DE1930907A1 - Magneto-optisches Speicherelement - Google Patents

Magneto-optisches Speicherelement

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Description

München, den 11.6.I969
ENTVnXKLUNGSRING SUD GMBH
MÜNCHEN
EM 3 O6O
Kre/sp
Magneto -optisches Speicherelement
Die Erfindung bezieht sich auf ein magneto-optisches Speicherelement zum Speichern von Informationen, vorzugsweise für Programm- oder Bildspeichersysteme.
Bisher sind Speicherelemente in verschiedensten Ausführungsformen bekannt geworden. Abgesehen von den sogenannten Kernspeicheranordnungen sind Speicherelemente bekannt, die auf dem Prinzip der thermoplastischen Verformung einer Oberflächenschicht beruhen. Diese belainten Anordnungen rjind mit dem Mangel relativ hoher Einspeicher- und Zugriffszeiten behaftet.
Es wurden auch schon Speicherelemente vorgeschlagen, bei denen auf einer bei der Betriebstemperatur des Spc.'.chereleraentes supraleitenden Trägerplatte eine Isolationsschicht und auf dieser wiederum eine bei der Betriebstemperatur supraleitende Schicht aus Supraleitcr-Typ-II-Material aufgedampft ist, die als Informationsträger in regelmäßigen Abständen Mngnetteilchen einschließen. Diese Anordnung basiert auf dem Prinzip des Josephson-Effektns.
Auch magneto-optische Speicher sind schon bekannt geworden, wie auch der bei der vorliegenden Erfindung verwundete Kerr-Effekt bereits zur Gewinnung von Informatione1 über das Verhalten von Ferro-rangnetica in magnetischen Feldern bei physikalischen Effekten bereits verwendet wurde.
Di«» Wirkung dier.ns bekannten magneto-optischen Speichers beruht jedoch lediglich auf der Sichtbarmachung der Magnetisierung von Magnetbändern durch magnetisch anhaftendes Pulver und dadurch prrwungpne unterschiedliche Reflexion von Licht an unterschiedlich inognetislerten Stellon.'
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Ein weiteres Verfahren beruht auf der magneto-optischen Aus-Iesung von nach dem Tonbandverfahren eingespeicherten Informationen in eine rotierende ferro-magnetische Metallplatte. Die Nachteile dieses bekannt gewordenen Verfahrens sind, daß die Einspeicherung nach dem Magnetbandverfahren erfolgt, die Auslesung dagegen zwar magneto-optisch, jedoch durch serielle Abtastung des Speicherinhaltes mittels feststehendem Lichtstrahl, fe unter welchem der Informationsträger vorbeibewegt wird. Es ist also die mechanische Bewegung einzelner Teile des Speichersystems erforderlich. Eine parallele Auslesung oder Einspeicherung ist nicht möglich. . ·
Die vorliegende Erfindung hat sich nun die Aufgabe gestellt, ein Speicherelement zu schaffen, dessen Funktionsweise auf dem magnetoroptischen Kerr-Effekt beruht und einen umprogrammierbaren Festwertspeicher abgibt, der eine hohe Kapazität auf geringstmöglicher Fläche erreicht. Der .Inhalt dieses Speichers soll entweder seriell oder parallel, eingespeichert und ausgelesen werden können. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß auf einem Träger - beispielsweise aus Glas - .eine ferro-magnetische P Schicht aus Metallen oder deren Legierungen aufgebracht ist, die mit einer aufgedampften homogenen, dielektrischen optisch transparenten Schicht ummantelt-ist, und die im elektro-magneti-'sehen Feld einer aufgebrachten Spule oder eines Leiters liegt, so daß bei Reflexion von linear polarisiertem Licht an der ferromagnetisehen Schicht eine Drehung der Polarisationsebene dieses Lichtes durch den Kerr-Effekt oder bei Durchtritt durch die ferro-magnetische Schicht durch den Faraday-Effekt, stattfindet und wobei die diese Drehung dieser Polarisationsebene des Lichtes bewirkende Magnetisierung den Speicherinhalt darstellt, zu dessen Auslesung ein Analysator angeordnet ist.
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Diese Maßnahmen verschaffen in vorteilhafter Weise die Möglichkeit der Verwendung von Licht und die Möglichkeit einer nicht binären Speicherung. Das Auslesen erfolgt ohne Zerstörung der Information und auch das Umprogrammieren kann ohne Löschung des Speicherinhaltes erfolgen.
Das Prinzip des Magneto-optischen Kerr-Effektes und wahlweise auch das magneto-optischen Faraday-Effektes oder auch eine Zusammenwirkung beider Effekte, kommt in einer geeigneten geometrisch-optischen Anordnung zur Wirkung, die diese Effekte durch vielfach wiederholte Einwirkung verstärken.
Bekanntlich beruht der magneto-optische Kerr-Effekt darauf, daß ein linear polarisierter Lichtstrahl in einem optisch transparenten Medium auf eine Grenzfläche fällt, die aus einer ferro-magnetischen Schicht besteht. Liegt die Schwingungsebene des Polarisierten Lichtes parallel oder senkrecht zur Einfallsebene, und ist in der reflektierenden ferro-magnetischen Grenzfläche ein Magnetisierungsvektor parallel zur Grenzschicht und parallel zur Einfallsebcne erzeugt, so erhält das reflektierte Licht eine elliptische Polarisation. Diese kann man sich daraus entstanden denken, daß bei Reflexion ein senkrecht zum Lichtvektor N des reflektierten Lichtes (Normalvektor) stehender kleiner sog. Kerrvektor K erzeugt wird. Die Addition der beiden Vektoren ergibt elliptisch polarisiertes Licht oder in erster Näherung eine kleine Drehung der Polarisationsebene des reflek tierten Lichtes (5 - 20 Winkelminuten pro Reflexion). Sorgt man für vielfache Reflexion des Lichtes an einer solchen Grenzfläche, so wird diese Drehung verstärkt und kann durch einen in den Strahlengang geschalteten Analysator gemessen werden.
Der vorstehend beschriebene Kerr-Effekt ist der sog. longitudinale Kerr-Effekt, der durch einen parallel zur Einfallsebene
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liegenden. Magnetisierungsvektor erzeugt wirdt"* In ähnlicher Wise wirkt der sog. transversale Kerr-Effekt. Hier liegt der erzeugende Magnetisierungsvektor in der reflektierenden Grenzfläche senkrecht zur Einfallsebene des Lichtes.
Der Faraday-Effekt ist ähnlich. Bei ihm wird der Lichtstrahl durch ein homogenes, transparentes ferro-magnetisches Medium hindurchgeführt. Ein solches Medium ist z.B. eine dünne transparente Schicht eines ferro-magnetisehen Metalls. Ist ein Magnetisierungsvektor parallel zur Ausbereitungsrichtung des hindurchtretenden, linear polarisierten Lichtstrahls vorhanden, so wird auch hierbei die Ebene der Polarisation proportional zur Größe der Magnetisierung und zur Dicke der Schicht gedreht.
In allen Fällen bestimmt das Vorzeichen der Magnetisierungseinrichtung das Vorzeichen des Drehwinkels.Dadurch kann der Drehwinkel des Analysators so gewählt werden, daß bei positiver Magnetisierungsrichtung Licht durch ihn hindurchfällt, bei negativer Magnetisierungsrichtung nic&t.
In Ausgestaltung der Erfindung wird vorgeschlagen, daß Lichtleitfasern aus Glas oder einem anderen transparenten Dielektrikum mit einer ferro-magnetischen dünnen Schicht ummantelt sind, auf welche wiederum außen eine isolierende dielektrische Schicht aufgebracht wird. Um eine solchermaßen geschichtete Lichtleitfaser wird schließlich eine metallische Wendel als Magnetisierungsspule aufgewickelt. Die Enden dieser Spule werden in geeigneter Form mit einem elektrisc hen Stromerzeuger verbunden. Ein größerer Speicher entsteht aus der Zusammenlegung oder Einbettung vieler paralleler solcher Lichtleiter mittels isolierender Verkittung zu einem Block, Stab oder Platte. Ist zum Beispiel der mögliche Durchmesser einer einzelnen Faser mit Um-
4 mantelung 10 ym. so lassen sich Speicherblöcke mit ca. 10
2 " ■ solcher Speicherzellen pro cm herstellen.
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Eine weitere Ausführungsf orni der Erfindung verwendet statt der vollen Lichtleitfasern dünne Röhren aus dielektrischem Material (beispielsweise Glas) die auf der Innenfläche mit ferro-magneti-
schem Material belegt sind, so daß ein dünner ferro-magnetischer Hohlleiter entsteht. Die Magnetisierungsstromwendel wird hierbei außen auf die Röhre aufgebracht. Das zu beeinflussende Licht tritt vielfach reflektierend durch den Hohlleiter hindurch.
Eine weitere Ausführungsform sieht vor, daß die vorstehend beschriebene. Lichtleiterform statt mit einer Magnetisierungswendel mit einem einfachen durchgehenden, jedoch leitenden Metallmantel versehen ist. Ein in Richtung parallel zur Lichtleiterachse fließender Strom in diesem Metallmantel erzeugt dann in der ferro-magnetischen Schicht ebenfalls einen Magnetisierungsvektor, der nunmehr tangential zum Leiterquerschnitt verläuft. Auch Herbei tritt ein meßbarer magneto-optischer Kerr-Effekt auf, der zur Informationsspeicherung genutzt wird (transversaler Kerr-Effekt).
Die Nutzung der beschriebenen magneto-optischen Effekte erfolgt in den erfindungsgemäßen Anordnungen, in denen linear polarisiertes Licht infolge der durch die Magnetisierung erzeugton Drehung der Polarisationsebene entweder vom Analysator durchgelassen wird oder nicht, und der der Speicherinhalt durch remanente Magnetisierung gegeben ist. Die Anordnungen sind solchermaßen gestaltet, daß die besagten Effekte durch vielfache Reflexion des Lichtes in jeder Speicherzelle verstärkt werden, daß jede Speicherzelle möglichst klein ist und daher viele solche Zellen zu einer platten- oder stabförmigen Speichereinheit zusammengefaßt sind, die mittels gleichzeitiger Beleuchtung aller Zellen durch einen allen Zellen gemeinsamen Analysator ausgelesen (parallele Auelesung) oder durch einen gezielten Lichtstrahl einzeln oder seriell ausgelesen werden können.
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Ferner wird vorgeschlagen, die Lichtleiterblöcke innerhalb des Magnetfeldes einer oder mehrerer Spulen anzuordnen und vor der Lichteintrittsseite parallel zu ihr eine transparente Fotokathode anzub ringen und außerdem durch ein elektrisches Feld senkrecht zu dieser Kathode die bei Belichtung auftretenden Elektroden in Richtung auf die Lichteintrittsseite der Lichtleiter geradlinig zu beschleunigen.
Die Erfindung ist nuchfolgend beschrieben und erläutert, sowie fe in Ausführungsbeispielen gezeichnet, so daß auch hieraus weitere Vorzüge und Maßnahmen entnommen werden können. Es zeigen:
Fig. 1 das Prinzipschema der Erfindung im Querschnitt,
Fig. 2 einen Querscnnitt durch ein Ausführung;sbeispiel der Erfindung,
Fig. 3 einen Längsschnitt entlang der Linie HI-IKI gem. Fig.2,
Fig. k einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 5 einen Längsschnitt entlang der Linie V-V gem. Fig. 4, Fig. 6 einen Querschnitt durch ein drittes Ausführungsbeispiel
der Erfindung, P Fig. 7 einen Längsschnittaentlang der Linie VII-VII gen. Fig. 6,
Fig. 8 das Prinzip der Einspeicherung von Informationen mittels Lichtstrahlen, in einer Schemaskizze,
Fig. 9 das Prinzip der Einspeicherung von Informationen mittels Elektronenstrahlen in einer Schemaskizze,
Fig. 10 einen Längsschnitt durch einen aus Speicherelementen gebildeten Speicher,
Fig,11 einen Querschnitt entlang der Linie XI-XI gem. Fig.10.
Fig. 12 die schematische Darstellung einer Anordnung zur Vormagnetisierung des Speichers entlang der Linie XII-XII gem. Fig. 13,
Fig.13 einen Schnitt entlang der Linie XIII-XIII gem. Fig.12,
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Fig. l4 eine scfoentatische Darstellung der Anordnung zur Einspeieherung von Baten in einem Speicherblock mittels elektroiien-optischer Übertragung, „
Fig. 15 die sehematische Darstellung der Anordnung zur Auslesttrag von Informationen mittels Lichtstrahlen.
Das Prinzip der- Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt. Ein linear polarisierter monochromatischer Lichtstrahl 2,0 von geeigneter Wellenlänge fallt durch eine dünne homogene dielektrische Schicht 3 auf eine Spiegelfläche 2 aus ferro-magnetischem Metall. Beide Schichten, s;ind beispielsweise auf einem Trägtr aus Glas 1 aufgedampft. Wen» die Schwingungsebene des polarisierten Lichtes parallel edier senkrecht zur Einfallsebene des Lichtes liegt, so entsteht b>e£ Reflexion an der ferro-magnetischen Metallfläche bei Vorhandensein eines Magnetisierungsvektors durch die Wirkung des Kerr-Effektes effektiv eine Drehung in der Polarisationsrichtung des reflektierten Lichts. Ist der Einfallwinkel des Lichtes derart, daß dieses im Dielektrikum 3 innerhalb des Grenzwinkels der Totalreflexion mehrfach hin- und herreflektiert wird, so wird bei jeder Reflexion an der ferro-magnetischen Schicht der Kerr-Effekt wirksam, d.h. die durch ihn bewegte Drehung der Polarisationsebene. Ein Analysator 30 mit vorgegebener Stellung laßt nur Licht einer bestimmten Drehung seiner Polarisationsebene durch,, die z.B. der remanenten Magnetisierung in einer Richtung entspricht. Wird diese Magnetisierung umge- kehrt, so wird durch die Analysatorstellung das reflektierte Licht geschwächt. Man hat also zu den zwei möglichen Richtungen der Magnetisierung zwei Intensitäten des durch den feststehenden Analysator 3© hindurehfallenden Lichts 20. Eine Magnetisierung der Schicht 3 erfolgt durch einen Stromstoß in der Spule kt die Umkehrung der Magnetisierung durch einen Stromstoß in umgekehrter Richtung. In beiden Fällen bleibt eine für dünne Schichten charakteristische remanente Magnetisierung, zurück, die nahezu der Sättigungsmagnetisierung entspricht.
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Eine Ausgestaltung der Erfindung zeigen die Fig. 2 und 3« Hier wird als Träger eine Lichtleitfaser 10 verwendet, in die das linear polarisierte monochromatische Licht beispielsweise unter dem Polarisationswinkel einfällt. Beim Durchgang durch die Faser 10 wird dieser Lichtstrahl 20 mehrfach hin- und herreflektiert, bis er am anderen Ende wieder austritt. Eine als Mantelfläche die Faser umhüllende ferromagnetische Metallschicht 11 bewirkt wieder im Sinne des magneto-op ti sehen Kerr-% Effektes eine Drehung der Polarisationsebene des Lichtes 20» welche, wie in oben beschriebener Weise mittels Analysator 30 festgestellt werden kann. Die Magnetisierung der Schicht 11 erfolgt hier durch eine auf die Faser aufgewickelte Spule 13. beispielsweise aus Kupfer, die von der ferromagnetischen Schicht 11 durch einen Isolator 12 getrennt ist.
Eine andere Ausführung der Erfindung wird durch die Fig. k und
5 dargestellt. Hier wird ein Hohlleiter 110 -beispielsweise aus Glas - auf der Innenseite mit der ferromagnetischen Schicht versehen, so daß ein dünnes Röhrchen aus ferromagnetischem Material entsteht. Der unter einem bestimmten Winkel eintretende Lichtstrahl 20 wird ebenfalls hin- und herreflektiert. Auch
" hier wird wieder bei Vorhandensein einer Magnetisierung der Schicht 111 der Kerr-Effekt wirksam und kann durch den Analysator 30 festgestellt werden. Die Magnetisierung erfolgt ebenfalls mittels der auf dem Hohlleiter 110 aufgebrachten Leiterspule 113.
Eine weitere Variante der Erfindung ist schematisch in den Fig.
6 und 7 dargestellt. Hier enthält der Lichtleiter 10 einen Kerndraht 15 aus ferromagnetischem Material, sowie eine dielektrische transparente Mantelschicht 110. Der Brechungsindex der Mantel schicht 110 ist angenommen η., derjenige des Lichtleiters 10 n2 , so daß mit n2 größer als n^ Totalreflexion für die im Material 10 laufenden Lichtstrahlen 20 eintritt. Auf der anderen Seite werden die Lichtstrahlen 20 an der Grenzschicht
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zwischen Draht 15 und Lichtleiter 10 metallisch reflektiert und zwar wieder bei Vorhandensein eines Magnetisierungsvektors unter Beeinflußung durch den Kerr-Effekt. Die Leiterspule 113 ermöglicht auch hier die erforderliche Magnetisierung. Die Lichtstrahlen 20 stellen, wie bereits erwähnt, monochromatisches, linear polarisiertes Licht dar.
Die geometrischen Dimensionen der Lichtleiter mit Leiterspule nach den Fig. 2 bis 6 können je nach Verwendungszweck mehrere Zentimeter bis herab auf wenige bezüglich Durchmesser und mehrere Meter bis herab zu wenigen Millimetern in Bezug auf die Länge betragen. Technisch ist die Herstellung von LichtleiterH mit Durchmessern von 10 Λ*» bereits durchgeführt. Die Versorgung der beschriebenen Speicherelemente mit Magnetisierungsstrom ist auf verschiedene Weise möglich. Einmal können die Leiterspulen 13f 113 an den Enden je mit einem Leitungsdraht verbunden sein, der in üblicher Weise Schreibstrom dl6 von einer Schreibstromquelle k\7 erhält.
Ein kurzer Stromstoß genügt, um eine remanente Magnetisierung in den ferro-magnetischen Vorspiegelungen 11,151 111 zu erreichen, ebenso ein kurzer Stromstoß in der entgegengesetzten Richtung um die remanente Magnetisierung entgegengesetzt umzuklappen. Dieses Umklappen kann in ca. 10~ see. erfolgen.
Eine weiter« Möglichkeit des Einschreibens der Information zeigt die Pig. 8. Hier wird mit einem Lichtstrahl 30 geschrieben. Ein auf die fot^empfindliche Schicht klk fallender Lichtstrahl läßt einen Potoefrom nach der Anode fließen. Der Stromkreis wird über die Stromquelle 4l7 und den Stromleiter 13 geschlossen. Bei genügender intensität des Lichtes tritt die gewünschte Magnetisierung auf^ Bin Ummagnetleieren kann durch denselben Vorgang •benfall· erfolgen, wenn vorher durch eine andere Spule - wie b«i>pi«lew«i·· durch die Spule 713 in Fig. 12 dargestellt - die
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Magnetisierung der Schicht 11 in entgegengesetztem Sinne erfolgt war. Das zum Schreiben verwendete Licht wird in der Regel eine andere Wellenlinie aufweisen als der Lesestrahl 20, wobei die Fotoschicht nur auf die Wellenlänge des Schreibstrahles JO anspricht. Die Anordnung von Fotoschicht 4l4 und Anode 4l6 ist auch als flächenhafter Fototransistor mit Stromverstärkungseffekt möglich.
ρ In Fig. 9 ist die Möglichkeit des Einschreibens mittels Elektronenstrahl gezeigt. Ein gesteuerter Elektronenstrahl trifft den Stromleiter 13» wobei der Magnetisierungsstrom über Stromlei er 13t Stromquelle 4l7» Kathode 5i6 und Elektronenstrahl 5l4 geschlossen wird., Die Anordnungen nach den Fig. 8 und 9 erfordern eine Unterbringung in einen Vakuum.
Die vorbeschriebenen einzelnen Speicherelemente werden in großer Anzahl zu einem einzigen Speicherblock 610 zusammengefaßt. Die Fig. lO und 11 sseigen das Schema eines solchen Speichers, der mit einer Einrichtung zum Schreiben von Informationen gem. Fig. B versehen ist. Die Speicherelemente 110 k werden mittels isolierender Vergußmasse 612 zu einem Block zusammengekittet, der beispielsweise bei einem Rauminhalt von 1 ecm, ko 000 solcher Leiterelemente 110, die beispielsweise einen Durchmesser von ca. 50 AV und eine Länge von 1 cm auf weisen, enthalten. Sine gemeinsame Leiterschicht 613 verbindet alle Lichtaustrittsenden, die auch als sog. Leseenden bezeichnet werden können, der einzelnen Elemente. Diese sind außerdem durch einen allen gemeinsamen Analysator 630 abgedeckt. Die Lichteintrittseite wird durch eine mit allen Stromleitern verbundene segmentierte Fotoschicht klk abgedeckt. Trifft ein Lichtschreibstrahl 30 oder ein flHchenhaftes Lichtmuster auf ein oder entsprechend viele Segmente dieser Fotoschicht, so werden die entsprechenden Speicherelemente 110 magnetisiert·
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Bei Beleuchtung mit den Lesestrahl 20 ist dann am Austrittsende die eingelesene Information sichtbar und kann weiterverarbeitet werden. Eine Magnetisierungsspule 7131 die den Speicher*- block 6IO gemäß den Fig. 12 und 13 so umfaßt, daß das Magnetfeld parallel zu den ferro-magnetischen Spiegelschichten 11, der verwendeten Speicherelemente 10, 110 verläuft, dient zum Löschen der Information. Der Lesestrahl 20 besitzt, wie bereits erwähnt, eine Wellenlänge, auf die die Fotoschicht klk nicht anspricht, jedoch fi>r die sie durchlässig ist.
Eine weitere Möglichkeit des Einschreibens ist in der Fig. gezeigt. Hier ist eine getrennte, nicht segmentierte Fotoschicht 8ld angebracht, aus der tbei Beleuchtung mit Lichtmustern 83O entsprechende Fotoelektronen 85O austreten und in Richtung auf die Lichteintrittseiten der Speicherelemente 815 geradlinig beschleunigt auftreffen und zwar jeweils auf die dem Helligkeitsmuster entsprechend 'angeordneten Speicherelemente. Diese werden gemäß dem Verfahren nach Fig. 9 magnetisiert. In Fig. 15 ist schließlich das Prinzip der parallelen Auslesung eines Speichers schematisch skizziert. Eine Lichtquelle 912 beleuchtet über einen Kondensor 910 ein Lichtfilter bestehend aus einem Farbfilter und einem Polarisator 912. Die Strahlen 20 treffen auf die Lichteintrittsseite 815 des Speicherblocks 610. Der Speicherinhalt wird dann durch die Intensitätsunterschiede der Transmission der einzelnen Elemente 110 und des Analysators 63O hinter letzterem sichtbar und meßbar.
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Claims (1)

  1. ENTWICKLUNGSRING SÜD GMBH 11.6.1969
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    Kre/sn Patentansprüche
    1. Speicherelement zum Speichern von Informationen, vorzugsweise für Programm- oder Bildspeichersysteme, dadurch g e kennzeichnet, daß auf einem Träger (l) - beispielsweise aus Glas - eine ferro-raagnetische Schicht (3) aus Metallen oder deren Legierungen aufgebracht ist, die mit einer aufgedampften homogenen, dielektrischen, optisch transparenten Schicht (3) ummantelt ist, und dxe im elektromagnetischen Feld einer aufgebrachten Spule, oder eines Leiters (k) liegt, so daß bei Reflexion vo.a linear polarisiertem Licht (20) an der ferro-magnetischen Schicht eine Drehung der Polarisationsebene dieses Lichts durch den Kerr-Effekt oder bei Durchtritt durch die ferro-magnetische Schicht durch den Faraday-Effekt stattfindet, und wobei die diese Drehung der Polarisationsebene des Lichtes bewirkende Magnetisierung den Speicherinhalt darstellt, zu dessen Auslesung ein Analysator (30) angeordnet ist.
    2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η -
    ζ e i c h η e t ,daß Lichtleitfasern (10) mit einer ferromagnetischen Mantelschicht (11) versehen und mit einer dielektrischen Schicht (12) umhüllt sind, über welche eine Stromleiterwendel (13)gewunden ist.
    3· Speicherelemente nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch g e kenn ζ e i c h η e t , daß der Lichtleiter (HO) als Hohlleiter ausgebildet ist, dessen Innenseite mit einer ferromagnetischen Schicht (111) versehen und dessen Außenseite von einer Stromleiterwendel (113) umwickelt ist.
    k. Speicherelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleiter (210) mit der dielektrischen transparenten Ummantelung (110) einen Draht aus ferro-magnetischem Metall als Kern aufweist, der von einer Leiterspule (113) umwickelt ist.
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    Kre/sp
    5· Speicherelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß eine fotoelektrische, transparente Schicht (klk) auf der Eintrittseite des Lichtes, das eine andere Wellenlänge als das Abfragelicht besitzt, angeordnet ist, während das andere Ende des Stromleiters mit dem negativen Pol der zugehörigen Stromquelle (4l7) verbunden ist.
    6. Speicherelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß den Stromleitern (13» 113) mittels üblicher metallischer Leiter der Magnetisierungsstrom zugeführt wird und eine Steuereinheit zur Ansteuerung angeordnet ist.
    7· Speicherelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß viele Speicherelemente zu geeignet geformten Blöcken (6IO) durch Einbettung in isolierendes Material (6l2) zusammengefaßt und die Lichtauatrittseite durch einen alle Lichtleiter gemeinsam überdeckenden Analysator (630) abgeschlossen werden.
    8. Speicherelement, nach Anspruch 7« dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtleiterblöcke (610) innerhalb des Magnetfeldes einer oder mehrerer Spulen (731) angeordnet sind.
    9. Speicherelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß vor der Lichteintritteeite (815) parallel zu ihr eine einzelne den ganzen Block überdeckende, transparente Fotokathode (8l4) angebracht wird und daß durch ein elektrisches Feld senkrecht zu dieser die bei Belichtung auetretenden Elektronen in Richtung auf die Lichteintrittseite der Lichtleiter geradlinig beschleunigt werden.
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    EM 3 060 /If
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    10. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet t daß die Magnetspule (I3) durch ein Stromleiternetz in Matrixform ersetzbar ist.
    Angezogene Druckschriften: DAS 1 292
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    Leerseite
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