floa­ tendes Potential besitzt, angeordnet ist.18. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 17, characterized in that around each electrode ( 2 , 2 ') a dark field shield ( 4 , 4 '), which has floating potential, is arranged.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10145201C1 (en) * 2001-09-13 2002-11-21 Fraunhofer Ges Forschung Device for coating substrates having a curved surface contains a pair of rectangular magnetron sources and substrate holders arranged in an evacuated chamber
US7842355B2 (en) 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0715879D0 (en) * 2007-08-15 2007-09-26 Gencoa Ltd Low impedance plasma
JP6073383B2 (en) * 2012-03-12 2017-02-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Small rotatable sputter device for sputter deposition
KR102177209B1 (en) * 2013-07-24 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 Sputtering apparatus and method for forming thin film using the same
CN109023273B (en) * 2018-08-06 2023-08-11 信阳舜宇光学有限公司 Coating equipment and coating method

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707144A1 (en) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Cathode sputtering device with magnetic equipment - which can be displaced to move the area of sputtering over an extended surface by relative movement
DD150909A1 (en) * 1980-05-20 1981-09-23 Ullrich Heisig DEVICE FOR COATING SUBSTRATES IN TURNTABLE EQUIPMENT
DE3229969A1 (en) * 1981-10-02 1983-04-21 VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik, DDR 8080 Dresden Device for high-rate atomization using the plasmatron principle
EP0070899B1 (en) * 1981-02-12 1987-07-08 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
DD252205A1 (en) * 1986-09-01 1987-12-09 Ardenne Forschungsinst atomizing
DD294511A5 (en) * 1990-05-17 1991-10-02 Adw Zentralinstitut Fuer Elektronenphysik,De METHOD AND DEVICE FOR REACTIVE GAS FLOW SPUTTERING
WO1992001081A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-23 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films
US5158660A (en) * 1990-06-08 1992-10-27 Saint-Gobain Vitrage International Rotary sputtering cathode
DE4138794A1 (en) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Process and appts. for coating substrate - uses current source connected to cathodes in evacuated coating chamber
DE4138793A1 (en) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Process and appts. for coating substrate - uses current source connected to cathodes in evacuated coating chamber
EP0589699A1 (en) * 1992-09-29 1994-03-30 The Boc Group, Inc. Device and method for depositing metal oxide films
DE4237517A1 (en) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Reactive magnetron sputtering appts. - esp. for coating substrate with electrically non-conductibe layers
DE4418906A1 (en) * 1994-05-31 1995-12-07 Leybold Ag Coating a substrate
EP0701270A1 (en) * 1994-09-06 1996-03-13 The Boc Group, Inc. Methods and apparatus for vacuum sputtering

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2707144A1 (en) * 1976-02-19 1977-08-25 Sloan Technology Corp Cathode sputtering device with magnetic equipment - which can be displaced to move the area of sputtering over an extended surface by relative movement
DD150909A1 (en) * 1980-05-20 1981-09-23 Ullrich Heisig DEVICE FOR COATING SUBSTRATES IN TURNTABLE EQUIPMENT
EP0070899B1 (en) * 1981-02-12 1987-07-08 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
DE3229969A1 (en) * 1981-10-02 1983-04-21 VEB Zentrum für Forschung und Technologie Mikroelektronik, DDR 8080 Dresden Device for high-rate atomization using the plasmatron principle
DD252205A1 (en) * 1986-09-01 1987-12-09 Ardenne Forschungsinst atomizing
DD294511A5 (en) * 1990-05-17 1991-10-02 Adw Zentralinstitut Fuer Elektronenphysik,De METHOD AND DEVICE FOR REACTIVE GAS FLOW SPUTTERING
US5158660A (en) * 1990-06-08 1992-10-27 Saint-Gobain Vitrage International Rotary sputtering cathode
WO1992001081A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-23 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films
DE4138794A1 (en) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Process and appts. for coating substrate - uses current source connected to cathodes in evacuated coating chamber
DE4138793A1 (en) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Process and appts. for coating substrate - uses current source connected to cathodes in evacuated coating chamber
EP0589699A1 (en) * 1992-09-29 1994-03-30 The Boc Group, Inc. Device and method for depositing metal oxide films
DE4237517A1 (en) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Reactive magnetron sputtering appts. - esp. for coating substrate with electrically non-conductibe layers
DE4418906A1 (en) * 1994-05-31 1995-12-07 Leybold Ag Coating a substrate
EP0701270A1 (en) * 1994-09-06 1996-03-13 The Boc Group, Inc. Methods and apparatus for vacuum sputtering

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10145201C1 (en) * 2001-09-13 2002-11-21 Fraunhofer Ges Forschung Device for coating substrates having a curved surface contains a pair of rectangular magnetron sources and substrate holders arranged in an evacuated chamber
US7842355B2 (en) 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties

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DE19610253A1 (en) 1997-10-09

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