DE1812942A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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DE1812942A1 DE19681812942 DE1812942A DE1812942A1 DE 1812942 A1 DE1812942 A1 DE 1812942A1 DE 19681812942 DE19681812942 DE 19681812942 DE 1812942 A DE1812942 A DE 1812942A DE 1812942 A1 DE1812942 A1 DE 1812942A1
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connection conductor
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Hilbers Antonius Hubertus
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

PHN.2947
1812342
Dipi.-ίηπ; ERfCH E. WALTHER
"-■!-•.r.Vv-.v/ciJ·.
Anmsfder: N. V. PiUi^1 iiLOEILA&lPENFABRlEKEJl Aktes ΡΗΪΓ_ 2947
Annwldune vomi 4# j)ez#
"Halbleitervorrichtung".
■ Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung air Verstärkung elektrischer Signale, die einen halbleiterkörper enthält, der mit einer Eingangselektrode, einer Äusgangsolektrode und einer dritten Elektrode, :'.±a nachstehend als gemeinsame Elektrode bezeichnet wird und die dazu bestimmt ist, um
ORIGINAL INSPECTED
zusammen-mit--der Eingängselektrode: einen Teil eines Eingangskreises und■- -zusammen- mit der Ausgangsele&%röde ■ einen Teil eines Ausgangskreises zu bilden', versehen is%^■'wobei jede dieser drei Elektroden- mit mindestens elneltt'An^-' 1jl Schlussleiter versehen ist. '■'-'■- '- ' ·' yA ehi^-'i - - --. -:
Die Erfindung bezieht sich/ferner ;
auf eine Schaltungsanordnung mit einer derartigen Halb- ■ leitervorrichtung. ■ ■ ,: . . ■ . ■ - . ~-, - '
In Schaltungsanördnungon wird bekanntlich die mögliche Verstärkung, die mit derartigen Vorrichtungen erreichbar ist, häufig durch innere parasitäre Impedanzen der Vorrichtung, die eine unerwünschte Kopplung zwischen dem elektrischen Eingang und dem elektrischen Ausgang herbeiführen können, beeinträchtigt. In dieser Hinsicht sind z.B. Reihenselbstinduktiöneii der Anschlussleiter der Vorrichtung von Bedeutung,' zumal '" wenn die Schaltung zur Bearbeitung von Signalen; grosser^ Leistung und/odör Hochf re'quenzsignaien bestimmt 'ist. ' ■i'?i·
Irisbesondere die effektive' Selbst-*
induktion des gemeinsamen Anschlüssieiters sowie' die ""' effektive Selbstinduktion der gemeinsamen'Elektrode sind' störend. Diese Selbstinduktion im gemeinsamen T'eif des Eingangs- und des Äusgangskreises Verursacht"aine ' '":"., o Rückkopplung zwischen dem elektrischen Eingang und dem , J^ elektrischen Ausgang der Vorrichtuhg, wodurch die mögliche ^ Verstärkung beeinträchtigt werden kann. Bei einem in -* Emituers'chaltung betriebenen Transistor z.B. kann "die m mcgl-iche Verstärkung verringert werden, während beim Betrieb in· Basisschaltung die Verstärkung so gross
ORIGINAL WSPECTK)
werden kann, dass die Schaltung unstabil wird.
Es sei bemerkt, dass in diesem
Zusammenhang der Begriff Elektrode in weitem Sinne zu verstehen ist, so dass darunter nicht nur ein leitender Kontakt mit einer ^albleiterzone, sondern auch die betreffende Halbleiteraone mit einbegriffen ist. Auch der Begriff Anschlussleiter muss im weiten Sinne aufgefasst werden, so dass er ausser Anschlusstiften und drahtförmigen Leitern auch auf einer isolierenden Unterlage angebrachte Leitbahnen umfasst. Im allgemeinen wird hier unter Anschlussleiter jede leitende Verbindung verstanden, die ohne Zwischenschaltung aktiver oder passiver elektrischer Elemente mit dem leitenden Kontakt einer der Elektroden verbunden ist.
Es ist offensichtlich wichtig, dass die Reihenselbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangs- und des Ausgangskreises klein gehalten wird. Einen erheblichen Beitrag zu dieser Selbstinduktion liefern die meistens dünnen Drähte, die bei ^Ibleitervorrichtungen, wie Transistoren, als Verbindung zwischen Elektroden des ^albleiterkörpers und Anschlussstiften einer Hülle benutzt werden. Es wurde denn auch bereits
to vorgeschlagen, diese Drähte möglichst kurz zu halten ο
<d und ausserdem die gemeinsame Elektrode mit einem Metallen
boden der Hülle zu verbinden, mit dem Zweck, die Ver- _^ bindung zwischen der gemeinsamen Elektrode und einem k> Punkt in der Schaltung mit Bezugspotential, meistens Erde, möglichst kurz und mit möglichst niedriger Selbstinduktion auszubilden. Ferner kann der geometrische Querschnitt der Drähte möglichst günstig, z.B. mit
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möglichst grossem Durchmesser, gewählt werden oder es können mehrere parallel verlaufende Drähte Verwendung finden.
Zwar lässt sich auf diese Weise
die Selbstinduktion des Anschlussleiters verringern, aber in dor Praxis stellte es sich heraus, dase der Einfluss der restlichen Selbstinduktion des Anschlueßleiters noch sehr störend sein kann, während ferner auf diese Weise am Einfluss der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode nichte geändert wird. Ausserdem ie4 es nicht unter allen Umständen erwünscht, dass die gemeinsame Elektrode mit dem Gehäuse oder dem Boden der Hülle verbunden, ist.
Die Erfindung beruht unter anderem auf der Erkenntnis, dass die bestehenden Nachteile auf einfache Weise behoben werden können und der schädliche Effekt der Selbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangskreises wirkungsvoll dadurch verringert ..erden kann, dass eine geeignete Konfiguration für die Anschlussleiter gewählt wird.
Gemäss der Erfindung ist eine
Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, dass zum Ausgleich wenigstens eines Teils der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlussleiters die Anschlussleiter der Eingangs- und der Ausgangselektrode sich wenigstens auf einem Teil ihrer Länge ' unmittelbar nebeneinander und, vom Halbleiterkörper her gerechnet, in entgegengesetzten Richtungen erstrecken. 909827/1125
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Dadurch, dass die Anschlussleiter
der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode auf diese Weise nahe aneinander herangebracht v/erden, ergibt sich zwischen diesen Leitern eine magnetische Kopplung durch gegenseitige Induktion, die so gerichtet ist» dass der Einfluss der Selbstinduktion des gemeinsamen Teiles des Eingangs- und des Ausgangskreises ausgeglichen wird.
Weil die Impedanz der infolge der zwischen dem Eingang und dem Ausgang angebrachten Koi-plun£ auftretenden gegenseitigen Induktion und die der Selbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangsuna des Ausgangskreises auf entsprechende Weise von der Frequenz abhängen, ist die hergestellte Kopplung in hohem Masse frequenzunabhängig, wodurch erfindungsjjemässe Vorrichtungen in einem breiten Frequenzband eine höhere mögliche Verstärkung aufweisen.
Es sei bemerkt, dass die Anwendung der Erfindung mit sich bringen kann, dass die Reihenselbstinduktion der Anschlussleiter der Eingangselektrode und der Ausgangaelektrode erhöht wird. Im allgemeinen handelt es sich dabei nur um eine geringe Zunahme, während ausserdem diese Reihenselbstinduktionen im übrigen Teil dar Schaltung meistens auf einfache Weise berücksichtigt v.erden können. Es kann z.B. ,.wenn im übrigen Teil der Schaltung Selbstinduktionen als Bauelemente Verwendung finden, die erwähnte Reihenselbstinduktion als ein Teil dieser Bauelemente be-
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trachtet werden. Ferner können die erwähnten Selbstinduktionen mit Hilfe von Ilondenaatoren im übrigen Teil der Schaltung tie rausgestimmt werden.
Bei Halbleitervorrichtungen wie
Transistoren, bei denen sich der Halbleiterkörper in einer Hülle befindet und die Anschlussleiter durch die Wand der Hülle hindurengeführt sind, kann die Erfindung zweckmässig innerhalb der Hülle Anwendung finden, und eine derartige Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass sich die Teile der beiden Anschlussleiter, die sich unmittelbarer nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, innerhalb der Hülle befinden.
Eine derartige Hülle kann z.B.
aus einer Ilunststcff einbettung bestehen, in welchem Falle unter der Wand der Hülle die Oberfläche der Kunststoffhülle verstanden wird.
Auf diese Weiü-e ergibt sich eine
Halbleitervorrichtung mit eingebautem Ausgleich, die in einer Schaltungsanordnung eine höhere" Energieverstärkung ermöglicht als eine vergleichbare Halbleitervorrichtung, bei der die Erfindung nicht angewandt ist.
, Vorzugsv/eise befinden sich die
Taile der beiden Anschlussleiter, die sich in unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einer isolierenden Unterlage.
Dadurch ist der Abstand zwischen diesen Teilen der beiden Anschlussleiter gut festgelegt,
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wodurch die hergestellte Kopplung v/enig empfindlich gegen mechanische Einwirkungen ist.
Die Unterlage kann z.B. eine isolierende Hatte sein, auf der ausser Teilen der Anschlueeleiter auch der halbleiterkörper befestigt ist.
Ferner kann eine isolierende Unterlage Anwendung finden, die auf weiteren Teilen der beiden Anschlussleiter ruht, wobei diese weiteren Teilen an einer isolierenden Tragplatte, auf der sich der halbleiterkör: er befindet, befestigt und ferner unmittelbar üit den Elektroden :;es Halbleiters verbunden sind. Die isolierende Unterlage und die isolierende Tragplatte verlaufen vorzugsweise praktisch parallel zueinander. Ein wichtiger Vorteil einer derartigen Ausführun6sform ist, dass es sich herausgestellt hat, dass der Wert der durch die angebrachte Kopplung herbeigeführten Rückkopplung dem Wert der störenden effektiven Selbstinduktion der betreffenden Halbleitervorrichtung auf einfache Weise dadurch angepasst v/erden kann, dass der Abstand zwischen der Unterlage und der Tragplatte vergrössert oder verkleinert wird. Auch ergibt sidh auf diese Weise ein kompaktes Ganzes, das z.B. auch besonders geeignet ist, um in Kunststoff eingegossen zu werden.
Es sei bemerkt, dass der Wert der
durch die angebrachte Kopplung herbeigeführten Rückkopplung auch von den weiteren Abmessungen, wie von
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der Lange, der Breite und dem gegenseitigen Abatand derjenigen Teile der Aneehluseleiter, die sieh unmittel* bar nebeneinander erstrecken, abhängig ist*
Ferner können die feile der beiden Ansehlussleiter, die sich über die ißölierende Unterlage erstrecken, freie Enden.zum Anschluss an einen Eingangökreie und an einen Auegangskreie aufweisen, wobei diese freien Enden aus der Unterlage und eine etwaigen Hülle herausragen können*
I)Ie !Erfindung ist von besonderer Bedeutung für Halbleitervorrichtungen, bei denen der Halbleiterkörper der Korper eines Transistors ist»
Sine Schaltungsanordnung mit einer
Halbleitervorrichtung gemäßs der Erfindung iit dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleitervorrichtung über den Änschlüeßleiter der gemeinsamen Elektrode und den Anöchlusslöiter einer der nieht-gemeinsaaen Elektroden elektrische Si^aIe zugeführt werden, wahrend Über den
der gfetatifiBaiaen Slektrcde und äen Anandereä nicht-gemeinaamiea Elektrode elektrische Signale eiitn©Mien weräeni wobei der ^itlit den gegeißelt igen Induktion der An der beiden nicht-gemeinsamen Slektrcden dadurch» sieh diese iniö&luigleiter wialgstens mi einem feil ihrer !kante unmittelbar nebeneimMer und in entgefiai gesetzten Meltüage» tritreeke», auf tlitäm. ^ir% tingt
praktüÄ tieiih M§ iffektiviü
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-9-
induktion der gemeinsamen Elektrode und dee mit ihr verbundenen Anschlussleiters ist.
Durch eine derartige Aufnahme der
Halbleitervorrichtung in eine Schaltungsanordnung kann die Anwendung der Erfindung erst recht ausgenutzt werden, während die angegebene Bemessung im allgemeinen die besten Ergebnisse liefert. Der zulässige Wert des Koeffizienten der gegenseitigen Induktion wird mit durch die Anforderung bestimmt, dass die Halbleitervorrichtung stabil sein muss-. Bei einem in Emitterschaltung betriebenen Transistor, bei dem die effektive Selbstinduktion des Emitters eine Gegenkopplung und die zwischen der Basis und den kollektor hergestellte magnetische Kopplung eine Mittkopplung herbeiführt, darf der Koeffizient der gegenseitigen Induktion nicht grosser als die effektive Selbstinduktion sein, sofern zwischen der Basis und dem Kollektor wenigstens nicht noch anderweitig, z.B. durch parasitäre kapazitive Kopplung, eine Gegenkopplung vorhanden ist, denn die gesamte Rückkopplung darf mit Rücksicht auf die erforderliche Stabilität keinesfalls eine Mittkopplung ergeben.
• Obgleich auch eine Rückkopplung
nicht- induktiver Art durch die Anwendung der Erfindung ausgeglichen werden kann, empfiehlt es sich im allgemeinen, einen derartigen Ausgleich möglichst zu ver-. · meiden, weil sonst der vorzusehende Ausgleich vow aer ■'"'■'' Belastungsimpedanz abhängig ist,· wodurch bei einer'·" '''''"
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Änderung der Belastungsimpedanz Instabilität auftreten kann. Vorzugsweise wird der Koeffizient der gegenseitigen Induktion deshalb praktisch der auszugleichenden effektiven Selbstinduktion gleichgemacht.
Ausführungabeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen'dargestellt und werden nacish-f stehend näher erläutert.
Es zeigen.
Fig. 1 achematisch einen Teil
eines Aueführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung gemass der Erfindung,
Pig. 2 schanktisch einen anderen Teil dieses Ausführungebeispiels,
Pig. 3 schematisch und teilweise
im Schnitt ein anderes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemässen Halbleiter, .
Pig. 4 schematisch eine Unteransicht des in Pig. 3 im Schnitt dargestellten Teils9 '
•^ig. 5 schematise!! ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung,
Die Halbleitervorrichtung nach den
figuren 4 und 2 enthalt einen Halbleiterkörper 1 mit Abmessungen von etwa T mm χ Tmn χ '0,2 mm, der mit einer Eingangselektrode 2 , "einer Auägäüglselektrode, im vorliegenden Beispiel der' ^ntors'e^e ^e1S 'Halbleiterkörpers 1,
... . ic-· und einer gemeinsamen Elektrcif*e ft sdle* dazu bestimmt ist, um zusammen mit der Bingangs^leiiiriDde 2 einen Teil eines Ein gangs kreises''5 und zusammen "mieder Aüsgangselekcrcde' "iV~ ' ' Ίτ0 9ί8 2'7/Ί ΐ 2 5
einen Teil eines Aüsgangskreises zu bil.'en, versehen ist, wobei jede dieser droi Elektroden mit mindestens einem Anschlüssleiter 4, 5 bzw. 6 versehen ist.
Der Halbleiterkörper 1» der Vollst ändig auf übliche .reise hergestellt sein kannf kann z.B. der H-übleiterkörper eines Transistors sein, wobei die Eingahgselektro'le 2 die BasiB (oder der Emitter) des Transistors ist, während die Ausgängselektrode durch den Kollektor des Transistors gebildet wird. Dabei bildet der Emitter (bzw. die Basis) des Transistors die gemeinsame Elektrode 3.
Gemäse der Erfindung erstrecken sich
die Anschlussleiter 4 und 5 der Elngangselektrode 2
d c
bzw. der Ausgangselektrodö auf einem Teii 4 bzv.. 5 (Fig. 1) ihrer Länge unmittelbar nebeneinander und, vom Halbleiterkörper 1 her gerechnet, iii entgegengesetzten Richtungen, Infolgedessen wird wenigstens ein Teil der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode 3 und des mit ihr verbundenen Anschlussleiters 6 ausge-
Die feile 4S und 5C erstrecken sich
über eine isolierende Unterläge 10* Sie z.B. aus ölimmej* besteht und die Abmessungen von etwa 1i mm ± j mm χ 0,1 hat, an der sie auf eine Übliche Weise befestigt
Ferfcßr sind diese Teile 4d und 5C an |t einem inde mit vorstehenden Zungen 11 bzw. 12 versehen, wä'hrtnä öle am anderen Ende in freie Enden 4e bzw. 5 auslaufen» die -Inschluss an eifeen Singangskreis feiw* einön
kreis dienen und über der Unterlage hervorstehen.
Die isolierende Unterlage 10,
die der Deutlichkeit halber in Fig. 1 gesondert dargestellt ist, ist mit Löchern versehen, durch die, wenn
ob
die Unterlage 10 auf den weiteren Teilen 4- und 5 der Anscnluseleiter 4 und 5 ruht, Zungen C und '-) hindurchragen. Dabei verlaufen die Unterlage 10 und die Tragplatte 7 praktisch parallel zueinander. Die Zungen 8 und 11 sowie die Zungen 9 und 12 können durch Punktachweissen- oder Löten miteinander verbunden werden. Bei einer etwas abgeänderten Ausführungsform fehlen die Zungen 11 und 12 und werden die Zungen 8 und 9 oberhalb der Unterlage 10 abgebogen und an den Teilen 4 und 5C befestigt.
Die Teile 4° und 5 sind an einer
isolierenden Tragplatte 7 befestigt, auf der sich der Halbleiterkörper 1 befindet. Sie sind über die Metalleitbahnen 4 und 5a sowie den Draht 4a mit der Eingangselekcrode 2 und der Ausgangselektrode des Halbleiterkörper 1 verbunden.
Die isolierende Tragplatte 7 besteht z.B. aus Berylliumoxyd und kann Abmessungen von etwa 8mmx6mmx1,3. nun haben. Auf dieser Unterlage sind auf völlig übliche Weise Leitbahnen 4 , 5a und 6 , z.B. aus
Gold, ange bra ch t.
An den Leitbahnen 4b, 5a und 6
<·>. sind die weiteren Teile 4 , 5 und 6 ,. z.B. durch Löten, -* befestigt. Dabei können die beiden Teile 6 durch einen m Steg 6C miteinander verbunden sein.
. - > :. f Ferner ist der Halbleiterkörper 1 auf eine übliche ,"'-eis.e,. Z.-.3. durch Legieren, auf der
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■Leitbahn 5a befsstigt, während die Eingangselektrode 2 und die gemeinsame Sloktrode 3 des Halbleiterkörpers 1 mit Drähten 4a und 6a, die z.B. ..us Gold oder '.luminium bestehen und einen Durchmesser von etwa 100/um haben, mit der leitbahn 4 bzw. dem Steg 6° verbunden.
Die Teile 4c>d'e, 5b'c'd und 6c'd
können z.B. aus 0.4 mm starkem Kupfer hergestellt sein. Die Teile 4c'e, 5b>d und 6d sind z.B. etwa 6 mm breit, während die Höhe der Teile 4° und 5 etwa 4 Dim betragen kann.
Es sei bemerkt, dass es sich herausgestellt hat, dass der V/ert der hergestellten Bückkopplung auch von der Höhe der Teile 4G und 5 abl.ängig ist, wobei mit einer Zunahme der Höhe der Wert der Rückkopplung gleichzeitig zunimmt. Die Rückkopplung ist somit umso stärker, je grosser der Abstand zwischen der Tragplatte 7 und der Unterlage 10 ist, oder in anderen V/orten je grosser die Fläche ist, die durch die beiden durch die Teile 4a> b' C| d bzw. 5a'b'c gebildeten halben Schleifen umschlossen wird.
Die Hülle der Vorrichtung kann wie üblich ausgebildet sein und ist der Deutlichkeit halber nicht dargestellt. Die Tragplatte 7 kann z.B. auf einer
ο Metallplatte mit Abmessungen von etwa 14 nun χ U m χ 2 in -
cd befestigt sein, während das Ganze mit einem Kunststoff ro
"^ zu einem B^ock mit Abmessungen von etwa 14 nun χ 14 ma ζ
, ro
cn
χ 10 mm umgössen sein kann. Dabei befinden sich die Teile 4 und 5 innerhalb der Hülle, während die Zuleitungen 4, 5 und 6 über' die aus der Hülle heraus-
. < 947
ragenden Teile 4e, 5 und 6 durch die Wand der Hülle hindurch£ef"hrt sind.
Beim zweiten A-usführungsbeis:<iel (Fig. 3 und 4) findet die Erfindung ausserhalb der Hülle der betreffenden Halbleitervorrichtung Anwendung. Pig. 3 zeigt eine an sich übliche Halbleitervorrichtung, die schematisch durch den Block 34 dargestellt ist und Anschlussstifte 35 aufweist. Diese Halbleitervorrichtung, z.B. ein Transistor, ist auf einer isolierenden Unterlage yo angebracht, von der ein Teil im Schnitt dargestellt ist. Auf der Unterlage 3-J befindet sich ein gedrucktes Verdrahtungniuster, von den die Leitbahnen 31» 32 und 33 einen Teil bilden. In C en Leitb-r-.hnen 31, 32 und 33 und in d-'-.v unterlage $C sind Löcher 36- ?ura \n- so\,lvss· des Transistors -n^ebraoiit. Die .".nschluss-εΐϊΓΐβ 35 dieses Transistors sind dabei durch die Löcher 36 hindurchgeführt und dann z.B. durch Löten befestigt, wobei Verbindungen 37 zwischen den Anschlussstiften 35 und den Leitbuhnen 32 und 33 her-' gestellt sind.
Fig. 4 zeigt eine üntenansieht
eines Teils der isolierenden Unterlage 30, in der die Stalle des Transistors schematisch durch die dem Umfang des Transistors entsprechende gestrichelte Linie 34 angegeben ist, während die Anschlussstifte 35 und die Verbindungen 37 der Deutlichkeit Kälber fortgelassen sind, Zwei der vier Anschluscstifte 35 des Transistors sind mit den Leitbahnen 31 verbunden. Diese Leitbahnen
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' BAß ORDINAL.
■ ü I >!! ΡίΒΙΙΡ'Ι! S ' f
• * PHN.2947 '■ _
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31 bilden zusammen mit den entsprechenden Anschlussstiften einen Teil der Anschlussleiter, welche die benachbarten Bauelemente der Schaltung mit der gemeinsamen Elektrode, z.B. der Emitterelektrode, des Transistors verbinden. Die beiden übrigen Anschlussstifte sind mit ^en Leitbshnen 32 und 33 verbunden,die somit einen Teil der Anschlussleiter der Eing ngselektrode, z.B. der Basiselektrode, bzw. der Ausgangselektrcde, z.B. der Kollektorelektrode, bilden.
Gemüse der Erfindung erstrecken
pich die Anschlussleiter der Eingangs- und der Aus-, gangselektrode wenigstens auf einem Teil 32 bzw. 33 ihrer Länge dicht nebeneinander und, vom Halbleiterkörper her gerechnet, in entgegengesetzten Richtungen. Dabei erstrecken sich diese Teile 32 ind 33 über die isolierende Unterlage 3C
Pig. 5 zeigt eine Schaltungsanordnung gemäss der Erfindung mit einem in Emitterschaltung betriebenen Transistor 50. Dabei sind die Teile dar Schaltung, die für die Erfindung belanglos sind, schematisch durch die Blöcke 54 und 55 angegeben, über den Anschlussleiter 51 der gemeinsamen Elektrode (dee Emitters) und den Anschlussleiter 52 einer der nicht-
ο gemeinsamen Elektroden (der Basis) werden dem Tranto
co sistor elektrische Signale zugeführt, während über ro
^ den Anschlussleiter 51 und den Anschlussleiter 53 der _* anderen nicht-gemeinsamen Elektrode (des Zollektors) cn elektrische Signale entnommen werden. Der Koeffizient der gegenseitigen Induktion der Anechlussleiter 52 und
■ - ■ PHN.2947 ,
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53 dsr beiden nicht-geoeinsamen Elektroden ist dabei infolge der Tatsache, dass diese Anschlussleiter 52 und 53 sich auf einem Teil ihrer Länge unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einen Wert eingestellt, der praktisch gleich der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen. Anschlussleiters 51 ist.
Mit ein'ir Schaltungsanordnung'
gemäss der Erfindung ist in einem breiten Frequenzband eine wesentlich höhere Leistungsverßtärkung erzielbar, Dabei ist vor Koeffizient der gegenseitigen Induktion so gev/ählt, dass die Zunahme der Leistungsversta'rkung in einem weiten Frequenzbereich möglichst gross ist, während die Gefahr einer Instabilität der Schaltungsanordnung gering ist.
An einer derartigen Schaltung,
üie im übrigen auf völlig übliche V/eise zusammengesetzt war und in der ein Transistor aufgenommen war, der ohne die Anwendung der Erfindung bei einer Ausgangsleistung von 12 Watt und einer Frequenz von 175 MHz eine Leistungsverstärkung von 5,4 dB liefert, ist unter im übrigen gleichbleibenden Umstanden durch die Anwendung der Erfindung eine Verbesserung der Leistungsversta'rkung auf 7,9 dB wahrgenommen. Dabei betrug der Koeffizient der Selbstinduktion der Zuleitungen 52 und 53 etwa 1,1 11H.
Die Erfindung ist offensichtlich
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nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern für den Fachmann sind im Rahmen der Erfindung manche Abänderungen möglich. Die Erfindung kann z.B. für Transistoren Bedeutung haben, die zum Betrieb in Kollektorschaltung bestimmt sind, während sie ferner z.B. bei Feldeffekttransistoren Anwendung finden kann, wobei die Torelektrode gegebenenfalls isoliert sein kann. Die isolierende Unterlage kann ausser durch eine Platte
z.B. auch durch eine isolierende Schicht gebildet werden, ^ die z.B. auf einem Halbleiterkörper angebracht ist, wie bei integrierten Schaltungen. Ferner können für die Anschlussleiter andere Materialien, z.B. Nickel oder Aluminium, und/oder andere Formen, wie eine Drahtform, gewählt werden. Die magnetische Kopplung kann a.B. einfaoh dadurch hergestellt werden, dses die Anschlussstifte der Halbleitervorrichtung auf geeignete V/eise gebogen werden, wobei die Biegung innerhalb cder ausserhalb der Hülle liegen kann. M
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Claims (8)

PIHT. 2947 PATENTANSPRÜCHE;
1. Halbleitervorrichtung zur
Verstärkung elektrischer Signale mit einem Halbleiterkörper, der mit einer Eingangselektrode, ^iner Ausgangselektrode und einer dritten Elektrode, die nachstehend als die gemeinsame Elektrode bezeichnet wird und bestimmt ist, um zusammen mit der Eingangselektrode einen Teil eines Eingangskreises und zusammen :':it äor Ausö£.n£s elektrode einen Teil eines Ausg.Jigskreises zu bilden, versehen ist, wobei jede dieser drei Elektroden mit mindestens einem Anschlussleiter verschen ist, d durch gekennzeichnet, dass zum Ausgleich wenigstens eines Teils der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des rait ihr verbundenen Anschlussleiters die Anschlussleit-ar der Eingangs- und der Ausgangselektroae sich .vsnigstens auf einem Teil ihrer LiInQQ unmittelbar nebeneinander und, von Halbleiterkörper hör gereornet, in entgegengesetzten Richtungen erstrecken.^
2. Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1, bei der sich der Halbleiterkörper in einer Hülle befindet und die Anschlussleiter durch die Wand der Hülle durchgeführt sind, dadurch gekennzeichnet, dass sich lie Teile der beiden Anschlussleiter, die sich unmittelbar nebeneinander in entg2gengesetzten ; Richtungen erstrecken, innerhalb der Hülle befinden.
3· Halbleitervorrichtung nach An-S]ruch 1 oder 2f dadurch gekennzeichnet, dass sich die
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Ie; le der beiden Anschlussleiter, die si^h unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, über eine isolierende unterlage erstrecken.
4. Halbleitervorrichtung nach An-
c;ruch 3f dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Unterlage auf weiteren Teilen der beiden Anschlussleiter ruht, welche weiteren Teile an einer isolierenden Tragplatte, auf der sich der halbleiterkörper befindet, befestigt und mit den elektroden des ^albleiterkörpers verbunden sind.
5. Halbleitervorrichtung nach An-
ε/rucli 4, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Unterlage und die isolierende Tragplatte einander praktisch ■-•arallel sind,
6. Halbleitervorrichtung nach einem
oder mehreren der Ans.-rüehe 3»4 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Teile, die sich über die isolierende Unterlage erstrecken, freie Enden zum Anschluss an einen elektrischen Kreis aufweisen, welche freien Enden aus aer Unterlage herausragei:.
7. Halbleitervorrichtung nach einem
oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper der Körner eines Transistors ist,
8. Schaltungsanordnung mit einer
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.2?** ■ 2942
Halbleitervorriohtung nach einem oaer mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleitervorrichtung über den Anschlussleiter der gemeinsamen Elektrode und den Anschlussleiter einer der nicht-gemeinsamen Elektroden elektrische Signale zugeführt werden, während über den Anschlussleiter der gemeinsamen Elektrode und den Anschluseleiter der anderen nicht-gemeinsamen Elektrode elektrische Signale entnommen werden, v/cbei der Koeffizient der gegenseitigen Induktion der Anschlussleiter der beiden nicht-gemeinsamen Elektroden dadurch , dass sich diese Anscliluesleiter wenigstens auf einem Teil ihrer Länge unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einen Wert eingestellt ist, der praktisch gleich der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlussleiters ist.
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θ 4 ! θ S j 9 9
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