DE1826653U - Sprechkapsel mit transistorverstaerker. - Google Patents

Sprechkapsel mit transistorverstaerker.

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DE1826653U
DE1826653U DE1959K0031660 DEK0031660U DE1826653U DE 1826653 U DE1826653 U DE 1826653U DE 1959K0031660 DE1959K0031660 DE 1959K0031660 DE K0031660 U DEK0031660 U DE K0031660U DE 1826653 U DE1826653 U DE 1826653U
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capsule
transistor
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microphone
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DE1959K0031660
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Krone KG
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Description

  • KRONE Kominandi'cgesellschaf't, Berlin-Zehlendor
    b-L
    Sprechkapsel für Fernsprechapparate
    Die Neuerung betrifft eine Sprechkapsel für'Fernsprech-
    apparate mit einem in das Sprechkspselgehäuse eingebauten ein-
    oder mehrstufigen ransistorverstärker, in dessen Eingangskreis
    ein elektromagnetisches oder elektrodynamisches Antriebssystem
    liegt und dessen zwischen die a, b-Adern der Teilnehmerleitung
    geschalteter Ausgang einen dem Widerstand einer üblichen Kohlegrieß-Sprechkapsel entsprechenden Ausgange-Gleichstromwiderstand aufweist, wobei die Abmessungen aer Kapsel denen einer üblichen Kohlegrießkapsel entsprechen.
  • Um eine bessere Sprachverständlichkeit im Fernsprechbetrieb zu erreichen, ist es bereits bekannt, Sprechkapseln für Fernsprechapparate'mit einem in das Sprechkapselgehäuse eingebauten ein- oder mehrstufiger Transistorverstärker zu versehen. Um hierbei die bisher üblicherweise benutzten Kohlegrießkapseln ohne weiteres gegen die neuen Transistor-Sprechkapsein austauschen zu können, ist man bestrebt, die neuen Kapseln sowohl in elektrischer wie in mechanischer Hinsicht den bekannten Kohlegrießkapseln anzupassen.
  • Bei einer bekannten Sprechkapsel mit einem eingebauten Transistorverstärker weist daher der zwischen die a, b-Adern der Teilnehmerleitung geschaltete Verstärkerausgang einen dem widerstand einer üblichen Kohlegrieß-Sprechkapsel entsprechenden Ausgangs-Gleichstromwiderstand auf, während die räumlichen Abmessungen
    der Kapsel denen einer üblichen Kohlegrießkapsel entsprechen.
    CD
    Die Unterbringung der Verstärkerbauteile in dem kleinen Innenraum der Sprechkapsel bereitet demgemäß erhebliche Schwierigkeiten, insbesondere dann, wenn die montage nicht übermäßig erschwert werden soll.
  • Gemäß einem älteren Vorschlag ist vorgesehen, daß das magnetische oder dynamische Antriebssystem der Sprechkapsel und die Bauelemente des Transistorverstärkers an einer gemeinsamen (einzigen) Tragplatte befestigt sind, die in einer Ebene maximalen Durchmessers des L'iikrofongehäuses liegt. Die Bauelemente des Transistorverstärkers kommen nach diesem älteren Vorschlag teils neben, teils hinter dem Antriebssystem zu liegen.
  • Zwar ist auch hierbei die Unterbringung aller Bauelemente der Transistor-Sprechkapsel in dem vorgegebenen kleinen Kapselraum möglich ; der Zusammenbau der Kapsel bereitet jedoch erhebliebe Schwierigkeiten, da die hinter dem Antriebssystem liegenden Bauelemente des Verstärkers allein durch ihre Stromzuführungsdrähte gehaltert sind, sich somit nicht unmittelbar an der Tragplatte abstützen. Im Hinblick auf die verhältnismäßig große Wärmeentwicklung des auf engstem Raum zusammengebauten Transistor verstärkers muß bei der Ausführung nach diesem älteren Vorschlag ferner streng darauf geachtet werden, daß die-wie vorstehend erwähnt-frei über ihre Zuführungsdrãhte gehalterten Bauelemente bei der Montage und vor dem Vergießen mit einem Gießharz genau die richtige Lage im Kapselraum besitzen.
  • Der Neuerung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine mit einem eingebauten Transistorverstärker versehene, gegen übliche Kohlegrießkapseln ohne weiteres austauschbare Sprechkapsel in konstruktiver Hinsicht so auszubilden, daß die Fertigung und
    Montage besonders einfach ist.
    t
    Diese Aufgabe wird g. emäß der Neuerung dadurch gelöst, daß
    das Antriebssystem auf der Unterseite einer an dem Rand ihrer
    Oberseite mit der LIembran verbundenen Tragplatte befestigt ist und durch einen zentralen Durchbruch einer ringförmigen montageplatte hindurchragt, auf deren Unterseite sämtliche Verstärkerbauteile angeordnet sind.
  • Die erfindungsgemäße Ausführung weist in fertigung--und montagetechnischer Hinsicht den großen Vorzug auf, daß sich der Transistorverstärker und das Antriebssystem in gesonderten Arbeitsgängen auf je einer Montage- bzw. Transplatte montieren lassen und daß dann der Zusammenbau der Kapsel durch einfaches Ineinanderschieben beider Teile erfolgen kann. Hierdruch wird vor allem erreicht, daß bei der Montage des Transistorverstärkers und des Antriebssystems die einzelnen Teile von allen Seiten frei zugänglich sind, während sie nach dem Zusammenbau der Kapsel außerordentlich gedrängt nebeneinander liegen.
  • Nach dem Einsetzen der Montageplatte und der Tragplatte in das Sprechkapselgehäuse müssen lediglich die Schaltverbindungen zum Antriebssystem und zum Sprechkapselgehäuse bzw. zum Mittelkontakt der Sprechkapsel hergestellt werden.
  • Als besonders vorteilhaft hat es sich gemäß einer günstigen Ausgestaltung der Neuerung erwiesen, wenn der in der Ausgangsstufe des Verstärkers liegende Transistor über ein an seinem einen Ende durch Funktschweißung mit dem Sprechkapselgehäuse verbundenes und an seinem anderen Nnde federnd am Transistor anliegendes metallisches Wärmeübertragungsglied gut wärmeleitend
    mit dem &prechkapselgehäuse verbunden ist.
    zz
    Auf diese Weise wird das ganze verhältnismäßig großflächi-
    c
    ge Sprechkapselgehäuse zur Wärmeableitung bzw. -abstrahlung herangezogen.
  • Zweckmäßig wird hierbei das vorzugsweise aus Beryllium-Tupfer bestehende, als Blechstreifen ausgebildete Wärmeübertra-
    gungsglied an seinem federnd am Transistor anliegenden nde mehr-
    fa, ch sich ein außerordentlich gutes, auch
    durch Erschütterungen des Handapparates nicht beeinträchtigtes
    Anliegen des 'ärmeübertragunsgliedes am Transistor und damit
    eineinwandfreier J, rneübergang ergibt.
    Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Neue-
    rung ist einstückig mit dem metallischen Wärmeübertragungsglied eine die elektrische Verbindung zwischen dem Mprechkapselgehäuse und dem Transistor herstellende Lötfahne ausgebildet.
  • In Anbetracht dein in der Fernmeldeindustrie üblichen Serien-bzw. Massenfertigung wird es vielfach zweckmäßig sein, die den
    Transistorverstärker tragende Montageplatte mit einer gedruckten
    oder geätzten Schaltung zu versehen. In diese SChaltung können gegebenenfalls auch einzelne Schaltelemente des Verstärkers, wie Widerstände und Kondensatoren, mit einbezogen werden. Die elektrische Verbindung mit den übrigen Bauteilen des Verstärkers erfolgt dann vorteilhaft durch Tauchlötung.
  • Diese und weitere Einzelheiten der Neuerung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispieles hervor. Bs zeigen : Fig. 1 eine Aufsicht auf die den Transistorverstärker
    tragendeL'iontageplatte
    9
    Fig. 2a bis 2f je einen senkrechten Schnitt durch die Einzelteile der erfindungsgemäßen Sprechkapsel, vor ihrem Zusammenbau Fig.3 einen senkrechten Schnitt durch die erfindungsgemäße Sprechkapsel in zusammengebautem Zustand.
  • Der zweistufige Transistorverstärker der Sprechkapsel (Transistoren T1, T2) ist - wie aus Fig. 1 hervorgeht-auf einer kreisringförmigen Montageplatte P1 angeordnet, die in ihrer mitte einen Durchbruch D aufweist, durch den im zusanmengebauten Zustand der idprechkapsel das Antriebssystem S (vgl. Fig. 2b und 3) frei hindurchragt.
  • Dieses Antriebssystem S ist-wie aus Fig. 2b ersichtlich ist-auf der Unterseite einer Tragplatte P2 derart angeordnet, daß es symmetrisch zu der durch die Sprechkapsel gelegten
    Uittelachse liegte uf ner Oberseite der Tragplatte ? p ist die
    Membran 1'' in bekannter weise am Rande der Platte mittels eines
    Haftklebers befestigt. Zur erschütterungsfreien Lagerung der das
    Antriebssystem S und die embran M halternden Tragplatte P ?
    'b 2
    ist auf dieser Platte ferner ein Kunststoff- oder Gummiring R aufgeklebt.
  • Wie aus Fig. 2f hervorgeht, ist mit dem Gehäuseteil G der Sprechkapsel ein Wärmeübertragungsglied B verbunden. Dieses vorzugsweise aus Beryllium-Kupfer hergestellte wärmeleitblech ist an seinem einen Ende durch Punktschweißung am Gehäuse G befestigt und an seinem anderen freien Ende mehrfach geschlitzt.
  • Mit diesem freien Ende liegt es im zusammengebauten Zustand der Sprechkapsel (vgl. Fig.3) federnd an dem Transistor T2 an und sorgt damit für einen guten Wärmeübergang von dem hoch belasteten Transistor T2 auf das Gehäuse G. Einstückig mit dem Wärmeleitblech B ist ferner eine lötöse ausgebildet, die zur elektrischen Verbindung zwischen dem Transistor Tp und dem dprechkapselgehäuse G dient.
  • Die isolierte Befestigung des Mittelkontaktes M der Sprech-Kapsel an dem Gehäuseteil G (vgl. Fig.2f) weist keine Besonder-
    heiten auf mit dem Inittelkontakt M ist eine Lötöse ilit arerhun-
    den, die in den Innenraum der Sprechkapsel frei hereinragt und im zusammengebauten Zustand der Sprechkapsel mit dem Transistor T ? verbunden ist.
    Die neuerunsgemäße Sprechkapsel wird in der reise zusammen-
    C>
    gebaut, daß zunächst die das Antriebssystem S aufnehmende Tragplatte P2 in die den anderen Teil des Gehäuses bildende Abdeckkappe A (Fig. 2a) eingesetzt wird und dann die den Transistorverstärker tragende montageplatte P1 unter Zwischenlegen einer kreisringförmigen Isolierstoffscheibe Z1 (Fig. 2c) auf die Tragplatte P2 aufgesetzt wird, wobei das Antriebssystem B frei durch
    den Durchbruch D in der liontageplatte P1 hindurchragt. Nach Her-
    1
    stellen der elektrischen Schaltungsverbindung zwischen dem
    Transistor T2 und der Lötöse L bzw. der Lötfahne Nt sowie zwi-
    2
    schen dem Antriebssystem S und dem Transistorverstärker wird
    - nach Zwischenlegen einer weiteren kreisringförmigen Isolier-
    stoffscheibe Z2 (Fig. 2a)-die Abdeckkappe A auf den Gehäuseteil
    G aufgeschoben und der äußere Rand der Abdeckkappe A in der aus Fig.3 ersichtlichen Weise nach innen umgebördelt. Die kreisringförmigen Zwischenscheiben Z1 und Z2 dienen dabei zur Einhaltung der erforderlichen Abstände zwischen den einzelnen Bauteilen und dem Gehäuse. wie aus Fig. 3 hervorgeht, ist nicht nur der gesamte Innenraum der Sprechkapsel nahezu vollständig ausgenutzt, sondern es ist durch das mit dem metallischen Gehäuseteil G verbundene, sich nach dem Zusammenbau federnd an den Transistor anlegende armeleitblech B zugleich eine außerordentlich große und demzufolge wirkungsvolle Kuhlfläche für den Transistor geschaffen, da praktisch das gesamte Sprechkapselgehäuse zur Wärmeableitung dient.
  • Während der Montage sind dagegen die auf der Montageplatte P1 und auf der Tragplatte Pp zu befestigenden Teile ohne weiteres von allen Seiten frei zugänglich.
  • Schutzansprüche :

Claims (6)

  1. Schutzansprüche ---------------
    1. Sprechkapsel für Fernspreohapparate mit einem in das Bprechkapselgehäuse eingebauten ein- oder mehrstufigen Transistorverstärker, in dessen Eingangskreis ein elektromagnetisches oder elektrodynamisches Antriebssystem liegt und dessen zwischen die a, b-Adern der Teilnehmerleitung geschalteter Ausgang einen dem Widerstand einer üblichen Kohlgrieß-Sprechkapsel in entsprechenden Ausgangs-Gleichstromwiderstand aufweist, wobei die Abmessungen der Kapsel denen einer üblichen Kohlegrießkapsel entsprechen, dadurch gekennzeichnet, daß das Antriebssystem (S) auf der Unterseite einer an dem Rand ihrer Oberseite mit der i,. eiiib-ran verbundenen Tieg- embran (M) verbundenen Tragplatte (J ? 2) befestigt ist und durch einen zentralen Durchoruch (D) einer ringförmigen Kontageplatte (pur)hindurchragt, auf deren Unterseite sämtliche Verstärkerbau-
    teile angeordnet sind.
  2. 2. bprechkapsel nach Anspruch 1 mit einem metallischen Gehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß der in der Ausgangsstufe des Verstärkers liegende Transistor (T2) über ein an seinem einen jute durch Punktschweißung mit dem Sprechkapselgehäuse (G) verbundenes und an seinem anderen Ende federnd am Transistor anliegendes metallisches Wärmeübertragungsglied (B) gut wärmeleitend mit dem ßprechkapselgehäuse verbunden ist.
  3. 3. Sorechkapsel nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß einstückig mit dem metallischen Wärmeübertragungsglied (B) eine die elektrische Verbindung zwischen dem Sprechkapselgehäuse (G) und dem Transistor (T2) herstellende Lötfahne (L) ausgebildet ist.
  4. 4. Sprechkapsel nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Transistorverstärker tragende Montageplatte (P1) mit einer gedruckten oder geätzten Schaltung versehen ist.
  5. 5. Bprechkapsel nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das vorzugsweise aus Beryllium-Kupfer bestehende, als Blechstreifen ausgebildete Wärmeübertragungsglied (B) an seinem federnd am Transistor (T2) anliegenden nde mehrfach geschlitzt ist.
  6. 6. Sprechkapsel nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn- zeichnet, daß die Tragplatte (p) an ihrer der Mohtageplatte CD 2) an ihrer der Lilohtageplatte
    (P1) zugekehrten Unterseite einen aufgeklebten Kunststoff-oder Gummiring (R) trägt.
DE1959K0031660 1959-03-19 1959-03-19 Sprechkapsel mit transistorverstaerker. Expired DE1826653U (de)

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DE1826653U true DE1826653U (de) 1961-02-16

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DE1959K0031660 Expired DE1826653U (de) 1959-03-19 1959-03-19 Sprechkapsel mit transistorverstaerker.

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DE (1) DE1826653U (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1175280B (de) * 1963-03-15 1964-08-06 Siemens Ag Elektroakustischer Wandler mit Transistorverstaerker und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1277353B (de) * 1964-09-19 1968-09-12 Krone Kg Sprechkapsel mit Transistorverstaerker
DE1299724B (de) * 1966-10-21 1969-07-24 Siemens Ag Mikrophonkapsel mit einem piezoelektrischen Wandlerelement und einem Transistorverstaerker

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1175280B (de) * 1963-03-15 1964-08-06 Siemens Ag Elektroakustischer Wandler mit Transistorverstaerker und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1277353B (de) * 1964-09-19 1968-09-12 Krone Kg Sprechkapsel mit Transistorverstaerker
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