DE19503205C1 - Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma - Google Patents

Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Info

Publication number
DE19503205C1
DE19503205C1 DE1995103205 DE19503205A DE19503205C1 DE 19503205 C1 DE19503205 C1 DE 19503205C1 DE 1995103205 DE1995103205 DE 1995103205 DE 19503205 A DE19503205 A DE 19503205A DE 19503205 C1 DE19503205 C1 DE 19503205C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor
tube
generators
plasma
vacuum container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Revoked
Application number
DE1995103205
Other languages
English (en)
Inventor
Eberhard Dipl Phys Dr Raeuchle
Wolfgang Dipl Phys Petasch
Fritz Konstantin Raeuchle
Horst Muegge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Muegge GmbH
Original Assignee
Muegge Electronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7752878&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE19503205(C1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Muegge Electronic GmbH filed Critical Muegge Electronic GmbH
Priority to DE1995103205 priority Critical patent/DE19503205C1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19503205C1 publication Critical patent/DE19503205C1/de
Priority to DE1996128949 priority patent/DE19628949B4/de
Priority to DE1996128952 priority patent/DE19628952C5/de
Priority to DE1996128954 priority patent/DE19628954B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222Antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einem Unterdruckbehälter mit Hilfe von elektromagnetischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolierendem Werkstoff durch den Unterdruckbehälter geführt ist, wobei der Innendurchmesser des Rohres größer als der Durchmesser des Leiters ist, und wobei das Rohr an beiden Enden durch Wände des Unterdruckbehälters gehalten und gegenüber den Wänden an seiner Außenfläche abgedichtet ist.
Vorrichtungen zur Erzeugung von Plasma werden unter anderem benötigt, um mit dem erzeugten Plasma verschiedene Formen der Oberflächenbearbeitung von Werkstücken vorzunehmen, beispielsweise zum Plasma-Ätzen und zur Plasma-Deposition. Zur Bildung des Plasmas, das heißt zur Ionisation des Gases im Unterdruckbehälter werden unter anderem Mikrowellen und andere elektromagnetische Wechselfelder verwendet.
Bei einer durch DE 41 36 297 A1 bekanntgewordenen Vorrichtung zur lokalen Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen-Anregung ist in einer Behandlungskammer ein Rohr aus isolierendem Material vorgesehen, das als Begrenzung zum Unterdruckbereich hin wirkt und in dem ein Innenleiter aus Metall verläuft, in den die Mikrowellen von einer Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung eingekoppelt werden. Diese bekannte Vorrichtung nutzt den Effekt aus, daß durch das Leitendwerden des ionisierten Gases an der Außenwand des Führungshohlleiters eine Art Koaxialleitung entsteht, die die Mikrowelle weiterleitet.
Nachteilig bei der bekannten Vorrichtung ist es, daß mit zunehmender Entfernung von demjenigen Rand der Behandlungskammer, an welchem die Mikrowellen eingekoppelt werden, die Energiedichte und damit die Plasmadichte abnimmt. Für die Behandlung von Werkstücken ist jedoch eine möglichst räumlich vorgebbare, beispielsweise homogene, Mindest-Plasmadichte erforderlich. Da ferner die in Form von Mikrowellen zugeführte Leistung nicht beliebig steigerbar ist, kann häufig der gesamte durch die Behandlungskammer gegebene Raum nicht zur Behandlung genutzt werden. Dieses gilt insbesondere bei Werkstücken, die in Durchlaufanlagen auf einem Fließband durch die Behandlungskammer geführt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma anzugeben, welche innerhalb eines vorgegebenen Bereichs eine ausreichende Ionisierung aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Leiter an beiden Enden an Quellen zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlossen ist.
Der Abstand zwischen dem Leiter und der Innenfläche des Rohres ist für die Wirkungsweise der Anordnung entscheidend. Durch ihn wird die große axiale Ausdehnung des Plasmas von zum Beispiel 2 in bis 3 m ermöglicht.
Vorzugsweise ist die erfindungsgemäße Vorrichtung derart ausgebildet, daß die elektromagnetischen Wechselfelder Mikrowellen sind. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist jedoch auch für Wechselfelder mit niedrigerer Frequenz, beispielsweise 13,45 MHz, geeignet.
Durch die Zuführung von Energie von beiden Enden kann der bei der bekannten Vorrichtung auftretende Abfall des Ionisationsgrades in Längsrichtung des Leiters ausgeglichen werden. Bei gleicher Intensität der zugeführten Wechselfelder verdoppelt sich die Gesamtleistung, ohne daß die Einführungsbereiche an den Wänden des Unterdruckbehälters übermäßig belastet werden. Außerdem hat die erfindungsgemäße Vorrichtung den Vorteil, daß das Rohr an beiden Enden und damit stabiler gelagert ist. Ferner ist eine leichte Montage und Demontage gegeben, wodurch die Wartung erleichtert wird.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß die Quellen von je einem Generator gebildet werden. Dabei kann vorgesehen sein, daß die abgegebene Leistung der Generatoren unabhängig voneinander steuerbar ist. Dadurch läßt sich außer einem weitgehend homogenen Verlauf der Plasmadichte ein davon abweichender Verlauf einstellen, beispielsweise eine mehr oder weniger starke etwa lineare Zunahme von einem Ende zum anderen Ende des Unterdruckbehälters oder eine Absenkung oder Erhöhung im mittleren Teil.
Bei dem Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Bildung von stehenden Wellen nicht ausgeschlossen, so daß an der Oberfläche des Rohres Stellen mit geringerer und höherer Plasmadichte entstehen. Da sich jedoch aufgrund der thermischen Bewegung der Ionen im zunehmenden Abstand vom Rohr diese Unterschiede ausgleichen, sind für viele Anwendungen keine besonderen Maßnahmen erforderlich. Für Anwendungen, bei denen die stehenden Wellen stören, können sie durch Weiterbildungen der Erfindung dadurch vermieden werden, daß die Generatoren derart pulsierend betrieben werden, daß abwechselnd nur jeweils einer der Generatoren das Wechselfeld erzeugt oder daß die Phasenlage der von den Generatoren erzeugten Mikrowellen unterschiedlich variiert wird.
Eine andere vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß die Generatoren unmittelbar an den Leiter angekoppelt sind. Dabei konnte festgestellt werden, daß das Eintreffen der Mikrowellen vom jeweils anderen Generator bei den meisten Generatoren keine störende Wirkung zur Folge hat.
Gemäß anderen vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung kann auch vorgesehen sein, daß die Generatoren über einen Zirkulator oder über ein Hohlleitersystem an den Leiter angekoppelt sind.
Eine andere Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß beide Quellen von einem einzigen Generator gespeist werden, der über geeignete Leitungen mit den Enden des Leiters verbunden ist. Diese Weiterbildung kann bei Anwendungsfällen vorteilhaft sein, bei denen eine getrennte Steuerung der Generatoren nicht erforderlich ist und bei denen durch die Anwendung nur eines Generators und des zugehörigen Betriebsgerätes trotz der zusätzlichen Leitungen Ersparnisse eintreten.
Durch die Bildung des Plasmas im Umgebungsbereich des Rohres wird dem Rohr eine erhebliche Wärmemenge zugeführt. Eine ausgezeichnete Kühlung des Rohres wird bei einer anderen Weiterbildung der Erfindung dadurch erzielt, daß Mittel zur Leitung eines Kühlmittelstroms, vorzugsweise eines Luftstroms, durch das Rohr vorgesehen sind. Durch die ausgezeichnete Kühlung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist eine Leistungssteigerung möglich.
Durch die Abnahme der Plasmadichte in Richtung des Leiters bei der bekannten Vorrichtung ist eine Regelung oder Steuerung der Leistung stets mit einer Größenänderung desjenigen Bereichs verbunden, in welchem die Plasmadichte eine für die jeweilige Behandlung ausreichendende Größe aufweist. Dieser unerwünschte Effekt tritt bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht ein, so daß bei einer anderen Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung vorgesehen ist, daß die abgegebene Leistung der Quellen als Funktion der Dichte des erzeugten Plasmas regelbar ist. Geeignete Sensoren zur Messung der Plasmadichte, beispielsweise Plasmasonden, Interferometer und Strahlungssensoren, und geeignete Regelschaltungen sind an sich bekannt. Ferner kann vorgesehen sein, daß die abgegebene Leistung der Quellen als Funktion der Ausmaße des in den Unterdruckbehälter eingebrachten Gutes steuerbar ist.
Eine flächig homogene Behandlung mit Hilfe des Plasmas kann ferner dadurch erzielt werden, daß mehrere aus je einem stabförmigen Leiter und einem Rohr bestehende Vorrichtungen in dem Unterdruckbehälter angeordnet sind. Diese bietet insbesondere bei Durchlaufanlagen Vorteile. Hierbei können die Enden der Leiter von jeweils einem Generator gespeist werden. Es ist jedoch auch möglich, die auf einer Seite des Unterdruckbehälters liegenden Enden oder Gruppen von diesen oder mehrere gegenüberliegende Enden aus einem gemeinsamen Generator zu speisen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann auch derart ausgestaltet sein, daß die Wände des Unterdruckbehälters mindestens teilweise aus UV-durchlässigem Werkstoff, beispielsweise Spezialglas, Quarz, bestehen. Diese Ausgestaltung bildet eine besonders günstige flächenhafte Quelle für UV-Strahlung. Diese kann beispielsweise zum beschleunigten Aushärten von Kunststoffen oder für eine keimtötende Bestrahlung verwendet werden.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform dieser Ausgestaltung ist vorgesehen, daß die Wände des Unterdruckbehälters aus einem äußeren Rohr, das mit Endscheiben verschmolzen ist, bestehen, wobei wiederum die Endscheiben mit dem Rohr, das den Leiter umgibt, verschmolzen sind und das äußere Rohr, die Endscheiben und das den Leiter umgebende Rohr aus einem im wesentlichen gleichen Werkstoff bestehen. Diese Ausführungsform kann mit in der Glastechnik bewährten Verfahren aus einem UV-durchlässigen Glas, beispielsweise Quarzglas, hergestellt werden und hat beispielsweise den Vorteil, daß der Unterdruckbehälter keine kritischen Durchführungen von Elektroden und keine sich möglicherweise abnutzenden Teile im Inneren aufweist.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung anhand mehrerer Figuren dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung des Ausführungsbeispiels und
Fig. 2 ein Teil des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 in detaillierterer Darstellung.
Gleiche Teile sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die in Fig. 1 dargestellte erfindungsgemäße Vorrichtung umfaßt einen Unterdruckbehälter 1, von dem lediglich zwei Wände 2, 3 dargestellt sind. In den Seitenwänden 2, 3 ist ein Glasrohr 4 gelagert, in dem sich ein stabförmiger Leiter 5 befindet. An beiden Enden des stabförmigen Leiters 5 sind Mikrowellen-Generatoren 6, 7 angeordnet, die von jeweils einem Betriebsgerät mit steuerbarer Leistung versorgt werden. Im Inneren des Glasrohres 4 herrscht Normaldruck.
Das Glasrohr 4 ist an den Führungen durch die Wände 2, 3 abgedichtet, damit in den Unterdruckbehälter 1 an diesen Stellen keine Außenluft eindringen kann. Häufig wird im Unterdruckbehälter 1 mit einem Druck von 1 mbar gearbeitet. Je nach Größe der zu behandelnden Werkstücke bzw. nach der Anzahl der gleichzeitig zu behandelnden Werkstücke kann der Unterdruckbehälter, im folgenden auch Reaktionskammer genannt, eine Breite bis zu mehreren Metern aufweisen mit einer entsprechenden Länge des Glasrohres 4. Die Durchmesser des Leiters 5 und des Glasrohres 4 werden je nach Auslegung der Anordnung in Abhängigkeit von der anzuwendenden Mikrowellenleistung gewählt, um einerseits eine Zündung in der Atmosphäre mit Normaldruck im Innenbereich des Glasrohres zu vermeiden und um andererseits eine Zündung des Plasmas im Unterdruckbereich zu gewährleisten.
Wird beispielsweise die Leistung der Mikrowellen-Generatoren 6, 7 derart eingestellt, daß die von jeweils einem der Mikrowellen-Generatoren bewirkte Plasmadichte von der am jeweiligen Mikrowellen-Generator befindlichen Wand bis zur anderen Wand etwa linear auf 0 abnimmt, so erhält man bei gleicher Leistung beider Mikrowellen-Generatoren eine im wesentlichen über die Breite der Reaktionskammer konstante Plasmadichte. Wird die Leistung eines der Generatoren darüberhinaus erhöht, steigt die Plasmadichte in Richtung auf diesen Generator an.
Da die Leistung unter anderem durch die thermische Wirkung des Plasmas in der Nähe des Glasrohres 4 insbesondere in der Nähe des jeweiligen Mikrowellen-Generators 6, 7 begrenzt ist, kann durch die Verwendung beider gegenüberliegender Mikrowellen-Generatoren auch die Gesamtleistung gegenüber der bekannten Vorrichtung gesteigert werden.
Fig. 2 zeigt ein Detail der schematisch dargestellten Anordnung nach Fig. 1 im Bereich der Durchführung des Glasrohres 4 durch die Wand 3. In dem Glasrohr 4 ist ein Kupferrohr 10 gelagert, das die Bildung von Plasma in der Nähe der Wand 3 verhindert. Damit werden Verluste vermieden, die durch Entladen der soeben erzeugten Ionen an der Wand 3 entstehen würden. Außerdem dient das Kupferrohr 10 zum Anschluß des in Fig. 2 nicht dargestellten Mikrowellen-Generators.
Ein Dichtflansch 11, der mit lediglich angedeuteten Schrauben mit der Wand 3 verbunden ist, dient zur Abdichtung zwischen dem Glasrohr 4 und der Wand 3 mit Hilfe eines Dichtringes 12. Außerdem bildet der Flansch 11 eine Kammer 13 zur Zuführung von Kühlluft. Diese wird in Pfeilrichtung mit Hilfe eines nicht dargestellten Rohres oder Schlauchs zugeleitet, gelangt durch Löcher 14 in das Innere des Kupferrohres 10 und durchströmt das Kupferrohr 10 und das Glasrohr 4 in Pfeilrichtung. Am anderen Ende des Glasrohres 4 befindet sich ebenfalls ein Kupferrohr und eine ähnliche Anordnung, die das Austreten der Luft gewährleistet. Der in Fig. 2 dargestellte Dichtflansch 11 ist eine mögliche Ausführung des Endflansches. Andere Ausführungen können zum Beispiel unter Verwendung von modifizierten Bauteilen der Vakuumtechnik hergestellt werden.

Claims (16)

1. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einem Unterdruckbehälter mit Hilfe von elektromagnetischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolierendem Werkstoff durch den Unterdruckbehälter geführt ist, wobei der Innendurchmesser des Rohres größer als der Durchmesser des Leiters ist, und wobei das Rohr an beiden Enden durch Wände des Unterdruckbehälters gehalten und gegenüber den Wänden an seiner Außenfläche abgedichtet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (5) an beiden Enden an Quellen (6, 7) zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlossen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetischen Wechselfelder Mikrowellen sind.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Quellen von je einem Generator (6, 7) gebildet werden.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die abgegebene Leistung der Generatoren (6, 7) unabhängig voneinander steuerbar ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Generatoren (6, 7) derart pulsierend betrieben werden, daß abwechselnd nur jeweils einer der Generatoren (6, 7) das Wechselfeld erzeugt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenlage der von den Generatoren (6, 7) erzeugten Mikrowellen unterschiedlich variiert wird.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Generatoren (6, 7) unmittelbar an den Leiter (5) angekoppelt sind.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Generatoren über einen Zirkulator an den Leiter angekoppelt sind.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Generatoren über ein Hohlleitersystem an den Leiter angekoppelt sind.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß beide Quellen von einem einzigen Generator gespeist werden, der über geeignete Leitungen mit den Enden des Leiters verbunden ist.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel (11, 13, 14) zur Leitung eines Kühlmittelstroms, vorzugsweise eines Luftstroms, durch das Rohr (4) vorgesehen sind.
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die abgegebene Leistung der Quellen (6, 7) als Funktion der Dichte des erzeugten Plasmas regelbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere aus je einem stabförmigen Leiter und einem Rohr bestehende Vorrichtungen in dem Unterdruckbehälter angeordnet sind.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die abgegebene Leistung der Quellen (6, 7) als Funktion der Ausmaße des in den Unterdruckbehälter (1) eingebrachten Gutes steuerbar ist.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Wände des Unterdruckbehälters mindestens teilweise aus UV-durchlässigem Werkstoff, beispielsweise Spezialglas, Quarz, bestehen.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Wände des Unterdruckbehälters aus einem äußeren Rohr, das mit Endscheiben verschmolzen ist, bestehen, wobei wiederum die Endscheiben mit dem Rohr, das den Leiter umgibt, verschmolzen sind und das äußere Rohr, die Endscheiben und das den Leiter umgebende Rohr aus einem im wesentlichen gleichen Werkstoff bestehen.
DE1995103205 1995-02-02 1995-02-02 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma Revoked DE19503205C1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1995103205 DE19503205C1 (de) 1995-02-02 1995-02-02 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128949 DE19628949B4 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128952 DE19628952C5 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128954 DE19628954B4 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1995103205 DE19503205C1 (de) 1995-02-02 1995-02-02 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19503205C1 true DE19503205C1 (de) 1996-07-11

Family

ID=7752878

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1995103205 Revoked DE19503205C1 (de) 1995-02-02 1995-02-02 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128954 Expired - Lifetime DE19628954B4 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128952 Expired - Lifetime DE19628952C5 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1996128954 Expired - Lifetime DE19628954B4 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE1996128952 Expired - Lifetime DE19628952C5 (de) 1995-02-02 1996-07-18 Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Country Status (1)

Country Link
DE (3) DE19503205C1 (de)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19722272A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19739894A1 (de) * 1997-09-11 1999-03-25 Muegge Electronic Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung
DE19801366A1 (de) * 1998-01-16 1999-07-22 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19812558A1 (de) * 1998-03-21 1999-09-30 Roth & Rau Oberflaechentechnik Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen
EP0961528A2 (de) * 1998-05-29 1999-12-01 Leybold Systems GmbH Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19825125A1 (de) * 1998-06-05 1999-12-09 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19841777C1 (de) * 1998-09-12 2000-01-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant
DE19848022A1 (de) * 1998-10-17 2000-04-20 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
WO2000075955A1 (de) * 1999-06-04 2000-12-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Linear ausgedehnte anordnung zur grossflächigen mikrowellenbehandlung und zur grossflächigen plasmaerzeugung
DE19928876A1 (de) * 1999-06-24 2000-12-28 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung
DE19955671A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-31 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
US7047903B2 (en) 2001-01-22 2006-05-23 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Method and device for plasma CVD
US7159536B1 (en) 1999-09-14 2007-01-09 Robert Bosch Gmbh Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves
DE102006048816A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen
DE102006048815A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung
DE102006048814A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte
US7434537B2 (en) 2001-08-07 2008-10-14 Schott Ag Device for the coating of objects
DE19628952C5 (de) * 1995-02-02 2010-11-25 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
WO2011064084A1 (de) * 2009-11-11 2011-06-03 Roth & Rau Muegge Gmbh Vorrichtung zur erzeugung von plasma mittels mikrowellen
US20120031335A1 (en) * 2010-04-30 2012-02-09 Applied Materials, Inc. Vertical inline cvd system
DE102010050258A1 (de) * 2010-11-02 2012-05-03 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE102012013418A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Sitec Automation Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines skalierbaren linearen Plasmas
ITRM20130159A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-15 Consiglio Nazionale Ricerche Elongated microwave powered lamp
ITRM20130161A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-15 Consiglio Nazionale Ricerche Reinforced microwave powered lamp
ITRM20130158A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-16 Consiglio Nazionale Ricerche Microwave powered lamp
US9165748B2 (en) 2000-05-17 2015-10-20 Ihi Corporation Plasma CVD method
WO2023172140A1 (en) 2022-03-11 2023-09-14 Leydenjar Technologies B.V. Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
WO2023172141A1 (en) 2022-03-11 2023-09-14 Leydenjar Technologies B.V. Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
US11823871B2 (en) 2018-03-01 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) processing tool

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006012100B3 (de) * 2006-03-16 2007-09-20 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets
DE102008009624A1 (de) * 2008-02-18 2009-08-20 Cs Clean Systems Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung der Abgase einer Prozessanlage
DE102008036766B4 (de) 2008-08-07 2013-08-01 Alexander Gschwandtner Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen dielektrischer Schichten im Mikrowellenplasma
DE102009057375B3 (de) * 2009-12-09 2011-05-26 Roth & Rau Ag ECR-Plasmaquelle mit einem Beschichtungsschutz und Anwendung des Beschichtungsschutzes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4136297A1 (de) * 1991-11-04 1993-05-06 Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung
DE3933619C2 (de) * 1989-10-07 1993-12-23 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtungen zur elektrischen Anregung eines Gases mit Mikrowellenenergie
DE4322608A1 (de) * 1993-07-07 1995-01-19 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Leistungsmodulation bei einer Plasmaanregung, vorzugsweise beim Einsatz von Gaslasern

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566403A (en) * 1985-01-30 1986-01-28 Sovonics Solar Systems Apparatus for microwave glow discharge deposition
DE3708717A1 (de) * 1987-03-18 1988-09-29 Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festkoerperoberflaechen durch teilchenbeschuss
DE3926023A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
GB8922602D0 (en) * 1989-10-06 1989-11-22 British Aerospace A surface discharge plasma cathode electron beam generating assembly
US5230740A (en) * 1991-12-17 1993-07-27 Crystallume Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric
US5361274A (en) * 1992-03-12 1994-11-01 Fusion Systems Corp. Microwave discharge device with TMNMO cavity
DE19503205C1 (de) * 1995-02-02 1996-07-11 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19654909A1 (de) * 1996-03-08 1997-11-13 Daimler Benz Ag Vorrichtung mit einem magnetooptischen Stromsensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3933619C2 (de) * 1989-10-07 1993-12-23 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtungen zur elektrischen Anregung eines Gases mit Mikrowellenenergie
DE4136297A1 (de) * 1991-11-04 1993-05-06 Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung
DE4322608A1 (de) * 1993-07-07 1995-01-19 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Leistungsmodulation bei einer Plasmaanregung, vorzugsweise beim Einsatz von Gaslasern

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19628952C5 (de) * 1995-02-02 2010-11-25 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19722272A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
WO1998054748A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur erzeugung von plasma
DE19739894A1 (de) * 1997-09-11 1999-03-25 Muegge Electronic Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung
DE19739894C2 (de) * 1997-09-11 2001-07-05 Muegge Electronic Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung
DE19801366A1 (de) * 1998-01-16 1999-07-22 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19801366B4 (de) * 1998-01-16 2008-07-03 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19812558A1 (de) * 1998-03-21 1999-09-30 Roth & Rau Oberflaechentechnik Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen
DE19824077A1 (de) * 1998-05-29 1999-12-02 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
EP0961528A2 (de) * 1998-05-29 1999-12-01 Leybold Systems GmbH Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
EP0961528A3 (de) * 1998-05-29 2003-08-13 Leybold Systems GmbH Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19825125A1 (de) * 1998-06-05 1999-12-09 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
EP0963141B1 (de) * 1998-06-05 2010-06-16 Oerlikon Deutschland Holding GmbH Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19841777C1 (de) * 1998-09-12 2000-01-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant
WO2000016374A1 (de) * 1998-09-12 2000-03-23 Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag Vorrichtung zur plasmatechnischen abscheidung von polykristallinem diamant
DE19848022A1 (de) * 1998-10-17 2000-04-20 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
WO2000075955A1 (de) * 1999-06-04 2000-12-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Linear ausgedehnte anordnung zur grossflächigen mikrowellenbehandlung und zur grossflächigen plasmaerzeugung
DE19925493C1 (de) * 1999-06-04 2001-01-18 Fraunhofer Ges Forschung Linear ausgedehnte Anordnung zur großflächigen Mikrowellenbehandlung und zur großflächigen Plasmaerzeugung
US6863773B1 (en) * 1999-06-04 2005-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft Angewandten Forschung E.V. Linearly extended device for large-surface microwave treatment and for large surface plasma production
DE19928876A1 (de) * 1999-06-24 2000-12-28 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung
US7159536B1 (en) 1999-09-14 2007-01-09 Robert Bosch Gmbh Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves
DE19955671A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-31 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
DE19955671B4 (de) * 1999-11-19 2004-07-22 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
US9165748B2 (en) 2000-05-17 2015-10-20 Ihi Corporation Plasma CVD method
US7047903B2 (en) 2001-01-22 2006-05-23 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Method and device for plasma CVD
US7434537B2 (en) 2001-08-07 2008-10-14 Schott Ag Device for the coating of objects
DE102006048814B4 (de) * 2006-10-16 2014-01-16 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte
DE102006048816A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen
DE102006048814A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte
WO2008046551A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-24 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von mikrowellenplasmen hoher leistung
DE102006048815A1 (de) * 2006-10-16 2008-04-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung
DE102006048815B4 (de) * 2006-10-16 2016-03-17 Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung
WO2011064084A1 (de) * 2009-11-11 2011-06-03 Roth & Rau Muegge Gmbh Vorrichtung zur erzeugung von plasma mittels mikrowellen
DE102009044496B4 (de) 2009-11-11 2023-11-02 Muegge Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen
US10290471B2 (en) 2009-11-11 2019-05-14 Muegge Gmbh Device for generating plasma by means of microwaves
CN103003913A (zh) * 2009-11-11 2013-03-27 米格有限责任公司 用于借助微波生成等离子体的装置
CN103003913B (zh) * 2009-11-11 2016-02-24 米格有限责任公司 用于借助微波生成等离子体的装置
US20120031335A1 (en) * 2010-04-30 2012-02-09 Applied Materials, Inc. Vertical inline cvd system
US9324597B2 (en) * 2010-04-30 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Vertical inline CVD system
KR20130126628A (ko) * 2010-11-02 2013-11-20 에이치큐-디일렉트릭스 게엠베하 기판 처리 장치
DE102010050258A1 (de) * 2010-11-02 2012-05-03 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
WO2012059203A1 (de) * 2010-11-02 2012-05-10 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung zum behandeln von substraten
KR101894437B1 (ko) * 2010-11-02 2018-09-05 에이치큐-디일렉트릭스 게엠베하 기판 처리 장치
DE102012013418A1 (de) 2012-07-02 2014-01-02 Sitec Automation Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines skalierbaren linearen Plasmas
ITRM20130158A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-16 Consiglio Nazionale Ricerche Microwave powered lamp
ITRM20130159A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-15 Consiglio Nazionale Ricerche Elongated microwave powered lamp
ITRM20130161A1 (it) * 2013-03-15 2014-09-15 Consiglio Nazionale Ricerche Reinforced microwave powered lamp
WO2014141183A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Consiglio Nazionale Delle Ricerche Elongated microwave powered lamp
WO2014141182A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Consiglio Nazionale Delle Ricerche Microwave powered lamp
WO2014141185A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Consiglio Nazionale Delle Ricerche Reinforced microwave powered lamp
US11823871B2 (en) 2018-03-01 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) processing tool
WO2023172140A1 (en) 2022-03-11 2023-09-14 Leydenjar Technologies B.V. Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
WO2023172141A1 (en) 2022-03-11 2023-09-14 Leydenjar Technologies B.V. Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
NL2031258B1 (en) 2022-03-11 2023-09-19 Leydenjar Tech B V Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
NL2031257B1 (en) 2022-03-11 2023-09-20 Leydenjar Tech B V Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition

Also Published As

Publication number Publication date
DE19628952B4 (de) 2008-06-05
DE19628952A1 (de) 1998-01-22
DE19628954B4 (de) 2009-07-02
DE19628952C5 (de) 2010-11-25
DE19628954A1 (de) 1998-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19503205C1 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
EP2839500B1 (de) Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und verfahren zu deren betrieb
EP2080424B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von mikrowellenplasmen hoher plasmadichte
EP1415321B1 (de) Vorrichtung zum beschichten von gegenständen
DE4132558C1 (de)
EP0509110A1 (de) Bestrahlungseinrichtung
DE4319717A1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen planaren Niedrigdruckplasmas unter Verwendung einer Spule mit deren Achse parallel zu der Oberfläche eines Koppelfensters
EP0511492A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung oder Beschichtung von Substraten
DE2716592B2 (de) Plasma-Ätzvorrichtung
DE2601288B2 (de) Gas-Ätzvorrichtung
DE7228091U (de) Ionenquelle mit hochfrequenz-hohlraumresonator
DE3111305A1 (de) Mikrowellen-entladungs-ionenquelle
EP0916153A1 (de) Vorrichtung zur erzeugung von plasma
EP1291077B1 (de) Mikrowellenreaktor und Verfahren zur Steuerung von Reaktionen von aktivierten Molekülen
EP3740963A1 (de) Mikrowellenplasmavorrichtung
DE4126216B4 (de) Vorrichtung für Dünnschichtverfahren zur Behandlung großflächiger Substrate
EP1291076A2 (de) Pyrolysevorrichtung und Pyrolyseverfahren
DE19801366B4 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
EP1665324B1 (de) Ecr-plasmaquelle mit linearer plasmaaustrittsöffnung
EP2499654A1 (de) Vorrichtung zur erzeugung von plasma mittels mikrowellen
EP0568049B1 (de) Verfahren und Einrichtung zur PECVD-Innenbeschichtung eines Hohlkörpers mittels eines Mikrowellenplasmas
DE4403125A1 (de) Vorrichtung zur Plasmaerzeugung
DE4431785A1 (de) Plasmagerät
EP1063678A2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas in einer Kammer durch Mikrowellenanregung
DE19955671A1 (de) Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8363 Opposition against the patent
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 19628954

Format of ref document f/p: P

Ref country code: DE

Ref document number: 19628949

Format of ref document f/p: P

Ref country code: DE

Ref document number: 19628952

Format of ref document f/p: P

8331 Complete revocation