DE1938367A1 - Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht - Google Patents

Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht

Info

Publication number
DE1938367A1
DE1938367A1 DE19691938367 DE1938367A DE1938367A1 DE 1938367 A1 DE1938367 A1 DE 1938367A1 DE 19691938367 DE19691938367 DE 19691938367 DE 1938367 A DE1938367 A DE 1938367A DE 1938367 A1 DE1938367 A1 DE 1938367A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
silicon
metals
metal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691938367
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Lepselter Martin Paul
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1938367A1 publication Critical patent/DE1938367A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P95/00—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE19691938367 1968-08-01 1969-07-29 Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht Pending DE1938367A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74939668A 1968-08-01 1968-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1938367A1 true DE1938367A1 (de) 1970-02-19

Family

ID=25013597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691938367 Pending DE1938367A1 (de) 1968-08-01 1969-07-29 Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE736650A (OSRAM)
DE (1) DE1938367A1 (OSRAM)
FR (1) FR2014851A1 (OSRAM)
NL (1) NL6911534A (OSRAM)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2649738A1 (de) * 1975-10-29 1977-05-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung mit einer schottky-barriere
DE2754861A1 (de) * 1976-12-29 1978-07-06 Ibm Halbleitervorrichtung mit einem schottky-sperrschichtkontakt und verfahren zu dessen herstellung
DE2921971A1 (de) * 1978-06-02 1979-12-06 Int Rectifier Corp Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2445627A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-25 Lignes Telegraph Telephon Procede perfectionne de fabrication de diodes schottky et diodes de puissance ainsi realisees

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2649738A1 (de) * 1975-10-29 1977-05-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung mit einer schottky-barriere
DE2754861A1 (de) * 1976-12-29 1978-07-06 Ibm Halbleitervorrichtung mit einem schottky-sperrschichtkontakt und verfahren zu dessen herstellung
DE2921971A1 (de) * 1978-06-02 1979-12-06 Int Rectifier Corp Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
NL6911534A (OSRAM) 1970-02-03
BE736650A (OSRAM) 1969-12-31
FR2014851A1 (en) 1970-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0012955B1 (de) Ätzmittel zum Ätzen von Siliciumoxiden auf einer Unterlage und Ätzverfahren
DE3882398T2 (de) Kontakt auf Galliumarsenid und dessen Herstellungsverfahren.
EP0000743A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Tantal-Kontakten auf einem aus N-leitendem Silicium bestehenden Halbleitersubstrat
DE3135993A1 (de) "verfahren zur herstellung von kontakten mit geringem widerstand in halbleitervorrichtungen"
DE4010618A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2228678A1 (de) Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile
DE2215357A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil
DE2754397A1 (de) Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes
EP0005185A1 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen
DE1614148B2 (de) Verfahren zum herstellen einer elektrode fuer halbleiter bauelemente
DE1932590A1 (de) Monolithische Schaltung mit eingegliederten Schalttransistoren und stark nichtlineare Widerstandscharakteristiken aufweisenden Schottkydioden und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2908146A1 (de) Amorpher halbleiter und verfahren zu seiner herstellung
US3669730A (en) Modifying barrier layer devices
DE69132842T2 (de) Nassätzverfahren mit hoher Selektivität zwischen Cu und Cu3Ge
DE3011952C2 (de) Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial
DE2538600A1 (de) Ohm'sche kontakte fuer n-leitende iii-v-halbleiter
DE1414538A1 (de) Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1938367A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht
DE2654416A1 (de) Verfahren zur herstellung von schottky-dioden mit verbesserter hoehe der barriere
DE2252832A1 (de) Halbleiterelement mit elektroden sowie verfahren zu seiner herstellung
DE2141718A1 (de) Verfahren zum Herstellen elektri scher Kontakte auf der Oberflache eines Halbleiterbauteils
DE1806980A1 (de) Halbleiter-Bauelement
DE102018123924A1 (de) Eine Halbleitervorrichtung mit einer Lotverbindung, die eine Verbindung Sn/Sb aufweist
DE3516391C2 (OSRAM)
DE3124239A1 (de) Halbleiteranordnung mit schottky-diode und verfahren zu ihrer herstellung