DE1910314B2 - Kontaktvorrichtung fuer eine messanordnung zur dynamischen messung von halbleiterparametern - Google Patents

Kontaktvorrichtung fuer eine messanordnung zur dynamischen messung von halbleiterparametern

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DE1910314B2 DE19691910314 DE1910314A DE1910314B2 DE 1910314 B2 DE1910314 B2 DE 1910314B2 DE 19691910314 DE19691910314 DE 19691910314 DE 1910314 A DE1910314 A DE 1910314A DE 1910314 B2 DE1910314 B2 DE 1910314B2
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card

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Description

Zur Messung der statischen Parameter von Halbleiterbauelementen und integrierten monolithischen Halbleiterschaltungsanordnungen werden heute Meßanordnungen mit mehreren Spitzenkontakten verwendet Insbesondere bei Meßanordnungen für integrierte Schaltungsanordnungen sind Anordnungen mi. vielen Meßspitzen, sogenannte Multiprober, bekanntgeworden. Um einen elektrischen Kontakt zwischen dem Multiprober und den Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungsanordnungen herzustellen, wird entweder der Multiprober auf die zu .messende Halbleiterscheibe abgesenkt, oder aber die Halbleiterscheibe wird umgekehrt gegen den Multiprober
ίο gedrückt. Die einzelnen Kontaktspitzen des Multiprobers sind üblicherweise in der x- und y-Richtung sowie auch in der Höhe verschiebbar.
Die bekannten Multiprober haben jedoch den Nachteil, daß mit ihnen keine dynamischen Messungen
durchgeführt werden können. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Meßanordnung anzugeben, die auch zur dynamischen Messung von Halbleiterparametern verwendet werden kann. Zur Lösung der gestellten Aufgabe sind bei einer Kontakt-
vorrichtung für eine Meßanordnung zur dynamischen Messung von Halbleiterparametern nach der Erfindung flächenhafte Metallkontakte vorgesehen, die senkrecht zu ihrer Längsausdehnung mi: den Kontaktstellen in Berührung gebracht werden.
Die nach der Erfindung vorgesehenen flächenhaften Metallkontakte bestehen beispielweise aus Metallstreifen oder Metallfolien. Diese Metallstreifen oder Metallfolien werden vorzugsweise auf einen mit einer Aussparung versehenen Trägerkörper derart aufge-
bracht, daß sie mit ihrem kontaktmachenden Ende in diese Aussparung hineinragen. Weist der Trägerkörper eine kreisförmige Aussparung auf, so werden die flächenhaften Metallkontakte radial in Richtung zur Mitte der kreisförmigen Aussparung angeordnet.
Es empfiehlt sich, die flächenhaften Metallkontakte in Richtung auf das kontaktmachende Ende verjüngt auszubilden. Dementsprechend werden bei einem Trägerkörper mit einer kreisförmigen Aussparung beispielsweise kreissegmentförmig ausgebildete Metallkontakte verwendet.
Gtimäß einer Weiterbildung der Erfindung wird auf die flächenhaften Metallkontakte ein Metallbelag aufgebracht, der die Abriebfestigkeit erhöht. Ein solcher Belag besteht beispielsweise »us Wolfram-Karbid.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Die Fig.l zeigt in einer Draufsicht sowie in einer Schnittdarstellung einen nach der Erfindung vorgesehenen Trägerkörper 1 mit dem auf ihm befindlichen flächenhaften Metallkontakten 2, die auch als Metallfinger bzw. als Proberfinger bezeichnet werden. Der Tierkörper 1 besteht beispielsweise aus einer Scheibe aus Isoliermaterial, die in der Mitte eine Aussparung 3 aufweist. Die Scheibe 1 sowie die Aussparung 3 sind im Ausführungsbeispiel rund bzw. kreisförmig, doch kann der Trägerkörper sowie die Aussparung natürlich auch beliebig anders geformt sein.
Die Kontaktfinger 2 verlaufen im Ausführungsbeispiel der F i g. 1 radial zur Mitte der Aussparung 3 und haben die Form von Kreissegmenten. Die Kontaktfinger sind zum kontaktmachenden Ende hin verjüngt und ragen mit ihren spitzen Enden in die Aussparung hinein, wodurch sie eine gewisse Elastizität erhalten. Die Elastizität der Kontaktfinger hängt außer von dem
Elastizitätsmodul des Kontaktfingermaterials von der Form und der Stärke der Finger sowie von der Länge des in die Aussparung ragenden Teils der Finger ab. Die Kontaktfinger sind fest mit der Oberfläche des
Topers verbund«, und zwar beweise ^^^^^Γ^'" heisDielsweise von einem mit einer Aussparung 3 Atzmasice vorgesenciicri Metall-
bs£Lisa,;»« ^^x^-sssssü=
aber beispielsweise auch möglich, auf den Tragkörper ^^S^aSg besteht Das Aufbringen des Metallbeeine dünne Metallschicht aufzudampfen und diesedann Woj r^m ^™is ielsweisedurch Aufdampfen. Damit z. B. elektrolyt entsprechend der bekannten »beam iS lag«ϊ 5,rWgt oe P^ nur die Spitzen der ,ead«-Technik auf die optimale D.cke zu verstarken. ^ E JaUu^g deTh ng ^ ^^
Wie die F i g- 2 zeigt überbrückt die Metallschicht_ bzw. ^" J^5 erhalten, wird dieser zweckmäßigerwe.se Metallfo.ie2dieAussparung3undhaftetsom,tmchtam Mettllbdjg SeA ^ ^ ^
Boden der Aussparung. au^ . 3 ^ schiießlich noch, wie mit Hilfe der
In eine weiteren Verfahrensschntt wird nun gemäß 20 Die F^ 3 zeig Erfindung ein Halble.terplätt-
der Fig.2b in Übereinstimmung mit der in der Meßvorncntung^nac kontakUert werden kann.
Halbleitertechnik verwendeten Aizmaskentechn.k auf chen 6' ™J ^ ^^ dadurch, daß das Halbleiter-
die Metallschicht 2 eine Photolacksch.cht 4 aufgebracht D t ^^t.emng 8 η die mu den
die nach entsprechendem Belichten und Entwickeln als plattch,en I) mit Kontaktfinger 2 gedruckt
Ätzmaske beim Herausätzen der MetalmngerstruKtur 25 MeuUbelage ι 5 t mit den Kontakt-
der Fi8-I dient Die F ig. 2c zeigt Jeteott jJ^S"Jj Halbleiterplättchen 6 herangebracht
strukturiert mit Hilfe einer entsprechenden Belichtungs- fingern
.1.. u„i:„u.„.» „nH Pntwirkete Photolackschicht 4, wird.
strukturiert mit Hilfe einer entsprechenden Belichtg
maske belichtete und entwickelte Photolackschicht 4,
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (13)

Patentansprüche:
1. Kontaktvorrichtung für eine Meßanordnung zur dynamischen Messung von Halbleiterparametern, insbesondere von integrierten Schaltungsanoranungen, dadurch gekennzeichnet, daß flächenhafte Metallkontakte vorgesehen sind, die senkrecht zu ihrer Längsausdehnung mit den Kontaktstellen in Berührung gebracht werden.
2. Kontaktvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhaften Metallkontakte aus Metallstreifen oder Metallfolien bestehen, die auf einen mit einer Aussparung versehenen Trägerkörper derart aufgebracht sind, daß sie mit ihrem kontaktmachenden Ende in diese Aussparungen hineinragen.
3. Kontaktvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper eine kreisförmige Aussparung aufweist.
4. Kontaktvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhafte Metallkontakte radial in Richtung zur Mitte der kreisförmigen Aussparung angeordnet sind.
5. Kontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhaften Metallkontakte in Richtung auf das kontaktmachende Ende verjüngt ausgebildet sind.
6. Kontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhaften Metallkontakte die Form von Kreissegmenten haben.
7. Kontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf die flächenhaften Metallkontakte ein Metallbelag aufgebracht ist, der die Abriebfestigkeit erhöhl.
8. Kontaktvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Metallbelag nur auf das kontaktmachende Ende der flächeuhaften Metallkontakte aufgebracht ist.
9. Kontaktvorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, da3 der Metallbelag aus Wolfram-Karbid besteht.
10. Kontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus Keramik oder Quarz besteht.
11. Verfahren zum Herstellen einer Kontaktvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit einer Aussparung versehene Oberflächenseite eines Trägerkörpers ganzflächig eine zusammenhängende Metallschicht aufgebracht wird, und daß aus dieser Metallschicht die Struktur der flächenhaften Metallkontakte herausgeätzt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur mit Hilfe der Photolackätztechnik herausgeätzt wird.
13 Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aufgedampft und galvanisch verstärkt wird.
DE19691910314 1969-02-28 1969-02-28 Kontaktvorrichtung für eine Meßanordnung zur dynamischen Messung von Halbleiterparametern Expired DE1910314C3 (de)

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DE19691910314 DE1910314C3 (de) 1969-02-28 Kontaktvorrichtung für eine Meßanordnung zur dynamischen Messung von Halbleiterparametern
GB787170A GB1299241A (en) 1969-02-28 1970-02-18 Contact device for enabling the dynamic measurement of semiconductor parameters
FR7006647A FR2063832A5 (de) 1969-02-28 1970-02-24
US00220491A US3826984A (en) 1969-02-28 1972-01-24 Measuring device for the dynamic measurement of semiconductor parameters and method of making such a device

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Publications (3)

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DE1910314A1 DE1910314A1 (de) 1970-10-08
DE1910314B2 true DE1910314B2 (de) 1977-03-17
DE1910314C3 DE1910314C3 (de) 1977-11-10

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0127295A1 (de) * 1983-05-03 1984-12-05 Wentworth Laboratories, Inc. Anordnung einer Testprobe für ein IC-Plättchen
EP0131375A1 (de) * 1983-06-09 1985-01-16 Texas Instruments Incorporated Vorrichtung zum Prüfen von integrierten Schaltkreisen
EP0248521A2 (de) * 1986-04-25 1987-12-09 Plessey Overseas Limited Elektrische Verbinder

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EP0248521A3 (de) * 1986-04-25 1989-04-26 Plessey Overseas Limited Elektrische Verbinder

Also Published As

Publication number Publication date
GB1299241A (en) 1972-12-13
FR2063832A5 (de) 1971-07-09
DE1910314A1 (de) 1970-10-08

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