DE1944028B2 - Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise - Google Patents

Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise

Info

Publication number
DE1944028B2
DE1944028B2 DE19691944028 DE1944028A DE1944028B2 DE 1944028 B2 DE1944028 B2 DE 1944028B2 DE 19691944028 DE19691944028 DE 19691944028 DE 1944028 A DE1944028 A DE 1944028A DE 1944028 B2 DE1944028 B2 DE 1944028B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
transistors
current
constant
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691944028
Other languages
English (en)
Other versions
DE1944028A1 (de
Inventor
Wolfgang Dipl-Ing Duck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to BE755453D priority Critical patent/BE755453A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19691944028 priority patent/DE1944028B2/de
Priority to NL7012279A priority patent/NL7012279A/xx
Priority to FR7031041A priority patent/FR2059737B1/fr
Priority to CH1272770A priority patent/CH515653A/de
Priority to AT781070A priority patent/AT297800B/de
Priority to LU61586D priority patent/LU61586A1/xx
Priority to GB4143870A priority patent/GB1307610A/en
Priority to SE1183170A priority patent/SE366179B/xx
Publication of DE1944028A1 publication Critical patent/DE1944028A1/de
Publication of DE1944028B2 publication Critical patent/DE1944028B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only

Description

1 ■ ■ ■■ . 2 ·
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung lithisch integrierten Transistoren liefernden und eine
für einen Konstantstromverstärker unter Ausnutzung konstante Kollektorspannung für den einen der eng
der geometrischen Flächenstromverteilung der Emit- benachbarten Transistoren erzeugenden Transistor
terströme zwischen eng benachbarten, monolithisch zur Erzeugung einer konstanten Kollektorspannung
integrierten Transistoren. 5 für den anderen der eng benachbarten Transistoren
Die Funktion der geometrischen Flächenstromver- ein über seine Basis mit dem Steuerstromkreis und teilung integrierter Transistoren ist bereits bekannt. über den Kollektor mit der Betriebsspannung ver-So ist in einem Aufsatz in der Zeitschrift Regelungs- bundener Transistor angeordnet ist.
technik, H. 1 des Jahrgangs 1969 auf Seite 13 unter Durch die erfindungsgemäße Anordnung eines zuder Figur 10 b eine Stromquelle mit geometrischer io sätzlichen Transistors wird vorteilhaft erreicht, daß Flächenstromverteilung beschrieben. Dabei ist ein als der Konstantstromtransistor T 2 immer mit einer kon- »aktive« Diode geschalteter Steuertransistor Tl der stanten Kollektqrspannung arbeitet. Die Rückwir-Basis-Emitter-Diode des Konstantstromtransistors T2 kungen von Speisespannungsänderungen der Betriebsparallel geschaltet. Der ia Tl hineinfließende Steuer- spannung UB auf den Emitterstrom des Transistors strom Jst steuert dabei den Transistor T 2 so, daß der 15 Γ2 werden dadurch ausgeschaltet. Da nun beide eng in den Kollektor von Γ2 hineinfließende Konstant- benachbarten, monolithisch integrierten Transistoren strom Jc 2 gleich dem Produkt aus Steuerstrom mal Tl und Γ2 mit konstanter Kollektorspannung bedem Verhältnis der Emitterflächen beider Tran- trieben werden, ist der Summenstrom J2 bei konstansistorenist. i.\'.I. ■:'-'... . tem SteuerstromZ1 ebenfalls konstant und die erfin-
Um nun den Einfluß des erforderlichen Basis- ao dungsgemäße Anordnung ein idealer Konstantstromstromes für die eng benachbarten, monolithisch inte- verstärker.
grierten Transistoren Tl und T2 in dem angeführten In den Fig. 2 und 3 sind zwei Ausführungsbei-Beispiel auf den Konstantstrom J2 zu verringern, ist spiele der Erfindung dargestellt. Die Erfindung ist es weiterhin bekannt und in der Fig. 1 dargestellt, aber nicht auf die Ausführungsbeispiele beschränkt, einen weiteren Transistor vorzusehen, der den Tran- 25 Die Fig. 2 zeigt, wie schon die bekannte Schalsistoren, an denen die geometrische Flächenstrom- tungsanordnung, gemäß der dargestellten Fig. 1, Verteilung ausgenutzt werden soll, den nötigen Basis- zwei eng benachbarte, monolithisch integrierte Transtrom liefert. sistoren Tl und T 2. Der Steuerstrom ist auch in die-
Zum besseren Verständnis des Ausgangspunktes sem Falle der Konstantstrom J1, der über den Punkt der vorliegenden Erfindung soll nun zunächst an 30 Kl in den Kollektor des Transistors Tl fließt. Dieser Hand der Fig. 1 die Funktion der bekannten Schal- Steuerstrom bewirkt, daß in dem Konstantstromtungsanordnung beschrieben werden. Die Transisto- transistor T2,_dessen. BasisrEmitter-Strecke mit der renTl und Γ2 sind, wie schon beschrieben, eng be- des Referenztransistors Tl gemeinsam ist, ein KoI-nachbarte, monolithisch-integrierte Transistoren. Der -lektor- bzw. Emitterstrom fließt, dessen Größe in be-Konstantstrom J1 steuert den Transistor Tl an. Der 35 zug auf den Steuerstrom dem Verhältnis der beiden Transistor Tl und der Konstantstromtransistor T 2 Emitterflächen entspricht. Die Wirkung des Transiwerden von der gleichen Basis-Emitter-Spannung stors Γ3 ist die gleiche, wie sie schon an Hand der UßEl gesteuert. Das Verhältnis der Ströme^ und J4 Fig. 1 beschrieben wurde. Der Transistor Γ4 liegt ist abhängig vom Verhältnis der Emitterflächen der mit seiner Basis an dem Punkt Kl, an dem, bewirkt Transistoren Tl und T 2. Der Transistor T 3, an des- 40 durch den Transistor T 3, wie schon beschrieben, sen Basis der Steuerstrom J1 anliegt und dessen KoI- eine konstante Spännung in Höhe von zwei Schwelllektor mit der Betriebsspannung UB verbunden ist, . spannungen, also 2UBE hegt. Am Kollektor des liefert den Transistoren ti. und Γ2 den notwendigen Transistors Γ4 liegt die Betriebsspannung UB. Der Basisstrom. Durch den Transistor T3 wird weiterhin Emitter desTTransistors Γ4 ist mit dem Kollektor des der Punkt Kl auf eine Spannung gebracht, die kon- 45 Konstantstromtransistors T2 verbunden. Der Transistant ist und den Wert von zwei Schwellspannungen, stör T 4 bewirkt, daß der Konstantstromtransistor T 2 also = 2 UBE aufweist. Damit beträgt die Kollektor- stets mit einer konstanten Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Spannung des Transistors Tl UCEl = 2 UBE. arbeitet. Bei der in der Fig. 2 beschriebenen Anord-Dem Punkt K2 kann bei dieser Anordnung ein Kon- nung liegt, wie schon beschrieben, am Punkt Kl und stantstrom der Größenordnung J2 = J1 + -J4 entnom- .50 damit an der Basis des" Transistors T 4 das Potential men werden. Praktisch bedeutet dies, daß durch diese 2 UBE. Am Punkt K3, d. h. an der Basis des Transi-Schaltung eine Stromverstärkung des Steuerstromes J1 stors T 2, liegt eine Schwellspannung 1UBE. Da am vorgenommen wird. Ausgang des Emitters des Transistors T 4 und damit
Diese bekannte Schaltungsanordnung weist aber am Kollektor des KönstantsEomtransistors T 2 gegen-
noch immer einen Nachteil auf. Wegen der Rückwir- 55 über dem Potential an der Basis des Transistors T4
kung der Kollektorspannung UCB 2 des Transistors T 2 nach Überschreiten einer Schwellspannung nur das
auf den Emitterstrom JEs dieses Transistors ändert Potential 1UBE liegt, also das gleiche Potential wie
sich der Strom 74 in Abhängigkeit der Betriebsspan- am Punkt K 3, beträgt der Wert der Kollektor-B asis-
nung UB. Das hat zur Folge, daß das Verhältnis zwi- Spannung UCB2 = 0. Durch die konstante Kollektor-
schen dem Steuerstrom Z1 und dem Summenstrom J2 60 Basis-Spannung am Konstantstromtransistor T2 wird
sich wegen der erwähnten Schwankungen der Be- eine Rückwirkung der Betriebsspannung auf den
triebsspannung UB ändert. Emitterstrom des Konstantstromtransistors T 2 aus-
Die vorliegende Erfindung stellt sich nun die Auf- geschaltet,
gäbe, den Einfluß der Rückwirkung der Kollektor- Der konstante Steuerstrom J1 wird also um den
spannung in Abhängigkeit der Betriebsspannung auf 65 Emitterstrom des Konstantstromtransistors T 2 ver-
den Emitterstrom auszuschalten. Diese Aufgabe wird größert, und am Punkt Kl kann ein verstärkter Kon-
dadurch gelöst, daß neben dem in bekannter Weise stantstrom J2 entnommen werden,
den Basisstrom für die eng benachbarten, mono- Die Schaltungsanordnung, die in der Fig. 3 dar-
1 944 02 δ
gestellt ist, zeigt eine zweckmäßige Weiterbildung des Erfindungsgedankens. Da wie aus F i g. 2 hervorgeht, die Basen sowie die Kollektoren der Transistoren T3 und Γ4 mit den gleichen Punkten der Schaltung verbunden sind, können die beiden Transistoren S als zweckmäßige Weiterbildung zu einem Transistor mit zwei Emittern zusammengefaßt werden. Dadurch läßt sich eine Vereinfachung des Schaltungsaufbaus erreichen, z. B. im Hinblick darauf, daß die Herstellung von einem integrierten Transistor mit zwei Emittern gegenüber der Herstellung von zwei getrennten integrierten Transistoren platzsparender ist.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung für einen Konstantstromverstärker unter Ausnutzung der geometrischen Flächenstromverteilung der Emitterströme zwischen eng benachbarten, monolithisch integrierten Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß neben dem in bekannter Weise den Basisstrom für die eng benachbarten, monolithisch integrierten Transistoren (Tl, T2) liefernden und eine konstante Kollektorspannung für den einen der eng benachbarten Transistoren (Tl) erzeugenden Transistor (T 3) zur Erzeugung einer konstanten Kollektorspannung für den anderen der eng benachbarten Transistoren (T 2) ein über seine Basis mit dem Steuerstromkreis und über den Kollektor mit der Betriebsspannung verbundener Transistor (T 4) angeordnet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die konstanten Kollektorspannungen für die eng benachbarten, monolithisch integrierten Transistoren (Tl, T2) liefernden Transistoren (T 3 bzw. T 4) zu einem, mit zwei Emittern ausgerüsteten Transistor (T 5) zusammengefaßt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
COPY -
DE19691944028 1969-08-29 1969-08-29 Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise Pending DE1944028B2 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE755453D BE755453A (fr) 1969-08-29 Amplificateur a courant constant a circuits integres
DE19691944028 DE1944028B2 (de) 1969-08-29 1969-08-29 Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise
NL7012279A NL7012279A (de) 1969-08-29 1970-08-19
FR7031041A FR2059737B1 (de) 1969-08-29 1970-08-25
CH1272770A CH515653A (de) 1969-08-29 1970-08-26 Konstantstromverstärker
AT781070A AT297800B (de) 1969-08-29 1970-08-27 Konstantstromverstärker in integrierter Bauweise
LU61586D LU61586A1 (de) 1969-08-29 1970-08-27
GB4143870A GB1307610A (en) 1969-08-29 1970-08-28 Constant current amplifiers
SE1183170A SE366179B (de) 1969-08-29 1970-08-31

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691944028 DE1944028B2 (de) 1969-08-29 1969-08-29 Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1944028A1 DE1944028A1 (de) 1971-03-11
DE1944028B2 true DE1944028B2 (de) 1971-03-11

Family

ID=5744154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691944028 Pending DE1944028B2 (de) 1969-08-29 1969-08-29 Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise

Country Status (9)

Country Link
AT (1) AT297800B (de)
BE (1) BE755453A (de)
CH (1) CH515653A (de)
DE (1) DE1944028B2 (de)
FR (1) FR2059737B1 (de)
GB (1) GB1307610A (de)
LU (1) LU61586A1 (de)
NL (1) NL7012279A (de)
SE (1) SE366179B (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786970A (en) * 1987-08-26 1988-11-22 Eastman Kodak Company Logarithmic amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
CH515653A (de) 1971-11-15
FR2059737A1 (de) 1971-06-04
DE1944028A1 (de) 1971-03-11
BE755453A (fr) 1971-03-01
SE366179B (de) 1974-04-08
NL7012279A (de) 1971-03-02
LU61586A1 (de) 1971-06-22
GB1307610A (en) 1973-02-21
AT297800B (de) 1972-04-10
FR2059737B1 (de) 1973-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2705276C2 (de) Auf einem Halbleiterchip gebildete Konstantstromquelle
DE2204419C3 (de) Vorrichtung zur Umwandlung einer Eingangsspannung in einen Ausgangsstrom oder umgekehrt
DE2260405B2 (de) Bezugsspannungsgeneratorschaltung
DE3102398C2 (de)
DE3034940C2 (de)
DE1944028B2 (de) Konstantstromverstaerker in integrierter bauweise
DE2134774C3 (de) Schaltungsanordnung zur Stabilisierung eines Stromes
DE1944028C (de) Konstantstromverstarker in integrier ter Bauweise
DE3329665C2 (de)
DE1135038B (de) Bistabile Kippanordnung mit Tunneldioden und Schalttransistoren
DE2532397A1 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung von mehreren konstanten stroemen zur versorgung einer integrierten schaltung
DE3032675A1 (de) Tonfrequenz-leistungsverstaerker-schaltung.
DE2226471C3 (de) Differential verstärker
DE2911171C2 (de) Schaltung für die Ansteuerung eines Stromquelletransistors
DE2930216A1 (de) Ruecklaufspannungs-sperrschaltung
DE2912433C3 (de) Linearer Transistor-Wechselstromverstärker
DE2508801A1 (de) Schaltungsanordnung zur selektiven abgabe von konstantstroemen wahlweise der einen oder der anderen polaritaet
DE2218308C3 (de) Monolithisch integrierbare Serienregelschal tung
DE2013829B2 (de) Gegentakt-b-endstufe mit transistoren
DE2608266C3 (de) Schaltungsanordnung zum Ableiten einer kontinuierlich veränderbaren Gleichspannung aus der konstanten Gleichspannung einer Gleichspannungsquelle
DE2605498C3 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines stufenförmigen Impulses
DE1900903C3 (de) Differential-Verstärker
DE1277386B (de) Transistorschaltung zur Lieferung eines konstanten Stromes
DE2641551C2 (de) Integrierter gegengekoppelter Verstärker
DE1965163A1 (de) Batteriebetriebener Transistorverstaerker