DE19503205C1 - Device for generating a plasma in low pressure container e.g. for hardware items surface treatment by plasma etching and plasma deposition - Google Patents
Device for generating a plasma in low pressure container e.g. for hardware items surface treatment by plasma etching and plasma depositionInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einem Unterdruckbehälter mit Hilfe von elektromagnetischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolierendem Werkstoff durch den Unterdruckbehälter geführt ist, wobei der Innendurchmesser des Rohres größer als der Durchmesser des Leiters ist, und wobei das Rohr an beiden Enden durch Wände des Unterdruckbehälters gehalten und gegenüber den Wänden an seiner Außenfläche abgedichtet ist.The invention relates to a device for generating Plasma in a vacuum container with the help of alternating electromagnetic fields, being a rod-shaped Conductor inside a pipe made of insulating material is guided through the vacuum tank, the Inner diameter of the tube larger than the diameter of the Conductor, and being the tube at both ends through walls of the vacuum tank held and against the walls its outer surface is sealed.
Vorrichtungen zur Erzeugung von Plasma werden unter anderem benötigt, um mit dem erzeugten Plasma verschiedene Formen der Oberflächenbearbeitung von Werkstücken vorzunehmen, beispielsweise zum Plasma-Ätzen und zur Plasma-Deposition. Zur Bildung des Plasmas, das heißt zur Ionisation des Gases im Unterdruckbehälter werden unter anderem Mikrowellen und andere elektromagnetische Wechselfelder verwendet.Devices for generating plasma are among others needed to use different shapes with the generated plasma carry out the surface processing of workpieces, for example for plasma etching and plasma deposition. To form the plasma, that is, to ionize the gas Microwaves and other alternating electromagnetic fields are used.
Bei einer durch DE 41 36 297 A1 bekanntgewordenen Vorrichtung zur lokalen Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen-Anregung ist in einer Behandlungskammer ein Rohr aus isolierendem Material vorgesehen, das als Begrenzung zum Unterdruckbereich hin wirkt und in dem ein Innenleiter aus Metall verläuft, in den die Mikrowellen von einer Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung eingekoppelt werden. Diese bekannte Vorrichtung nutzt den Effekt aus, daß durch das Leitendwerden des ionisierten Gases an der Außenwand des Führungshohlleiters eine Art Koaxialleitung entsteht, die die Mikrowelle weiterleitet.In one known from DE 41 36 297 A1 Device for the local generation of plasma by means of Microwave excitation is a tube in a treatment chamber made of insulating material that serves as a limitation to Vacuum area acts and in which an inner conductor Metal runs into which the microwaves from one Microwave generating device can be coupled. These Known device takes advantage of the effect that Conduction of the ionized gas on the outer wall of the Guide waveguide creates a kind of coaxial line that forwards the microwave.
Nachteilig bei der bekannten Vorrichtung ist es, daß mit zunehmender Entfernung von demjenigen Rand der Behandlungskammer, an welchem die Mikrowellen eingekoppelt werden, die Energiedichte und damit die Plasmadichte abnimmt. Für die Behandlung von Werkstücken ist jedoch eine möglichst räumlich vorgebbare, beispielsweise homogene, Mindest-Plasmadichte erforderlich. Da ferner die in Form von Mikrowellen zugeführte Leistung nicht beliebig steigerbar ist, kann häufig der gesamte durch die Behandlungskammer gegebene Raum nicht zur Behandlung genutzt werden. Dieses gilt insbesondere bei Werkstücken, die in Durchlaufanlagen auf einem Fließband durch die Behandlungskammer geführt werden.A disadvantage of the known device is that with increasing distance from that edge of the Treatment chamber to which the microwaves are coupled the energy density and thus the plasma density decreases. However, there is one for the treatment of workpieces spatially definable, for example homogeneous, Minimum plasma density required. Furthermore, since in the form of Power supplied to microwaves cannot be increased arbitrarily is often the entire through the treatment chamber given space cannot be used for treatment. This applies particularly to workpieces that are in continuous systems passed through the treatment chamber on a conveyor belt will.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma anzugeben, welche innerhalb eines vorgegebenen Bereichs eine ausreichende Ionisierung aufweist.The object of the present invention is a device to indicate the generation of plasma, which within a sufficient ionization within the predetermined range having.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Leiter an beiden Enden an Quellen zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlossen ist. This object is achieved in that the Conductors at both ends at sources to generate the electromagnetic alternating fields is connected.
Der Abstand zwischen dem Leiter und der Innenfläche des Rohres ist für die Wirkungsweise der Anordnung entscheidend. Durch ihn wird die große axiale Ausdehnung des Plasmas von zum Beispiel 2 in bis 3 m ermöglicht.The distance between the conductor and the inner surface of the Rohres is crucial for the functioning of the arrangement. Through it the large axial expansion of the plasma from for example 2 in up to 3 m.
Vorzugsweise ist die erfindungsgemäße Vorrichtung derart ausgebildet, daß die elektromagnetischen Wechselfelder Mikrowellen sind. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist jedoch auch für Wechselfelder mit niedrigerer Frequenz, beispielsweise 13,45 MHz, geeignet.The device according to the invention is preferably such trained that the alternating electromagnetic fields Microwaves are. The device according to the invention is however also for alternating fields with lower frequency, for example, 13.45 MHz.
Durch die Zuführung von Energie von beiden Enden kann der bei der bekannten Vorrichtung auftretende Abfall des Ionisationsgrades in Längsrichtung des Leiters ausgeglichen werden. Bei gleicher Intensität der zugeführten Wechselfelder verdoppelt sich die Gesamtleistung, ohne daß die Einführungsbereiche an den Wänden des Unterdruckbehälters übermäßig belastet werden. Außerdem hat die erfindungsgemäße Vorrichtung den Vorteil, daß das Rohr an beiden Enden und damit stabiler gelagert ist. Ferner ist eine leichte Montage und Demontage gegeben, wodurch die Wartung erleichtert wird.By supplying energy from both ends, the waste occurring in the known device Degree of ionization in the longitudinal direction of the conductor balanced will. With the same intensity of the supplied Alternating fields double the total output without the lead-in areas on the walls of the Vacuum container are excessively loaded. Also has the device according to the invention has the advantage that the tube is stored at both ends and thus more stable. Further is given an easy assembly and disassembly, making the Maintenance is made easier.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß die Quellen von je einem Generator gebildet werden. Dabei kann vorgesehen sein, daß die abgegebene Leistung der Generatoren unabhängig voneinander steuerbar ist. Dadurch läßt sich außer einem weitgehend homogenen Verlauf der Plasmadichte ein davon abweichender Verlauf einstellen, beispielsweise eine mehr oder weniger starke etwa lineare Zunahme von einem Ende zum anderen Ende des Unterdruckbehälters oder eine Absenkung oder Erhöhung im mittleren Teil. An advantageous embodiment of the invention Device is that the sources of one Generator are formed. It can be provided that the output of the generators independently is controllable from each other. This allows you to save one largely homogeneous course of the plasma density one of them set a different course, for example one more or less strong about linear increase from end to end other end of the vacuum tank or a lowering or increase in the middle part.
Bei dem Betrieb der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Bildung von stehenden Wellen nicht ausgeschlossen, so daß an der Oberfläche des Rohres Stellen mit geringerer und höherer Plasmadichte entstehen. Da sich jedoch aufgrund der thermischen Bewegung der Ionen im zunehmenden Abstand vom Rohr diese Unterschiede ausgleichen, sind für viele Anwendungen keine besonderen Maßnahmen erforderlich. Für Anwendungen, bei denen die stehenden Wellen stören, können sie durch Weiterbildungen der Erfindung dadurch vermieden werden, daß die Generatoren derart pulsierend betrieben werden, daß abwechselnd nur jeweils einer der Generatoren das Wechselfeld erzeugt oder daß die Phasenlage der von den Generatoren erzeugten Mikrowellen unterschiedlich variiert wird.In the operation of the device according to the invention Formation of standing waves not excluded, so that at the surface of the pipe places with lower and higher Plasma density is created. However, because of the thermal movement of the ions with increasing distance from Rohr compensate for these differences, for many Applications no special measures required. For Applications in which the standing waves can interfere thus avoided by further developments of the invention be that the generators operate in such a pulsating manner be that only one alternator at a time the alternating field generated or that the phase position of that of the Generators of microwaves vary in different ways becomes.
Eine andere vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß die Generatoren unmittelbar an den Leiter angekoppelt sind. Dabei konnte festgestellt werden, daß das Eintreffen der Mikrowellen vom jeweils anderen Generator bei den meisten Generatoren keine störende Wirkung zur Folge hat.Another advantageous embodiment of the invention Device is that the generators immediately are coupled to the conductor. It was found be that the arrival of the microwaves from each other generator with most generators not a nuisance Effect.
Gemäß anderen vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung kann auch vorgesehen sein, daß die Generatoren über einen Zirkulator oder über ein Hohlleitersystem an den Leiter angekoppelt sind.According to other advantageous embodiments of the invention can also be provided that the generators over a Circulator or via a waveguide system to the conductor are coupled.
Eine andere Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, daß beide Quellen von einem einzigen Generator gespeist werden, der über geeignete Leitungen mit den Enden des Leiters verbunden ist. Diese Weiterbildung kann bei Anwendungsfällen vorteilhaft sein, bei denen eine getrennte Steuerung der Generatoren nicht erforderlich ist und bei denen durch die Anwendung nur eines Generators und des zugehörigen Betriebsgerätes trotz der zusätzlichen Leitungen Ersparnisse eintreten. Another development of the device according to the invention is that both sources are from one Generator are fed with the appropriate lines the ends of the conductor is connected. This training can be advantageous in applications where a separate control of the generators is not required and where by using only one generator and of the associated control gear despite the additional Line savings occur.
Durch die Bildung des Plasmas im Umgebungsbereich des Rohres wird dem Rohr eine erhebliche Wärmemenge zugeführt. Eine ausgezeichnete Kühlung des Rohres wird bei einer anderen Weiterbildung der Erfindung dadurch erzielt, daß Mittel zur Leitung eines Kühlmittelstroms, vorzugsweise eines Luftstroms, durch das Rohr vorgesehen sind. Durch die ausgezeichnete Kühlung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist eine Leistungssteigerung möglich.Through the formation of the plasma in the area surrounding the pipe a considerable amount of heat is supplied to the tube. A excellent cooling of the tube is used in another Development of the invention achieved in that means for Conduction of a coolant flow, preferably one Air flow through the pipe are provided. Through the excellent cooling of the device according to the invention an increase in performance possible.
Durch die Abnahme der Plasmadichte in Richtung des Leiters bei der bekannten Vorrichtung ist eine Regelung oder Steuerung der Leistung stets mit einer Größenänderung desjenigen Bereichs verbunden, in welchem die Plasmadichte eine für die jeweilige Behandlung ausreichendende Größe aufweist. Dieser unerwünschte Effekt tritt bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht ein, so daß bei einer anderen Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung vorgesehen ist, daß die abgegebene Leistung der Quellen als Funktion der Dichte des erzeugten Plasmas regelbar ist. Geeignete Sensoren zur Messung der Plasmadichte, beispielsweise Plasmasonden, Interferometer und Strahlungssensoren, und geeignete Regelschaltungen sind an sich bekannt. Ferner kann vorgesehen sein, daß die abgegebene Leistung der Quellen als Funktion der Ausmaße des in den Unterdruckbehälter eingebrachten Gutes steuerbar ist.By decreasing the plasma density towards the conductor in the known device is a regulation or Control of performance always with a change in size of the area in which the plasma density a size sufficient for the respective treatment having. This undesirable effect occurs in the Device according to the invention is not a, so that at a another development of the device according to the invention it is envisaged that the output of the sources as Function of the density of the plasma generated is adjustable. Suitable sensors for measuring the plasma density, for example plasma probes, interferometers and Radiation sensors and suitable control circuits are on known. It can also be provided that the power output of the sources as a function of the dimensions of the good brought into the vacuum container is controllable.
Eine flächig homogene Behandlung mit Hilfe des Plasmas kann ferner dadurch erzielt werden, daß mehrere aus je einem stabförmigen Leiter und einem Rohr bestehende Vorrichtungen in dem Unterdruckbehälter angeordnet sind. Diese bietet insbesondere bei Durchlaufanlagen Vorteile. Hierbei können die Enden der Leiter von jeweils einem Generator gespeist werden. Es ist jedoch auch möglich, die auf einer Seite des Unterdruckbehälters liegenden Enden oder Gruppen von diesen oder mehrere gegenüberliegende Enden aus einem gemeinsamen Generator zu speisen.A flat homogeneous treatment with the help of the plasma can can also be achieved in that several of each rod-shaped conductor and a tube existing devices are arranged in the vacuum container. This offers Advantages especially in continuous systems. Here you can the ends of the conductors are fed by one generator each will. However, it is also possible that on one side of the Vacuum container lying ends or groups of these or several opposite ends from a common one Feed generator.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann auch derart ausgestaltet sein, daß die Wände des Unterdruckbehälters mindestens teilweise aus UV-durchlässigem Werkstoff, beispielsweise Spezialglas, Quarz, bestehen. Diese Ausgestaltung bildet eine besonders günstige flächenhafte Quelle für UV-Strahlung. Diese kann beispielsweise zum beschleunigten Aushärten von Kunststoffen oder für eine keimtötende Bestrahlung verwendet werden.The device according to the invention can also be used in this way be designed that the walls of the vacuum container at least partially made of UV-permeable material, for example special glass, quartz. These Design forms a particularly favorable area Source of UV radiation. This can, for example accelerated curing of plastics or for a germicidal radiation can be used.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform dieser Ausgestaltung ist vorgesehen, daß die Wände des Unterdruckbehälters aus einem äußeren Rohr, das mit Endscheiben verschmolzen ist, bestehen, wobei wiederum die Endscheiben mit dem Rohr, das den Leiter umgibt, verschmolzen sind und das äußere Rohr, die Endscheiben und das den Leiter umgebende Rohr aus einem im wesentlichen gleichen Werkstoff bestehen. Diese Ausführungsform kann mit in der Glastechnik bewährten Verfahren aus einem UV-durchlässigen Glas, beispielsweise Quarzglas, hergestellt werden und hat beispielsweise den Vorteil, daß der Unterdruckbehälter keine kritischen Durchführungen von Elektroden und keine sich möglicherweise abnutzenden Teile im Inneren aufweist.In an advantageous embodiment of this embodiment it is provided that the walls of the vacuum container an outer tube that is fused with end plates, consist, in turn, the end plates with the tube, the surrounds the conductor, are fused and the outer tube, the end plates and the tube surrounding the conductor from one consist essentially of the same material. These Embodiment can be tried and tested in glass technology Process from a UV-permeable glass, for example Quartz glass, are produced and has, for example Advantage that the vacuum tank is not critical Leadthroughs of electrodes and none may be has worn parts inside.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung anhand mehrerer Figuren dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt:An embodiment of the invention is in the drawing represented with several figures and in the following Description explained in more detail. It shows:
Fig. 1 eine schematische Darstellung des Ausführungsbeispiels und Fig. 1 is a schematic representation of the embodiment and
Fig. 2 ein Teil des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 in detaillierterer Darstellung. Fig. 2 shows a part of the embodiment of FIG. 1 in more detail.
Gleiche Teile sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.Identical parts are given the same reference symbols in the figures Mistake.
Die in Fig. 1 dargestellte erfindungsgemäße Vorrichtung umfaßt einen Unterdruckbehälter 1, von dem lediglich zwei Wände 2, 3 dargestellt sind. In den Seitenwänden 2, 3 ist ein Glasrohr 4 gelagert, in dem sich ein stabförmiger Leiter 5 befindet. An beiden Enden des stabförmigen Leiters 5 sind Mikrowellen-Generatoren 6, 7 angeordnet, die von jeweils einem Betriebsgerät mit steuerbarer Leistung versorgt werden. Im Inneren des Glasrohres 4 herrscht Normaldruck.The device according to the invention shown in Fig. 1 comprises a vacuum container 1 , of which only two walls 2 , 3 are shown. A glass tube 4 , in which a rod-shaped conductor 5 is located, is mounted in the side walls 2 , 3 . At both ends of the rod-shaped conductor 5 , microwave generators 6 , 7 are arranged, each of which is supplied with controllable power by an operating device. Normal pressure prevails inside the glass tube 4 .
Das Glasrohr 4 ist an den Führungen durch die Wände 2, 3 abgedichtet, damit in den Unterdruckbehälter 1 an diesen Stellen keine Außenluft eindringen kann. Häufig wird im Unterdruckbehälter 1 mit einem Druck von 1 mbar gearbeitet. Je nach Größe der zu behandelnden Werkstücke bzw. nach der Anzahl der gleichzeitig zu behandelnden Werkstücke kann der Unterdruckbehälter, im folgenden auch Reaktionskammer genannt, eine Breite bis zu mehreren Metern aufweisen mit einer entsprechenden Länge des Glasrohres 4. Die Durchmesser des Leiters 5 und des Glasrohres 4 werden je nach Auslegung der Anordnung in Abhängigkeit von der anzuwendenden Mikrowellenleistung gewählt, um einerseits eine Zündung in der Atmosphäre mit Normaldruck im Innenbereich des Glasrohres zu vermeiden und um andererseits eine Zündung des Plasmas im Unterdruckbereich zu gewährleisten.The glass tube 4 is sealed on the guides through the walls 2 , 3 so that no outside air can penetrate into the vacuum container 1 at these points. A pressure of 1 mbar is often used in the vacuum container 1 . Depending on the size of the workpieces to be treated or on the number of workpieces to be treated at the same time, the vacuum container, also referred to below as the reaction chamber, can have a width of up to several meters with a corresponding length of the glass tube 4 . The diameter of the conductor 5 and the glass tube 4 are chosen depending on the design of the arrangement depending on the microwave power to be used, on the one hand to avoid ignition in the atmosphere with normal pressure in the interior of the glass tube and on the other hand to ensure ignition of the plasma in the vacuum region.
Wird beispielsweise die Leistung der Mikrowellen-Generatoren 6, 7 derart eingestellt, daß die von jeweils einem der Mikrowellen-Generatoren bewirkte Plasmadichte von der am jeweiligen Mikrowellen-Generator befindlichen Wand bis zur anderen Wand etwa linear auf 0 abnimmt, so erhält man bei gleicher Leistung beider Mikrowellen-Generatoren eine im wesentlichen über die Breite der Reaktionskammer konstante Plasmadichte. Wird die Leistung eines der Generatoren darüberhinaus erhöht, steigt die Plasmadichte in Richtung auf diesen Generator an.If, for example, the power of the microwave generators 6 , 7 is set such that the plasma density caused by one of the microwave generators in each case decreases approximately linearly from the wall located on the respective microwave generator to the other wall, the result is the same power both microwave generators have a plasma density that is essentially constant over the width of the reaction chamber. If the output of one of the generators is also increased, the plasma density increases in the direction of this generator.
Da die Leistung unter anderem durch die thermische Wirkung des Plasmas in der Nähe des Glasrohres 4 insbesondere in der Nähe des jeweiligen Mikrowellen-Generators 6, 7 begrenzt ist, kann durch die Verwendung beider gegenüberliegender Mikrowellen-Generatoren auch die Gesamtleistung gegenüber der bekannten Vorrichtung gesteigert werden.Since the power is limited, inter alia, by the thermal effect of the plasma in the vicinity of the glass tube 4, in particular in the vicinity of the respective microwave generator 6 , 7 , the use of both opposite microwave generators can also increase the overall power compared to the known device .
Fig. 2 zeigt ein Detail der schematisch dargestellten Anordnung nach Fig. 1 im Bereich der Durchführung des Glasrohres 4 durch die Wand 3. In dem Glasrohr 4 ist ein Kupferrohr 10 gelagert, das die Bildung von Plasma in der Nähe der Wand 3 verhindert. Damit werden Verluste vermieden, die durch Entladen der soeben erzeugten Ionen an der Wand 3 entstehen würden. Außerdem dient das Kupferrohr 10 zum Anschluß des in Fig. 2 nicht dargestellten Mikrowellen-Generators. FIG. 2 shows a detail of the schematically represented arrangement according to FIG. 1 in the area of the passage of the glass tube 4 through the wall 3 . A copper tube 10 is mounted in the glass tube 4 , which prevents the formation of plasma in the vicinity of the wall 3 . This avoids losses that would result from discharging the ions just generated on the wall 3 . In addition, the copper tube 10 serves to connect the microwave generator, not shown in FIG. 2.
Ein Dichtflansch 11, der mit lediglich angedeuteten Schrauben mit der Wand 3 verbunden ist, dient zur Abdichtung zwischen dem Glasrohr 4 und der Wand 3 mit Hilfe eines Dichtringes 12. Außerdem bildet der Flansch 11 eine Kammer 13 zur Zuführung von Kühlluft. Diese wird in Pfeilrichtung mit Hilfe eines nicht dargestellten Rohres oder Schlauchs zugeleitet, gelangt durch Löcher 14 in das Innere des Kupferrohres 10 und durchströmt das Kupferrohr 10 und das Glasrohr 4 in Pfeilrichtung. Am anderen Ende des Glasrohres 4 befindet sich ebenfalls ein Kupferrohr und eine ähnliche Anordnung, die das Austreten der Luft gewährleistet. Der in Fig. 2 dargestellte Dichtflansch 11 ist eine mögliche Ausführung des Endflansches. Andere Ausführungen können zum Beispiel unter Verwendung von modifizierten Bauteilen der Vakuumtechnik hergestellt werden.A sealing flange 11 , which is connected to the wall 3 with only indicated screws, serves for sealing between the glass tube 4 and the wall 3 with the aid of a sealing ring 12 . In addition, the flange 11 forms a chamber 13 for supplying cooling air. This is fed in the direction of the arrow with the aid of a tube or hose, not shown, passes through holes 14 into the interior of the copper tube 10 and flows through the copper tube 10 and the glass tube 4 in the direction of the arrow. At the other end of the glass tube 4 there is also a copper tube and a similar arrangement which ensures that the air escapes. The sealing flange 11 shown in FIG. 2 is a possible embodiment of the end flange. Other designs can be manufactured, for example, using modified vacuum technology components.
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Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19722272A1 (en) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Device for generating plasma |
DE19739894A1 (en) * | 1997-09-11 | 1999-03-25 | Muegge Electronic Gmbh | Plasma workpiece treatment arrangement for surface processing |
DE19801366A1 (en) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Leybold Systems Gmbh | Plasma production arrangement |
DE19812558A1 (en) * | 1998-03-21 | 1999-09-30 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Producing linearly-expanded ECR plasma |
EP0961528A2 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Leybold Systems GmbH | Device for plasma generation |
DE19825125A1 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Device for generating plasma |
DE19841777C1 (en) * | 1998-09-12 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Apparatus for plasma-technological precipitation of polycrystalline diamond on substrates with large plane areas |
DE19848022A1 (en) * | 1998-10-17 | 2000-04-20 | Leybold Systems Gmbh | Plasma generator has conductor fed through vacuum chamber in insulating tube of greater diameter, with tube ends sealed with respect to chamber walls, and conductor ends connected to AC field source |
WO2000075955A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Linearly extended device for large-surface microwave treatment and for large surface plasma production |
DE19928876A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Leybold Systems Gmbh | Device for locally generating a plasma in a treatment chamber by means of microwave excitation |
DE19955671A1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating plasma in treatment chamber has dividing plate between treatment chamber, antenna chamber in which plasma is not generated owing to higher pressure/gas filling |
US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
DE102006048815A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high power microwave plasmas |
DE102006048814A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high plasma density microwave plasmas |
DE102006048816A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for local generation of microwave plasmas |
US7434537B2 (en) | 2001-08-07 | 2008-10-14 | Schott Ag | Device for the coating of objects |
DE19628952C5 (en) * | 1995-02-02 | 2010-11-25 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating plasma |
WO2011064084A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-06-03 | Roth & Rau Muegge Gmbh | Device for generating plasma by means of microwaves |
US20120031335A1 (en) * | 2010-04-30 | 2012-02-09 | Applied Materials, Inc. | Vertical inline cvd system |
DE102010050258A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Apparatus for treating substrates |
DE102012013418A1 (en) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Sitec Automation Gmbh | Generating device i.e. plasma-jet source, for generating scalable linear plasma in e.g. vacuum atmospheric pressures, has plasma reactor comprising contour with side surfaces, and slot antennas arranged along longitudinal axis of reactor |
ITRM20130159A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-15 | Consiglio Nazionale Ricerche | ELONGATED MICROWAVE POWERED LAMP |
ITRM20130161A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-15 | Consiglio Nazionale Ricerche | REINFORCED MICROWAVE POWERED LAMP |
ITRM20130158A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Consiglio Nazionale Ricerche | MICROWAVE POWERED LAMP |
US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
WO2023172140A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
US11823871B2 (en) | 2018-03-01 | 2023-11-21 | Applied Materials, Inc. | Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) processing tool |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006012100B3 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Apparatus for generating a plasma jet |
DE102008009624A1 (en) * | 2008-02-18 | 2009-08-20 | Cs Clean Systems Ag | Method and device for cleaning the exhaust gases of a process plant |
DE102008036766B4 (en) | 2008-08-07 | 2013-08-01 | Alexander Gschwandtner | Apparatus and method for generating dielectric layers in microwave plasma |
DE102009057375B3 (en) * | 2009-12-09 | 2011-05-26 | Roth & Rau Ag | ECR plasma source with a coating protection and application of the coating protection |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136297A1 (en) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Localised plasma prodn. in treatment chamber - using microwave generator connected to coupling device which passes through the wall of the chamber without using a coupling window |
DE3933619C2 (en) * | 1989-10-07 | 1993-12-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Devices for the electrical excitation of a gas with microwave energy |
DE4322608A1 (en) * | 1993-07-07 | 1995-01-19 | Fraunhofer Ges Forschung | Device for power modulation during plasma excitation, preferably during use of gas lasers |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4566403A (en) * | 1985-01-30 | 1986-01-28 | Sovonics Solar Systems | Apparatus for microwave glow discharge deposition |
DE3708717A1 (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-29 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING SOLID BODY SURFACES BY PARTICLE Bombardment |
DE3926023A1 (en) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | CVD COATING METHOD FOR PRODUCING LAYERS AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD |
GB8922602D0 (en) * | 1989-10-06 | 1989-11-22 | British Aerospace | A surface discharge plasma cathode electron beam generating assembly |
US5230740A (en) * | 1991-12-17 | 1993-07-27 | Crystallume | Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric |
US5361274A (en) * | 1992-03-12 | 1994-11-01 | Fusion Systems Corp. | Microwave discharge device with TMNMO cavity |
DE19503205C1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating a plasma in low pressure container e.g. for hardware items surface treatment by plasma etching and plasma deposition |
DE19654909A1 (en) * | 1996-03-08 | 1997-11-13 | Daimler Benz Ag | Magneto-optical current sensor, especially for high voltage systems |
-
1995
- 1995-02-02 DE DE1995103205 patent/DE19503205C1/en not_active Revoked
-
1996
- 1996-07-18 DE DE1996128952 patent/DE19628952C5/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-18 DE DE1996128954 patent/DE19628954B4/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3933619C2 (en) * | 1989-10-07 | 1993-12-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Devices for the electrical excitation of a gas with microwave energy |
DE4136297A1 (en) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Localised plasma prodn. in treatment chamber - using microwave generator connected to coupling device which passes through the wall of the chamber without using a coupling window |
DE4322608A1 (en) * | 1993-07-07 | 1995-01-19 | Fraunhofer Ges Forschung | Device for power modulation during plasma excitation, preferably during use of gas lasers |
Cited By (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19628952C5 (en) * | 1995-02-02 | 2010-11-25 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating plasma |
DE19722272A1 (en) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Device for generating plasma |
WO1998054748A1 (en) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Device for producing plasma |
DE19739894A1 (en) * | 1997-09-11 | 1999-03-25 | Muegge Electronic Gmbh | Plasma workpiece treatment arrangement for surface processing |
DE19739894C2 (en) * | 1997-09-11 | 2001-07-05 | Muegge Electronic Gmbh | Plasma treatment device |
DE19801366A1 (en) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Leybold Systems Gmbh | Plasma production arrangement |
DE19801366B4 (en) * | 1998-01-16 | 2008-07-03 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Device for generating plasma |
DE19812558A1 (en) * | 1998-03-21 | 1999-09-30 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Producing linearly-expanded ECR plasma |
DE19824077A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-02 | Leybold Systems Gmbh | Device for generating plasma |
EP0961528A2 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Leybold Systems GmbH | Device for plasma generation |
EP0961528A3 (en) * | 1998-05-29 | 2003-08-13 | Leybold Systems GmbH | Device for plasma generation |
DE19825125A1 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Device for generating plasma |
EP0963141B1 (en) * | 1998-06-05 | 2010-06-16 | Oerlikon Deutschland Holding GmbH | Device for plasma generation |
DE19841777C1 (en) * | 1998-09-12 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Apparatus for plasma-technological precipitation of polycrystalline diamond on substrates with large plane areas |
WO2000016374A1 (en) * | 1998-09-12 | 2000-03-23 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag | Device for the plasma deposition of a polycrystalline diamond |
DE19848022A1 (en) * | 1998-10-17 | 2000-04-20 | Leybold Systems Gmbh | Plasma generator has conductor fed through vacuum chamber in insulating tube of greater diameter, with tube ends sealed with respect to chamber walls, and conductor ends connected to AC field source |
WO2000075955A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Linearly extended device for large-surface microwave treatment and for large surface plasma production |
DE19925493C1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-01-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Linearly extended arrangement for large-area microwave treatment and for large-area plasma generation |
US6863773B1 (en) * | 1999-06-04 | 2005-03-08 | Fraunhofer-Gesellschaft Angewandten Forschung E.V. | Linearly extended device for large-surface microwave treatment and for large surface plasma production |
DE19928876A1 (en) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Leybold Systems Gmbh | Device for locally generating a plasma in a treatment chamber by means of microwave excitation |
US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
DE19955671A1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating plasma in treatment chamber has dividing plate between treatment chamber, antenna chamber in which plasma is not generated owing to higher pressure/gas filling |
DE19955671B4 (en) * | 1999-11-19 | 2004-07-22 | Muegge Electronic Gmbh | Device for generating plasma |
US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
US7434537B2 (en) | 2001-08-07 | 2008-10-14 | Schott Ag | Device for the coating of objects |
DE102006048814B4 (en) * | 2006-10-16 | 2014-01-16 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high plasma density microwave plasmas |
DE102006048815A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high power microwave plasmas |
DE102006048816A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for local generation of microwave plasmas |
WO2008046551A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Device and method for producing high power microwave plasma |
DE102006048814A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high plasma density microwave plasmas |
DE102006048815B4 (en) * | 2006-10-16 | 2016-03-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Apparatus and method for generating high power microwave plasmas |
WO2011064084A1 (en) * | 2009-11-11 | 2011-06-03 | Roth & Rau Muegge Gmbh | Device for generating plasma by means of microwaves |
DE102009044496B4 (en) | 2009-11-11 | 2023-11-02 | Muegge Gmbh | Device for generating plasma using microwaves |
US10290471B2 (en) | 2009-11-11 | 2019-05-14 | Muegge Gmbh | Device for generating plasma by means of microwaves |
CN103003913A (en) * | 2009-11-11 | 2013-03-27 | 米格有限责任公司 | Device for generating plasma by means of microwaves |
CN103003913B (en) * | 2009-11-11 | 2016-02-24 | 米格有限责任公司 | Device for generating plasma by means of microwaves |
US20120031335A1 (en) * | 2010-04-30 | 2012-02-09 | Applied Materials, Inc. | Vertical inline cvd system |
US9324597B2 (en) * | 2010-04-30 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Vertical inline CVD system |
KR20130126628A (en) * | 2010-11-02 | 2013-11-20 | 에이치큐-디일렉트릭스 게엠베하 | Apparatus for treatment of substrates |
DE102010050258A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Hq-Dielectrics Gmbh | Apparatus for treating substrates |
WO2012059203A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Hq-Dielectrics Gmbh | Apparatus for treatment of substrates |
KR101894437B1 (en) * | 2010-11-02 | 2018-09-05 | 에이치큐-디일렉트릭스 게엠베하 | Apparatus for treatment of substrates |
DE102012013418A1 (en) | 2012-07-02 | 2014-01-02 | Sitec Automation Gmbh | Generating device i.e. plasma-jet source, for generating scalable linear plasma in e.g. vacuum atmospheric pressures, has plasma reactor comprising contour with side surfaces, and slot antennas arranged along longitudinal axis of reactor |
ITRM20130158A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Consiglio Nazionale Ricerche | MICROWAVE POWERED LAMP |
ITRM20130159A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-15 | Consiglio Nazionale Ricerche | ELONGATED MICROWAVE POWERED LAMP |
ITRM20130161A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-15 | Consiglio Nazionale Ricerche | REINFORCED MICROWAVE POWERED LAMP |
WO2014141182A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Microwave powered lamp |
WO2014141183A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Elongated microwave powered lamp |
WO2014141185A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Reinforced microwave powered lamp |
US11823871B2 (en) | 2018-03-01 | 2023-11-21 | Applied Materials, Inc. | Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) processing tool |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
WO2023172140A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
NL2031258B1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-19 | Leydenjar Tech B V | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
NL2031257B1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-20 | Leydenjar Tech B V | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19628954A1 (en) | 1998-01-22 |
DE19628952C5 (en) | 2010-11-25 |
DE19628952B4 (en) | 2008-06-05 |
DE19628954B4 (en) | 2009-07-02 |
DE19628952A1 (en) | 1998-01-22 |
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