DE19610253A1

DE19610253A1 - Sputtering apparatus for coating glass, packaging material, tools etc.

Info

Publication number: DE19610253A1
Application number: DE1996110253
Authority: DE
Inventors: Volker Kirchhoff; Horst Schmidt; Torsten Dr Kopte; Torsten Winkler
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 1996-03-15
Filing date: 1996-03-15
Publication date: 1997-10-09
Anticipated expiration: 2016-03-16
Also published as: DE19610253C2

Abstract

The sputtering apparatus for coating substrates by the low-pressure glow discharge process includes a coating chamber with at least two sputtering sources consisting of an electrode and a magnet system which is movable relative to the electrode. It also includes means for moving the substrates through the coating zone, and a controllable current source. The apparatus has: a) electrodes (2) which are tubular and can be rotated about their longitudinal axes; b) each electrode accommodating a magnet system (3); c) a current source which switches the electrodes alternatingly as cathodes and anodes; d) before glow discharge is transformed into an arc discharge, a coating process which is interrupted by a regeneration phase; e) substrates (6) being coated which are transported past the electrodes at a constant distance.

Description

Die Erfindung betrifft eine Zerstäubungseinrichtung, die nach dem Magnetronprinzip arbei tet und durch eine bipolare Niederdruck-Glimmentladung zum Beschichten von bandförmi gen, ebenen plattenförmigen, gekrümmten und dreidimensionalen Substraten geeignet ist. Mit der Einrichtung werden elektrisch leitende und nichtleitende Substrate plasmagestützt und reaktiv beschichtet. Das mit der Einrichtung ausgeübte Verfahren dient vorzugsweise zur Beschichtung von Verpackungsmaterial, Glas oder Halbzeugen und Werkzeugen.The invention relates to a sputtering device that works according to the magnetron principle tet and through a bipolar low-pressure glow discharge for coating strip-shaped gene, flat plate-shaped, curved and three-dimensional substrates is suitable. With the device, electrically conductive and non-conductive substrates are plasma-supported and reactive coated. The method practiced with the device is preferably used for Coating of packaging material, glass or semi-finished products and tools.

Es sind eine Vielzahl von Zerstäubungseinrichtungen nach dem Magnetronprinzip bekannt. Sie arbeiten alle nach einem Grundprinzip, indem ein ebenes Target als Katode zerstäubt Wird. Unter diesem Target ist ein Magnetsystem angeordnet, dessen Kraftlinien tunnelförmig aus dem Target austreten und dadurch in diesem Bereich die Teilchen abgestäubt werden. Es sind sogenannte Planarmagnetrons. Das Target besteht meist aus einem Stück und ist rechteckig, kreis- oder ringförmig oder auch mehrteilig. Dieser Targetgeometrie ist das Ma gnetsystem angepaßt. Entsprechend dem Prozeß und den gewünschten Schichten wird ne ben dem Prozeßgas ein Reaktivgas zugeführt. Die nach dem Grundprinzip arbeitenden Ein richtungen haben den Nachteil, daß dadurch, daß das Abstäuben von Teilchen nur in einem eng begrenzten linienförmigen Erosions-Bereich der Targetoberfläche erfolgt, der Ausnut zungsgrad an Targetmaterial sehr gering ist und noch unter 30% liegt. Dadurch ist ein öfte rer Wechsel der Targets erforderlich und die Prozeßdauer begrenzt. Bei Durchlaufanlagen ist eine Vakuumunterbrechung unvermeidbar.A large number of atomizing devices based on the magnetron principle are known. They all work on a basic principle by atomizing a flat target as a cathode Becomes. A magnet system is arranged under this target, the lines of force of which are tunnel-shaped emerge from the target and the particles are dusted in this area. They are so-called planar magnetrons. The target usually consists of one piece and is rectangular, circular or ring-shaped or also multi-part. This target geometry is the measure gnet system adapted. According to the process and the desired layers, ne ben the process gas fed a reactive gas. The one working according to the basic principle directions have the disadvantage that the fact that the dusting of particles only in one narrowly defined linear erosion area of the target surface occurs, the groove degree of target material is very low and is still below 30%. This is often The target must be changed and the process time limited. For continuous systems a vacuum interruption is inevitable.

Um die Targetausnutzung zu verbessern, ist die Geometrie der Targets und Magnetsysteme so gestaltet worden, daß ein relativ großer Teil der Fläche abgestäubt wird. Dazu sind bei spielsweise die Targets dreieckförmig ausgebildet (DD 1 50 909). Selbst dadurch ist eine Tar getausnutzung von nur 50% möglich. Außerdem ist mit derartigen Einrichtungen - auch bei optimaler Kühlung des Targets - die technisch-physikalische Grenze erreicht, und damit Lei stungsdichte und Beschichtungsrate nicht beliebig zu steigern. Die Fachwelt hat in vielen Varianten der Ausgestaltung der Einrichtungen eine gewisse Erhöhung der Produktivität derartiger Einrichtungen erreicht, aber nicht die Targetausnutzung wesentlich erhöht.To improve target utilization, the geometry of the targets and magnet systems have been designed so that a relatively large part of the area is dusted. These are at for example, the targets are triangular (DD 1 50 909). Even so is a tar use of only 50% possible. In addition, with such facilities - also at optimal cooling of the target - reaches the technical-physical limit, and thus lei density and coating rate cannot be increased arbitrarily. The professional world has in many Variants in the design of the facilities a certain increase in productivity such facilities achieved, but not significantly increased target utilization.

Zur Erhöhung der Substratausnutzung sind sog. Rotable-Magnetrons bzw. Rohrmagnetrons bekannt, die zwischen dem Target und Substrat eine Relativbewegung ausführen. So ist eine bevorzugte Ausführung der Zerstäubungseinrichtung, das Target als Zylinder auszubilden und das Magnetsystem in dem Target anzuordnen. Die Feldlinien greifen durch das Rohr und verlaufen entlang der Rohrachse. Eine Anode umgibt das rohrförmige Target mit Aus nahme des Ringspaltbereiches, in dem das Abstäuben der Targetoberfläche durch die Aus bildung einer Gasentladung erfolgt (DE 32 29 969 A1; EP 0 070 899 B1; DE 27 07 144). Obwohl bei dieser Ausführung eine Targetausnutzung von ca. 80% erreicht wird, besteht der Nachteil, daß die Anode beschichtet wird. Besonders bei der Abscheidung von isolieren den Schichten wird damit die Standzeit nicht mehr durch die Targetlebensdauer, sondern durch die Anode bestimmt.So-called rotatable magnetrons or tubular magnetrons are used to increase substrate utilization known that perform a relative movement between the target and substrate. So is one preferred embodiment of the atomizing device to form the target as a cylinder and arrange the magnet system in the target. The field lines reach through the pipe and run along the pipe axis. An anode surrounds the tubular target with Aus took the annular gap area in which the dusting of the target surface by the Aus formation of a gas discharge takes place (DE 32 29 969 A1; EP 0 070 899 B1; DE 27 07 144). Although a target utilization of approx. 80% is achieved with this version, there is the disadvantage that the anode is coated. Especially when isolating the service life is no longer determined by the target life, but by the layers determined by the anode.

Es ist auch bekannt, mehrere rohrförmige Targets in einer Einrichtung rotieren zu lassen und ein Magnetsystem in jedem Rohr anzuordnen (WO 92/01081) oder das Magnetsystem au ßerhalb der rotierenden Targets anzuordnen (EP 0 589 699 A1; US 5,158,660). Die Targets sind aus gleichem oder unterschiedlichem Material und als Katode gepolt. Diese Einrichtun gen haben den Nachteil, daß durch die Gleichstrombetriebsweise Überschläge - d. h. Bo genentladungen - auftreten, und damit die Schichtqualität entscheidend verschlechtert wird. Bekannte Schaltungen zur Erkennung und Verhinderung von Bogenentladungen sind sehr aufwendig und bieten keine hohe Sicherheit. Das Problem der Anodenstandzeit wird damit auch nicht gelöst.It is also known to rotate several tubular targets in one device and to arrange a magnet system in each tube (WO 92/01081) or the magnet system au To be arranged outside the rotating targets (EP 0 589 699 A1; US 5,158,660). The targets are made of the same or different material and poled as a cathode. This facility gen have the disadvantage that due to the DC mode of operation flashovers - d. H. Bo gene discharges - occur, and thus the layer quality is significantly deteriorated. Known circuits for detecting and preventing arc discharges are very popular complex and do not offer a high level of security. The problem of anode service life is thus solved not solved either.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Zerstäubungseinrichtung zu schaffen, wel che das Targetmaterial über lange Zeit gleichbleibend abstäubt und damit ein hoher Ausnut zungsgrad erreichbar ist. Die Beschichtungsrate soll hoch sein. Es soll weiterhin das Entste hen von Bögen verhindert werden und der Zerstäubungsprozeß über lange Zeit stabil sein. Die Einrichtung soll zur Beschichtung von elektrisch leitenden und nichtleitenden Substraten, vorzugsweise zur plasmagestützten sowie zur reaktiven Beschichtung, geeignet sein. Die Betriebszeit der Beschichtungseinrichtung soll nicht durch die Beschichtung der Anode be grenzt werden.The invention has for its object to provide an atomizing device, wel dust the target material consistently over a long period of time and thus a high groove efficiency is achievable. The coating rate should be high. It should continue to be the worst hen arches are prevented and the atomization process is stable for a long time. The device is intended for coating electrically conductive and non-conductive substrates, preferably suitable for plasma-based and reactive coating. The Operating time of the coating device should not be due to the coating of the anode be limited.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe nach dem Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Aus gestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 16 beschrieben.According to the invention the object is achieved according to claim 1. More advantageous off designs are described in claims 2 to 16.

Die erfindungsgemäße Zerstäubungseinrichtung besteht aus mindestens zwei um ihre Längsachse rotierenden Rohren als Elektroden. In jedem Rohr ist ein Magnetsystem ange ordnet, dessen Feldlinien aus der Oberfläche des Rohres austreten. Dieses an sich bekannte Prinzip der rotierenden Rohre aus Zerstäubungsmaterial unterscheidet sich jedoch von den bekannten Rohrmagnetrons dadurch, daß die Rohre nicht an Katodenpotential gelegt sind, sondern daß sie im Wechsel als Katode und Anode geschaltet werden. D.h. es entsteht eine Glimmentladung jeweils im Wechsel zwischen beiden Elektroden. Die zugehörige Stromver sorgung ist derart ausgebildet, daß sie ständig die Polarität umschaltet, was im einfachsten Falle mittels einer Wechselstromquelle möglich ist oder durch eine entsprechend umschaltba re Gleichstromquelle. Die Pulsfrequenz, d. h. die Frequenz des Wechselstromes oder die Fre quenz der Gleichstrompulse, wird durch bekannte elektronische Mittel so eingestellt, daß sie um den Faktor ca. 100 größer ist als die Drehzahl der Elektroden. Dieser Unterschied der Frequenzen ist eine Voraussetzung für die Funktion des Prinzips, damit die jeweils freigesput terte Fläche den anodenwirksamen Bereich während der Dauer einer Halbwelle nicht verläßt. Mit dieser Zerstäubungseinrichtung wird das gepulste Zerstäuben ausgeführt, bei dem vor dem Umschlagen der Glimmentladung in eine Bogenentladung der Beschichtungsprozeß durch eine Regenerierungsphase unterbrochen wird, so daß die Qualität der aufgestäubten Schicht nicht negativ beeinflußt wird.The atomizing device according to the invention consists of at least two around its Longitudinal rotating tubes as electrodes. There is a magnet system in each tube orders, whose field lines emerge from the surface of the pipe. This known per se Principle of rotating pipes made of atomizing material differs from that known tubular magnetrons in that the tubes are not connected to the cathode potential, but that they are alternately switched as cathode and anode. I.e. it creates one Glow discharge alternating between the two electrodes. The associated Stromver supply is designed such that it constantly switches the polarity, which is the simplest Case is possible by means of an alternating current source or by a corresponding switchable re DC power source. The pulse rate, i.e. H. the frequency of the alternating current or the fre frequency of the DC pulses, is adjusted by known electronic means so that it 100 times greater than the speed of the electrodes. This difference the Frequencies is a prerequisite for the functioning of the principle, so that each can be released tter area does not leave the anode-active area during the duration of a half wave. With this atomization device, the pulsed atomization is carried out at the front turning the glow discharge into an arc discharge the coating process is interrupted by a regeneration phase, so that the quality of the dusted Layer is not adversely affected.

Überraschenderweise bringt die Kombination des Prinzips der rotierenden Targets, die ent gegen der bekannten rotierenden Magnetrons nicht als Katode geschaltet sind, mit dem gepulsten Zerstäuben durch Gleich- oder Wechselstrom, der an beide Elektroden im Wechsel geschaltet ist, eine Lösung der Aufgabe auf apparativ einfache Weise. Es werden die bisher mit großem Aufwand erreichten guten Ergebnisse bezüglich Schichteigenschaften und Wirt schaftlichkeit der Einrichtung noch übertroffen, die von der Fachwelt bisher realisiert wur den. Die Einrichtung hat noch den Vorteil, daß sie sehr erweiterungsfähig und prozeßvaria bel ist. So ist es möglich, diese so auszugestalten, daß sie für jede Art von Substratbeschich tung bezüglich Material und Beschichtungsmaterial einschließlich Legierungen geeignet ist. Die Substrate können an zwei sich gegenüberliegenden Seiten vorbeigeführt werden. Es ist auch relative Betriebsweise möglich. D.h. es sind alle Verfahrensvarianten zur Beschichtung von Substraten durch Aufstäuben in der erfindungsgemäßen Einrichtung auszuüben, indem die Einrichtung mit einfachen bekannten Mitteln ausgerüstet werden kann.Surprisingly, the combination of the principle of rotating targets ent are not connected as a cathode against the known rotating magnetrons, with the pulsed atomization by direct or alternating current, which is alternately applied to both electrodes is switched, a solution of the task in a simple manner. So far it will be good results with regard to layer properties and host were achieved with great effort even more economically than the facility that has so far been realized by experts the. The device still has the advantage that it is very expandable and process-variant is. So it is possible to design them in such a way that they can be used for any type of substrate coating tion with regard to material and coating material including alloys. The substrates can be guided past two opposite sides. It is relative operation is also possible. I.e. there are all process variants for coating of substrates by dusting in the device according to the invention by the device can be equipped with simple known means.

Ein wesentliches Merkmal ist, daß zwischen den Elektroden eine Streublende isoliert ange ordnet ist, um diese gegen Bedampfung zu schützen. Das Potential ist floatend. Diese Streublende ist zweckmäßig aus zwei voneinander isolierten Teilen, so daß sich dazwischen ein plasmafreier Raum bildet, der Bogenentladungen von Elektrode zur Streufeldblende un terbindet.An important feature is that between the electrodes a stray aperture is insulated is arranged to protect them against vaporization. The potential is floating. This Scattering aperture is useful from two parts isolated from each other, so that between them forms a plasma-free space that unloads arc from electrode to stray field connects.

An zwei Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigenThe invention is explained in more detail using two exemplary embodiments. Show in the accompanying drawings

Fig. 1 eine Zerstäubungseinrichtung zum Beschichten von ebenen Substraten mit einer Oxidschicht, Fig. 1 shows an atomizer for the coating of flat substrates with an oxide layer,

Fig. 2 eine Zerstäubungseinrichtung zum Beschichten von Kunststoffband mit einer Legie rungsschicht. Fig. 2 is an atomizing device for coating plastic tape with an alloy layer.

Mit der Zerstäubungseinrichtung gemäß Fig. 1 werden ebene Substrate aus Glas mit Alumi niumoxid beschichtet.With the atomiser in accordance with Fig. 1 are coated flat substrates of glass with Alumi niumoxid.

In einer Vakuumkammer 1 sind zwei wassergekühlte Elektroden 2; 2′ aus Al als Rohre ne beneinander angeordnet. (Der Antrieb ist nicht gezeichnet.) In den Elektroden 2; 2′ sind be kannte Magnetsysteme 3; 3′ feststehend angeordnet. Um die Elektroden 2, 2′ befinden sich Dunkelfeldabschirmungen 4; 4′, die bewirken, daß keine Nebenentladungen auf der Elek trodenoberfläche brennen und daß die abgestäubten Teilchen gezielt auf die durch die Va kuumkammer 1 bewegten, über Schleusen 5 ein- und ausgebrachten Substrate 6, gelangen. Das Prozeßgas Ar und Reaktivgas O₂ wird über den geregelten Gaseinlaß 7 in die Vakuum kammer 1 eingebracht. Die beiden Elektroden 2; 2′ sind über eine an sich bekannte Schalt einheit 8 an eine DC-Stromversorgung 9 angeschlossen, so daß sie wechselweise Anode und Katode sind. In bekannter Weise wird mittels in der Vakuumkammer 1 angeordneter Senso ren der Plasmazustand in situ gemessen und das gewonnene Signal einer üblichen Elektro nikeinheit 10 zugeführt und in dieser mit einem experimentell ermittelten Wert verglichen und der Prozeß gesteuert. Damit werden die Umschaltzeiten von Katoden- auf Anodenpo tential ermittelt. Arbeitet beispielsweise die Elektrode 2 als Anode, werden die Potentialflä chen des Plasmaraumes und die Elektrode 2′ selbst mit zusätzlicher Unterstützung des um gepolten Plasmas regeneriert. Die Elektronikeinheit 10 ermittelt den Zeitpunkt des Umschal tens der Elektrode 2 auf Anodenpotential und die Elektrode 2′ wird von Anoden- auf Kato denpotential umgeschaltet.In a vacuum chamber 1 there are two water-cooled electrodes 2 ; 2 'of Al arranged as tubes ne next to each other. (The drive is not shown.) In the electrodes 2 ; 2 'are known magnet systems 3 ; 3 'arranged fixed. Around the electrodes 2 , 2 'there are dark field shields 4 ; 4 ', which cause no side discharges to burn on the electrode surface and that the dusted particles are targeted to the moving through the vacuum chamber 1 , via locks 5 and brought in 6 substrates. The process gas Ar and reactive gas O₂ is introduced into the vacuum chamber 1 via the regulated gas inlet 7 . The two electrodes 2 ; 2 'are connected via a known switching unit 8 to a DC power supply 9 , so that they are alternately anode and cathode. In a known manner, the plasma state is measured in situ by means of sensors arranged in the vacuum chamber 1 and the signal obtained is fed to a conventional electronic unit 10 and compared in this with an experimentally determined value and the process is controlled. The switching times from cathode to anode potential are thus determined. For example, the electrode 2 works as an anode, the potential surfaces of the plasma space and the electrode 2 'are regenerated themselves with additional support from the polarized plasma. The electronics unit 10 determines the time of switching the electrode 2 to anode potential and the electrode 2 'is switched from anode to cathode potential.

Zwischen den beiden Elektroden 2; 2′ ist eine Streufeldblende 11 angeordnet, die in ihren Abmessungen so gewählt ist, daß die jeweils als Anode dienende Elektrode 2; 2′ nicht be dampft werden kann. Um auch zu verhindern, daß Überschläge - d. h. Bogenentladungen - von den Elektroden 2; 2′ nach der Streufeldblende 11 auftreten, besteht die Streufeldblende 11 aus zwei elektrisch voneinander isolierten Teilen und besitzt floatendes Potential. Somit wird ein plasmafreier Raum geschaffen, der die Reduzierung der Überschläge verhindert.Between the two electrodes 2 ; 2 'is a stray field diaphragm 11 is arranged, which is selected in its dimensions so that the electrode 2 ; 2 'can not be steamed. To also prevent flashovers - ie arc discharges - from the electrodes 2 ; 2 'occur after the stray field aperture 11 , the stray field aperture 11 consists of two electrically insulated parts and has floating potential. This creates a plasma-free space that prevents the rollover from being reduced.

Durch diese Prozeßführung ergeben sich unterschiedliche Beschichtungszeiten mit den Elek troden 2 und 2′, die sonst zu Inhomogenitäten der aufgebrachten Schichten führen würden. Durch die Relativbewegung zwischen den als Target im Wechsel abstäubenden Elektroden 2; 2′ erfolgt ein Ausgleich, und es bildet sich eine Dampfwolke, die sich über dem Substrat 6 ausbreitet und eine homogene Schicht erzeugt.This process leads to different coating times with the electrodes 2 and 2 ', which would otherwise lead to inhomogeneities of the applied layers. Due to the relative movement between the electrodes 2 ; 2 'takes place, and it forms a vapor cloud that spreads over the substrate 6 and creates a homogeneous layer.

In der Zerstäubungseinrichtung gem. Fig. 2, die als Chargenanlage ausgebildet ist, wird ein Kunststoffband mit SiO₂ beschichtet. In der Vakuumkammer 1 ist eine Kühlwalze 12 ange ordnet, über die das zu beschichtende Band 13 aus Polyester von einem Abwickel 14 zum Aufwickel 15 läuft. Unter der Kühlwalze 12 sind die rotierenden Elektroden 2; 2′ aus Si in einer Ebene angeordnet. In den Elektroden 2; 2′ ist feststehend je ein Magnetsystem 3; 3′. Über den regelbaren Gaseinlaß 7 wird das Prozeßgas ArO₂ eingebracht. Die Einrichtung ar beitet mit Wechselstrom im bipolaren Betrieb, den ein Sinusgenerator 16 erzeugt. Die beiden Elektroden sind aus Si und werden - wie in Fig. 1 beschrieben - wechselweise durch die Schalteinheit 8 an Katoden- und Anodenpotential gelegt. Der Sinusgenerator 16 arbeitet mit einer Frequenz von 100 kHz und hat eine Leistung von 50 kW, wobei der Vollwert je Elek trode 2; 2′ mit 25 kW vorgegeben wird. In bekannter Weise bewirkt eine Steuereinheit 17 durch Verarbeitung der Meßwerte und einer Sollwertvorgabe, daß ggf. Impulse einer Halb welle einer Polung ausgeblendet werden und die Taktfrequenz einer Halbwelle ein Fortschal ten bewirkt.In the atomizing device acc. Fig. 2, which is designed as a batch system, a plastic strip is coated with SiO₂. In the vacuum chamber 1 , a cooling roller 12 is arranged, over which the belt 13 to be coated made of polyester runs from an unwinder 14 to the winder 15 . Under the cooling roller 12, the rotating electrodes 2; 2 'made of Si arranged in one plane. In the electrodes 2 ; 2 'is fixed each a magnet system 3 ; 3 ′. The process gas ArO₂ is introduced via the controllable gas inlet 7 . The device works with alternating current in bipolar mode, which a sine generator 16 generates. The two electrodes are made of Si and - as described in FIG. 1 - are alternately connected to the cathode and anode potential by the switching unit 8 . The sine generator 16 operates at a frequency of 100 kHz and has an output of 50 kW, the full value per electrode 2 ; 2 'is specified with 25 kW. In a known manner, a control unit 17, by processing the measured values and specifying a setpoint, causes pulses of a half-wave of a polarity to be masked out and the clock frequency of a half-wave causes a step forward.

Claims

1. sputtering device for coating substrates according to the magnetron principle by a low-pressure glow discharge consisting of an evacuable coating chamber into which at least two sputtering sources, each consisting of an electrode and a magnet system moving relative to the electrode with associated pole pieces, and Means for moving the substrates to be coated through the sputtering area, a controllable power supply, an evacuation device, a gas inlet and drive means for the relative movement of electrodes and magnet system, characterized in that the electrodes ( 2 ) are tubular and are rotatable about their longitudinal axis That in each electrode ( 2 ) a magnet system ( 3 ) is arranged, that the Stromversor supply device ( 15 ) switches the electrodes ( 2 ) alternately as an atomizing cathode and anode and thereby before the glow discharge turns into an arc discharge interrupts the coating process by a regeneration phase, and that the substrates ( 6 ) to be coated on the electrodes ( 2 ) are arranged in the same position from the bypass.

2. Atomizing device according to claim 1, characterized in that between the electrodes ( 2 ; 2 ') a stray field diaphragm ( 11 ) for shielding the electrodes ( 2 ; 2 ') is arranged insulated that it consists of two mutually insulated parts and between the A plasma-free space was created.

3. Atomizing device according to claim 1 and 2, characterized in that the power supply ( 15 ) is an AC power source.

4. Atomizing device according to claim 1 and 2, characterized in that the power supply ( 9 ) is a switchable direct current source.

5. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the magnet system ( 3 ) in the electrode ( 2 ) is fixedly arranged and the electrode ( 2 ) around the magnet system ( 3 ) rotates at a constant speed.

6. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the magnet system ( 3 ) of each electrode ( 2 ) consists of a plurality of magnets which are arranged in a row in the longitudinal direction of the electrode ( 2 ) and are each separate and / or have common pole pieces.

7. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 6, characterized in that the pole change of the electrodes ( 2 ) is set at least 100 times higher than the speed of the electrodes ( 2 ).

8. Atomizing device according to claim 5 and 6, characterized in that the magnets of the magnet system ( 3 ) are electric and / or permanent magnets.

9. Atomizing device according to claim 1 to 8, characterized in that the distance between the pole pieces of the magnet system ( 3 ) and the electrode ( 2 ) is variable.

10. Atomizing device according to claim 1 to 9, characterized in that the electrodes ( 2 ) are made of the same or different material.

11. Atomizing device according to claim 10, characterized in that on the electrodes ( 2 ) the material to be atomized is applied to the atomizing side.

12. Atomizing device according to claim 1 to 11, characterized in that the electrodes ( 2 ) are cooled.

13. Atomizing device according to claim 12, characterized in that cooling channels for the passage of cooling water are introduced in the electrodes ( 2 ).

14. Atomizing device according to claim 12, characterized in that the elec trodes ( 2 ) are double-walled and cooling water flows through the space.

15. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 14, characterized in that in each electrode ( 2 ) two magnet systems ( 3 ) are arranged opposite one another and the substrates ( 6 ) to be coated on two opposite sides of the electrodes ( 2 ) are movably arranged.

16. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 15, characterized in that in the coating of flexible, in particular tape-shaped substrates ( 13 ) over the electrodes ( 2 ), a cooling roller ( 12 ) is arranged so that the distance between each electrode ( 2nd ) and the cooling roller ( 12 ) in the atomization area is the same.

17. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 16, characterized in that for the reactive coating of the substrates ( 6 ), the gas feeds ( 7 ) are arranged in the atomizing zone in the vicinity of the substrate in an ending and controllable manner.

18. Atomizing device according to claim 17, characterized in that the gas supply ( 7 ) is divided into several areas and these areas can be controlled separately.

19. Atomizing device according to at least one of claims 1 to 18, characterized in that a dark field shield ( 4 ) which has floating potential is arranged around each electrode ( 2 ).