DE1949645A1 - Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen - Google Patents
Vorrichtung zur Erzeugung von MikrowellenInfo
- Publication number
- DE1949645A1 DE1949645A1 DE19691949645 DE1949645A DE1949645A1 DE 1949645 A1 DE1949645 A1 DE 1949645A1 DE 19691949645 DE19691949645 DE 19691949645 DE 1949645 A DE1949645 A DE 1949645A DE 1949645 A1 DE1949645 A1 DE 1949645A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- variable reactance
- resonator
- variable
- reactance element
- excitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 14
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/02—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a frequency discriminator comprising a passive frequency-determining element
- H03L7/04—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a frequency discriminator comprising a passive frequency-determining element wherein the frequency-determining element comprises distributed inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/141—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance and comprising a voltage sensitive element, e.g. varactor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0068—Frequency or FM detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung
von Mikrowellen, und insbesondere solche Vorrichtungen, mit denen gesteuerte Mikrowellenausgänge erzeugt werden können.
Bisher wurde die Frequenzsteuerung des durch ein Mikrowellen erzeugendes Element, wie etwa eine Avalanchediode, erzeugten
Ausganges durch eine mechanische Einrichtung vorgenommen. Dies geschah dadurch, daß an einem Ende eines Hohlraumresonators,
in dem ein Mikrowellen erzeugendes Element, wie etwa eine oben erwähnte Vorrichtung, angeordnet ist, ein beweglicher Kurzschlußkolben
vorgesehen wird, und daß dieser Kolben so einge-
009818/1206
stellt wird, daß ein Ausgang erzeugt wird, der in Resonanz mit
dem Resonator ist, und dieser so erzeugte Ausgang wird sodann
durch einen Wellenleiter zu einem Verbraucherendabschnitt geführt. Diese Art der Steuerung eines Mikrowellenausganges, bei dem die Steuerung mechanisch ausgeführt wird, ist nur schlecht durchführbar, und es ist äußerst mühsam, eine Feineinstellung zu erreichen.
durch einen Wellenleiter zu einem Verbraucherendabschnitt geführt. Diese Art der Steuerung eines Mikrowellenausganges, bei dem die Steuerung mechanisch ausgeführt wird, ist nur schlecht durchführbar, und es ist äußerst mühsam, eine Feineinstellung zu erreichen.
Ein anderer Weg, die Frequenz und/oder die Amplitude eines Mikrowellenausgangs
zu steuern, wie er von einem gewöhnlichen
Pestkörperelement, wie etwa .einer üblicherweise verwandten
Avalanchediode, abgegeben wird, besteht darin, daß ein Wechselspannungs- oder ein G-leichspannungssteuersignal direkt auf die Diode gegeben wird, um dadurch den Arbeitspunkt der Diode selbst zu verändern, um hierdurch die Frequenzmodulation zu bewirken. Bei dieser Art von Modulation besteht jedoch die öefahr, daß
in dem Element ein thermischer Durchbruch auftritt, der auf eine übermäßige leistung zurückzuführen ist, die durch ein Modulationssignal erzeugt wird.
Pestkörperelement, wie etwa .einer üblicherweise verwandten
Avalanchediode, abgegeben wird, besteht darin, daß ein Wechselspannungs- oder ein G-leichspannungssteuersignal direkt auf die Diode gegeben wird, um dadurch den Arbeitspunkt der Diode selbst zu verändern, um hierdurch die Frequenzmodulation zu bewirken. Bei dieser Art von Modulation besteht jedoch die öefahr, daß
in dem Element ein thermischer Durchbruch auftritt, der auf eine übermäßige leistung zurückzuführen ist, die durch ein Modulationssignal erzeugt wird.
Die vorliegende Erfindung bezweckt deshalb, eine Vorrichtung
zur Erzeugung von Mikrowellen anzugeben, die frei von den oben erwähnten Nachteilen ist,
zur Erzeugung von Mikrowellen anzugeben, die frei von den oben erwähnten Nachteilen ist,
009810/1206
Die vorliegende Erfindung bezweckt weiterhin, eine Vorrichtung zur Erzeugung von gesteuerten Mikrowellen anzugeben, ohne den
Arbeitspunkt eines Erzeugungselementes zu verändern.
Dies wird gemäß der Erfindung durch eine Vorrichtung erreicht, die sich auszeichnet durch einen Hohlraumresonator, ein erzeugendes
Element, das in dem Hohlraumresonator angeordnet ist, durch ein veränderliches Reaktanzelement, das in der Nähe des
erzeugenden Elementes in dem Hohlraumresonator angeordnet ist/
und durch eine Einrichtung, um ein Steuersignal auf das veränderliche Reaktanzelement zu geben. Die Anordnung des veränderlichen
Reaktanzelementes sollte so sein, daß, wenn sich das veränderliche Reaktanzelement in dem Resonator auf einer
Seite des erzeugenden Elementes liegt, auf der ein Verbraucher angeordnet ist, das Reaktanzelement in einem Abstand von dem
erzeugenden Element liegt, der so groß wie zwei Wellenlängen einer von der Vorrichtung zu erzeugenden Mikrowelle ist, während,
wenn das veränderliche Reaktanzelement auf der entgegengesetzten Seite des erzeugenden Elementes in dem Resonator
liegt, das Reaktanzelement zwischen dem erzeugenden Element und einem Kurzschlußkolben liegen soll. Durch die erfindungsgemäße
Vorrichtung kann durch den Betrieb des veränderlichen Reaktanzelementes ein gesteuerter Mikrowellenausgang erhalten
werden, der in Resonanz mit dem Resonator ist.
009818/120$
Im folgenden soll die Erfindung näher anhand eines in der
Zeichnung dargestellten vorzugsweisen Ausführungsbeispiels erläutert werden. In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 ein Blockschaltbild, das ein Beispiel für die Vorrichtung
zur Erzeugung von Mikrowellen ebenso wie ein Beispiel für die Anwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung darstellt; und
Pig. 2 eine graphische Darstellung, in der eine charakteristische
Kurve eines veränderlichen Reaktanzelementes dargestellt i3t, das in der in Pig. 1 gezeigten Vorrichtung verwandt werden
kann.
In Pig. 1 ist eine vorzugsweise Ausfuhrungsform der vorliegenden
Erfindung dargestellt. In Pig. 1 sind in einem Hohlraumresonator 1 ein Mikrowellen erzeugendes Element 2, z.B. eine
Avalanchediode, und ein veränderliches Reaktanzelement 3, z.B. eine veränderliche Kapazitätsdiode, die als Varaktor bekannt
ist, in der Nähe der Avalanchediode 2 angeordnet. Pur die Avalanchediode 2 und das veränderliche Reaktanzelement 3 sind
jeweils getrennte Gleichspannungsquellen 4 bzw. 5 vorgesehen. An einem Ende des Hohlraumresonators 1 ist ein veränderlicher
Kurzschlußkolben 6 angeordnet. Während des Betriebes wird der
Kurzschlußkolben 6 verschoben, um den wirksamen Hohlraum des
0098 18/1206
Resonators 1 einzustellen, und indem die an das veränderliche Reaktanzelement 3 angelegte Vorspannung auf einen geeigneten
Wert eingestellt wird, kann die Vorrichtung auf eine gewünschte Frequenz abgestimmt werden. D.h., wenn an die Avalanchediode
eine Vorspannung durch die Gleichspannungsquelle 4 angelegt und in einen Mikrowellen erzeugenden Zustand gebracht wird, wird
eine vorbestimmte Mikrowelle erzeugt. Die Frequenz der Schwingung kann lediglich dadurch geändert werden, daß die Vorspannung
geändert wird, die an das veränderliche Reaktanzelement angelegt ist. Somit wird bei der vorliegenden Erfindung die
Abstimmung des Hohlraumresonators 1 elektrisch durch das veränderliche Reaktanzelement 3 ausgeführt, während die Abstimmung
bei den bisher bekannten Vorrichtungen meist mechanisch durch den Kurzschlußkolben 6 vorgenommen wurde.
Das veränderliche Reaktanzelement 3 kann eine bekannte veränderliche
Kapazitätscharakteristik aufweisen, die von der Spannung V abhängt, die an den p-n Übergang des veränderlichen Reaktanzelementes
3 angelegt wird, wobei die Änderung der Kapazität C des Elementes von einigen Picofarad bis 10 Picofaiad reichen
kann, wie es in Fig. 2 gezeigt ist. Aus diesem Grunde ist eine
elektrische Einstellung der Abstimmfrequenz des Resonators durch die veränderliche Kapazitätscharakteristik des Elementes
3, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist, möglich, wenn das veränder-
009818/12QS .
-·■·■■·■-■■ ■: - · ■..;■:.■ - .. _ , Ai* s ν
liehe Reaktanzelement 3 mit dem Mikrowellen erzeugenden Element
2 in den Resonator 1 eingebaut wird und die Gleichspannung der Spannungsquelle 5 geeignet eingestellt wird.
Es wurde festgestellt, daß die Anordnung des veränderlichen Reaktanzelementes 3 in Bezug auf das Mikrowellen erzeugende
Element 2 in dem Hohlraumresonator so getroffen werden sollte, daß sich das veränderliche Reaktanzelement 3 in einem Abstand
in der Größe von 2 Wellenlängen der durch die Vorrichtung erzeugten Mikrowelle befindet, wenn dieser Abstand von dem Element
2 gegen den Verbraucher hin gemessen wird, oder daß das veränderliche Reaktanzelement 3 zwischen dem Element 2 und der
Endwand oder dem Kurzschlußkolben 6 angeordnet ist. Es wurde festgestellt, daß der sich ergebende Mikrowellenausgang nicht
zufriedenstellend und die Abstimmempfindlichkeit beschränkt war, wenn das Element 3 nicht in der oben angegebenen Weise
angeordnet wurde, während sich eine äußerst gute Betriebsweise und ein äußerst kleiner Aufbau der Vorrichtung ergab, wenn ein
einziger Halbleitergrundkörper verwandt wurde, indem beide Elemente 2 und 3 nach der sogenannten Integrationsschaltungstechnik
ausgebildet wurden, um die Elemente nahe beieinander anzuordnen, oder um das Element 3 in einem Abstand von 3/8 oder
7/8 Wellenlängen einer erzeugten Mikrowelle von dem Element 2 anzuordnen.
009818/1206
Weiterhin kann eine Frequenzmodulation dadurch erreicht werden, daß einer geeigneten Gleichspannungsvorspannung, die an das
veränderliche Reaktanzelement 3» wie etwa eine veränderliche Kapazitätsdiode, angelegt wird, ein Wechselspannungssignal
überlagert wird. D.h. entsprechend der Fig. 1 wird an den Varaktor oder das veränderliche Eeaktanzelement 3 eine geeignete
Gleichspannungsvorspannung durch die Gleichspannungsquelle 5 angelegt, und gleichzeitig wird auf das veränderliche Reaktanzelement
3 von einer Signalquelle 7 ein Modulationssignal gegeben.
Da der Arbeitspunkt des veränderlichen' Reaktanzelementes 3 in Abhängigkeit von dem von der Quelle 7 zugeführten Modulationssignal
verändert wird, wird der von der Vorrichtung erzeugte Ausgang frequenzmoduliert und an den Verbraucher gegeben.
Bei einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung ergab sich bei der Verwendung eines Modulationssignals
bei 2 bis 10 MHz eine Frequenzmodulationsbreite von ungefähr 1 MHz pro Volt. ·
Weiterhin können, selbst wenn sich die Frequenz der erzeugten Mikrowelle aus irgendeinem unerwarteten Grunde ändert, z.B.
wenn der Betriebszustand der Avalanchediode 2 zufällig schwankt, solche Schwankungen automatisch gemäß der vorliegenden
kompensiert werden.
009818/1206
1 9Λ9645
Wie aus Pig. 1 zu ersehen ist, wird dies dadurch erreicht, daß ein Teil des Ausganges der Vorrichtung dazu verwandt wird, eine
Frequenzabweichung oder einen Frequenzunterschied des Ausganges von dem normalen Betriebszustand festzustellen, und daß die
festgestellte Frequenzdifferenz einem Frequenzdiskriminator 8 zugeführt und in diesem in ein Spannungssignal umgewandelt wird.
Der Ausgang des Frequenzdiskriminators 8 wird negativ zu dem Varaktor 3 über einen Verstärker 9 zurückgekoppelt. Auf diese
Weise läßt sich eine automatische Frequenzsteuerung der Vorrichtung erreichen.
Obgleich in der obigen Beschreibung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
eine Avalanchediode als Mikrowellen erzeugendes Element erwähnt wurde, können dennoch auch andere anregende Pestkörperelemente,
wie etwa eine Grunn-Diode, LSA-Diode oder eine Tunneldiode in gleicher Weise verwandt werden. Als veränderliches
Reaktanzelement kann neben einem Varaktor ein beliebiges
Halbleiterelement verwandt werden, das ähnliche Eigenschaften wie ein Varaktor aufweist, etwa eine gewöhnliche p-n Übergangsdiode, eine Schottkyspenschichtdiode, eine Metalloxydsiliziumdiode
oder eine Punktkontaktdiode.
Wie oben beschrieben wurde, umfaßt die gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildete Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen
einen Hohlraumresonator, ein Anregungselement, das in dem
009818/1206
_ 9 —
Hohlraumresonator angeordnet ist, ein veränderliches Reaktanzelement,
das in der Nähe des Anregungselementes in dem Resonator angeordnet ist, und eine Einrichtung, um ein Steuersignal
auf das Reaktanzelement zu geben, so daß ein beliebiges Ausgangssignal
im Mikrowellenbereich erzeugt werden kann, ohne daß der Arbeitspunkt des Anregungselementes selbst geändert
wird, wobei das Anregungselement in einem gewünschten stabilisierten
Zustand betrieben wird, weshalb keine thermischen Durchbrüche in dem Anregungselement mehr auftreten. Der Aufbau der
Vorrichtung ist beträchtlich vereinfacht. Da das veränderliche Reaktanzelement, wie etwa eine veränderliche Kapazitätsdiode,
zusätzlich eine hohe Impedanz in Bezug auf eine Modulationssignalquelle
aufweist, kann ein Modulationssignal vorzugsweise eine
kleinere Amplitude aufweisen, als sie bisher üblicherweise verwandt wurde.
009818/1206
Claims (1)
- - ίο -Patentansprüche1.J Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen, gekennzeichnet durch einen Hohlraumresonator (1), ein Anregungselement (2), das in dem Resonator angeordnet ist, durch ein veränderliches Reaktanzelement (5), das in der Nähe des Anregungselementes in dem Resonator angeordnet ist, und durch eine Einrichtung (7), um ein Steuersignal auf das veränderliche Reaktanzelement zu geben.2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anregungselement ein Mikrowellen erzeugendes Festkörperelement ist.3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß das veränderliche Reaktanzelement aus einem Element mit veränderlicher Kapazität besteht, dessen Kapazität durch eine Spannung verändert wird, die an das Element mit veränderlicher Kapazität angelegt wird.4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß das veränderliche Reaktanz-009818/1206element (3) auf der Seite des Anregungselementes (2) angeordnet ist, auf der ein Verbraucher an den Resonator ange-tikoppelt ist, und daß der Abstand zwischen dem Anregungselement und dem veränderlichen Reaktanzelement nicht größer als zwei Wellenlängen einer Mikrowelle ist, die durch die Vorrichtung erzeugt werden soll.β Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4» dadurch g e kennzeichnet , daß das veränderliche Reaktanzelement (3) zwischen dem Anregungselement (2) und einem Kurzschlußkolben (6) angeordnet ist, der an dem Ende auf einer Seite des Resonators vorgesehen ist, die der Seite des Resonators gegenüberliegt, auf der ein Verbraucher an den Resonator angekoppelt ist.6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das veränderliche Reaktanzelement (3) und das Anregungselement (2) aus einem einzigen Grundkörper ausgebildet sind.7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das veränderliche Reaktanzelement (3) in einem Abstand von 3/8 Wellenlängen einer009818/1206erzeugten Mikrowelle von dem Anregungselement (2) entfernt angeordnet ist.8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß das veränderliche Reak-^ tanzelement (3) in einem Abstand von 7/8 Wellenlängen einer erzeugten Mikrowelle von dem Anregungselement (2) entfernt angeordnet ist.9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß ein Frequenzdiskriminator (8) vorgesehen ist, um ein Signal zu erzeugen, das eine Differenz zwischen dem tatsächlichen Ausgang und einem vorbestimmten normalen Ausgang der Vorrichtung darstellt, und daß das Differenzsignal zu dem veränderlichen Reaktanzele-" ment (3) rückgekoppelt wird.10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, daß dem Steuersignal, das an . das veränderliche Reaktanzelement angelegt wird, ein Modulationssignal überlagert wird.00981 8/ 1206
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP43072666A JPS501369B1 (de) | 1968-10-04 | 1968-10-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1949645A1 true DE1949645A1 (de) | 1970-04-30 |
Family
ID=13495900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691949645 Pending DE1949645A1 (de) | 1968-10-04 | 1969-10-01 | Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3705364A (de) |
JP (1) | JPS501369B1 (de) |
DE (1) | DE1949645A1 (de) |
FR (1) | FR2019963B1 (de) |
GB (1) | GB1278088A (de) |
NL (1) | NL6914975A (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5340068B2 (de) * | 1972-08-25 | 1978-10-25 | ||
US3875535A (en) * | 1973-05-24 | 1975-04-01 | Rca Corp | Enhanced efficiency diode circuit |
US3882419A (en) * | 1974-03-01 | 1975-05-06 | Rca Corp | Varactor tuned impatt diode microwave oscillator |
JPS53161974U (de) * | 1977-05-25 | 1978-12-19 | ||
US4328470A (en) * | 1980-05-12 | 1982-05-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pulse modulated IMPATT diode modulator |
GB2133240B (en) * | 1982-12-01 | 1986-06-25 | Philips Electronic Associated | Tunable waveguide oscillator |
FR2542525A1 (fr) * | 1983-03-11 | 1984-09-14 | Thomson Csf | Generateur a frequence micro-onde modulable en frequence |
US5294895A (en) * | 1991-10-09 | 1994-03-15 | U.S. Philips Corporation | Microwave oscillators and transmitters with frequency stabilization |
US6999487B2 (en) | 2001-10-05 | 2006-02-14 | Xerox Corporation | Terahertz generation processes and imaging process thereof |
-
1968
- 1968-10-04 JP JP43072666A patent/JPS501369B1/ja active Pending
-
1969
- 1969-09-29 US US861671A patent/US3705364A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-10-01 DE DE19691949645 patent/DE1949645A1/de active Pending
- 1969-10-02 GB GB48439/69A patent/GB1278088A/en not_active Expired
- 1969-10-03 NL NL6914975A patent/NL6914975A/xx unknown
- 1969-10-03 FR FR696933957A patent/FR2019963B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3705364A (en) | 1972-12-05 |
FR2019963B1 (de) | 1974-07-12 |
GB1278088A (en) | 1972-06-14 |
JPS501369B1 (de) | 1975-01-17 |
FR2019963A1 (de) | 1970-07-10 |
NL6914975A (de) | 1970-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2816586C3 (de) | Selbstschwingende Mischschaltung | |
DE2361810C3 (de) | Signalumwandlungsschaltung | |
DE19702261A1 (de) | Mikrowellen-Pulsgenerator | |
DE1949645A1 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellen | |
DE3000898A1 (de) | Oszillator mit rueckkopplungsschaltung | |
DE3202329C2 (de) | ||
DE2828928A1 (de) | Einrichtung zur kombination von hochfrequenzenergie | |
DE2300999C3 (de) | Festkörper-Mikrowellenoszillator | |
DE2437284A1 (de) | Mikrowellen-normalfrequenzgenerator mit frequenzsynthese | |
DE1286585C2 (de) | Frequenzvervielfacher mit mindestens einem ein nichtlineares Element enthaltenden Leitungskreis | |
DE3783490T2 (de) | Anordnungen hoher leistung. | |
DE19850447B4 (de) | Nicht-linearer Dispersions-Impulsgenerator | |
DE19821382A1 (de) | Verfahren zum Abgleichen der Resonanzfrequenz eines Ringresonators | |
DE2908852A1 (de) | Elektronischer oszillator mit einem bauteil mit drei anschluessen und abstimmbarkeit ueber ein sehr ausgedehntes frequenzband | |
DE2718590C3 (de) | UHF-Festkörperoszillator-Anordnung | |
DE2833734A1 (de) | Abstimmbarer klystron-oszillator | |
DE3420915A1 (de) | Frequenzaenderungsvorrichtung | |
DE3781090T2 (de) | Spannungsgesteuerter mikrowellentransistoroszillator und solche oszillatoren enthaltender breitbandiger mikrowellengenerator. | |
DE2231700A1 (de) | Frequenzsyntheseschaltung mit mehreren rueckkopplungskreisen | |
DE1958369B2 (de) | Mikrowellengenerator | |
DE2721001A1 (de) | Festkoerper oszillator | |
DE2022044A1 (de) | Oszillator mit einem Masseneffekt-Halbleiter | |
DE1766924C2 (de) | Schaltung zur Hochspannungserzeugung für Fernsehempfänger | |
DE1219995B (de) | Abwaerts-Frequenzwandler | |
DE1591572C3 (de) | Para metrische Einrichtung, insbesondere parametrischer Verstärker |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |