DE1930021A1

DE1930021A1 - Verfahren zur selektiven Steuerung der Niederschlagsrate einzelner Komponenten bei der Erzeugung von duennen Schichten mit mindestens zwei Komponenten durch Kathodenzerstaeubung

Info

Publication number: DE1930021A1
Application number: DE19691930021
Authority: DE
Inventors: Eric Kay; Erich Sawatzky
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1968-06-14
Filing date: 1969-06-13
Publication date: 1969-12-18
Also published as: FR2010858A1

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

Böblingen, 10. Juni 1969 si-rz

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10 504

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket SA 967 091

Verfahren zur selektiven Steuerung der Niederschlagsrate einzelner Komponenten bei der Erzeugung von dünnen Schichten mit mindestens 2wei Komponenten durch Kathodenzerstäubung

Neuerdings erlangte in den verschiedensten technischen Disziplinen die Anwendung von dünnen Schichten eine wachsende Bedeutung, insbesondere trifft dies zu für magneto-elektronische Vorrichtungen. Im Zuge dieser Entwicklung erlangten Kathodenzerstäubungsprozesse zur Herstellung dünner Schichten große Bedeutung. Es ist bereits seit langem bekannt, dünne Schichten auch aus legierten Materialien durch Kathodenzerstäubung herzustellen. Weiter hat sich herausgestellt, daß bei Wahl geeigneter Maßnahmen Entladungsbedingungen erhalten werden können, bei denen die erzeugte dünne Schicht die Komponenten in der gleichen Zusammensetzung aufweist, wie dies für das benutzte Quellenmaterial der Fall ist. Es ergeben sich jedoch Schwierigkeiten, sobald verlangt wird, daß die Zusammensetzung der Konstituenten der dünnen Schicht von derjenigen des Kathodenmaterials abweichen soll. Nach dem Stande der Technik läßt sich diese Forderung bisher nur dadurch erfüllen, daß das Quellenmaterial entsprechend der gewünschten andersartigen Zusammensetzung der dünnen

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schicht geändert wird. Es ist naturgemäß kostspielig, bei jeder Änderung der Zusammensetzung der dünnen Schicht ebenfalls das für die Kathodenzerstäubung benutzte Quellenmaterial in entsprechender Weise ändern zu müssen, da die Geometrie der Kathode ziemlich kritisch ist und der Kathodenaufbau außerdem mit der erforderlichen Kühlanordnung kompatibel sein muß. Noch größere Schwierigkeiten ergeben sich, falls man beabsichtigt, eine Variation der Zusammensetzung der dünnen Schicht in Abhängigkeit von der Dickenerstreckung zu realisieren. Nach den bisherigen techni-P sehen Möglichkeiten ergäbe sich hierdurch die Notwendigkeit für jeden neuen Funktionswert eine besondere Kathode mit der entsprechenden Zusammensetzung zu benutzen, wodurch unter Umständen eine große Anzahl der verschiedensten Kathoden für die Herstellung einer einzigen dünnen Schicht bevorratet und jeweils in die Apparatur eingebaut werden müßte.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches es gestattet, mittels Kathodenzerstäubung dünne Schichten aus Legierungsmaterialien mit mindestens zwei Konstituenten zu erzeugen, wobei sich die Zusammensetzung der erzeugten dünnen Schicht von derjenigen des Quellenmaterials ^ der Kathode innerhalb gewisser Grenzen in definierter Weise unterscheidet. Weiterhin soll das Verfahren auch die Möglichkeit bieten, Schichten zu erzeugen, deren Zusammensetzung sich in Abhängigkeit von ihrer Dickenerstreckung ändert.

Nach der Lehre der vorliegenden Erfindung wird die genannte Aufgabe dadurch gelöst, daß die zu erzeugende dünne Schicht während des Aufstäubungsprozesses einem Ionenbombardement ausgesetzt wird, derart, daß mindestens eine der Komponenten der zu erzeugenden dünnen Schicht vorzugsweise und selektiv durch einen hierdurch bewirkten zusätzlichen Zerstäubungsprozess aus dieser entfernt wird.

Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der folgenden Be-Docket SA 967 091 909851/1361

Schreibung im Zusammenhang mit den Figuren hervor. In diesen bedeuten:

Figur 1 eine Apparatur zur Kathodenzerstäubung mit einer schematischen Darstellung der elektrischen Einrichtung zur Erzeugung und Aufrechterhaltung der Gasentladung für die Zerstäubung;

Figur 2 eine graphische Darstellung der berechneten und gemessenen Änderung der Zusammensetzung einer nach der Lehre der vorliegenden Erfindung aufgestäubten dünnen Schicht mit zwei Konstituenten und

Figur 3 eine graphische Darstellung der Aufstäubungsraten von elementaren Gadolinium und elementarem Eisen, wobei die entstehende dünne Schicht einem Bombardement von Argonionen ausgesetzt wurde.

Zur Darstellung des Erfindungsgedankens sei im folgenden die gesteuerte Herstellung einer dünnen Schicht aus einem legierten Material oder aus einer intermetallischen Verbindung durch Anwendung des KathodenzerstäubungsVerfahrens beschrieben. Zunächst seien die Bedingungen für die Quelle des legierten Materials Und der Mechanismus behandelt, durch welchen die Konstituenten der Legierung zum Substrat transportiert werden, während anschließend die auf dem Substrat herrschenden Umgebungsbedingungen und diejenigen Bedingungen besprochen werden, unter weichen die Legierungskonstituenten niedergeschlagen werden.

Es gibt eine Reihe von Mechanismen, aufgrund derer eine Legierung beispielsweise AB (fest) in der Gasphase transportiert werden

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kann und auf dem Substrat entweder als xA (Gas) + yB (Gas) oder möglicherweise als AB (Gas) niedergeschlagen wird, abhängig von der thermodynamischen Stabilität der benutzten speziellen Molekülart in der Gasphase..

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Drei naheliegende physikalische Mechanismen zur Erzeugung dünner Schichten bestehen in der thermischen Verdampfung, dem chemischen Dampftransport und in einer dem Zerstäubungsverfahren zugrunde liegenden übertragung des mechanischen Moments. Die Schwierigkeiten, die sich bei der Benutzung der beiden erstgenannten Mechanismen bei der Erzeugung dünner Schichten ergeben, sind allgemein bekannt. Es ist bekannt, daß Aufstäubungsverfahren mit ihrem Transport des mechanischen Moments die am universellsten verwendbare Methode zum Materialtransport zur Erzeugung von dünnen Schich-" ten mit mehreren Konstituenten bzw. von intermetallischen Verbindungen oder Legierungen darstellt. Man weiß außerdem, daß diese Methode weitgehend unabhängig ist von der Vielgestaltigkeit der Zusammensetzung des aufzubringenden Materials. Es fällt daher · nicht schwer, auf diese Weise dünne Schichten zu erzeugen, deren Zusammensetzung weitgehend demjenigen des an der Kathode benutzten Quellenmaterials entspricht. Bei Zerstäubungsverfahren infolge Transportes des mechanischen Moments ist es bekannt, daß bei Anwendung eines Ionenbombardements in einem Energiebereich von 1-5 keV die Mehrzahl der zu zerstäubenden Partikel von der Oberfläche des Quellenmaterials an der Kathode neutral ist und sich im atomaren Zustand befindet. Sie verlassen daher die Quelle in dem gleichen empirischen Verhältnis wie sie als Konstituenten an der Oberfläche des benutzten Quellenmaterials vorliegen. Nur dann, wenn das Quellenmate Αία fft&Teichend niedrigen Temperatur bleibt, wird sich ein stationärer Fluß von xA und yB von der Kathode zum Substrat einstellen, wobei dieses Verhältnis weitgehend demjenigen des Quellenmaterials äquivalent 1st. Dies hängt damit zusammen, daß unter der genannten Bedingung eine thermische Verdampfung sowie Diffusionsvorgänge im festen Zustand im wesentlichen vermieden werden, da beide Vorgänge zu einer Fraktionierung führen.

Das Verhalten der das Quellenmaterial verlassenden Atome ist unabhängig von der speziellen Entladungsart, mittels derer die Zerstäubung durchgeführt wird, d.h. es ist gleichgültig, ob z.B. eine

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Gleichstrom- oder Wechselstromentladung, ob eine selbständige oder eine unselbständige Gasentladung benutzt wird. Ein Teil des Quellenmaterials wird in einzelnen Partikeln zum Substrat transportiert, welches an der Anode angebracht ist und bildet auf diesem eine dünne Schicht.

Das Verhalten der Atome hängt lediglich davon ab? ob die Ejektion der Partikel aus dem Quellenmaterial durch Botfb_;rzement mit Teilchen genügend hoher Energie stattfindet, d.h.« c: >>ar Zerstäubungsvorgang im wesentlichen aufgrund eines Transportes des mechanischen Moments und nicht infolge thermischer Verdampfung stattfindet. . .

Die· in Figur 1 dargestellte Apparatur 10 stellt eine typische Vorrichtung dar, wie sie zur Erzeugung von dünnen Schichten durch Partikeltransport benutzt wird. Diese Apparatur ist zur Durchführung des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung geeignet. In dieser wird ein Glimmentladungsprozeß zum Transport von Teilchen eines Targets in Gang gebracht. Dieser besteht aus Quellenmaterial 11,welches auf der Kathode 12 befestigt ist. Die Kathode 12 und die Anode 15 können aus einer Reihe von geeigneten leitenden und hitzebeständigen Materialien bestehen, beispielsweise aus Aluminium. An zentralen Stellen dieser Elektroden ist eine Kühlvorrichtung vorgesehen, durch die eine Kühlflüssigkeit über die Zu- bzw. Abführung 18 und 19 geleitet wird. Bei der etwas vereinfachten Darstellung zirkuliert das Kühlmittel durch die Elektrodenstrukturen und verläßt diese durch die Aus-^ lassöffnungen 20 und 21, wodurch eine bestimmte Wärmemenge abgeführt .werden kann. Eine nichtgezeigte Diffusionspumpe ist am Ausgangsstutζen· 22 angebracht, um in dem Vacuumgefäß Iß einen genügend niedrigen Druck zu erzeugen und aufrecht zu erhalten. Die Technik kennt eine große Zahl verschiedener Apparaturen zur Durchführung von 'Kathoäenzerstäubungsverfähren, welche zum Teil auch mit einer" präzisen Temperatursteuerung des"Substrates bzw.

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der Kathode ausgerüstet sind. In der in Figur 1 dargestellten Apparatur wird der Materialtransport vom Target zum Substrat dadurch bewirkt, daß die Oberfläche des Targets mit Partikeln genügend hoher Energie bombardiert wird, wodurch Teile des Kathodenmaterials losgelöst werden uns sich als Atome bzw. als Moleküle vom Target zum Substrat bewegen. Der gebräuchlichste Weg zur Realisierung eines derartigen Materialtransportes besteht darin, eine Glimmentladung innerhalb des evakuierten Gefäßes 16 zu er-A zeugen und aufrecht zu erhalten. Hierzu wird in das Entladungsgefäß ein inertes Gas, beispielsweise Argon mit einem Druck zwi-

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sehen 10 bis 2 · 10 Torr eingegeben. Durch Anlegen einer Spannungsquelle 25 zwischen Kathode 12 und Anode 15 über die Leitung 26 und 27,WObCi das Gehäuse des Vakuumgefäßes auf Nullpotential liegt, erhält man zwischen den Elektroden Stoßprozesse mit Energien von 1 000 bis 5 000 eV. Hierdurch wird das Argongas ionisiert, wodurch Partikel hoher Energie entstehen. Diese Ionen bombardieren unter dem Einfluß des elektrischen Feldes die Oberfläche des Quellenmaterials an der Kathode. Hierbei findet eine Übertragung des mechanischen Moments zwischen den auftreffenden · Ionen und dem Quellenmaterial des Targets statt, wobei Partikel des Quellenmaterials aus der Oberfläche des Quellenmaterials her-" ausgeschlagen werden.

Bei dem einfachsten Beispiel einer Entladung, d.h. bei einer sogenannten selbständigen Entladung wird diese innerhalb des evakuierten Gefäßes 16 durch Elektronen aufrechterhalten, welche an der Kathode unter dem Einfluß des Bombardements durch positive Ionen erzeugt werden. Diese Elektronen werden ihrerseits durch das elektrische Feld in Richtung der Anode beschleunigt, wobei sie durch Stoßprozesse eine genügende Anzahl positiver Ionen 2iim Bombardement der Kathode freimächen. Hierbei wird wiederuin eine ausreichende Menge von Elektronen erzeugt, so daß der W^äävtngsp^eBeB sich gerade aufrecht erhält, nachdem er einmal eilÄgel§Mäⁱiⁱwuräef^>Eine Kühlung der Kathode ist deshalb erforderlich, weil die aufprallenden Iönein einen Teil ihrer Docket SA 967 091 909851/1361

Energie in Form von Wärme an das Quellenmaterial an die Kathode abgeben/ so daß diese bzw. die gesamte Kathode ohne Kühlmaßnahmen einen Temperaturanstieg erfahren würde/ der bis zur thermischen Verdampfung des Quellenmaterials oder gar bis zum Schmelzpunkt der Kathode anwachsen kann.

Ob das ursprüngliche Verhältnis der in dem Quellenmaterial vorhandenen Materialien xA + yB in der gleichen Zusammensetzung auf dem Substrat niedergeschlagen wird, hängt lediglich von der Nettowahrscheinlichkeit ab/ mit der jede ankommende Dampfart auf der Oberfläche des Substrats haften bleibt. Die Wahrscheinlichkeit dafür, daß die Atome A und B auf der Substratoberfläche beim ersten Auftreffen haften bleiben/ beträgt fast 100%/ vorausgesetzt/ daß die Substrattemperatur auf einem genügend niedrigen Wert liegt/ so daß der Dampfdruck/ welcher auf die antreffenden Partikel wirkt/ vernachlässigbar ist. Für die meisten Legierungen und intermetallischen Verbindungen können niedrige Substrattemperaturen leicht in der Praxis realisiert werden. Das genannte Verhalten ist unabhängig davon/ auf welche Weise die Atomsorten A ■ und B in die Dampfphase überführt werden. Nicht notwendigerweise trifft dies zu für Verdampfungsvorgänge/ bei denen die Bestandteile des Dampfes Moleküle sind. Für solche Substanzen ist die Haftwahrscheinlichkeit als Funktion der Substrattemperatur lediglich für verhältnismäßig wenige Fälle bisher untersucht und bekannt geworden.

Die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung besteht, darin, eine Möglichkeit zur Steuerung der Nettowahrscheinlichkeit für das Haftenbleiben der an der Oberfläche des Substrats ankommenden Atome anzugeben. Eine derartige Steuerung kann z.B. durch vorzugsweises Zerstäuben von Atomen der Sorte A oder der Sorte B von der Oberfläche des zu erzeugenden Films hinweg während des Niederschlagungeprozesses erreicht werden. Nach der Lehre der Erfindung wird dies dadurch bewerkstelligt/ daß mittels geeigneter elektrostatischer Felder Ionen aus dem Entladungsplasma isoliert und Docket SA 967 091 .909851/1361 ε

in Richtung auf die zu erzeugende dünne Schicht beschleunigt werden, während neutrale Atome der Sorte B auf dem Substrat kondensieren« Es hat sich gezeigt, daß bei der Niederschlagung von Ausgangsmaterial mit mehreren Konstituenten beispielsweise von Legierungen unter stationären Bedingungen das beim Substrat ankommende Material die gleiche Zusammensetzung besitzt wie-dies für „das Kathodenmaterial der Fall ist. Dies gilt so lange, wie das Kathodenmaterial in ausreichender Weise zur Vermeidung einer Vexfc dampfung gekühlt wird, wie dies in Figur 1 angedeutet ist*

Bei der Durchführung des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung können die Mengenverhältnisse der Konstituenten einer ZM erzeugenden dünnen Schicht geändert werden durch eine Herab" setzung der prozentualen Anteile bestimmter Konstituenten durch Bombardierung der auf dem Substrat wachsenden dünnen Schicht mittels Partikel holier Energie, wie dies im Vorstehenden bereits erwähnt wurde. Experimente haben gezeigt, daß der Prozentsatz der Konstituenten innerhalb eines bestimmten Bereiches durch derartige Maßnahmen gesteuert werden kann. Hierdurch ist es möglich, zur Herstellung von dünnen Schichten mit verschiedenen Zusammensetzungen eine einzige Materialquelle mit einer bestimmten, kon- f stanten Zusammensetzung zu benutzen. Darüberhinaus besteht die Möglichkeit, das Mengenverhältnis der Konstituenten der dünnen Schicht in Abhängigkeit von der Dickenerstreckung der 2U erstellenden dünnen Schicht zu ändern sofern dies gewünscht wird, wobei wiederum nur eine bestimmte Konfiguration des Quellenmaterials benutzt werden kann. Einer von verschiedenen möglichen Wegen zur Erreichung des genannten Ziels besteht darin, das Substrat mittels einer äußeren Spannungsquelle mit^einer Vorspannung bezüglich des Plasmapotentials zu versehen. Eine derartige Maßnahme zur Durchführung eines Bombardements der dünnen Schicht durch Partikel hoher'Energie ist in Figur 1 dargestellt und umfaßt die Spannungsquelle 28, welche einerseits mit der Erde und andererseits über den Leiter 29 mit dem Substrat verbunden ist»

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Durch ein so erzeugtes elektrisches Feld werden Teilchen mit hoher Energie z.B. Argonionen in Richtung auf das Substrat beschleunigt und treffen auf dieses auf. Die Energie der die Substratschicht bombardierenden Ionen kann durch Änderung der Spannungsquelle V₂ variiert' werden.

Das Mengenverhältnis der Legierungskonstxtuenten, welche durch Kathodenzerstäubung in einer derartigen Apparatur transportiert werden, ist in den experimentiell gewonnenen Diagrammen der Figur 2 dargestellt, wobei die Abszisse die verschiedenen benutzten Ionenenergien der das Substrat bombardierenden Partikel dargestellt ist und auf der Ordinate die Zusammensetzung der niedergeschlagenen dünnen Schicht für zwei Beispiele einer Legierung aus zwei Komponenten aufgetragen ist. Beispielsweise zeigt Kurve 32 die Abhängigkeit des Mengenverhältnisses einer Eisen-Gadoliniumschicht, wobei das Quellenmaterial an der Kathode eine konstante Zusammensetzung von Eisen zu Gadolinium von 1,7 aufwies. Man ersieht aus der Figur, daß durch Änderung der Energie zwischen Null und 500 eV das Mengenverhältnis von Eisen zu Gadolinium innerhalb der niedergeschlagenen dünnen Schicht etwa im Bereich 1,7 bis 2,6 variiert werden kann.

Da Kathodenzerstäubungsverfahren im wesentlichen Prozesse mit übertragung des mechanischen Moments sind, besteht hierbei die Möglichkeit durch Benutzung von Partikeln mit größerer Masse die im einzelnen Stoßprozeß abgegebene Energie zusätzlich zu erhöhen, was z.B. geschehen kann durch Benutzung des inerten Gases Xenon. In ähnlicher Weise kann eine zur Herabsetzung der in Einzelstößen umgesetzten Energie zu Partikeln geringerer Masse übergegangen werden, um in der anderen Richtung den Änderungsbereich der Substratzusammensetzung zu erweitern. Es ergibt sich somit ein ziemlich weiter Bereich der insgesamt möglichen. Variation der mengenmäßigen Zusammensetzung der Materialien für beispielsweise aus zwei Metallen bestehende aufzustäubende dünne Schichten, wobei insgesamt nur eine einzige Zu-Docket SA 967 05)1 909851/1361 .-·, ■■·.'.. =·-.,-.'

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sammensetzung des Quellenmaterials erforderlich ist. Kurve 34 zeigt jedoch, daß dieses zumindestens nicht allgemein gültig ist/ denn das Mengenverhältnis von Nickel zu Eisen bleibt konstant auf dem Werte 4 unabhängig von der Änderung der Ionenenergie der bombardierenden Ionen und zwar für Elektronenenergien, die über ^: einen Bereich von 150 eV und mehr reichen. Eine physikalisch mögliche Erklärung für diese Ausnahme wird später gegeben werden.

In einem Kathodenzerstäubungssystem mit konstanter Zusammensetzung des Quellenmaterials an der Kathode erhält man für die Zusammensetzungsänderung von Gadolinium zu Eisen als Funktion der Vorspannung des Substrates sowohl qualitativ als auch quantitativ völlig unerwartete Ergebnisse. Betrachtet man die Verhältnisse der Zerstäubungsraten der einzelnen Elemente in Figur 3, welche den Verlauf der Zerstäubungsergfi>igkeit in Abhängigkeit von der Ionenenergie der bombardierenden Partikel darstellt, so scheint man erwarten zu können, daß das Eisen leichter vom Substrat zurückgestäubt wird als dies für das Gadolinium der Fall ist. Genau das Gegenteil ist jedoch der Fall, was klar zeigt, daß für spezielle Legierungskonstituenten der Ruckstäubungsprozeß von der Oberfläche der kondensierenden dünnen Schicht aus zwei Komponenten in ganz anderer Weise abläuft, als das für den eigentlichen Zerstäubungsprozeß, wie er an der Kathode stattfindet, der Fall ist. Daraus ist zu schließen, daß die Änderung bezüglich der Mengenverhältnisse der niedergeschlagenen dünnen Schicht nicht einfach gedruckt werden kann durch die ZerstäubungsVerhältnisse der einzelnen Konstituenten der niederzuschlagenden Legierung.

Eine mögliche Erklärung für die Richtung der Änderung in der Zusammensetzung der dünnen Schicht liegt in der Annahme, daß die Zusammensetzung der durch Kathodenzerstäubung erzeugten dünnen Schicht, die ihrerseits einem Bombardement während ihres Niederschlages ausgesetzt ist, eine Funktion der relativen Größe der Atome ihrer Komponenten ist, bzw. der effektiven. Fläche ist^ Docket SA 967 091 9 0 9 8 5 1/13 6 1.-

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welche diese den stoßenden Ionen darbieten* In Figur 2 ist gezeigt , daß eine dünne Schicht aus Hickel-Eisen durch das Ionenbombardement bezüglich seiner Zusammensetzung nicht beeinträchtigt wird. Eine Nachprüfung der relativen Atomgrößen ergab,? daß das Eisenatom ein Durchmesser von etwa I_f24 äE und das Nickelatom eine solche von etwa I,25 AE aufwies« Diese experiment"eilen Resultate erhärten somit die Theorie_f daß die Atomgi'öße einen Einfluß auf die letztlich erhaltene Zusammensetzung der zu erzeugenden dünnen Schicht ausübt, wenn diese entsprechend der Lehre der vorliegenden Erfindung bei ihrer Erzeugung gesondert einem zusätzlichen Ionenbombardement ausgesetzt wird« Die Größen der Eisen und Gadoliniuinatome sind 1,24 §E und 1,79 8e. Entsprechend der skizzierten Theorie sollten die Gadoliniumatome leichter zurückstäuben in folgt' ihres größeren Durchmessers« Eine Betrachtung der Figur 2 zeigt/ daß bei anwachsender Vorspannung die niedergeschlagene dünne Schicht reicher an Eiron wird wegen des Unterschiedes der relativen Größe der beteiligten Atome« Auf diese Weise gewinnt die oben skizzierte Theorie nochmals an ifahrochein-= lichkelt, tatsächlich zuzutreffen.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE

Verfahren zur selektiven Steuerung der Niederschlagsrate einzelner Komponenten bei der Erzeugung von dünnen Schichten mit mindestens zwei Komponenten durch Kathodenzerstäubung unter Benutzung von Quellenmaterialien konstanten Mengenverhältnisses an der Kathode, dadurch gekennzeichnet, daß die zu erzeugende dünne Schicht während des Aufstäubungsprozesses einem Ionenbombardement ausgesetzt wird, derart, daß mindestens eine der Komponenten der zu erzeugenden dünnen Schicht vorzugsweise und selektiv durch einen hierdurch bewirkten zusätzlichen Zerstäubungsprozess aus dieser entfernt wird.
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Zerstäubungsprozeß durch bereits im Plasma der Hauptentladung vorhandenen Ionen bewirkt wird und daß diese Ionen in einem Hilfsfeld beschleunigt werden, das durch eine negative Vorspannung der zu erzeugenden dünnen Schicht gegenüber der Anode der Hauptentladungsstrecke erzeugt wird.

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3. Verfahren nach den Patentansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Hilfsfeld bei diskreten Entladungs- bzw. Aufstäubungsprozessen so eingestellt wird, daß das Mengenverhältnis der Komponenten der erzeugten dünnen Schicht von demjenigen des an der Kathode benutzten Quellenmaterials abweicht.

4. Verfahren nach den Patentansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Hilfsfeld während eines Aufdampfprozesses so gesteuert wird, daß das Mengenverhältnis der Komponenten der entstehenden dünnen Schicht eine Funktion ihrer Dickenerstreckung ist.

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