DE1906726A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einer oder mehreren starren Leitern,die seitlich aus einem Halbleiterkoerper hinausragen und Halbleiteranordnung,die mit Verwendung dieses Verfahrens hergestellt ist - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einer oder mehreren starren Leitern,die seitlich aus einem Halbleiterkoerper hinausragen und Halbleiteranordnung,die mit Verwendung dieses Verfahrens hergestellt ist

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DE1906726A1
DE1906726A1 DE19691906726 DE1906726A DE1906726A1 DE 1906726 A1 DE1906726 A1 DE 1906726A1 DE 19691906726 DE19691906726 DE 19691906726 DE 1906726 A DE1906726 A DE 1906726A DE 1906726 A1 DE1906726 A1 DE 1906726A1
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semiconductor
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evaporator
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Marechal Hubert Georges Joseph
Neuhuys Thierry Jean Paul
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

pmr 3033 sk/mi
Anmelder: H. V. PH\l\?7 CiillXPll.
' au·: OT- 3033 0
und Torrichtung zur Herstellung von Ralbleiteranordnungen nit einer oder mehreren starren T.«itera, die seitlich au« einem Halbleiterkörper hinausragen und Halbleiteranordnung, die nit Verwendung dieaee Verfuhren« hergeetellt ist·
Die Erfindung besieht aioh £.»f ein Verfahren sur Her«teilung Ton Helbleiterijiordnungen mit wenigstens einem Halbleiterkörper, der ▼on einer oder mehreren starren Leitern, die seitlich aus dem Halbleiterkörper hinausragen, sogenannte 'Inaa-leada", und die duroh Ablagerung erhalten sind| weiterhin bezieht sioh die Srfindung auf eine Vorrichtung zum Burohftlhren eines derartigen Verfahrens, und auf eine mit Verwendung diese· Verfahrens hergestellte Halbleitervorrichtung.
Verfahren zum .'.ufdampen dünner Metallschichten mit einer Diofce γόη z.B. weniger als 1 /a auf eine Oberfläche sind bekannt. Hfiufi& sind aeer Sohiohten reit einer jrösseren Dicke, s.B· ron 1 bla 10 Ai1 erwünecht. Ee sind z.B. Halbleiteranordnungen bekannt, die
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PHI 3053 - 2 -
aus einen Halbleiterkörper cit seitlich aus den KCrper hinausragenden Verbindungsleitern Gestehen. Diese Elenente sind unter der Beseichnung l^eaj5-lea4"-Harbleiterauordnungen, wie z.B. ••b*ae~lead"-Transietoren, "bekannt. Sie wurde» a.B. in der Zeit-
eohrift "ELeotronlcs" von 16. November I964, Seite 114» beschrieben. Die Blöke der Verbindung si ei te r "beam-leads" kann etwa 10 /a. betragen. Sie kBnnen ale Ansehluesleiter oder tie Terbindungsleiter «wischen nebeneinanderliegenden HalbleiterkCrper dienen.
Obwohl zum -.nbringen dünner Metallschichten auch, bei der Herstellung τοη Halbleitervorrichtungen häufig Aus*!eheidun£ aua der Gasphase, insbesondere im Vakuum durchgeführte UeberdJunpfverfahren, ^nwendun^ finde', ist ein derartiges Verfahren buh Anbringen dickerer Schichten weniger geeignet.
Vent iutn Krhalten einer dickeren Schicht mehrere dünne Schichten nacheinander übergedacpft werden, ergibt sich oft eine nicht brauchbar· abechiefernde Struktur.
Beim Deberdanpfen dioker Schichten kann von einer grossen Ketall«dnge auege^r.ngen werden, die b.B. in einen feuerfesten Tiegel auf die Te rdasipfung« tempera tür erhitzt wird. Siesee Verfahren veint u.a. den üaohteil auf, da·· .diete grosee ^enge auf die Verdaapfungeteiiperatur erhitzten Metalle soviel Wärsie ausstrahlen kann, dass das in verhftltniev.&ssig geringer Entfernung angeordnete Substrat tu heias wird, und so^ar derart, das· Hetall in flüeeiffem Zustand auf de» Substrat kondensiert.
Fach ein·« weiteren bekannten 7erfahren wird beim Verdampfen den Yerdampfer kontinuierlich Metall zugeführt. Zu dieser Sweok wird eine Verdainpfungaepule benutzt, die kontinuierlich von einet; !Tetalldraht gespeist wird, der vorgeschoben wird und deesen Ende die Spule berührt, die dieses Ende schellst. Dieses Verfahren wird
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PHN 3033
B.B. bei der Herateilung τοη Spiegln angewandt, wobei »war keine dicken Schichten übardanpft zu werden brauchen, aber wobei die zu übessiehende Oberfläche eehr gross ist. ii> der Halbleitertechnik, wobei das überdajcpfte Metall sehr rein sein buss, hdt letzteres Verfahren den Haohteilt dass der zugeführt« Draht eine Menge Veruni%i lingen enthalten kann, die kontinuierlich sugeführt und ititrerdanipft werden. Ausaerdeir. kann sich au Ende des Drahtes ein grosser Tropfen bilden, der auf das Substrat gespritzt wird.
Die Erfindung bezweckt u.a., ein Verfahren und eine Vorrichtung zu οchaff en, durch die auch dicke reine Metallschichten auf ein Substrat übergedampft werden können zur Herstellung fön Halbleiteranordnuncen sit "bear-leads"·
Das Verfahren der eingangs ervShnten Art ist nach der Erfindung dsduroh gekennseiohaet, dass diese starren Leitern duroh TJ»l»rdanpfen des Netalles oder der Metallen eines solchen Leiters in TakuuB auf eine· Halbleiterkörper angebracht werden, wobei mehrere gesonderte Chargen hIntereinander rerdaapft werden nit Aufrechterhalten des Vakuums, wobei die »it des "etall haw. den
Ii
Metallen au bedeokende Oberfltche abgeeohir-t wird bei jeder Ueberg_ng von der Verdampfung einer üetallcharge nach der nlchste« Hetallcharge und während den Aufheizen und Verdrujpf3n einer ersten Traktion jeder Charge, und der. Daxpf einer zweiten Pralcti^n jeder Charre ausgesetzt wird.
Is wurde gefunden, dass das Auftreten einer sioh abechiefernden Struktur Terr.ieden wird, wenn die Tersohüeasn Chargen unter Beibehaltung des gleichen Valoiuxs zugeführt werden. Vorzucaweise werden die gesonderten überzudampfenden Metallchargen nacheinander wenigstens einen Verdampfer zujoführt. Das Metall kann einfach in fester Fom den Verdaapfer zugeführt werden, wodurch der
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Vorteil erhalten wird, da·· jede Ketalloh*rfe sich leioht hantieren lSsst· Dabei kann dae 3ub*trat "beim Schreiten abgeschirMt werden, damit es Ψ9Τ verdampfenden Verunreinigueen und aufspritzenden Treffen gesohtttet wird. Wenn eine Charge völlig geschmolien und ein« •r»t· Fraktion mit leioht verdampfbaran Verunreinigungen verdampft ist, kann die Abschirmung entfernt werden, wonach der ntt^sliohe TerdaepfüngeTorgang der ·weiten Frehtiön anfangen und die gewünschte Au« Beheizung auf das Substrat ersielt '.'orden kann. Wenn die su verdampfende Ketallaenge in gesonderten Chargen de* Verdampfer »ugefdhrt wird, kann jede Charge hcaogen geschmolzen und vollstlndig auf die Tttrdampfunc'Btemperatur erhitzt werden· Dadurch ttberlt^p«n eioh 4er Erhitzung·- und der etwcige ßofmolvvoTganc; und der eigenf» liobo VerdaapfttngiTorgan^ möglichst wenig, wodurch die erste fraktion auf ein Minimum becohrSbkt werden und die reine zweit« eine maximale Dresse haben kann. Yonugewelee'wird bein und etwai(jen 3ohreltTorgans und bein Terdo&pfen gesichert, da·· di· Ktnr.everluetleistune jeder Charge nioht su gross ist, daait In i»v •rhiti ten (iharge zu cross· Teaperaturgradienten wrtaieden werdes« Dadurch ist di· Seitdauer de· eigentlichen 2rhitzunga» und des etwaigen Sohrel«Vorgang·· lusavret kurz und seht nur «ine gering· Dempftr.enge rerloren.
Da· Verfahren naoh der Erfindung, die Vorrichtung smr. Durchfuhren dieses Verfahrens und ait Verwendung dieses Verfahren« hergestellte üalbleiteranordnunjen werden nachstehend an Hand einige? Figuren n^her erllutexi· Bs seifen!
Fic. 1 sefeeaatieoh teilwei·· im senkrechten Schnitt und teilweise in perspektivischer Ansicht eine Torrichtung sun Anbringen
von für "bear-leads'1 geeigneten Metall schichten Bit Verwendung mehrerer Metallohargen,
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SAD ORIGINAL
IOT 3033
Pie. a i« Detail die Welse, in dar dia Metalloharee mit das Verdampfer in Berührung gebraoht warden kann,
Fig. 3 «ine Braufsioht auf und
Fig. 4 «inen senkrechten Schnitt durch einen "beaa-lead"-franaiator,
Fig. 5 ·1ηβ Abart des 2uführun{j3isechniamue der Metalloharcen, Fig. 6 «in» Daraufeicht auf und
Fig» 7 einen senkrechten Schnitt durch eine "beam-lead"-Halbleiteranordnunc mit ewei Halbleiterkörper, die mittel« eine· verbindenden "beam-lead·" feet miteinander verbunden n^nd.
Sie Vorrichtung, nacli Fig.1'entbSlt eine Vakuumglocke 1, ein Rohr 2, mittels dessen die Glooke evakuiert werden kann, eine Verdar.pfunaeepule 3, sie β «3. aus WoXfW beet «fet, eise eiae Reiaapule enthaltende Anordnung 4 ·μβ AiM-MtseB einer Soheibe, die einen Vi«lsahl von Halbleiteranordnungan enthllt, die mit "beas-lead·" nruhn werden sollt·einen Schirr 6 und einen Zuffhrunfwieohniemu· 7 sue Zuführen gesonderter Met^llcharffen (i.B. Charge β)· Der Keohaniamue •nthtlt mehrere Haken (z.Z3. den Haken 9) sur Abatfltsung der Chargen. Die·· Chargen werden durch naoh Lfnge geschnitten· Netalldrahtstfioke (von 3 on) gebildet, dl« «gefaltet werden, damit sie an den Haken euffeh8nfft.v«rd«n kSnnen. Si· Wlrneverlustleiatung der Baken ist gering, weil al· au· Srtlioh abgebogenen atarren Wolfraadrlhten bestehen, deren Durchoesaer viel kleiner ala der Burchmeeeer (1 ca) der au aohnelaenden Ketal1drahtetücke iat* Die Baken sind an einer Drehsoueibe 7 befestigt, die fest auf der Srehvelle 10 angeordnet
ist», velohe gasdioht durch den Boden der TakutMglooke geföhrt iet. Auf dieee Weise kann die Lage der Soheibe 7 von aussen hei durek «in· Winkelverschiebung dieser Welle geändert werden. Auf Ihnliohe «i·· kaan die Lage d·· 8ohixn«a 6 duroh »in« Winkelversohi«bung ά·ΐ;
809831/0120
BAD
PHS 3 - 6 -
Welle 11 geHndert werden. Dieae Welle 11 ist fiber d&a Innere
der höhlt η Zjrlinderwtlle 10 gleiohfall· gasdicht durch den BeAssi dtr fakuutnglookt geftthrt. Der Schirm 6 ist eise flache Scheibe, dit den Verdampfer abdecktr aber in der eine Oeffnunj» geschnitten let, dit bei einer gegeben Winkella&e de· SohizKt· A§%
Substrat durchliest. In der Anordnung 4 «w AfcetütiuKg HalbleittreohtiB· mit den laAbltittiranortaussgosi 1st eine
12 vorgesehen, auf die die (nicht dargeettJlt«) gelegt wird, derart, das· e« mit etintns ISsdera auf dta frl^er ruht« !'it Eilfe der Spule 5 kann das Substrat erhitst verden.
Sie Vorrichtung naoh Tlg· 1 wird inebOondere zvei Aiftseoheidem einer β.B. 6 feie 10 M dicken AltRtlniuaaoAioht auf eine SilisiVMeoheibe augeirandt, die nuf die Oeffnunc; 12 gelegt wird. Dean wird an jede» Haken ein nach der richtigen &&η£β geschnittener üuminiumdraht auf gehingt, woaaob 9i· Glocke Tereohloseen und erakuiert wird und die beiden Speien 3 und 5 bekräftigt werden. Suroh eine pe«sende VaM der Lage der Welle 11 wird gaeichert, d&as die SiliziuBBOheibe ab^eachint lat. Aneoblieeaend wird alt Hilfe der Welle 10 der traten Haken «it der an ihn aufgehlngten Metallcharge mit der Spule 3 in Berührung gebracht. Fig. 2 seist die· ia Ottail· Wenn die Charge geachnolstn und die erste Fraktion aus unreines Saapf auf dta Schirm flbtrdaapft iet, (Y&rteseit 30 Sekunden bi· 1 Minute für die obea erwihnten Rencen) wird der Tor der 3ililiumaoheibe angebraohtt Schirm durch eine Drehung um die Welle 11 entfernt. Bevor da· Netall völlig τοη· dtr Terdampfungeapole 3 rmv-~ •chwunden ist (Verdaapfungtdauer 18 Sekunden für die ervShnte i'er.ge) und eich Eorroeionaprodukte bilden, die auf die Silisitsn-■oheibe ftbergedanpft werden würden, wird dieee Scheibe wieier durch 4tn Soliixia abgtAeokt und wird durch eine Drehung um die Welle 10
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•in· neu· Coargung nit der Spule in Berührung gebischt, und ao waiter, bis aSatliche Chargen verd&apft sind.
Mittela dieaea Üeberdaatpftungiverfahran werden die bereite •rwEhtnen "ieam^lead^lalblelteranerdmaigen erhalten. Figuren 3 und 4 zeigen einen derartigen *beam-lead*~Sili8lumtranaietor. Dieser translator besteht aus einem kleinen Siliziumkdrper 13 mit Abmessungen von a.B. 200 ml χ 200 η. χ 10 λ, in dem durch planar· Teohniken eine Baei»-, eine Knitter- und «ine Kollektor»one angebraoht sind. Derartige Transistoren werden durch ein an sich bekanntea ?srfte3i»n in der Naaee hergestelt, bei de» unter Verwendung von . Maskierung·-, Aets- und Diffus ions voygjliigen eine Tielsabl Tranaiatoren nebeneinander in einer Siliziueeoheil© gebildet werden· Cabei wird die ganze Oberfläche mit einer Oxydeohicht fiberzogen. Dann werden die «enStlgten Oeffnungen in der Ozydeoaicht Angebracht und wird •in· erete dfisne leitende Schicht entapreohend den iiuater der Anaohlucsleiter aufgedajipt. Aneehlieaeend wird nur ein Teil (der 4»ppelt sokraffierte 1PsU) der Leiter rerdiokt, weil der andere (einfaoh •6hraffierte)Teil ein β ehr feines Kuater aufweist, ao dasa bei Verdichtung die geaonderten Leiter miteinander rerwaohsen kennten« Soklieaa lieh vird Am» Silieiur. swischen den ¥raneiatoren w*gg«StBtf ao daaa sie in ihrer endgültigen Fons voneinander getrennt sind.
Die in den Figuren 5 und 6 dargestellte üalbleiteranordnung besteht aus «wei Halbleiterkörpern 31 und 32 aus Silizium (Abreasungen 200 ία ζ 200 Ai χ 70 Al). In jeder.. ICCrper wird durch planare Techniken ein Transistor gebildet. Der Emitter eines Transistors ist mit den Bsitter des anderen Transistors über einen aus Aluminium bestehenden ▼erbiniungsleiter 33 verbunden. Dieser Loiter hat an sioh ein· genOgend· Dioke, uq die beiden Körper 31 und 32 zu ein·» starren Sannen eu vereinigen. Die Halbleitervorrichtung enthält vier starr«
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balkenf8raißen Ansohluseleiter (beaie-leade), von denen dl« Leiter 34 und 35 mit der Basis, bzw, mit dem Kollekter eine« transistors und dl· Leiter 36 and 3f mit der Basis, b*w. des Kollektor das anderen transistors verbunden sind. Diese Ansoalus»lei.ter »igen J« seitiion aus einen der Halbleiterkörper hervor« Damit die Terbinduafs- und Ansohlusslelter einer direkten Kontakt mit der entsprechenden Zone dee entsprechenden KBrpere herstellen kennen, werden in der SlO.-Sohioat, die durch Oxydation während oder naoh dem durchgeführten Diffusionsvorgingen gebildet wurde« die nötigen Oeffmingen un den Stellen geEtzt, an denen das Aluminium Bit einer &9T Zonen &*· transistors in Kontakt ist.
Halbleitervorrichtung der auletst beschriebenen Art können in der Kasse aus einer 3ilieitaa-Halbl eitersehe ibe herbesteilt werdenf in der »ehrere fraasistorenpftare nebeneinander Aureh plaaart SiffueioneWhejndlungen gebildet werden. Dabei wird die Soheib» TSllig alt 310« fibersogen, indem auf Üblicher Veise Oefftiungen geSts1! werden, durch die die unterschiedlichen Zonen (Baals, Etaltter, Kollek· tor) alt den Leitern verbunden werden kennen. Sann wird auf die Scheibe flr jedes Sransiaterer.paar das aus einer dOnnen Alueiiniuineehioht bestehende Leitemueter in Takmin aufgedampft.
Bisher wurde dae Terdioken bekanntlich auf elektrelytiaohe· Vege auf der abgeschiedenen dflnnen Orundechloht durehgeführt. Diese Orundeohioht darf nloht durch das elektrolytleoh» Iod angegriffen werden und »use ait dea Halbleiter eine gute neefe*>» nieohe und ohasohe Terbindung bilden. Bs gibt k&uts ein Metall, dass divee drei Bedingungen erfüllt, und einstweilen wird bek&nntlioh Bum elektrolytiBohen Verdicken mit Gold oine Grurjdccliicht verwend©t9 die aus iwei Teileohiohten, einer s.B« aus Titan bestehenden Koataktschioht und ein>r z.H. aus Platin bestehenden Sohu*s~ eohieht, oaateht, auf 4«D*nödaim daeft0öld nledereeechlaeen wird.
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Der Herstellungsvorgang wird dadurch verhÄltnlscSaeig vorwiokelt. Zur Herstellung d*r Kalhleiteranordmuisen nach den Figuren 3 und 4 oder 6 und 7 werden dl« Terblndusigaleiter durch TJeberdampfen einer dioken Sehloht und Aetsen gebildet« Die· kann s.B. dadurch erfolgen, das· naoh dera Aufdampfen der dftanen Qsundsohioht auf aS&tliche Transistoren der Sllisiunseheibe der nicht au verdickende Teil mit einer duroh ein fhcto*eeorvierung«verfahren angebraehten Kunsthars-•ohioht fiberzogen wird (siehe den sit den gestrichelten Linien dargestellten le«atedDea In den Figuren 3 un 6, s.B. 17 in Figur 3)· Sean wird auf die feheibe eine dioke Metall schieat duroh Ueberdmpfen angebtaoht(»it einer Sicke von 6 feie 10 a) und anechlleaeend «elektlT
y so da·· nor die dlekeii Verbindungeleiter (bean«l««d·) und die noch Bit ator «oMtsenden Karseesieht fibersegeaen feinen Rüster verbleiben. Die·« ichieht wir* danach entfernt.
Venn da· Terdioken duroJt Uebardaapfen erfolgt, ergibt •ioh für die Onindscaicht kein lerreeieneproblea und braucht die·· prundschioiit nur ein· gute neohanisohe und ohnsche Tevb'indung hettu-•tellen. Die verdiokt« Schacht su·· eine genügende Festigkeit haben, um gegenenfalle einen LBt" oder ÜltrasohAllsohtreievorcani; unterworfen werden bu kBnnen. Beispielsweise kann die Kombination« Aluriniei al· Orundaohioht, tad Oold, Kupfer oder Tlckel oder ein Gteaisoh derselben als Verdiekunfaeohioht, Anwendung finden. Als Verdiokung·- ■ohioht kann bei dem Verfahren geeSs3 der Srfindunc unbedenklich eine. Koiribination von Metallen verwendet werden. In diesem Jblle bestehen nicht alle Chargen aus det gtoleaenKetall. Da der Verdampfer unter Beib%haltung des Takuuee die neue Charge ecpftngt, ist beici Uebergang von einen Metall auf ein anderes eine Oberfläohenreinieujv; eder -Behandlung überflOssig, so da·· die··» Verfahren bein Auf da» fen einer Metallkombination niob unstSndlioh vird.
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Auoh kanu swt Terdieke« Am fltisbe He-tall mim &*m 4·ρ Qyun&eohieat verwendet werden, wibb, dieses KeteJi ©in* 9e«4igice*.t aufweist· Jede? Aosohlussleite? ka&s dam noeh sii einer Mlinn 8ohioat veretSrkt verde%<!i» »loht d«se& «lev AttJtwepfen erhalten vixd. Vie mva 4«r
«I»· SAD.-SQhiolrt Mini dl· eie& t»i 4®? O^ri^ties ess?
Acy attiaiUBieheib· f«%Ud«t hai waä. ti* mM^ umf«? fes UiUn v«fi«fttet wizA (SohlQht 1S tit Fig* 4 =^*·
Pigi- 7)· In di··«· SUIe «teilt aiebi l«ssii@f dass fis
nor Al\»intwa r»rwimd»t ««ritas
file in Hf· 1 geeeigt· TwwiohtuKg-«ntldßt ianeshalfe
luftdicht v«]mebliMelMtt«n S«m»i di* «v*hxii«$t v«ri«n ieum, «ine 7erriehtusj« etui ZtifOteen g«»0Rdert#if fester HeisllefegsgeK »n des
<i· etaen oder ;nehre?e
ait gejping·» münee1ca9Asltet und
der Yoxriolrtynt; n»ch fif» 1 befindet tie& sint
Tttc*r» Mi itaen Aie MeUll*%*Tff«n a-fecrJxgt weidest«
k*im ebet nur «tu einaifer Ti*ger Toargeaehen aein, uotei die Met&llnAofeelaender su^efQhrt werden« Eia Beispiel einer derartigen
c ist in Fig. 5 i*rgeetellt, die nur di* ZuitUHrun und den Schirm 19 zoifjt. Die 2uf0hruiigsvorricht. nc enthält ο inen drehbaren echrtiufcenlinenfBrmigen docken 20, der avf der Welle 21 %efeeti£t iet, die Ttkawdieht durch den Boden der Takutus^looke geführt ist und 3omit τοη müssen her verdreht «erden kann. V^rm der ¥ock»n sohrittveise verdreht wird, «erden die gloiohf^Jle drehtfCm.igen Ketellohargen 22 fort^eeoholsen, so das3 sie nacheinander ltnga de» dünnen Volfraadrahtee 23 h*r»Lgl«iten, ve ei« ar. H&kon 24 n bleiben und„ Auf «inen Verdampfer schn.elsen. BiesarVerdampfer
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»raucht nicht di· Form einer Spule su haben. Wen». jedoch «ine Spule betratst wird, wird vorzugsweise fafür gesorgt (vergleiche M?. 2) ι daae die Spul· vmd dl· Baken derart angeordnet Bind, dass dl· unteren Inden der Ketalldrfihte mit dez- Unterseite der Spule in BeiChrung korane». Wie in den Figuren 1 und 2 dargeeteilt iat, beeteht jede Charge smb evei gcscnderten Srlkten. Dadurch vird die Sotaelaperiode verkfirst· Auoh kann dafür ^enor^t werden, dass jede Ch&rge jeweils an einer anderen Stelle mit dec Verdampfer in
Berührvtnj kocmtj diese Kontaktstellen sind nSnliok einer starken
» Korrosion aus&eaetst und ee empfiehlt sich, diasc Korroeiot über
de· Terduapfer su verteilen.
Vm der Verdampfung üKhregä da« Sshf..elzvor£;an^ee entje^en-2uwirken, kann die Terperatur dee Verdampfers wShrond der Sohneliperiodr auf einen '.fert herabgesetzt werden, der zwischen der Schmelz- und den VerdaKpfunjstenperatur des verwendeten Metalle liegt (f3r Aliminiutn B.B. auf ICOO0C). Kaoh Beendi^un^; des Schnei ζ vor^an^· vird die Tairperatur des Terdaapfere dann fiber den Verdaüpfunjetercperatur «rhöht (für Alucinixto s.o. auf 17CO0C).
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Claims (11)

  1. PHIf 3033
    ' - 12 -
    PATBtTAIf 3PHÜSCHB
    1, Verfahren zur Hrrstellung von Halbleiteranordnungen
    mit wenigsten« einen Halbleiterkörper, der von einer oder mehreren starren Leitern, die »eitlioh aus dem Halbleiterkörper hinausragen ■ogenannte "beam-leade" und dl« duroh Ablagerung erhalten Bind, dadurch gekennzeichnet, dass diese starren Leitern duroh Ueberdaepfen des Metalles oder der Metallen eines solchen Leiters In Vakuum auf eine« Halbleiterkörper angebracht werden, wobei nehrere gesonderte Chargen hintereinander verdampft werden mit.Aufrechterkalten des Vakuums, wobei die sit dem Metall bzw. den Metallen EU bedeokende Oberfl&ohe abgestimmt wird bei jeder Uebergang voa der Verdampfung einer Metalloharge nach der nSoheten und wlhrend dem Aufheisen und Verdampfen einer ersten Traktion jeder Charge, und dem Dampf einer «weiten Fraktion jeder Charge ausgesetzt wird·
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 daduroh gekennseiebnet, dass die gesonderten Chargen des suverdampfenden Metalles oder der zuverdarapfenden Metallen hintereinander wenigstens einem Verdampfer zugeführt werden. 3· Verfahren naoh Anapruoh 2, daduroh gekennzeichnet, dass
  3. beim Anbringen jeder Charge der Verdampfer auf einer derartigen } Temperatur über dem Schmelzpunkt des Metalles erhitst wird, dass beim Sohmelsen das Netall nahezu nioht verdampft wird, vorfach sue Durchführen des Verdampfvorgange die Temperatur des Verdampfers erhöht wird*
  4. 4. Verfahren naoh Anspruch 2 oder i dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Chargen in gesonderten Portionen über dem Verdampfer verteilt werden.
  5. ί>. Verfahren naoh einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch geketsnseiebnet dass jede folgende Charge an einer anderen Stelle als die vorangehende Charge mit dem Verdampfer in Berührung kommt.
  6. 6. Verfahren nach "^^y^fgty"» Ansprüche, bei de» dl·
    BAD ORIGINAL
    par
    •tarren Leiter eua mehreren Teileohiohten aus reraobiedenen Metallen teateat» daduroh f»kenne«lohnet,da·· Chargen *ereohiedener Metalle Verwendung finden«
  7. 7, Verfahren naoh einen der vorstehenden Ansprüohe, dadurch gekennzeichnet, fot« wenigsten« der grfaate Teil der Chargen aue Aluminium besteht,
  8. 8. Vorriohtung ms Anbringen einer Metallschicht auf einer Oberfläche ein·· Substrat· durch Aufdampfen im Vakuum ium Durchführen eines Verfahrens naoh eines ά·τ vorstehenden Ansprüche welche Vorrichtung eine luftdioht versohlieesbare Kammer enthält, deren Inneres evakuiert werden kann und in der ein Halter für da· Substrat, mindesten· «in Verdampfer und ein einstellbarer Schirm angebracht sind, welcher Schirm je naoh seiner Lage den gebildeten Dampf nicht oder wohl durohlSeet, dadurch gekenneeiohnet, da·· innerhalb der versohliesebaren Kammer noch eine Vorrichtung sum Zuführen gesonderter Metallohargen an den Verdampfer vorgesehen ist, die einen oder mehrere TrSger für die Metallohargen mit geringer
    WHrmekapasität und geringer WSrmeverlustleistung enthält«
  9. 9« Vorriohtung naoh Anspruoh 8, dadurch gekennaeiohnet, dasj&ie
    ZuführungsTorriohtung «ine Anzahl Träger für Metallohargen enthält
    die abwechselnd su dem Verdampfer geführt werden können.
  10. 10« Halbleitervorrichtung hergestellt mit Verwendung eines
    Verfahren· gemgss einer der Ansprüche 1 bis J.
  11. 11. Halbleitervorrichtung naoh Aneprüoh 10, daduroh gekennzeichnet, dass die etarren Leiter (beam leads) aus Aluminium bestehen.
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    Leerseite
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