DE1925827B2 - Schaltungsanordnung zur formung von impulsen extrem hoher flankensteilheit - Google Patents

Schaltungsanordnung zur formung von impulsen extrem hoher flankensteilheit

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DE1925827B2 DE19691925827 DE1925827A DE1925827B2 DE 1925827 B2 DE1925827 B2 DE 1925827B2 DE 19691925827 DE19691925827 DE 19691925827 DE 1925827 A DE1925827 A DE 1925827A DE 1925827 B2 DE1925827 B2 DE 1925827B2
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
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    • H03K3/30Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator

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Description

Die l-'rliiiduiii; beiriITt eine Schaltungsanordnung /in I1OnIHUIg von Impulsen extrem hoher Flankensteilheit, tier vim einem Impulserzeuger Impulse zugeleitet werden und bei tier /wischen dem Impulsei/eu;;ei- und der Ausgangsklemme tier SehaltungsaiionliHiiU! die Reihenschaltung einer Überlragungsintpcilan/ mit einer Schaltdiode eingesetzt ist, während ine Speieherschaluliiide /wischen Masse und dem Viiliindnn^punkt tier Übertragungsimpedanz mit <Ut Schaltdiode gelegt ist und in Durchlaßrichtung ein Gleichstrom durch die Speicherschaltdiode fließt, solange kein Impuls ankommt.
In der Digital-Regeltechnik, Digital-Nachrichtenübertragungstechnik und Digital-Meßtechnik usw. sind einseitig gerichtete Impulse mit jeweils kurzer und gleichbleibender Anstiegszeit zur Bewältigung der Betriebsbedingungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Genauigkeit wünschenswert. Jedoch weichen normalerweise die Anstiegszeiten der Impulse
ίο eines herkömmlichen Impulsgenerators in Abhängigkeit von Änderungen der Impulsdauer oder der Wiederholungsfrequenz ab. Zudem wird die Anstiegszeit eines Impulses normalerweise in einer Impulsformerstufe gedehnt, um ein Überschwingen oder einen
Dachabfall des erzeugten Impulses auszuschließen. Deshalb ist es sehr schwierig, gleichgerichtete Impulse mir periodischer Selbsterregung oder mit Fremderregung zu erzeugen, bei denen eine stabile und kurze Anstiegszeit ohne Überschwingen oder
an Dachabfall gewährleistet ist.
Bekannte Schaltungen der eingangs genannten Art genügen den Bedingungen nicht und sind außerdem gegen Überlastung nicht geschützt, so daß es der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist, die Schaltung
so zu gestalten, daß sie einerseits durch veränderte Eingangs- und Ausgangsbedingungen unbeeinflußte Impulse liefert und andererseits gegen Überlastungen, die beispielsweise durch Kurzschlüsse am Ausgang auftreten können, geschützt ist.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß der Erfindung dadurch, daß die Übertragungsimpedanz für einen Gleichstrom durchlässig ist und als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist.
Dabei kann in vorteilhafter Weiterbildung die Übertragungsimpedanz aus der Reihenschaltung von zwei Widerständen bestehen, deren einem die Reihenschaltung eines Kondensators und eines weiteren Widerstandes parallel geschaltet ist. Weiterhin ist es möglich, daß die Übertragungsimpedanz vom Durch-
laßgleichstrom der Speicherschaltdiode geschlossen wird, und eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung wird erzielt, wenn zwischen dem ausgangsseitigen Anschluß der Übertragungsimpedanz und eine Glcichspannungsquelle eine Zusatzschaltdiode eingeschaltet ist und die Speisegleichspannung der Gleichspannungsquelle kleiner als die Sperrdurchbruchsspannung der Speicherschaltdiode ist, so daß die Speicherschaltdiode auf Grund eines Ausgangsimpulses des Impulserzeugers nicht leitend bleibt, solange nicht eine an der ersten Anschlußklemme der Speicherschaltdiode erscheinende Spannung einen durch die Speisegleichspannung festgelegten Schwellenwert übersteigt.
Die erfindungsgemäße Gestaltung ergibt, daß eine im Eingangsimpuls enthaltene Gleichspannung ohne Flugtuation übertragen wird, da die Übertragungsimpedanz für den Durchtritt von Gleichspannung leitend ist. Da die Übertragungsimpedanz als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist, wird dieser und werden weitere Schallkreiselemente vor Überlastung wirksam geschützt. Diese Überlastschutzwirkung wird noch durch die im Anspruch 4 beanspruchte vorteilhafte Weiterbildung verstärkt. Schließlich ist auch die Speicherzeit der Speicherschaltdiode steuerbar durch entsprechenden Abgleich der Widerslandswcrlc der Widerstände in der Übertragungsimpedanz.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die
Zeichnung an Hand einiger Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität,
Fig. 2A und 2B Wellenformen zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1,
F i g. 3 ein Schaltbild eines Impulsgenerators nach der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen negativer Polarität,
Fig. 4 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität,
F i g. 5 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausfüh-
Schaltdiode D., bleibt auf einem Wert von etwa — 0,8 V. In Abhängigkeit von der genannten Zustandsänderung des Transistors TR, wird ein positiver Impuls V1 am Emitter des Transistors TR2 abgenommen. Die Anstiegszeit desselben beträgt normalerweise etwa 5 nsec (5 X 10-9 see). Dieser positive Impuls Vj liegt über die Impulsformerschaltung aus den Widerständen R-, R6, R9 sowie dem Kondensator C4 an der Speicher-Schaltdiode D2 an.
Wenn der positive Impuls V1 an der Speicher-Schaltdiode D9 anliegt, fließt durch dieselbe zunächst noch ein Gleichstrom in Durchlaßrichtung. Die Stromrichtung wird zunächst auf Sperrichtung umgekehrt, ohne dabei den Leitungszustand der Speicher-
rungsform der Erfindung zur Erzeugung von Tmpul- 15 Schaltdiode in den Sperrzustand zu ändern. Der Leitungszustand der Speicher-Schaltdiode D1 ändert sich nach Ablauf der Speicherzeit /,,„ in den Sperrzustand, so daß man zu diesem Zeitpunkt nach Fig. 2 A einen positiven Impuls v., an der Kathode der Speicher-
Schaltdiode D., abnehmen kann. Die Übergangszeit /, der Speicher-Schaltdiode. D., zur Umschaltung aus d<*.m Durchlaßzustand in den Sperrzustand beträgt etwa 100 psec (100 χ 10-12 see). Dieser positive Impuls V2 liegt über die Schnellschaltdiode D3 an dem
Koaxialausgangskreis 2 an. Der Schwankungsabschnitt im Niederspannungsbereich dieses positiven Impulses va wird mit Hülfe der Schnellschaltdiode Dn abgeschnitten, so daß dan an einem Koaxialausgangskreis 2 nach Fig. 2B, einen Rechteckimpuls v3 mit
einer Anstiegszeit von etwa 100 X 10~] - see abnehmen kann. Dieser Rechteckimpuls v2 geht im wesentlichen vom Nullpegel aus.
Die Speicherzeit f.,,„ der Speicher-Schaltdiode D2 ist in Abhängigkeit von einer Änderung der Werte
sen negativer Polarität.
Fig. 6 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität,
Fig. 7A und 7B Wellenformen zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 6,
F i g. 8 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen negativer Polarität,
F i g. 9 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität und
Fig. 10 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen negativer Polarität.
Das Ausführungsbeispiel der Erfindung gemäß Fig. 1 benutzt Auslöseimpulse positiver Polarität, die über die Eingangsklemmen 1 und 1 α eines Eingangstransformators anliegen. Eine positive An
schlußklemme (4- B) und eine negative Anschluß- 35 der Widerstände Ra, R1 und Re sowie der Spannung klemme (—B) einer Gleichspannungsquelle sind über an der negativen Klemme J—B) in dem Maße versieh
eine Reihenschaltung einer Spule L1 und eines Widerstandes R6 mit dem Kollektor und dem Emitter eines
änderbar, wie sich der Durchlaßstrom durch die Speicher-Schaltdiode D2 ändert. Diese Speicherzeit
Transistors TR., verbunden. Die Widerstände /?4 und rs,„ wird gleich oder langer als die Impulsanstiegs- Rn und der Kondensator C3 dienen zur Stromeinstel- 40 zeit tü des Impulses v2 gewählt. Die Amplitude des lung für den Transistor TR.,. Der Kollektor des Tran- Ausgangsrechteckimpulses v3 hat im wesentlichen den sistors TR., ist über einen "Kondensator C, wechsel- Wert rj(r7 + ;·,, + r0) multipliziert mit der positiven spannungsmäßig geerdet. Der Emitter des Transistors Klemmenspannung (+ B); dabei gehören die Werte TR., ist an eine lmpulsformerschaltung aus den /„, r7 und r„ zu den Widerständen Rn, R7 und Rn. EntWiderständen R-, R^ und Rn sowie dem Kondensator 45 sprechend kann man Ausgangsrechteckimpulse mit C4 angeschlossen. Eine Speicherschaltdiode D., ist an einer vergleichsweise großen Amplitude an dem
4 g
den Ausgangsanschluß der Impulsformerstufe sowie an Erde angeschlossen. Die Anode einer Schnellschaltdiode b:j ist mit der Kathode der Speicherhldid D bd Di Khd d Did D
einer vergleichsweise großen Amplitude an Koaxialausgangskreis 2 a.bnehmen.
Die Impulsformerstufe mit dem Kondensator C4 und den Widerständen R7, R^ und R9 dient zur Stromi TR d di Shnell
:j und den Widerständen R7, R^ 9
Schaltdiode D., verbunden. Die Kathode der Diode D., 5° begrenzung für den Transistor TR., und die Schnellist an den Mittelleiter eines Koaxialausgangskreiscs 2 schaltdiode D;i für den Fall eines kurzen Koaxialaus-
gangskrcises 2 zusätzlich zu der Impulsformerwirkung. Da außerdem der Emitter des Verstärkungs-
kung.
transistors TR., unmittelbar über einen gleichstrom-"d i d
angeschlossen. Ein Belastungswiderstand R0 hat einen Wert von etwa 50 Q.
Wenn ein positiver Auslöseimpuls an der Ein-
gangsklcmme 1 und T α anliegt, wird ein negativer 55 durchlässigen "Übertragungsscheinwiderstand mit den Impuls über eine Wicklung des Transformators T1 an Dioden D.„ D3 gekoppelt: ist, werden die Speicherzeit der Basis-Emittcr-Strecke des Transistor TR., ge- ί.,;,.. des Transistors TR, und die Impulsanstiegszeit geben, der zu diesem Zeitpunkt in seinen Leitungs- der Ausgangsrechteckimpulse v., auch dann stabil gezustand kommt, so daß das Basispotential des Tran- halten, wenn die Dauer und/oder Wicderholungsfresistors TR., positiv wird. Der Transistor TR., bleibt 6o c|iicnz der Ausgangsrechteckimpulse v:| geändert wird.
--·■--· r£s kann erforderlichenfalls der Impulsverstärker
unter Verwendung des Transistors TR., entbehrlich sein, damit der Ausgang der Impulsschaltung unmit-
.-7. , , n w telbar über die Impulsformerschaltiint; an die Spei-
ven Spannungsanschluß (—B). Demzufolge kommt 65 cher-Schaltdiode D2 angelegt wird. dieSpcicher-Schaltdiode D., in ihren Durchlaßzustand Wenn negative Äusgangsimpulsc erwünscht sind,
während der Nichtleitungsperiodc des Transistors kann die Schaltung nach Fig. I in der aus F i g. 3 TR.,. Die Spannung an der Kathode der Speicher- ersichtlichen Weise abgewandelt werden. Dabei wird
während der Dauer dieses Impulses in seinem Durchlaßzusland. Andererseits fließt ein Gleichstrom durch die Speicher-Schalldiode D.„ die Widerstände /?:l und R-. die Spule L1 und den Widerstand Rn zum negati-
der Ausgang des Transistor TR2 am Kollektor abgenommen; die Dioden D2 und D3 sind gegenüber der Schaltung nach Fig. 1 mit umgekehrten Durchlaßrichtungen gepolt. Da die Schaltung und Wirkungsweise dieser Ausführungsform im Vergleich zu Fig. 1 ohne weiteres verstanden werden kann, werden Einzelheiten nicht erläutert.
In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Ausgangsimpulsen mit
(|- E) angeschlossene Gleichspannungsquelle nicht benutzt weiden, muß die Spannung der positiven Anschlußklemme (-!- B) kleiner als die Durchbruchsspanung Vn (25 V) sein, damit ein Durchbruch der Speicher-Schaltdiode D., für den Lccrlaufzustand des Koaxialausgangskreiscs 2 ausgeschaltet wird. Entsprechend wird die Maximalspannung des an dem Koaxialausgangskreis 2 mit einer Belastung von 50 Ll abgenommenen Ausgangsimpulses kleiner als 12.5 V
vergleichsweise großer Amplitude dargestellt. Dabei io sein.
ist die Anode einer Schaltdiode D4 mit dem Verbin- Wenn negativ gerichtete Ausgangsimpulse erforder
lich sind, kann die Schaltung nach F i g. 4 in der aus F i g. 5 ersichtlichen Weise abgewandelt werden, wie
dungspunkt zwischen der Kathode der Speicher-
Schaltdiode D2, der Anode der Schaltdiode D3 und
dem Widerstand Rn verbunden; die Kathode der dies dem Verhältnis der Schaltungen nach Fig. Schaltdiode D4 ist zu der positiven Anschlußklemme 15 und 3 entspricht. Diese Schaltung braucht im einzel-(+ E) einer Gleichspannungsquelle geführt. Ein Kon- neu nicht erläutert zu werden.
densator C„ dient zur wechselspannungsmäßigen Er- Die Sperr-Durchbruclispannung der Speicherdung der Diode D4. Andere Schaltelemente sind in Schaltdiode D2 nimmt im allgemeinen in Abhängiggleicher Weise wie in F i g. 1 benutzt. keit von der Abnahme der Anstiegszeit ti ab. Man Wenn im Rahmen dieser Ausführungsfoim ange- 20 kann jedoch in den Schaltungen der Fig. 4 und 5 nommen wird, daß die Spannung der positiven An- Ausgangsimpulse jeweils mit sehr kurzer Anstiegszeit
schlußklemme (+ B) 40 V beträgt, der Gesamtwider- — J '-"-' : "-- A --■■--■- -.---■.—
stand der Widerstände R7 und R9 50 ü und der
Widerstand r0 des Belastungswiderstandes Ra zum
Abschluß des Koaxialausgangskreises 2 50 Ω beträgt, erhält man einen Rechteckimpuls von 20 V an der Kathode der Speicher-Schaltdiode D2 und an dem
Koaxialausgangskreis, wenn der Durchlaßwiderstand
des Transistors TR, und der Diode D3 vernachlässigt
werden können. Wenn man in diesem Fall annimmt, 30 übrigen Schaltelemente haben eine gleiche Bedeutung
daß die maximal zulässige Durchbruch-Sperrspan- wie in F i g.
und vergleichsweise großer Amplitude ableiten.
Fig. 6 zeigt die Schaltung einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die zur weiteren Verbesserung der Wellenform der Ausgangsinipulse geeignet ist. Dabei wird ein Schaltkreis 3 mit verteilten Konstanten zwischen der Impulsformel stufe (aus dem Kondensator C4 und den Widerständen R1, /\s und /?0) und der Speicher-Schaltdiode D., benutzt. Die
Wenn in dieser Schaltung der an dem mit einem Belastungswiderstand abgeschlossenen Koaxialausgangskreis 2 abgenommene Ausgangsimpuls eine
nung Vn der Speicher-Schaltdiode D2 25 V beträgt, kann die Diode D2 mit der Spannung der Ausgangsimpulse (20 V) belastet werden. Wenn jedoch der Belastungswiderstand R0 des Koaxialausgangskrcises 2 bei NichtVerwendung der Diode D4 weggenommen wird, liegt eine Sperrspannung von 40 V an der Speicher-Schaltdiode D.„ so daß ein Durchbruch auftritt, da die maximal zulässige Sperrspannung Vn (25 V)
kleiner als die wirksame Sperrspannung (40 V) ist. 40 Vn in einer Impulsformerstufc in die Form Zur Vermeidung dieses Durchbruchs ist eine Gleich- bracht werden.
spannung von 22 V an die Kathode der Diode D4 Je kürzer im allgemeinen die Anstiegszeit
von Seiten der positiven Anschlußklemme (+ E) ge- " ^
legt. Wenn man also annimmt, daß der Spannungs-
Wellenform vn nach Fig. 7A hat, die sich durch eine steile AnstiegsHanke 4 und einen !lach ansteigenden Abschnitt5 im Anschluß an die steile Austiegsflanke 4 und einen daran anschließenden konstanten Pegelabschnitt 6 auszeichnet, kann diese Wellenform
gangsimpulses ist, um so größer ist das damit \ ι dene Überschwingen bzw. der Dachabi all 7 ;
abfall der Diode D4 in Durchlaßrichtung etwa 0,8 V 45 Fig. 7B. Zur Unterdrückung des Üb
hv
oder des Dachabfalls einschließlich der Komponenten wird der Schaltkreis 3 mit wi·· Konstanten benutzt. Die Impulsanstiegs/eit impulses des Impulsverstärkers (TR2) liegt nur:-1 weise im Bereich von 5 nsec. Der Schaltkreis im ι teilten Konstanten beeinflußt einen solchen i; nicht wesentlich; doch wird der in der Sp.u SchaltdiodeD., mit einer noch kürzeren Anstiei. geformte Ausgangsimpuls durch den Schah 1M
-vn ■ :n
beträgt, ist die Ausgangsspannung der Speicher-Schaltdiode D„ auf einen Wert von 22,8 V begrenzt, da die Diode~D4 in ihren Leitungszustand kommt, sobald die Spannung an der Kathode der Speicher-Schaltdiode Do einen Wert von 22,8 V übersteigt. Auch wenn man als Koaxialausgangskreis 2 einen offenen Kreis ohne Belastungswiderstand benutzt, tritt in der Speicher-Schaltdiode D2 kein Durchbruch auf, weil die anliegende Spannung von 22,8 V kleiner
als die Durchbruchspannung Vn (25 V) ist. Wenn der 55 beeinflußt. Infolgedessen kann ein Belastungswiderstand von 5OQ an den Koaxialaus- bzw. ein Dachabfall 7 des Ausgangsimpulses I1 ;h^- gangskreis 2 angeschlossen ist, stellt sich die Diode geschlachtet bzw. herabgesetzt werden, indem >! e D4 in ihren Sperrzustand ein, da die Maximalspan- Widerstandskennlinie des Schaltkreises 3 mit vu-.eilnung des Ausgangsimpulses etwa 20 V beträgt Wenn ten Konstanten einen Frequenzverlauf erhält, d*. 1 />ir die von sehen der positiven Anschlußklemme (+ E) 60 Unterdrückung entsprechender konkavitätcn und anliegende Spannung auf einen entsprechenden Wert kovexitäten geeignet ist. Wenn die Dauer des Chereingestellt wird, tritt in der Speicher-Schaltdiode D2 schwingern oder des Dachabfalls vergleichsweise lang kein Durchbruch im Leerlaufzustand des Koaxialaus- ist, wird auch die Verzögerungszeit des Schaltkreises gangskreises 2 auf, auch wenn die Spannung der an mit verteilten Konstanten lang sein. Als ein Sch alldem Koaxialausgangskreis 2 abgenommenen Aus- 65 kreis 3 mit verteilten Konstanten kann eine Strcilengangsimpulse in die Nähe der Durchbruchspannung leitung oder eine Leitung mit verteilten Konstanten Vr (25 V) kommt Wenn die Diode D4, der Konden- benutzt werden. Wenn bspw. eine Konkavität gcgcn- sator C6 und die an die positive Anschlußklemme über der Anstiegsflanke 8 eine Verzögerung von /
nsec aufsveist, kann man leicht cine genaue Einstellung des .Schallkreises 3 entsprechend dieser Konkavität vornehmen. Wenn also ein kleiner Metallstab mit einem Teil des Schaltkreises 3 mit verteilten Konstanten in. Berührung ist, kann eine entsprechende Einstellung dadurch erfolgen, indem man die durch die Änderung des Berührungsbereichs bedingten Verschiebungen der entsprechenden Teile des Ausgangsimpulses Vn auf einem Sichtgerät beobachtet, bspw. auf einer Kathodenstrahlröhre. Im allgemeinen entspricht die Lage der Konkavität oder Konvexität einer Einstellung des Schaltkreises mit verteilten Konstanten, die eine Verzögerungszeit t/2 gemessen zwischen den Dioden D2 und D3 bedingt. Damit läßt sich die Konkavität oder Konvexität ausschalten, indem man eine Leitung mit einer Länge entsprechend der Dauer der Konkavität oder Konvexität an den entsprechenden Bereich des Schaltkreises anschaltet oder indem man die Leitung durch einen Widerstand überbrückt, wenn die Amplitude der Konkavität vergleichsweise klein ist.
Außerdem kann der Schaltkreis 3 mit verteilten Konstanten zur weiteren Verkürzung der Impulsanstiegszeit des Ausgangsinipulses dienen. Da mit Verkürzung der Impulsanstiegszeit ein größerer Anteil höherer Harmonischer der Grundfrequenz in dem Ausgangsimpuls notwendig ist. wird die Widerstandskennlinie des Schaltkreises 3 für die höheren Harmonischen höhergelegt, damit ein größerer Anteil dieser höheren Harmonischen den Koaxialausgangskreis 2 erreichen kann. In diesem Fall wird ein Abschnitt der Widerstandskennlinie entsprechend der Anstiegszeit oder einer etwas längeren Zeitspanne erhöht. Dies erfolgt durch Benutzung einer Leitung kleiner Abmessungen für diesen Abschnitt des Sehallkreises 3 mit verteilten Konstanten.
Die oben genannten Vorteile können durch Einfügen eines Schaltkreises mit verteilten Konstanten zwischen die Speicher-Schaltdiode und den Koaxialausgangskreis 2 erreicht werden, da eine kurze Anstiegszeit eines durch die Speicher-Schaltdiode D., geformten Impulses in diesem Schallkreis gcdehni wird.
Wenn negativläufige Ausgangsimpulsc erwünscht sind, kann die Schaltung nach Fig. 6 in der aus Fig. 8 ersichtlichen Weise abgewandelt werden, entsprechend dem Unterschied der Schaltungen nach Fig. 1 und 3. Da diese Schaltung nach Fig. 8 leich! verständlich ist, ist eine Einzelbeschrcibung entbehrlich.
Die beschriebenen Ausführungsformen der Schaltungen nach F i g. 6 und 8 können gemäß den F i g. 9 und 10 jeweils mit einer Schaltdiode D4 und einem Kondensator Ce ausgestattet sein, die jeweils an die positive Klemme (+ E) oder die negative Klemme (—E) einer Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, um dadurch die Sperr-Durchbruchspannung dei Speicher-Schaltdiode D0 zu verbessern.
Die Arbeitsweise der Schaltungen nach den F i g. 5 und 10 kann an Hand der obigen Erläuterungen leicht verstanden werden, so daß eine Einzelbeschreibung entbehrlich ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Formung von Impulsen extrem hoher Flankensteilheit, der von einem Impulserzeuger Impulse zugeleitet werden und bei der zwischen dem Impulserzeuger und der Ausgangsklemme der Schaltungsanordnung die Reihenschaltung einer Übertragungsimpedanz mit einer Schaltdicke eingesetzt ist, während eine Speicherschaltdiode zwischen Masse und den Verbindungspunkt der Übertragungsimpedanz mit der Schaltdiode gelegt ist und in Durchlaßrichtung ein Gleichstrom durch die Speicherschaltdiode fließt, solange kein Impuls ankommt, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz (Rv Rs, /?H, C4) für einen Gleichstrom durchlässig ist und als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz auf der Reihenschaltung von zwei Widerständen (R7, R9) besteht, deren einem (R.) die Reihenschaltung eines Kondensators (C4) und eines weiteren Widerstandes (Rs) parallel geschaltet ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz vom Durchlaßgleichstrom der Speicherschaltdiode (D.,) durchflossen wird.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den ausgangsseitigen Anschluß der Ubertragungsimpedanz und eine Gleichspannungsquellc(E) eine Zusatzschaltdiode (D4) eingeschaltet ist und daß die Speisegleichspannung der Gleichspannungsquelle kleiner als die Spcrr-Durchbruchsspannung der Speicherschaltdiode (D2) ist, so daß die Speicherschaltdiode (D2) auf Grund eines Ausgangsimpulses des Impulserzeugers nicht leitend bleibt, solange nicht eine an der ersten Anschlußklemme der Speichcrschaltdiode (Dn) erscheinende Spannung einen durch die Speiscgleichspannung festgelegten Schwellenwert übersteigt.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schaltkreis (3) mit verteilten Konstanten zwischen die Übertragungsimpedanz (R-, /?«, R9, C4) und die belrelTende Anschlußklemme der Speicherschaltdiode (D.,) eingefügt ist, damit ein Überschwingen oder ein Dachabfall der Ausgangswcllcnform durch Einstellung des charakteristischen SchcinwidcrstaiKlcs des Schaltkreises (3) unterdrückt werden kann.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3764830A (en) * 1972-06-27 1973-10-09 Us Air Force Stripline video pulse generator
US4605870A (en) * 1983-03-25 1986-08-12 Ibm Corporation High speed low power current controlled gate circuit
JPS6029213A (ja) * 1983-07-24 1985-02-14 Inoue Japax Res Inc 放電加工回路
AU7328696A (en) * 1995-11-15 1997-06-05 Vladimir M. Efanov Pulse generating circuits using drift step recovery devices
JP4159862B2 (ja) * 2002-11-26 2008-10-01 株式会社アドバンテスト パルス発生回路、及びサンプリング回路
US7767433B2 (en) * 2005-04-22 2010-08-03 University Of Southern California High voltage nanosecond pulse generator using fast recovery diodes for cell electro-manipulation
CN113470582B (zh) * 2021-07-28 2022-07-15 昆山龙腾光电股份有限公司 一种pwm输出电路和液晶显示装置

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DE1925827C3 (de) 1978-06-08
DE1925827A1 (de) 1969-11-27

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