DE1826653U - Sprechkapsel mit transistorverstaerker. - Google Patents
Sprechkapsel mit transistorverstaerker.Info
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- DE1826653U DE1826653U DE1959K0031660 DEK0031660U DE1826653U DE 1826653 U DE1826653 U DE 1826653U DE 1959K0031660 DE1959K0031660 DE 1959K0031660 DE K0031660 U DEK0031660 U DE K0031660U DE 1826653 U DE1826653 U DE 1826653U
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Description
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KRONE Kominandi'cgesellschaf't, Berlin-Zehlendor b-L Sprechkapsel für Fernsprechapparate Die Neuerung betrifft eine Sprechkapsel für'Fernsprech- apparate mit einem in das Sprechkspselgehäuse eingebauten ein- oder mehrstufigen ransistorverstärker, in dessen Eingangskreis ein elektromagnetisches oder elektrodynamisches Antriebssystem liegt und dessen zwischen die a, b-Adern der Teilnehmerleitung - Um eine bessere Sprachverständlichkeit im Fernsprechbetrieb zu erreichen, ist es bereits bekannt, Sprechkapseln für Fernsprechapparate'mit einem in das Sprechkapselgehäuse eingebauten ein- oder mehrstufiger Transistorverstärker zu versehen. Um hierbei die bisher üblicherweise benutzten Kohlegrießkapseln ohne weiteres gegen die neuen Transistor-Sprechkapsein austauschen zu können, ist man bestrebt, die neuen Kapseln sowohl in elektrischer wie in mechanischer Hinsicht den bekannten Kohlegrießkapseln anzupassen.
- Bei einer bekannten Sprechkapsel mit einem eingebauten Transistorverstärker weist daher der zwischen die a, b-Adern der Teilnehmerleitung geschaltete Verstärkerausgang einen dem widerstand einer üblichen Kohlegrieß-Sprechkapsel entsprechenden Ausgangs-Gleichstromwiderstand auf, während die räumlichen Abmessungen
der Kapsel denen einer üblichen Kohlegrießkapsel entsprechen. CD - Gemäß einem älteren Vorschlag ist vorgesehen, daß das magnetische oder dynamische Antriebssystem der Sprechkapsel und die Bauelemente des Transistorverstärkers an einer gemeinsamen (einzigen) Tragplatte befestigt sind, die in einer Ebene maximalen Durchmessers des L'iikrofongehäuses liegt. Die Bauelemente des Transistorverstärkers kommen nach diesem älteren Vorschlag teils neben, teils hinter dem Antriebssystem zu liegen.
- Zwar ist auch hierbei die Unterbringung aller Bauelemente der Transistor-Sprechkapsel in dem vorgegebenen kleinen Kapselraum möglich ; der Zusammenbau der Kapsel bereitet jedoch erhebliebe Schwierigkeiten, da die hinter dem Antriebssystem liegenden Bauelemente des Verstärkers allein durch ihre Stromzuführungsdrähte gehaltert sind, sich somit nicht unmittelbar an der Tragplatte abstützen. Im Hinblick auf die verhältnismäßig große Wärmeentwicklung des auf engstem Raum zusammengebauten Transistor verstärkers muß bei der Ausführung nach diesem älteren Vorschlag ferner streng darauf geachtet werden, daß die-wie vorstehend erwähnt-frei über ihre Zuführungsdrãhte gehalterten Bauelemente bei der Montage und vor dem Vergießen mit einem Gießharz genau die richtige Lage im Kapselraum besitzen.
- Der Neuerung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine mit einem eingebauten Transistorverstärker versehene, gegen übliche Kohlegrießkapseln ohne weiteres austauschbare Sprechkapsel in konstruktiver Hinsicht so auszubilden, daß die Fertigung und
Montage besonders einfach ist. t Diese Aufgabe wird g. emäß der Neuerung dadurch gelöst, daß das Antriebssystem auf der Unterseite einer an dem Rand ihrer - Die erfindungsgemäße Ausführung weist in fertigung--und montagetechnischer Hinsicht den großen Vorzug auf, daß sich der Transistorverstärker und das Antriebssystem in gesonderten Arbeitsgängen auf je einer Montage- bzw. Transplatte montieren lassen und daß dann der Zusammenbau der Kapsel durch einfaches Ineinanderschieben beider Teile erfolgen kann. Hierdruch wird vor allem erreicht, daß bei der Montage des Transistorverstärkers und des Antriebssystems die einzelnen Teile von allen Seiten frei zugänglich sind, während sie nach dem Zusammenbau der Kapsel außerordentlich gedrängt nebeneinander liegen.
- Nach dem Einsetzen der Montageplatte und der Tragplatte in das Sprechkapselgehäuse müssen lediglich die Schaltverbindungen zum Antriebssystem und zum Sprechkapselgehäuse bzw. zum Mittelkontakt der Sprechkapsel hergestellt werden.
- Als besonders vorteilhaft hat es sich gemäß einer günstigen Ausgestaltung der Neuerung erwiesen, wenn der in der Ausgangsstufe des Verstärkers liegende Transistor über ein an seinem einen Ende durch Funktschweißung mit dem Sprechkapselgehäuse verbundenes und an seinem anderen Nnde federnd am Transistor anliegendes metallisches Wärmeübertragungsglied gut wärmeleitend
mit dem &prechkapselgehäuse verbunden ist. zz Auf diese Weise wird das ganze verhältnismäßig großflächi- c - Zweckmäßig wird hierbei das vorzugsweise aus Beryllium-Tupfer bestehende, als Blechstreifen ausgebildete Wärmeübertra-
gungsglied an seinem federnd am Transistor anliegenden nde mehr- fa, ch sich ein außerordentlich gutes, auch durch Erschütterungen des Handapparates nicht beeinträchtigtes Anliegen des 'ärmeübertragunsgliedes am Transistor und damit eineinwandfreier J, rneübergang ergibt. Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Neue- - In Anbetracht dein in der Fernmeldeindustrie üblichen Serien-bzw. Massenfertigung wird es vielfach zweckmäßig sein, die den
Transistorverstärker tragende Montageplatte mit einer gedruckten - Diese und weitere Einzelheiten der Neuerung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispieles hervor. Bs zeigen : Fig. 1 eine Aufsicht auf die den Transistorverstärker
tragendeL'iontageplatte 9 - Der zweistufige Transistorverstärker der Sprechkapsel (Transistoren T1, T2) ist - wie aus Fig. 1 hervorgeht-auf einer kreisringförmigen Montageplatte P1 angeordnet, die in ihrer mitte einen Durchbruch D aufweist, durch den im zusanmengebauten Zustand der idprechkapsel das Antriebssystem S (vgl. Fig. 2b und 3) frei hindurchragt.
- Dieses Antriebssystem S ist-wie aus Fig. 2b ersichtlich ist-auf der Unterseite einer Tragplatte P2 derart angeordnet, daß es symmetrisch zu der durch die Sprechkapsel gelegten
Uittelachse liegte uf ner Oberseite der Tragplatte ? p ist die Membran 1'' in bekannter weise am Rande der Platte mittels eines Haftklebers befestigt. Zur erschütterungsfreien Lagerung der das Antriebssystem S und die embran M halternden Tragplatte P ? 'b 2 - Wie aus Fig. 2f hervorgeht, ist mit dem Gehäuseteil G der Sprechkapsel ein Wärmeübertragungsglied B verbunden. Dieses vorzugsweise aus Beryllium-Kupfer hergestellte wärmeleitblech ist an seinem einen Ende durch Punktschweißung am Gehäuse G befestigt und an seinem anderen freien Ende mehrfach geschlitzt.
- Mit diesem freien Ende liegt es im zusammengebauten Zustand der Sprechkapsel (vgl. Fig.3) federnd an dem Transistor T2 an und sorgt damit für einen guten Wärmeübergang von dem hoch belasteten Transistor T2 auf das Gehäuse G. Einstückig mit dem Wärmeleitblech B ist ferner eine lötöse ausgebildet, die zur elektrischen Verbindung zwischen dem Transistor Tp und dem dprechkapselgehäuse G dient.
- Die isolierte Befestigung des Mittelkontaktes M der Sprech-Kapsel an dem Gehäuseteil G (vgl. Fig.2f) weist keine Besonder-
heiten auf mit dem Inittelkontakt M ist eine Lötöse ilit arerhun- Die neuerunsgemäße Sprechkapsel wird in der reise zusammen- C> den Durchbruch D in der liontageplatte P1 hindurchragt. Nach Her- 1 stellen der elektrischen Schaltungsverbindung zwischen dem Transistor T2 und der Lötöse L bzw. der Lötfahne Nt sowie zwi- 2 schen dem Antriebssystem S und dem Transistorverstärker wird - nach Zwischenlegen einer weiteren kreisringförmigen Isolier- stoffscheibe Z2 (Fig. 2a)-die Abdeckkappe A auf den Gehäuseteil - Während der Montage sind dagegen die auf der Montageplatte P1 und auf der Tragplatte Pp zu befestigenden Teile ohne weiteres von allen Seiten frei zugänglich.
- Schutzansprüche :
Claims (6)
- Schutzansprüche
--------------- i,. eiiib-ran verbundenen Tieg- embran (M) verbundenen Tragplatte (J ? 2) befestigt ist und durch einen zentralen Durchoruch (D) einer ringförmigen Kontageplatte (pur)hindurchragt, auf deren Unterseite sämtliche Verstärkerbau- - 2. bprechkapsel nach Anspruch 1 mit einem metallischen Gehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß der in der Ausgangsstufe des Verstärkers liegende Transistor (T2) über ein an seinem einen jute durch Punktschweißung mit dem Sprechkapselgehäuse (G) verbundenes und an seinem anderen Ende federnd am Transistor anliegendes metallisches Wärmeübertragungsglied (B) gut wärmeleitend mit dem ßprechkapselgehäuse verbunden ist.
- 3. Sorechkapsel nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß einstückig mit dem metallischen Wärmeübertragungsglied (B) eine die elektrische Verbindung zwischen dem Sprechkapselgehäuse (G) und dem Transistor (T2) herstellende Lötfahne (L) ausgebildet ist.
- 4. Sprechkapsel nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Transistorverstärker tragende Montageplatte (P1) mit einer gedruckten oder geätzten Schaltung versehen ist.
- 5. Bprechkapsel nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das vorzugsweise aus Beryllium-Kupfer bestehende, als Blechstreifen ausgebildete Wärmeübertragungsglied (B) an seinem federnd am Transistor (T2) anliegenden nde mehrfach geschlitzt ist.
- 6. Sprechkapsel nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn-
zeichnet, daß die Tragplatte (p) an ihrer der Mohtageplatte CD 2) an ihrer der Lilohtageplatte
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1959K0031660 DE1826653U (de) | 1959-03-19 | 1959-03-19 | Sprechkapsel mit transistorverstaerker. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1959K0031660 DE1826653U (de) | 1959-03-19 | 1959-03-19 | Sprechkapsel mit transistorverstaerker. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1826653U true DE1826653U (de) | 1961-02-16 |
Family
ID=32973544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1959K0031660 Expired DE1826653U (de) | 1959-03-19 | 1959-03-19 | Sprechkapsel mit transistorverstaerker. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1826653U (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1175280B (de) * | 1963-03-15 | 1964-08-06 | Siemens Ag | Elektroakustischer Wandler mit Transistorverstaerker und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1277353B (de) * | 1964-09-19 | 1968-09-12 | Krone Kg | Sprechkapsel mit Transistorverstaerker |
DE1299724B (de) * | 1966-10-21 | 1969-07-24 | Siemens Ag | Mikrophonkapsel mit einem piezoelektrischen Wandlerelement und einem Transistorverstaerker |
-
1959
- 1959-03-19 DE DE1959K0031660 patent/DE1826653U/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1175280B (de) * | 1963-03-15 | 1964-08-06 | Siemens Ag | Elektroakustischer Wandler mit Transistorverstaerker und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1277353B (de) * | 1964-09-19 | 1968-09-12 | Krone Kg | Sprechkapsel mit Transistorverstaerker |
DE1299724B (de) * | 1966-10-21 | 1969-07-24 | Siemens Ag | Mikrophonkapsel mit einem piezoelektrischen Wandlerelement und einem Transistorverstaerker |
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