DE19535150A1 - Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterkreises - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterkreises nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Die vorliegende Erfindung betrifft integrierte Halbleiter­ kreise und deren Herstellung. Die Erfindung wird im Hin­ blick auf das Herstellungsverfahren und den Aufbau von iso­ lierenden Einrichtungen, wie beispielsweise Metalloxid- Feldeffekttransistoren (MOS-Transistoren) an Hand eines Beispieles erläutert. Es wird jedoch darauf hingewiesen, daß die Erfindung in einem breiteren Bereich anwendbar ist. Lediglich beispielhaft kann die Erfindung im Zusammenhang mit der Herstellung auch anderer Halbleitereinrichtungen, wie beispielsweise unter anderem von bipolaren Transisto­ ren, komplementären Metalloxid-Feldeffekttransistoren (CMOS-Transistoren), bipolaren komplementären Metalloxid- Feldeffekttransistoren (BiCMOS-Transistoren) angewendet werden.

In der Industrie werden Techniken für isolierende Einrich­ tungen in integrierten Kreisen angewendet oder wurden sol­ che Techniken vorgeschlagen. Ein Beispiel hierfür ist die lokale Oxidation von Silizium (LOCOS), wie sie beispiels­ weise in dem US-Patent 3,970,486 beschrieben ist. Diese LOCOS-Technik umfaßt im allgemeinen Schritte zur Herstel­ lung einer dünnen Siliziumdioxidschicht (SiO₂) (oder Pad- Oxidschicht) auf einem Siliziumsubstrat. Eine Schicht aus Siliziumnitrid wird auf der Siliziumdioxidschicht herge­ stellt. Es wird dann ein Schritt ausgeführt, bei dem die Siliziumnitridschicht (Si₃N₄) mit einem Muster versehen wird, um Bereiche des Pad-Oxids freizulegen. Die freigeleg­ ten Bereiche des Pad-Oxids bilden Bereiche für das Feldiso­ lationsoxid. Unter Anwendung des Siliziumnitrids als Maske werden durch einen thermischen Oxidationsschritt Oxidberei­ che zur Feldisolation in den freigelegten Bereichen des Pad-Oxids hergestellt.

Ein Problem bei dieser LOCOS-Technik besteht darin, daß be­ stimmte unerwünschte Effekte auftreten, die durch die seit­ liche Oxidation des Siliziumdioxids bewirkt werden, wie dies in der Fig. 1 dargestellt ist. Insbesondere verur­ sacht die seitliche Oxidation des Siliziumdioxids oftmals eine unerwünschte "Vogelschnabel-Struktur". Wie dies in der Fig. 1 dargestellt ist, umfaßt eine herkömmliche Feldiso­ lationsoxidanordnung 10 ein Halbleitersubstrat 11, einen Oxidbereich 13 zur Feldisolation, einen aktiven Bereich 17 und eine vogelschnabelartige Struktur 15. Wie dies darge­ stellt ist, verhindert die vogelschnabelartige Struktur we­ gen ihrer Dicke 19 die Ausbildung von Einrichtungen in den aktiven Bereichen.

Es wurden verschiedene Techniken vorgeschlagen, um die un­ erwünschten Wirkungen der vogelschnabelartigen Struktur zu beseitigen. Insbesondere kann durch die Ausbildung einer dünneren Oxidschicht oftmals die Länge der vogelschnabelar­ tigen Struktur verkürzt werden. Eine dickere Nitridschicht führt auch zu einer verkürzten Länge der vogelschnabelarti­ gen Struktur. Solche Techniken führen jedoch zu mehr Kri­ stalldefekten in dem Siliziumsubstrat oder dergleichen. Die Kristalldefekte vergrößern den Widerstand im Substrat. Da­ durch werden Schaltprobleme und dergleichen bewirkt. Die dünnere vogelschnabelartige Struktur verursacht auch einen elektrischen Leck- bzw. Kriechstrom zwischen benachbarten Einrichtungen, weil diese Einrichtungen nicht wirksam von­ einander isoliert sind.

Es wurde eine andere Technik zur Herstellung einer dickeren Oxidschicht zur Erzeugung einer dickeren vogelschnabelarti­ gen Struktur vorgeschlagen, um einen elektrischen Kriech­ strom zwischen den Einrichtungen zu vermeiden. Die dickeren vogelschnabelartigen Strukturen bewirken jedoch einen län­ geren "Vogelschnabel", d. h. einen "Vogelschnabel", der wei­ ter in den aktiven Bereich der Einrichtung hineinragt. Die längere vogelschnabelartige Struktur verringert auch in un­ erwünscht er Weise die Packungsdichte der integrierten Kreise.

Eine weitere Technik verwendet ein "mehrfach gepuffertes" LOCOS-Verfahren. Das mehrfach gepufferte LOCOS-Verfahren beruht auf einer mehrfach geschichteten Sandwich-Struktur, die eine Oxidschicht, eine Polysiliziumschicht und eine Nitridschicht umfaßt. Durch das mehrfach gepufferte LOCOS-Verfahren wird die seitliche Verengung des Siliziumdioxids verringert. Durch das mehrfach gepufferte LOCOS-Verfahren wird jedoch eine zweite vogelschnabelartige Struktur er­ zeugt, wie dies die Fig. 2 zeigt. Die Fig. 2 zeigt einen herkömmlichen Oxidbereich 20 zur Feldisolation, der durch das herkömmliche mehrfach gepufferte LOCOS-Verfahren er­ zeugt ist. Das herkömmliche Verfahren führt zu Oxidberei­ chen 23 zur Feldisolation im Halbleitersubstrat, einer er­ sten vogelschnabelartigen Struktur 25 und einer zweiten vo­ gelschnabelartigen Struktur 29. Eine weitere Beschränkung des mehrfach gepufferten LOCOS-Verfahrens führt zu an den Rändern der Oxidbereiche zur Feldisolation verbleibenden Polysilizium-Ätzrückständen 27. Die zweite vogelschnabelar­ tige Struktur und die Ätzrückstände sind unerwünscht.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiter­ kreises mit Isolationsbereichen anzugeben, das leicht und kostengünstig ausführbar und zuverlässig ist.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes integrierten Halbleiterkreises gelöst, das durch die in dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gekennzeichnet ist.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfah­ ren und danach hergestellte, verbesserte integrierte Halb­ leiterstrukturen. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Her­ stellung von Halbleiterkreisen mit Oxidbereichen zur Feldisolation führt zu einer relativ leichten und reprodu­ zierbaren Herstellung der Strukturen, wobei im wesentlichen keine vogelschnabelartigen Strukturen entstehen.

Eine spezielle Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterkreises. Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt Schritte, bei denen ein Halbleitersubstrat mit einer oberen Fläche versehen wird, eine die obere Fläche überdeckende Pad-Oxidschicht gebildet wird, eine diese Pad-Oxidschicht überdeckende Polysiliziumschicht gebildet wird, eine erste Siliziumnitridschicht gebildet wird, die die Polysilizium­ schicht überdeckt und eine zweite Siliziumnitridschicht ge­ bildet wird, die die erste Siliziumnitridschicht überdeckt. Die zweite Siliziumnitridschicht ist sehr viel dicker als die erste Siliziumnitridschicht. Die Erfindung umfaßt auch einen Schritt, bei dem die zweite Siliziumnitridschicht, die erste Siliziumnitridschicht und die Polysiliziumschicht zur Herstellung einer Maske mit einem Muster versehen wer­ den. Die Maske legt Bereiche der Pad-Oxidschicht frei.

Die Erfindung betrifft auch eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleitersubstrat, auf dessen oberer Fläche eine Oxidschicht angeordnet ist, wobei auf der Oxidschicht eine Polysiliziumschicht, auf der Polysiliziumschicht eine erste Siliziumnitridschicht und auf der ersten Siliziumnitrid­ schicht eine zweite Siliziumnitridschicht angeordnet sind. Die zweite Siliziumnitridschicht ist sehr viel dicker als die erste Siliziumnitridschicht. Die zweite Siliziumnitrid­ schicht, die ersten Siliziumnitridschicht und die Polysili­ ziumschicht bilden eine Maske, die bestimmte Bereiche der Oxidschicht freiläßt.

Die vorliegende Erfindung erreicht die genannten Vorteile im Zusammenhang mit bekannten Verfahrenstechnologien. Die Art und die Vorteile der vorliegenden Erfindung werden im folgenden im Zusammenhang mit der Beschreibung und den Figuren näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 und 2 herkömmliche LOCOS-Strukturen;

Fig. 3 einen vereinfachten Querschnitt einer LOCOS-Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung und

Fig. 4 bis 8 ein vereinfachtes Herstellungsverfahren für eine Struktur zur Feldisolation gemäß der vorliegenden Erfindung.

Die Fig. 3 zeigt eine vereinfachte Querschnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Feldisolation. Die Anordnung zur Feldisolation enthält ein Halbleitersubstrat 100, Oxidbereiche 300 zur Feldisolation, einen aktiven Be­ reich 320 der Einrichtung und andere Elemente. Wie dies dargestellt ist, weist die vorliegende Anordnung zur Feldisolation eine relativ planare Oberfläche als ein Ort für die aktive Einrichtung auf. Sie enthält im wesentlichen keine vogelschnabelartige Struktur. Typische Längen der vogelschnabelartigen Struktur liegen in einem Bereich von 0,1 bis etwa 0,3 µ für eine Feldoxiddicke im Bereich von etwa 0,3 bis etwa 0,6 µ. Die vorliegende Anordnung zur Feldisolation kann durch die nachfolgend beschriebenen Aus­ führungsformen hergestellt werden.

Im folgenden wird ein erfindungsgemäßes Herstellungsverfah­ ren zur Feldisolation angegeben.

• 1. Vorsehen eines Halbleitersubstrats.
• 2. Ausbildung einer Polster- bzw. Kissen- bzw. Pad-Oxidschicht (oder einer Oxidschicht) auf einer Oberfläche des Substrates.
• 3. Ausbildung einer die Pad-Oxidschicht (oder die Oxidschicht) überdeckenden Polysiliziumschicht.
• 4. Ausbildung einer sehr dünnen Schicht aus Sili­ ziumnitrid einer hohen Qualität auf der Polysi­ liziumschicht.
• 5. Ausbildung einer dickeren Schicht aus Silizium­ nitrid auf der sehr dünnen Schicht des Silizi­ umnitrids der hohen Qualität.
• 6. Versehen der dickeren Schicht aus Siliziumni­ trid, der sehr dünnen Schicht aus Siliziumni­ trid der hohen Qualität und der Polysilizium­ schicht mit einem Muster zur Ausbildung von freiliegenden Bereichen zur Bildung von Oxidbe­ reichen zur Feldisolation.
• 7. Ausbildung der Oxidbereiche zur Feldisolation in den freiliegenden Bereichen.
• 8. Entfernen der Siliziumnitridschichten, der Polysiliziumschicht und der Pad-Oxidschicht.
• 9. Ausführung von restlichen Verfahrensschritten.

Die zuvor genannten Schritte beruhen auf einer Kombination von Schichten, die eine Polysiliziumschicht, eine sehr dünne Schicht aus Siliziumnitrid einer hohen Qualität und eine dickere Schicht aus Siliziumnitrid als eine Oxidationsmaske umfassen. Die vorliegende Oxidationsmaske neigt dazu, im wesentlichen alle Kristalldefekte im Halb­ leitersubstrat während des Prozesses zu vermeiden. Es ver­ bleiben im wesentlichen keine Polysiliziumrückstände an den Rändern der Oxidbereiche zur Feldisolation nach dem Entfer­ nen der Siliziumnitridschicht. Die vorliegende Oxidations­ maske verhindert auch, daß sich während der nachfolgenden Verfahrensschritte Vertiefungen bzw. Löcher an den aktiven Bereichen ausbilden. Außerdem werden durch die vorliegende Oxidationsmaske die herkömmlichen vogelschnabelartige Strukturen im wesentlichen vermieden. Einzelheiten des vor­ liegenden Verfahrens werden im folgenden im Zusammenhang mit den Fig. 4 bis 8 erläutert.

Die Fig. 4 bis 8 zeigen ein vereinfachtes Herstellungs­ verfahren einer Struktur zur Feldisolation gemäß der vor­ liegenden Erfindung. Das vereinfachte Herstellungsverfahren dient lediglich zur Erläuterung und begrenzt nicht den Schutzbereich der Patentansprüche.

Die Fig. 4 zeigt den Anfang eines Herstellungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung. Das vorliegende Verfahren beginnt mit der Vorsehung eines Halbleitersubstrates 100. Dieses Halbleitersubstrat kann irgendein geeignetes Substrat, wie beispielsweise eine Siliziumschicht oder der­ gleichen sein. Vorzugsweise handelt es sich um eine Silizi­ umscheibe. Die Art der verwendeten Scheibe hängt von der besonderen Anwendung ab.

Bei dem vorliegenden Verfahren wird eine Isolationsschicht, beispielsweise eine Siliziumdioxidschicht 120 (SiO₂) oder dergleichen, die auch als eine Pad-Oxidschicht bekannt ist, auf einer Oberfläche 115 des Halbleitersubstrates 100 aus­ gebildet. Die Siliziumdioxidschicht wird vorzugsweise durch thermische Oxidation des Siliziums bei einer Temperatur von etwa 1000°C oder mehr erzeugt, um eine im wesentlichen lochfreie bzw. pin-hole-freie Siliziumdioxidschicht 120 ei­ ner hohen Qualität zu bilden. Die Dicke der Siliziumdioxid­ schicht liegt vorzugsweise in einem Bereich von etwa 50 Å bis etwa 500 Å und beträgt insbesondere etwa 300 Å.

Nachfolgend wird ein Verfahrensschritt zur Bildung einer Polysiliziumschicht 140 ausgeführt, die eine Oberfläche 130 der Pad-Oxidschicht überdeckt. Die Polysiliziumschicht 140 wird vorzugsweise durch eine chemische Dampfabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD-Technik) oder dergleichen erzeugt. Beispielsweise umfaßt die LPCVD-Technik ein Reaktionsgas, wie beispielsweise Silan (SiH₄) oder dergleichen bei einem Druck, der in einem Bereich von etwa 100 mTorr bis etwa 300 mTorr und vorzugsweise bei etwa 200 mTorr liegt. Die LPCVD-Technik wird bei einer Reaktionstemperatur ausge­ führt, die in einem Bereich von etwa 550°C bis etwa 700°C und vorzugsweise bei etwa 620°C liegt. Bei einer bevorzug­ ten Ausführungsform besitzt die Polysiliziumschicht eine Dicke, die in einem Bereich von etwa 300 Å bis etwa 1500 Å liegt. Die besonderen Reaktionsmittel, Temperaturen, Drücke und dergleichen hängen von den speziellen Anwendungsfällen ab.

Die Fig. 5 zeigt ein vereinfachtes Verfahren zur Erzeugung einer dünnen Schicht 160 aus Siliziumnitrid, die die Ober­ fläche 155 der Polysiliziumschicht 140 überdeckt. Die Dünn­ schicht aus Siliziumnitrid ist eine im wesentlichen pin­ hole- bzw. lochfreie Schicht aus Siliziumnitrid einer hohen Qualität. Eine geeignete Technik zur Herstellung einer sol­ chen Siliziumnitridschicht umfaßt das Aussetzen der Polysi­ liziumschicht 160 einer Atmosphäre einer Stickstoffquelle, wie beispielsweise Ammoniakgas (NH₃), bei einer hohen Tem­ peratur zur Nitrierung, so daß eine sehr dünne Schicht aus Siliziumnitrid (Si₃N₄) oder dergleichen aus der Polysilizi­ umschicht gebildet wird. Die Temperatur der Nitrierung liegt in dem Bereich von etwa 700°C bis etwa 1100°C und beträgt vorzugsweise etwa 950°C. Das Ammonikgas weist eine Konzentration in einem Bereich von etwa 0,1% bis etwa 100% auf. Vorzugsweise beträgt die Konzentration etwa 95%. Die sehr dünne Schicht aus Siliziumnitrid besitzt eine Dicke in einem Bereich von etwa 5 Å bis 100 Å. Vorzugsweise beträgt die Dicke etwa 30 Å und weniger.

Bei dem vorliegenden Verfahren wird dann ein Schritt der Abscheidung einer Schicht aus Siliziumnitrid 200 ausge­ führt, die die Oberfläche 190 der sehr dünnen Schicht 160 aus Siliziumnitrid überdeckt, wie dies die Fig. 6 zeigt. Die Siliziumnitridschicht 200 kann durch ein geeignetes LPCVD-Verfahren oder dergleichen abgeschieden werden. Bei­ spielsweise wird bei einem solchen Verfahren ein Reaktions­ gas, wie beispielsweise Dichlorsilan (SiH₂Cl₂) und ein Ammoniakgas (NH₃) und dergleichen verwendet. Ein Reaktions­ druck kann in einem Bereich von etwa 100 mTorr bis etwa 500 mTorr und vorzugsweise bei etwa 350 mTorr liegen. Die Reaktionstemperatur liegt in einem Bereich von etwa 600°C bis etwa 800°C und beträgt vorzugsweise etwa 760°C. Bei einer bevorzugten Ausführungsform liegt die Dicke der Sili­ ziumnitridschicht 200 in einem Bereich von etwa 500 Å bis etwa 3000 Å. Vorzugsweise beträgt sie etwa 2000 Å. Wie dies dargestellt ist, führt das vorliegende Verfahren zu einer Sandwich-Schichtanordnung, die die Polysiliziumschicht 140, die sehr dünne Siliziumnitridschicht 160 und die Silizium­ nitridschicht 200 zur Bildung einer Oxidationsmaske oder dergleichen umfaßt.

Die Schichten werden mit einem Muster versehen oder geätzt, wie dies die Fig. 7 zeigt. Die Oxidationsmaske bildet frei liegende Bereiche 210, die Orte für die Oxidbereiche zur Feldisolation und dergleichen bestimmen. Das Ätzen wird vorzugsweise durch Plasmaätzen, Ätzen mit reaktiven Ionen oder dergleichen ausgeführt. Vorzugsweise erfolgt das Ätzen durch anisotropisches Versehen der Polysiliziumschicht 140, der sehr dünnen Schicht 160 aus Siliziumnitrid und der Siliziumnitridschicht 200 mit einem Muster durch Plasmaätz­ techniken. Die Pad-Oxidschicht dient als Ätzresistschicht für die Plasmaätztechnik. Alternativ kann die Pad-Oxid­ schicht ein Teil der Oxidationsmaske sein.

Die Plasmaätztechnik kann in einer Plasmaätzeinrichtung er­ folgen, wie sie beispielsweise unter der Bezeichnung "RAINBOW 4520" durch die Firma Lam Research Company in Fremont, Kalifornien vertrieben wird. Das Plasmaätzen er­ folgt bei einem Druck, der in einem Bereich von etwa 300 mTorr bis etwa 500 mTorr, vorzugsweise bei etwa 400 mTorr liegt. Die Leistung liegt in einem Bereich von etwa 400 Watt bis etwa 700 Watt und beträgt vorzugsweise etwa 525 Watt. Das Plasmaätzen erfolgt mit Reaktionsgasen, wie beispielsweise Argon (Ar), Sauerstoff (O₂) und Trifluormethan (CHF₃) oder dergleichen. Eine Strömungsrate für Argon liegt in einem Bereich von etwa 100 sccm bis etwa 400 sccm und beträgt vorzugsweise etwa 320 sccm. Trifluor­ methan weist eine Strömungsrate auf, die in einem Bereich von etwa 10 sccm bis etwa 200 sccm liegt und vorzugsweise etwa 50 sccm beträgt. Die Arten der Reaktanden, Strömungs­ raten, Temperaturen, Drücke und Leistungen und dergleichen hängen von den besonderen Anwendungsfällen ab.

Die Struktur der Fig. 7 wird in einem Schritt der thermi­ schen Oxidation bei einer Atmosphäre von beispielsweise Sauerstoff (O₂) oder dergleichen bei einer hohen Temperatur ausgesetzt, wobei die Sandwich-Schicht als Oxidationsmaske verwendet wird. Die thermische Oxidation erfolgt bei einer Temperatur, die in einem Bereich von etwa 900°C bis etwa 1100°C liegt. Vorzugsweise beträgt sie etwa 1000°C. Die Anordnung wird der thermischen Oxidation während einer Zeitperiode ausgesetzt, die in einem Bereich von etwa 150 Minuten bis etwa 190 Minuten, vorzugsweise bei weniger als etwa 170 Minuten liegt. Durch die thermische Oxidation wer­ den Oxidbereiche 300 zur Feldisolation erzeugt, die eine Dicke von etwa 4500 Å bis etwa 6500 Å, vorzugsweise von etwa 5000 Å, besitzen.

Gemäß dem vorliegenden Verfahren wird die Oxidationsmaske dann mit der Hilfe einer Folge von Ätzschritten entfernt. Beim vorliegenden Verfahren werden die Siliziumnitrid­ schichten mit einer Ätztechnik, wie beispielsweise mit ei­ ner heißen Phosphorsäurelösung (H₃PO₃) oder dergleichen entfernt. Die Polysiliziumschicht wird mit der Hilfe einer isotropischen Plasmaätztechnik oder dergleichen entfernt. Eine Lösung einer verdünnten Fluorwasserstoffsäure (HF) oder dergleichen entfernt die Pad-Oxidschicht. Die Anord­ nung ist dann zur Ausführung der restlichen Prozeßschritte bereit. Es können auch andere Techniken zur Entfernung der Oxidationsmaske in Abhängigkeit von den besonderen Anwen­ dungen verwendet werden.

Es wird darauf hingewiesen, daß die obige Beschreibung spe­ zielle Ausführungsformen betrifft. Zahlreiche Modifikatio­ nen, andere Strukturen und Äquivalente können angewendet werden. Während sich die obige Beschreibung auf die Her­ stellung einer allgemeinen Oxidstruktur zur Feldisolation bei einem Feldeffekttransistor bezieht, ist es auch mög­ lich, die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit MOS-Kreisen, BiCMOS-Kreisen, bipolaren Kreisen, N- oder P-Kanalbereichen von Kreisen oder dergleichen anzuwenden. Aus diesem Grunde soll die voranstehende Beschreibung und die Darstellungen den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung, der durch die Ansprüche definiert ist, nicht beschränken.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her­ stellung von Bereichen 300 zur Feldisolation in einem Halb­ leitersubstrat für einen integrierten Kreis. Das Verfahren umfaßt die Herstellung einer sandwichartigen Struktur, die als Oxidationsmaske 140, 160, 200 dient. Die sandwichartige Struktur umfaßt eine unten liegende Oxidschicht 120, die die Oberfläche des Halbleitersubstrates 100 überdeckt. Die sandwichartige Struktur umfaßt eine Polysiliziumschicht 140, die die Oxidschicht 120 überdeckt, eine Siliziumni­ tridschicht 160, die die Schicht 140 überdeckt und eine zweite Siliziumnitridschicht 200, die die erste Siliziumni­ tridschicht 160 überdeckt. Im vorliegenden Verfahren werden die zweite Siliziumnitridschicht 200, die erste Siliziumni­ tridschicht 160 und die Polysiliziumschicht 140 zur Erzeu­ gung einer Oxidationsmaske mit einem Muster versehen. Die Oxidationsmaske enthält freiliegende Bereiche 210 der Oxid­ schicht 120, in denen die Oxidbereiche 300 zur Feldisola­ tion ausgebildet werden.

Claims (17)

1. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halb­ leiterkreises mit den folgenden Schritten:
Vorsehen eines Halbleitersubstrates (100) mit einer Oberfläche (115).

Ausbilden einer Pad-Oxidschicht (120) auf der Ober­ fläche (115).

Ausbilden einer Polysiliziumschicht (140) auf der Pad-Oxidschicht (120).

Ausbilden einer ersten Nitridschicht (160) auf der Polysiliziumschicht (140)
Ausbilden einer zweiten Siliziumnitridschicht (200) auf der Siliziumnitridschicht (160), wobei die zweite Siliziumnitridschicht (200) sehr viel dicker ist als die erste Siliziumnitridschicht (160)
Versehen der zweiten Siliziumnitridschicht (200), der ersten Siliziumnitridschicht (160) und der Polysili­ ziumschicht (140) mit einem Muster zur Erzeugung ei­ ner Maske, die freiliegende Bereiche (210) der Pad- Oxidschicht (120) bestimmt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in den freilie­ genden Bereichen (210) Oxidbereiche (300) zur Feldisolation ausgebildet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Maske nach Ausbildung der Oxidbereiche (300) entfernt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Pad-Oxidschicht (120) durch einen thermischen Oxidationsschritt erzeugt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die erste Siliziumnitridschicht (160) eine sehr dünne Sili­ ziumnitridschicht ist, deren Dicke kleiner als etwa 100 Å ist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die erste Siliziumnitridschicht (160) eine im wesentlichen lochfreie Siliziumnitridschicht ist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die erste Siliziumnitridschicht (160) durch Reaktion eines Stickstoffgases mit dem Silizium der Polysiliziumschicht (140) erzeugt wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die zweite Siliziumnitridschicht (200) durch chemische Dampfabscheidung erzeugt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die zweite Siliziumnitridschicht (200) eine Dicke besitzt, die in einem Bereich von etwa 500 Å bis etwa 3000 Å liegt.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Maske eine Oxidationsmaske ist.

11. Integrierte Halbleiterkreisanordnung, gekennzeich­ net durch ein Halbleitersubstrat (100) mit einer Oberfläche (115), eine die Oberfläche (115) überdeckende Oxidschicht (120), eine die Oxidschicht (120) überdeckende Polysilizi­ umschicht (140), eine die Polysiliziumschicht (140) über­ deckende erste Siliziumnitridschicht (160) und eine die er­ ste Siliziumnitridschicht (160) überdeckende zweite Silizi­ umnitridschicht (200), die sehr viel dicker ist als die er­ ste Siliziumnitridschicht (160), wobei die zweite Silizium­ nitridschicht (200), die erste Siliziumnitridschicht (160) und die Polysiliziumschicht (140) eine Maske bilden, die freiliegende Bereiche (210) der Oxidschicht (120) aufweist.

12. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich­ net, daß in den freiliegenden Bereichen (210) Oxidbereiche zur Feldisolation ausgebildet sind.

13. Anordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Oxidschicht (120) durch einen thermi­ schen Oxidationsschritt hergestellt ist.

14. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, da­ durch gekennzeichnet, daß die erste Siliziumnitridschicht (160) eine sehr dünne Siliziumnitridschicht ist, deren Dicke kleiner als etwa 100 Å ist.