DE1925827B2 - Schaltungsanordnung zur formung von impulsen extrem hoher flankensteilheit - Google Patents
Schaltungsanordnung zur formung von impulsen extrem hoher flankensteilheitInfo
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Description
Die l-'rliiiduiii; beiriITt eine Schaltungsanordnung
/in I1OnIHUIg von Impulsen extrem hoher Flankensteilheit,
tier vim einem Impulserzeuger Impulse zugeleitet
werden und bei tier /wischen dem Impulsei/eu;;ei-
und der Ausgangsklemme tier SehaltungsaiionliHiiU!
die Reihenschaltung einer Überlragungsintpcilan/
mit einer Schaltdiode eingesetzt ist, während ine Speieherschaluliiide /wischen Masse und dem
Viiliindnn^punkt tier Übertragungsimpedanz mit
<Ut Schaltdiode gelegt ist und in Durchlaßrichtung ein
Gleichstrom durch die Speicherschaltdiode fließt, solange kein Impuls ankommt.
In der Digital-Regeltechnik, Digital-Nachrichtenübertragungstechnik
und Digital-Meßtechnik usw. sind einseitig gerichtete Impulse mit jeweils kurzer
und gleichbleibender Anstiegszeit zur Bewältigung der Betriebsbedingungen mit hoher Geschwindigkeit
und hoher Genauigkeit wünschenswert. Jedoch weichen normalerweise die Anstiegszeiten der Impulse
ίο eines herkömmlichen Impulsgenerators in Abhängigkeit
von Änderungen der Impulsdauer oder der Wiederholungsfrequenz ab. Zudem wird die Anstiegszeit
eines Impulses normalerweise in einer Impulsformerstufe gedehnt, um ein Überschwingen oder einen
Dachabfall des erzeugten Impulses auszuschließen. Deshalb ist es sehr schwierig, gleichgerichtete Impulse
mir periodischer Selbsterregung oder mit Fremderregung zu erzeugen, bei denen eine stabile
und kurze Anstiegszeit ohne Überschwingen oder
an Dachabfall gewährleistet ist.
Bekannte Schaltungen der eingangs genannten Art genügen den Bedingungen nicht und sind außerdem
gegen Überlastung nicht geschützt, so daß es der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist, die Schaltung
so zu gestalten, daß sie einerseits durch veränderte Eingangs- und Ausgangsbedingungen unbeeinflußte
Impulse liefert und andererseits gegen Überlastungen, die beispielsweise durch Kurzschlüsse am Ausgang
auftreten können, geschützt ist.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß der Erfindung dadurch, daß die Übertragungsimpedanz für
einen Gleichstrom durchlässig ist und als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist.
Dabei kann in vorteilhafter Weiterbildung die Übertragungsimpedanz aus der Reihenschaltung von zwei Widerständen bestehen, deren einem die Reihenschaltung eines Kondensators und eines weiteren Widerstandes parallel geschaltet ist. Weiterhin ist es möglich, daß die Übertragungsimpedanz vom Durch-
Dabei kann in vorteilhafter Weiterbildung die Übertragungsimpedanz aus der Reihenschaltung von zwei Widerständen bestehen, deren einem die Reihenschaltung eines Kondensators und eines weiteren Widerstandes parallel geschaltet ist. Weiterhin ist es möglich, daß die Übertragungsimpedanz vom Durch-
laßgleichstrom der Speicherschaltdiode geschlossen wird, und eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung
wird erzielt, wenn zwischen dem ausgangsseitigen Anschluß der Übertragungsimpedanz und eine
Glcichspannungsquelle eine Zusatzschaltdiode eingeschaltet ist und die Speisegleichspannung der Gleichspannungsquelle
kleiner als die Sperrdurchbruchsspannung der Speicherschaltdiode ist, so daß die
Speicherschaltdiode auf Grund eines Ausgangsimpulses des Impulserzeugers nicht leitend bleibt, solange
nicht eine an der ersten Anschlußklemme der Speicherschaltdiode erscheinende Spannung einen durch
die Speisegleichspannung festgelegten Schwellenwert übersteigt.
Die erfindungsgemäße Gestaltung ergibt, daß eine im Eingangsimpuls enthaltene Gleichspannung ohne
Flugtuation übertragen wird, da die Übertragungsimpedanz für den Durchtritt von Gleichspannung leitend
ist. Da die Übertragungsimpedanz als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist, wird
dieser und werden weitere Schallkreiselemente vor Überlastung wirksam geschützt. Diese Überlastschutzwirkung
wird noch durch die im Anspruch 4 beanspruchte vorteilhafte Weiterbildung verstärkt. Schließlich
ist auch die Speicherzeit der Speicherschaltdiode steuerbar durch entsprechenden Abgleich der Widerslandswcrlc
der Widerstände in der Übertragungsimpedanz.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die
Zeichnung an Hand einiger Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen
positiver Polarität,
Fig. 2A und 2B Wellenformen zur Erläuterung
der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1,
F i g. 3 ein Schaltbild eines Impulsgenerators nach der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen negativer
Polarität,
Fig. 4 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform
der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität,
F i g. 5 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausfüh-
Schaltdiode D., bleibt auf einem Wert von etwa — 0,8 V. In Abhängigkeit von der genannten Zustandsänderung
des Transistors TR, wird ein positiver Impuls V1 am Emitter des Transistors TR2 abgenommen.
Die Anstiegszeit desselben beträgt normalerweise etwa 5 nsec (5 X 10-9 see). Dieser positive
Impuls Vj liegt über die Impulsformerschaltung aus den Widerständen R-, R6, R9 sowie dem Kondensator
C4 an der Speicher-Schaltdiode D2 an.
Wenn der positive Impuls V1 an der Speicher-Schaltdiode
D9 anliegt, fließt durch dieselbe zunächst
noch ein Gleichstrom in Durchlaßrichtung. Die Stromrichtung wird zunächst auf Sperrichtung umgekehrt,
ohne dabei den Leitungszustand der Speicher-
rungsform der Erfindung zur Erzeugung von Tmpul- 15 Schaltdiode in den Sperrzustand zu ändern. Der Leitungszustand
der Speicher-Schaltdiode D1 ändert sich nach Ablauf der Speicherzeit /,,„ in den Sperrzustand,
so daß man zu diesem Zeitpunkt nach Fig. 2 A einen
positiven Impuls v., an der Kathode der Speicher-
Schaltdiode D., abnehmen kann. Die Übergangszeit /,
der Speicher-Schaltdiode. D., zur Umschaltung aus d<*.m Durchlaßzustand in den Sperrzustand beträgt
etwa 100 psec (100 χ 10-12 see). Dieser positive Impuls
V2 liegt über die Schnellschaltdiode D3 an dem
Koaxialausgangskreis 2 an. Der Schwankungsabschnitt im Niederspannungsbereich dieses positiven
Impulses va wird mit Hülfe der Schnellschaltdiode Dn
abgeschnitten, so daß dan an einem Koaxialausgangskreis 2 nach Fig. 2B, einen Rechteckimpuls v3 mit
einer Anstiegszeit von etwa 100 X 10~] - see abnehmen
kann. Dieser Rechteckimpuls v2 geht im wesentlichen vom Nullpegel aus.
Die Speicherzeit f.,,„ der Speicher-Schaltdiode D2
ist in Abhängigkeit von einer Änderung der Werte
sen negativer Polarität.
Fig. 6 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform
der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen positiver Polarität,
Fig. 7A und 7B Wellenformen zur Erläuterung
der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 6,
F i g. 8 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen
negativer Polarität,
F i g. 9 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen
positiver Polarität und
Fig. 10 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zur Erzeugung von Impulsen
negativer Polarität.
Das Ausführungsbeispiel der Erfindung gemäß Fig. 1 benutzt Auslöseimpulse positiver Polarität,
die über die Eingangsklemmen 1 und 1 α eines Eingangstransformators
anliegen. Eine positive An
schlußklemme (4- B) und eine negative Anschluß- 35 der Widerstände Ra, R1 und Re sowie der Spannung
klemme (—B) einer Gleichspannungsquelle sind über an der negativen Klemme J—B) in dem Maße versieh
eine Reihenschaltung einer Spule L1 und eines Widerstandes
R6 mit dem Kollektor und dem Emitter eines
änderbar, wie sich der Durchlaßstrom durch die Speicher-Schaltdiode D2 ändert. Diese Speicherzeit
Transistors TR., verbunden. Die Widerstände /?4 und rs,„ wird gleich oder langer als die Impulsanstiegs-
Rn und der Kondensator C3 dienen zur Stromeinstel- 40 zeit tü des Impulses v2 gewählt. Die Amplitude des
lung für den Transistor TR.,. Der Kollektor des Tran- Ausgangsrechteckimpulses v3 hat im wesentlichen den
sistors TR., ist über einen "Kondensator C, wechsel- Wert rj(r7 + ;·,, + r0) multipliziert mit der positiven
spannungsmäßig geerdet. Der Emitter des Transistors Klemmenspannung (+ B); dabei gehören die Werte
TR., ist an eine lmpulsformerschaltung aus den /„, r7 und r„ zu den Widerständen Rn, R7 und Rn. EntWiderständen
R-, R^ und Rn sowie dem Kondensator 45 sprechend kann man Ausgangsrechteckimpulse mit
C4 angeschlossen. Eine Speicherschaltdiode D., ist an einer vergleichsweise großen Amplitude an dem
4 g
den Ausgangsanschluß der Impulsformerstufe sowie an Erde angeschlossen. Die Anode einer Schnellschaltdiode
b:j ist mit der Kathode der Speicherhldid
D bd Di Khd d Did D
einer vergleichsweise großen Amplitude an Koaxialausgangskreis 2 a.bnehmen.
Die Impulsformerstufe mit dem Kondensator C4
und den Widerständen R7, R^ und R9 dient zur Stromi
TR d di Shnell
:j und den Widerständen R7, R^ 9
Schaltdiode D., verbunden. Die Kathode der Diode D., 5° begrenzung für den Transistor TR., und die Schnellist
an den Mittelleiter eines Koaxialausgangskreiscs 2 schaltdiode D;i für den Fall eines kurzen Koaxialaus-
gangskrcises 2 zusätzlich zu der Impulsformerwirkung.
Da außerdem der Emitter des Verstärkungs-
kung.
transistors TR., unmittelbar über einen gleichstrom-"d i d
angeschlossen. Ein Belastungswiderstand R0 hat einen
Wert von etwa 50 Q.
Wenn ein positiver Auslöseimpuls an der Ein-
gangsklcmme 1 und T α anliegt, wird ein negativer 55 durchlässigen "Übertragungsscheinwiderstand mit den
Impuls über eine Wicklung des Transformators T1 an Dioden D.„ D3 gekoppelt: ist, werden die Speicherzeit
der Basis-Emittcr-Strecke des Transistor TR., ge- ί.,;,.. des Transistors TR, und die Impulsanstiegszeit
geben, der zu diesem Zeitpunkt in seinen Leitungs- der Ausgangsrechteckimpulse v., auch dann stabil gezustand
kommt, so daß das Basispotential des Tran- halten, wenn die Dauer und/oder Wicderholungsfresistors
TR., positiv wird. Der Transistor TR., bleibt 6o c|iicnz der Ausgangsrechteckimpulse v:| geändert wird.
--·■--· r£s kann erforderlichenfalls der Impulsverstärker
unter Verwendung des Transistors TR., entbehrlich sein, damit der Ausgang der Impulsschaltung unmit-
.-7. , , n w telbar über die Impulsformerschaltiint; an die Spei-
ven Spannungsanschluß (—B). Demzufolge kommt 65 cher-Schaltdiode D2 angelegt wird.
dieSpcicher-Schaltdiode D., in ihren Durchlaßzustand Wenn negative Äusgangsimpulsc erwünscht sind,
während der Nichtleitungsperiodc des Transistors kann die Schaltung nach Fig. I in der aus F i g. 3
TR.,. Die Spannung an der Kathode der Speicher- ersichtlichen Weise abgewandelt werden. Dabei wird
während der Dauer dieses Impulses in seinem Durchlaßzusland. Andererseits fließt ein Gleichstrom durch
die Speicher-Schalldiode D.„ die Widerstände /?:l und
R-. die Spule L1 und den Widerstand Rn zum negati-
der Ausgang des Transistor TR2 am Kollektor abgenommen;
die Dioden D2 und D3 sind gegenüber der
Schaltung nach Fig. 1 mit umgekehrten Durchlaßrichtungen
gepolt. Da die Schaltung und Wirkungsweise dieser Ausführungsform im Vergleich zu Fig. 1
ohne weiteres verstanden werden kann, werden Einzelheiten nicht erläutert.
In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform der
Erfindung zur Erzeugung von Ausgangsimpulsen mit
(|- E) angeschlossene Gleichspannungsquelle nicht benutzt weiden, muß die Spannung der positiven Anschlußklemme
(-!- B) kleiner als die Durchbruchsspanung Vn (25 V) sein, damit ein Durchbruch der
Speicher-Schaltdiode D., für den Lccrlaufzustand des Koaxialausgangskreiscs 2 ausgeschaltet wird. Entsprechend
wird die Maximalspannung des an dem Koaxialausgangskreis 2 mit einer Belastung von 50 Ll
abgenommenen Ausgangsimpulses kleiner als 12.5 V
vergleichsweise großer Amplitude dargestellt. Dabei io sein.
ist die Anode einer Schaltdiode D4 mit dem Verbin- Wenn negativ gerichtete Ausgangsimpulse erforder
lich sind, kann die Schaltung nach F i g. 4 in der aus
F i g. 5 ersichtlichen Weise abgewandelt werden, wie
dungspunkt zwischen der Kathode der Speicher-
Schaltdiode D2, der Anode der Schaltdiode D3 und
dem Widerstand Rn verbunden; die Kathode der dies dem Verhältnis der Schaltungen nach Fig.
Schaltdiode D4 ist zu der positiven Anschlußklemme 15 und 3 entspricht. Diese Schaltung braucht im einzel-(+
E) einer Gleichspannungsquelle geführt. Ein Kon- neu nicht erläutert zu werden.
densator C„ dient zur wechselspannungsmäßigen Er- Die Sperr-Durchbruclispannung der Speicherdung
der Diode D4. Andere Schaltelemente sind in Schaltdiode D2 nimmt im allgemeinen in Abhängiggleicher Weise wie in F i g. 1 benutzt. keit von der Abnahme der Anstiegszeit ti ab. Man
Wenn im Rahmen dieser Ausführungsfoim ange- 20 kann jedoch in den Schaltungen der Fig. 4 und 5
nommen wird, daß die Spannung der positiven An- Ausgangsimpulse jeweils mit sehr kurzer Anstiegszeit
schlußklemme (+ B) 40 V beträgt, der Gesamtwider- — J '-"-' : "-- A --■■--■- -.---■.—
stand der Widerstände R7 und R9 50 ü und der
Widerstand r0 des Belastungswiderstandes Ra zum
Abschluß des Koaxialausgangskreises 2 50 Ω beträgt, erhält man einen Rechteckimpuls von 20 V an der
Kathode der Speicher-Schaltdiode D2 und an dem
Koaxialausgangskreis, wenn der Durchlaßwiderstand
des Transistors TR, und der Diode D3 vernachlässigt
werden können. Wenn man in diesem Fall annimmt, 30 übrigen Schaltelemente haben eine gleiche Bedeutung
daß die maximal zulässige Durchbruch-Sperrspan- wie in F i g.
und vergleichsweise großer Amplitude ableiten.
Fig. 6 zeigt die Schaltung einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung, die zur weiteren Verbesserung der Wellenform der Ausgangsinipulse geeignet
ist. Dabei wird ein Schaltkreis 3 mit verteilten Konstanten zwischen der Impulsformel stufe (aus dem
Kondensator C4 und den Widerständen R1, /\s und
/?0) und der Speicher-Schaltdiode D., benutzt. Die
Wenn in dieser Schaltung der an dem mit einem Belastungswiderstand abgeschlossenen Koaxialausgangskreis
2 abgenommene Ausgangsimpuls eine
nung Vn der Speicher-Schaltdiode D2 25 V beträgt,
kann die Diode D2 mit der Spannung der Ausgangsimpulse (20 V) belastet werden. Wenn jedoch der Belastungswiderstand
R0 des Koaxialausgangskrcises 2 bei NichtVerwendung der Diode D4 weggenommen
wird, liegt eine Sperrspannung von 40 V an der Speicher-Schaltdiode D.„ so daß ein Durchbruch auftritt,
da die maximal zulässige Sperrspannung Vn (25 V)
kleiner als die wirksame Sperrspannung (40 V) ist. 40 Vn in einer Impulsformerstufc in die Form
Zur Vermeidung dieses Durchbruchs ist eine Gleich- bracht werden.
spannung von 22 V an die Kathode der Diode D4 Je kürzer im allgemeinen die Anstiegszeit
von Seiten der positiven Anschlußklemme (+ E) ge- " ^
legt. Wenn man also annimmt, daß der Spannungs-
Wellenform vn nach Fig. 7A hat, die sich durch
eine steile AnstiegsHanke 4 und einen !lach ansteigenden
Abschnitt5 im Anschluß an die steile Austiegsflanke
4 und einen daran anschließenden konstanten Pegelabschnitt 6 auszeichnet, kann diese Wellenform
gangsimpulses ist, um so größer ist das damit \ ι
dene Überschwingen bzw. der Dachabi all 7 ;
abfall der Diode D4 in Durchlaßrichtung etwa 0,8 V 45 Fig. 7B. Zur Unterdrückung des Üb
hv
oder des Dachabfalls einschließlich der Komponenten wird der Schaltkreis 3 mit wi··
Konstanten benutzt. Die Impulsanstiegs/eit impulses des Impulsverstärkers (TR2) liegt nur:-1
weise im Bereich von 5 nsec. Der Schaltkreis im ι
teilten Konstanten beeinflußt einen solchen i; nicht wesentlich; doch wird der in der Sp.u
SchaltdiodeD., mit einer noch kürzeren Anstiei.
geformte Ausgangsimpuls durch den Schah 1M
-vn ■ :n
beträgt, ist die Ausgangsspannung der Speicher-Schaltdiode D„ auf einen Wert von 22,8 V begrenzt,
da die Diode~D4 in ihren Leitungszustand kommt, sobald die Spannung an der Kathode der Speicher-Schaltdiode
Do einen Wert von 22,8 V übersteigt. Auch wenn man als Koaxialausgangskreis 2 einen
offenen Kreis ohne Belastungswiderstand benutzt, tritt in der Speicher-Schaltdiode D2 kein Durchbruch
auf, weil die anliegende Spannung von 22,8 V kleiner
als die Durchbruchspannung Vn (25 V) ist. Wenn der 55 beeinflußt. Infolgedessen kann ein
Belastungswiderstand von 5OQ an den Koaxialaus- bzw. ein Dachabfall 7 des Ausgangsimpulses I1 ;h^-
gangskreis 2 angeschlossen ist, stellt sich die Diode geschlachtet bzw. herabgesetzt werden, indem >! e
D4 in ihren Sperrzustand ein, da die Maximalspan- Widerstandskennlinie des Schaltkreises 3 mit vu-.eilnung
des Ausgangsimpulses etwa 20 V beträgt Wenn ten Konstanten einen Frequenzverlauf erhält, d*. 1 />ir
die von sehen der positiven Anschlußklemme (+ E) 60 Unterdrückung entsprechender konkavitätcn und
anliegende Spannung auf einen entsprechenden Wert kovexitäten geeignet ist. Wenn die Dauer des Chereingestellt
wird, tritt in der Speicher-Schaltdiode D2 schwingern oder des Dachabfalls vergleichsweise lang
kein Durchbruch im Leerlaufzustand des Koaxialaus- ist, wird auch die Verzögerungszeit des Schaltkreises
gangskreises 2 auf, auch wenn die Spannung der an mit verteilten Konstanten lang sein. Als ein Sch alldem Koaxialausgangskreis 2 abgenommenen Aus- 65 kreis 3 mit verteilten Konstanten kann eine Strcilengangsimpulse
in die Nähe der Durchbruchspannung leitung oder eine Leitung mit verteilten Konstanten
Vr (25 V) kommt Wenn die Diode D4, der Konden- benutzt werden. Wenn bspw. eine Konkavität gcgcn-
sator C6 und die an die positive Anschlußklemme über der Anstiegsflanke 8 eine Verzögerung von /
nsec aufsveist, kann man leicht cine genaue Einstellung
des .Schallkreises 3 entsprechend dieser Konkavität vornehmen. Wenn also ein kleiner Metallstab
mit einem Teil des Schaltkreises 3 mit verteilten Konstanten in. Berührung ist, kann eine entsprechende
Einstellung dadurch erfolgen, indem man die durch die Änderung des Berührungsbereichs bedingten
Verschiebungen der entsprechenden Teile des Ausgangsimpulses Vn auf einem Sichtgerät beobachtet,
bspw. auf einer Kathodenstrahlröhre. Im allgemeinen entspricht die Lage der Konkavität oder Konvexität
einer Einstellung des Schaltkreises mit verteilten Konstanten, die eine Verzögerungszeit t/2 gemessen
zwischen den Dioden D2 und D3 bedingt. Damit läßt
sich die Konkavität oder Konvexität ausschalten, indem man eine Leitung mit einer Länge entsprechend
der Dauer der Konkavität oder Konvexität an den entsprechenden Bereich des Schaltkreises anschaltet
oder indem man die Leitung durch einen Widerstand überbrückt, wenn die Amplitude der Konkavität vergleichsweise
klein ist.
Außerdem kann der Schaltkreis 3 mit verteilten Konstanten zur weiteren Verkürzung der Impulsanstiegszeit
des Ausgangsinipulses dienen. Da mit Verkürzung der Impulsanstiegszeit ein größerer Anteil
höherer Harmonischer der Grundfrequenz in dem Ausgangsimpuls notwendig ist. wird die Widerstandskennlinie des Schaltkreises 3 für die höheren Harmonischen
höhergelegt, damit ein größerer Anteil dieser höheren Harmonischen den Koaxialausgangskreis 2
erreichen kann. In diesem Fall wird ein Abschnitt der Widerstandskennlinie entsprechend der Anstiegszeit
oder einer etwas längeren Zeitspanne erhöht. Dies erfolgt durch Benutzung einer Leitung kleiner Abmessungen
für diesen Abschnitt des Sehallkreises 3 mit verteilten Konstanten.
Die oben genannten Vorteile können durch Einfügen eines Schaltkreises mit verteilten Konstanten
zwischen die Speicher-Schaltdiode und den Koaxialausgangskreis 2 erreicht werden, da eine kurze Anstiegszeit
eines durch die Speicher-Schaltdiode D., geformten Impulses in diesem Schallkreis gcdehni
wird.
Wenn negativläufige Ausgangsimpulsc erwünscht sind, kann die Schaltung nach Fig. 6 in der aus
Fig. 8 ersichtlichen Weise abgewandelt werden, entsprechend
dem Unterschied der Schaltungen nach Fig. 1 und 3. Da diese Schaltung nach Fig. 8 leich!
verständlich ist, ist eine Einzelbeschrcibung entbehrlich.
Die beschriebenen Ausführungsformen der Schaltungen nach F i g. 6 und 8 können gemäß den F i g. 9
und 10 jeweils mit einer Schaltdiode D4 und einem Kondensator Ce ausgestattet sein, die jeweils an die
positive Klemme (+ E) oder die negative Klemme (—E) einer Gleichspannungsquelle angeschlossen
sind, um dadurch die Sperr-Durchbruchspannung dei Speicher-Schaltdiode D0 zu verbessern.
Die Arbeitsweise der Schaltungen nach den F i g. 5 und 10 kann an Hand der obigen Erläuterungen
leicht verstanden werden, so daß eine Einzelbeschreibung entbehrlich ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung zur Formung von Impulsen extrem hoher Flankensteilheit, der von
einem Impulserzeuger Impulse zugeleitet werden und bei der zwischen dem Impulserzeuger und der
Ausgangsklemme der Schaltungsanordnung die Reihenschaltung einer Übertragungsimpedanz mit
einer Schaltdicke eingesetzt ist, während eine Speicherschaltdiode zwischen Masse und den
Verbindungspunkt der Übertragungsimpedanz mit der Schaltdiode gelegt ist und in Durchlaßrichtung
ein Gleichstrom durch die Speicherschaltdiode fließt, solange kein Impuls ankommt, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz
(Rv Rs, /?H, C4) für einen
Gleichstrom durchlässig ist und als Überlastschutz für den Impulserzeuger dimensioniert ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz auf der Reihenschaltung von zwei
Widerständen (R7, R9) besteht, deren einem (R.)
die Reihenschaltung eines Kondensators (C4) und eines weiteren Widerstandes (Rs) parallel geschaltet
ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsimpedanz
vom Durchlaßgleichstrom der Speicherschaltdiode (D.,) durchflossen wird.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
den ausgangsseitigen Anschluß der Ubertragungsimpedanz
und eine Gleichspannungsquellc(E) eine Zusatzschaltdiode (D4) eingeschaltet
ist und daß die Speisegleichspannung der Gleichspannungsquelle kleiner als die Spcrr-Durchbruchsspannung
der Speicherschaltdiode (D2) ist, so daß die Speicherschaltdiode (D2) auf
Grund eines Ausgangsimpulses des Impulserzeugers nicht leitend bleibt, solange nicht eine an der
ersten Anschlußklemme der Speichcrschaltdiode (Dn) erscheinende Spannung einen durch die
Speiscgleichspannung festgelegten Schwellenwert übersteigt.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Schaltkreis (3) mit verteilten Konstanten zwischen die Übertragungsimpedanz (R-, /?«, R9,
C4) und die belrelTende Anschlußklemme der
Speicherschaltdiode (D.,) eingefügt ist, damit ein Überschwingen oder ein Dachabfall der Ausgangswcllcnform
durch Einstellung des charakteristischen SchcinwidcrstaiKlcs des Schaltkreises (3)
unterdrückt werden kann.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |