DE1802278A1 - Magnetischer Speicher - Google Patents

Description

Western Electric Company Incorporated Bobeck 58-1-2

New York, N. Y. 10007 U. S.A.

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Magnetischer Speicher

Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Speicher.

Als der Erfindung am nächsten kommender Stand der Technik wird die Britische Patentschrift 1 081 431 betrachtet.

Ein zweidimensionales Schieberegister, bei dem einwandige Domänen steuerbar bewegt werden, ist versuchsweise aufgebaut und betrieben worden. Die Seltene-Erde-Orthoferrite sind für eine große Anzahl von für diesen Zweck brauchbaren Materialien repräsentativ.

Eine Speicheranordnung, bei der einwandige Domänen von ersten in zweite informationsbezeichnende Positionen in entsprechenden Bit-Stellen in einem magnetischen Blatt bewegt werden, ist ebenfalls versuchsweise aufgebaut worden. Ein solcher Speicher verwendet zwei Zwischenpositionen an jeder Bit-Stelle, und alle partiell ausgewählten Bit-Stellen haben Domänen, die in diese Zwischenpositionen während einer Auswähloperation bewegt sind. Die Operation erfordert eine Folge von Impulsen, im Gegensatz zu einer Schwellwertoperation, die eine Auswahl einer bestimmten Bit-Stelle durch ein oberhalb eines Schwc Jlenwerts liegendes Feld ermöglicht, wäh-

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rend Stellen, die Feldern kleiner als der Schwellenwert während einer xluswähloperation ausgesetzt sind, nicht ausgewählt werden. Ein Betrieb auf Schwellenwertbasis ist einfacher und demgemäß solange vorzuziehen, wie geeignete Bedingungen erhalten werden können.

Zur Lösung des Problems, solche geeignete Schwellwertbedingungen zu erhalten, ist der magnetische Speicher erfindungs gemäß gekennzeichnet durch ein erstes Blatt aus magnetischem Material mit hierauf funktionell definierten Bit-Stellen, die je erste und zweite Positionen für einwandige Domänen umfassen, eine Portpflanz-Schaltung, die einwandige Domänen von einer ersten in eine zweite Position einer ausgewählten Bit-Stelle des Blattes bewegt, eine Feststellschaltung, die die Gegenwart und das Fehlen einwandiger Domänen in ersten Positionen feststellt, und eine Einrichtung, die einen Schwellenwert gegenüber der Bewegung der einwandigen Domänen zwischen jeder der ersten Positionen und der entsprechenden zweiten Position erzeugt.

Im folgenden ist die Erfindung anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsformen im einzelnen beschrieben; es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer beispielshaften Speicheranordnung,

Fig. 2, 3, 4 und 6 je schematische Darstellungen von Teilen der Anordnung nach Fig. 1 und

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Fig. 7 und 8 schematische Darstellungen von Abwandlungsformen der Anordnung nach Fig. 1.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß eine Impedanz gegenüber Domänenfortpflanzung in einem Blatt aus einem Material, in welchem Domänen sich fortpflanzen können, künstlich erzeugt werden kann. Folglich enthält ein Domäneiifortpflanz - Speicher mit einer ersten und einer zweiten Position für eine einwandige Domäne in jeder Bit-Stelle vorteilhafterweise auch eine künstliche Impedanz gegenüber Domänenbewegung zwischen diesen beiden Positionen. Es resultiert ein Speicherbetrieb auf Schwellenwertbasis. Wenn des weiteren die beiden Positionen an jeder Bit-Stelle von einer zweiten Impedanz gegenüber Domänenbewegung umgeben sind, sind Wechselwirkungen zwischen Domänen in benachbarten Bit-Stellen weitgehend eliminiert.

Die Impedanz gegenüber Domänenbewegung kann auf zahlreichen Wegen erreicht werden. Bei einer Ausführungsform ist eine mit öffnungen versehene Glasschicht vorgesehen, und die öffnungen sind mit magnetischem Material gefüllt. Die öffnungen sind so angeordnet, daß sie ein vorgeschriebenes, beispielsweise achterförmiges oder eingeschnürtes ringförmiges Muster bilden. Die öffnungen sind mit magnetischem Material gefüllt, das so magnetisiert ist, daß man ein eingeschnürtes ringförmiges Feld eines Vorzeichens erhält, um die

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einwandigen Domänen abzustoßen. Die öffnungen werden in einem angrenzenden magnetischen Blatt angeordnet, um die zugeordneten Bit-Stellen zu umgeben. Das Öffnungsmuster bildet dann ein vorgeschriebenes Muster von Feldern, die - über jede Schleife dieses Musters - eine Position für eine einwandige Domäne definieren. Einwandige Domänen werden in jeder Bit-Stelle zwischen den so definierten ersten und zweiten Positionen bewegt. Die beiden öffnungen, die die Einschnürung in dem Ring bilden, erzeugen die Impedanz zwischen den Positionen.

Erste und zweite Fortpflanzungsleiter gruppen X und Y sind so angeordnet, daß sie sich zwischen den beiden Positionen in zugeordneten Bit-Stellen schneiden. Impulse eines ersten Vorzeichens auf ausgewählten X- und Y-Leitern bewegen die entsprechende Domäne in eine erste Position in nur einer ausgewählten Bit-Stelle. Impulse des entgegengesetzten Vorzeichens überführen die Domäne in die entsprechende zweite Position zurück.

Die in Fig. 1 dargestellte Speicheranordnung 10 gemäß der Erfindung weist ein Blatt 11 auf, das beispielsweise aus einem Seltene-Erde-Ortho ferrit besteht und in welchem einwandige Domänen, ansprechend auf versetzte Fortpflanzungs-Magnetfelder, bewegt werden.

Die Anordnung ist so organisiert, daß Koinzidente X- und Y-Impulse

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eine Domänenbewegung nur in einer ausgewählten Bitstelle des Blattes 11 erzeugt wird, während Domänen in partiell ausgewählten Bitstellen nur vernachlässigbar gestört werden.

Zur Erläuterung dieser Betriebsweise sind vier beispielhafte Bitstellen im Blatt 11 dargestellt. Diese Bitstellen sind durch imaginäre, gestrichelt gezeichnete Kreise identifiziert, die an den Schnittpunkten beispielhafter X- und Y-Treibleitern gelegen sind. Die Treibleiter sind in üblicher Weise mit Xl, X2, Yl und Y2 bezeichnet. Die Bitstellen sind mit BLIl, BLl2, BL21 und BL22 bezeichnet, wobei die Ziffern in jeder dieser Bezeichnung die entsprechenden X- und Y-Leiter definieren. Die X- und Y-Leiter liegen zwischen X- und Y-Auswähltreibern 13 bzw. 14 und Erde. Sie können auf gegenüberliegenden Seiten des Blattes 11 oder - bei entsprechender Isolierung - an der gleichen Seite angeordnet sein.

Ein Abtastleiter 15 ist mit jeder Bitstelle gekoppelt und liegt zwischen einer Verbraucherschaltung 16 und Erde. Die Art und Weise der Kopplung zwischen dem Leiter 15 und einer Bitstelle wird nachstehend in Verbindung mit der Beschreibung einer repräsentativen Bitstelle erläutert.

Die Treiber 13 und 14 und die Schaltung 16 sind an eine Steuerschaltung 17 über Leiter 18, 19 bzw. 20 angeschlossen. Die verschiedenen

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Treiber und die anderen Schaltungen sind irgendwelche Bauelemente, die in der Lage sind, in der erfindungsgemäßen Weise arbeiten zu können.

Die Anordnung 10 nach Fig. 1 enthält ein an das Blatt 11 angrenzendes Blatt 21, beispielsweise aus Glas. Das Blatt 21 ist mit öffnungen versehen, die nach allgemein bekannten Methoden, beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls eingearbeitet sind, um beispielsweise eine achterförmige Anordnung von Öffnungen zu erhalten, deren Lagen den Bitstellen im Blatt 11 entsprechen. Die ringförmigen Bereiche, die durch die öffnungen definiert sind, sind mit All, Al2, A21 und A22 bezeichnet, um ebenfalls den Bitstellen im Blatt 11 zu entsprechen. Diese ringförmigen Bereiche sind imaginär, sie dienen nur zur Darstellung des Öffnungsmusters in diesem Fall.

Die öffnungen sind mit magnetischem Material gefüllt, beispielsweise mit Eisenoxyd, das in einer zur Magnetisierungsrichtung der einwandigen Domänen entgegengesetzten Richtung magnetisiert ist. Vorliegend sei angenommen, daß das Blatt 11 in Fig. 1 nach unten magnetisch gesättigt ist. Diese Richtung soll hier als die negative Mägnetisierungsrichtung bezeichnet sein. Eine einwandige Domäne ist dann ein isolierter Bereich, in welchem der Fluß nach oben gerichtet ist. Diese Richtung sei als die positive Magnetisierungsrichtung bezeichnet, und eine einwandige Domäne D kann demgemäß dargestellt werden

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durch einen Kreis, in welchen ein Pluszeichen eingeschrieben ist, (Fig. 2 und 3). Ein ringförmiger Bereich im Blatt 21 erzeugt daher eine beispielhafte Verteilung "permanenter" negativer Felder, wie diese durch die Minuszeichen in den öffnungen des Ringes All in Fig. 2 dargestellt sind. Dieses Feld, es sei daran erinnert, ist einem magnetischen Vorspannfeld überlagert, das zweckmäßigerweise durch einen Magneten M in Fig. 1 erzeugt wird. Für letzteren ist ein Rückweg für den Fluß (nicht dargestellt) vorgesehen. Der Magnet M erzeugt ein Feld eines Vorzeichens, um die einwandigen Domänen zum Kollabieren zu bringen, und dient zum Aufrechterhalten der Domäne in einer stabilen Geometrie.

Die durch das negativ gepolte Material in den öffnungen des eingeschnürten Ringes erzeugten Felder stoßen eine einwandige Domäne ab. Dieses ergibt sich aus Fig. 3, die einen Querschnitt der Blätter 11 und 21 der Fig. 1 zeigt. Eine einwandige Domäne D ist in Fig. 3 als ein Pfeil Ad dargestellt, der nach oben gerichtet ist, Entsprechend der angenommenen Übereinkunft ist der Pfeil von Minus nach Plus gerichtet, wie dies durch die Minus- und Pluszeichen im Blatt 11 dargestellt ist. Die Magnetisierung des magnetischen Materials in einer öffnung des Blattes 21 ist als nach unten gerichteter mit Doppellinien gezeichneter Pfeil Ap dargestellt, der gelichfalls von Minus nach Plus gerichtet ist. Man sieht aus der Figur, daß die Mi-

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nuszeichen aneinander angrenzen, was eine Abstoßungskraft anzeigt. Folglich bezeichnet ein Minuszeichen in allen Figuren, die eine Draufsicht auf das Blatt 11 wiedergeben, eine Abstoßungskraft für Domänen, während ein Pluszeichen, eine Umkehr der Magnetisierung im Blatt 21, eine Anziehungskraft für Domänen im Blatt 11 anzeigt.

Eine Domäne, wie die repräsentative Domäne D in Fig. 2 nimmt dauernd eine von zwei Positionen in einer Bitstelle ein. Die beiden Positionen für eine Domäne sind in den Fig. 2 und 4 dargestellt und können als die "1"- bzw. die ¹¹O"-Positionen genommen werden, die eine binäre Eins und eine binäre Null darstellen sollen.

Die Öffnungen im Blatt 21, die den Ring All bilden, sind durch Abstände voneinander getrennt, die beispielsweise kleiner als der Durchmesser einer einwandigen Domäne sind. Folglich wird die Bewegung einer Domäne aus einer ersten in eine zweite Position in einer ausgewählten Bitstelle durch die Abstoßungskräfte zwischen den magnetisch negativen "Öffnungen" des Ringes und der magnetisch positiven einwandigen Domäne behindert. Ein ähnliches Ergebnis erhält man auch dann, wenn die Öffnungen nicht so dicht beieinander liegen.

Die bei der Bewegung einer Domäne von der in Fig. 2 eingenommenen Position in die in Fig. 4 eingenommene Position in Rechnung zu stellende Abstoßungskraft wird durch die Felder auf die Domäne D aus-

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geübt, die durch den Fluß im Material der Öffnungen bl und b2 erzeugt werden. Diese Kraft bildet einen Schwellwert., den ein jedes Fortpflanzungsfeld zur Bewegung einer Domäne D überwinden muß. Die Kraft ist jedoch durch die Magnetisierung des Materials in jeder Öffnung bestimmt und demgemäß eine steuerbare Funktion des verwendeten Materials sowie der verwendeten Materialmenge.

Der Betrieb erfordert:die dauerende Speicherung einer einwandigen Domäne in jeder Bitstelle des Speichers, beispielsweise in der in Fig. 2 dargestellten Position. Die Erzeugung und Anordnung von Domänen zu diesem Zweck ist experimentell bewerkstelligt worden und wird hier nicht weiter beschrieben.

Für einen Betrieb auf Schwellenwertbasis werden Ströme jedem der Leiter Xl und Yl derart zugeführt, daß das von jedem Strom erzeugte Feld für sich allein nicht ausreicht, die von den magnetisch negativen "Öffnungen" bl und b2 erzeugte Abstoßungskraft zu überwinden; jedoch können beide Ströme zusammen diese Kraft überwinden. Folglich bewegt sich die Domäne D in der repräsentativen Bitstelle BLIl von der in Fig. 2 eingenommenen Stellung in die in Fig. 4 eingenommene Stellung, während die Domänen in Bitstellen BLl2 und BL21 nur vernachlässigbar gestört werden, wenn diese Ströme angelegt werden. Anhand der vertrauten Rechte-Hand-Regel ergibt sich sofort,

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daß die Ströme, wie diese im Zusammenhang mit Fig. 2 beschrieben sind, im Blatt 11 unterhalb des Schnittpunkts der Leiter Xl und Yl in dieser Figur Felder erzeugen, die die Domäne D anziehen. Nur in einer ausgewählten Bitstelle wird ein solches Feld durch den in jedem ausgewählten Leiter fließenden Strom erzeugt. Folglich zieht ein solcherart in der ausgewählten Bitstelle erzeugtes Feld eine Domäne mit ausreichender Kraft an, um den Schwellenwert zu überwinden, der durch das magnetische Material der zugeordneten öffnungen bl und b2 vorhanden ist. In den partiell ausgewählten Bitstellen tritt nur die Hälfte einer solchen Kraft auf, d.h. nur diejenige Kraft, welche dem Strom in nur einem ausgewählten Leiter zugeordnet ist. Eine solche Kraft reicht nicht aus, den Schwellenwert zu überwinden.

Die Ströme, die den Leitern Xl und Yl zur Bewegung der Domäne D in Fig. 2 in die Null-Position (Fig. 4) zugeführt werden, sind nach oben links bzw. nach unten links für die Leiter Xl bzw. Yl gerichtet, wie dies durch die Pfeile i in Fig. 2 dargestellt ist. Ströme in diesen dargestellten Richtungen werden als "negativ" bezeichnet, wie dieses durch die Impulse -PXl und -PYl im Impuls diagramm der Fig. 5 angegeben ist. "Positive" Ströme in Richtungen, wie diese durch die Pfeile i in Fig. 4 angegeben sind, veranlassen eine Domäne, daß sie sich von der Null-Position in die Eins-Position bewegt. Solche Impulse sind mit +PXl und +PYl iö Fig. 5 bezeichnet. Wenn

eine ausgewählte Bitstelle bereits eine Domäne in derjenigen Position enthält, in welche eine Domäne durch die Fortpflanzungsfelder gedrängt werden soll, resultiert nur eine vernachlässigbare Domänenbewegung.

Man sieht also, daß eine einwandige Domäne zwischen ersten und zweiten Positionen einer ausgewählten Bitstelle in einem Domänenfortpflanzungsspeicher auf Schwellwertbasis bewegt werden kann.

Zahlreiche Abtastmittel sind geeignet. Ist optisches Auslesen vorgezogen, so können hierzu sowohl der Kerr- als auch der Faraday-Effekt verwendet werden. Ist elektrisches Auslesen vorgezogen, so können Verdrahtungsmethoden verwendet werden, die den bei üblichen Anordnungen mit beliebigem Zugriff verwendeten ähnlich sind.

Eine beispielhafte Auslese-Methode sei nun anhand der Fig. 6 beschrieben. Im einzelnen ist der Leiter 15 der Fig. 1 an den einen Teil jeder Bitstelle im Blatt 11 gekoppelt. Der Leiter umfaßt zweck- ™

mäßig einen Rückweg nach Erde, wobei mit entsprechenden Teilen desselben eine Leiterschleife gebildet wird, die die angekoppelten Positionen umgibt. Die Schleifen sind mit lab bezeichnet, wobei a und b die Ziffern bedeuten, die der Bezifferung der angekoppelten Bitstellen jeweils entsprechen. Entsprechend allgemein bekannten

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Rauschreduzierungsmethoden kann der Richtungssinn nächst benachbarter Kopplungen zweckmäßig alternieren.

Eine Ausleseoperation wird, ansprechend auf negative Impulse auf den einer ausgewählten Bitstelle entsprechenden Leitern, ausgeführt. So zwingen beispielsweise gleichzeitige Impulse PXl und PYl auf den Leitern Xl und Yl eine Domäne D in Fig. 2, sich in die Null-Position der Fig. 4 zu bewegen,' wodurch eine Spannung im Leiter 15 zur Feststellung durch die Verbraucher schaltung 16 unter der Steuerung der Steuerschaltung 17 induziert wird. Der erzeugte Ausgangsimpuls, wenn beim Abfragen die ausgewählte Bitstelle eine Domäne in der Eins-Position enthält, ist als Impuls PO in Fig. 5 dargestellt. Fehlt eine Domäne in der Eins-Stellung, so wird nur ein vernachlässigbarer Impuls beobachtet.

Für lineare Auswahl-Organisation sind andere Typen von Auslesemethoden brauchbar.

Fig. 7 zeigt eine Bitstelle mit drei hintereinander angeordneten Positionen, die beispielsweise durch eine ringförmige, durch ein Doppeloval-Symbol dargestellte Impedanz umgeben sind. Die Mittelposition, die in der Zeichnung von einer Domäne D besetzt ist, entspricht der Eins-Position in Fig. 2. Die in der Zeichnung untere Position entspricht der Null-Position der Fig. 4. Die obere Position

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sei als Leseposition bezeichnet. X- und Y-Leseleiter schneiden sich, wie dargestellt, zwischen der Mittelposition und der oberen Position.

Ein permanenter Magnetpol, z.B. der Pluspol eines Dipols, wird in jeder Position der Bitstelle zentral fixiert, wie dieses durch die Pluszeichen in Fig. 7 angedeutet ist. Bewerkstelligt kann dies werden durch Verwendung dreier öffnungen mit positiv magnetisiertem Material im Blatt 21, um Anziehungskräfte für eine Domäne in den ent-

sprechenden Positionen zu erzeugen. Die Domänenwand der Domäne D wird sich nur dann in einer stabilen Lage befinden, wenn sie symmetrisch bezüglich einer der fixierten positiven Pole gelegen ist.

Die Schreiboperation ist der der Anordnung nach den Figuren 2 und 4 vollständig analog. Das Auslesen erfolgt jedoch ansprechend auf Impulse auf den zusätzlichen X- und Y-Leseleitern (Fig. 7) unter der Steuerung einer Steuerschaltung, wie diese in Fig. 1 dargestellt ist. Die Gegenwart einer Domäne in der Mittelposition wird festgestellt, ^|

wenn diese Domäne sich in die obere Position auf die Lese-Impulse hin bewegt. "Lese"-Impulse des entgegengesetzten Vorzeichens überführen jegliche solcherart bewegte Domäne zurück. Wenn eine Domäne in der Mittelposition einer ausgewählten Bitstelle fehlt, wird selbstverständlich keine Domäne zur Feststellung verschoben. Domär nen in Mittelpositionen von partiell ausgewählten Bitstellen unter-

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liegen nur vernachlässigbaren Pendelbewegungen. Ein Abtastleiter ist an die obere Position jeder Bitstelle, zweckmäßig in der Art nach Fig. 6, zu diesem Zweck angekoppelt.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 7 sind keine Einschnürungen in der ringförmigen Anordnung der öffnungen erforderlich. Die fixierten Pluspole liefern stattdessen die notwendige Impedanz.

Fig. 8 zeigt eine Ausführung, bei der die Impulse, die bei der Ausführungsform nach Fig. 7 zur Rückführung einer Domäne in die Mittelposition erforderlich waren, nicht notwendig sind. Der einzige Unterschied zwischen den Ausführungsformen nach Fig. 7 und 8 ist der, daß die obere Position, in die eine Domäne während eines Auslesevorganges bewegt wird, eine ausreichende Minuspolverteilung zur Erzeugung von Abstoßkräften aufweist, um diese Position für Domänen unstabil zu machen. Eine solche Verteilung ist in Fig. 8 durch ein Minuszeichen dargestellt.

Die verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen weisen eine beispielsweise unüberwindliche Grenze gegenüber Domänenwandbewegung auf, die jede Bitstelle für eine Domäne umgibt, sowie überwindbare Grenzen zwischen den Positionen innerhalb einer Bitstelle. Die unüberwindlichen Grenzen sind beispielsweise durch das magne-

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tische Material in den öffnungen eines Ringes wie beschrieben erzeugt und sind durch das Doppeloval jeweils in den Fig. 7 und 8 dargestellt. Die überwindbaren Grenzen können durch fixierte zentral angeordnete gleiche (anziehende) Pole oder alternativ durch symmetrisch angeordnete ungleiche (abstoßende) Pole vorgesehen sein, um den Fortpflanzungskanal einzuschnüren. Die Anordnung nach den Fig. 2 und 4 illustriert den letzteren Fall, und die Anordnungen nach Fig. 7 und 8 illustrieren den ersteren Fall. In jedem Fall untertei- ^

len Treibleiter die verschiedenen Positionen, d.h. sie schneiden sich an den verschiedenen Positionen, und eine Domäne in einer Position hat zweckmäßig eine Größe, daß die Treibleiter überlappt werden, wie dieses beispielsweise in Fig. 8 dargestellt ist.

Es gibt zahlreiche Methoden zum Erzeugen einer Impedanz gegenüber einer Domänenbewegung entsprechend der Erfindung. Die verschiedenen Ausführungsformen sind hier anhand einer nichtmagnetischen Schicht beschrieben worden, in welcher mit magnetischem ^j Material gefüllte öffnungen vorgesehen sind. Das magnetische Material ist in einigen Fällen so gepolt, daß einwandige Domänen abgestoßen werden, und in anderen Fällen so, daß diese Domänen angezogen werden. Alles was notwendig ist, ist, daß räumlich sich ändernde oder räumlich ungleichförmige Felder auf eine Domäne einwirken, wenn diese von der einen in eine andere Position bewegt

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wird. Zusätzlich können Drahtschleifen in eingeschnürter ringförmiger Konfiguration dazu verwendet werden, die geeigneten Felder zu erzeugen, wenn ein Strom hierdurch hindurchgeschickt wird.

Versuche, die an mit öffnungen versehenen transparenten Schichten ausgeführt worden sind, ermöglichten einen erfindungsgemäßen Betrieb bei optischer Beobachtung (Faraday-Effekt) in höchst einfacher Weise. Bei einem speziellen Beispiel hatte ein 0, 075 cm dickes Blatt aus Saphir durchgebohrte Löcher eines Durchmessers von

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5x10 cm bei einem Mittenabstand von 7, 5 χ 10 cm. Die Löcher waren mit Eisenoxyd gefüllt, und das Eisenoxyd war in einer Richtung magnetisiert, die der Magnetisierungsrichtung der Domänen in einem benachbarten Blatt aus Thuliumorthoferrit entsprechend der Anordnung nach Fig. 3 entgegengesetzt war. Die Domänen hatten einen

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Durchmesser von etwa 7, 5 χ 10 cm. Die öffnungen waren im wesentlichen wie nach Fig. 2 und 4 angeordnet. Ein Impuls von 100 Milliampere, der jedem der ausgewählten X- und Y-Leiter zugeführt wurde, bewegte eine Domäne nur in der ausgewählten Bitstelle, während die Domänen in den halbausgewählten Bitstellen praktisch ungestört blieben.

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Claims (14)

Bobeck 58-1-2 Patentansprüche

1. Magnetischer Speicher, gekennzeichnet durch ein erstes Blatt aus magnetischem Material, (11) mit hierauf funktionell definierten Bitstellen, die je erste und zweite Positionen für einwandige Domänen umfassen,

eine Fortpflanz-Schaltung (13,14, Xl, X2..., Yl, Y2. . .), die einwandige Domänen von einer ersten in eine zweite Position einer ausgewählten Bitstelle des Blattes bewegt,

eine Feststellschaltung, die die Gegenwart und das Fehlen einwandiger Domänen in ersten Positionen feststellt, und eine Einrichtung, die einen Schwellenwert gegenüber der Bewegung der einwandigen Domänen zwischen jeder der ersten Positionen und der entsprechenden zweiten Position erzeugt.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Blatt (11) aus einem Material aufgebaut ist, das in der Ebene des Blattes praktisch isotrop ist und eine bevorzugte Richtung der Magnetisierung außerhalb der Ebene des Blattes besitzt.

3. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fortpflanz-Schaltung erste (Xl, X2.. .) und zweite (Yl, Y2...) Leiter-

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gruppen aufweist, die sich in Paaren zwischen zugeordneten ersten und zweiten Positionen, überschneiden, und daß eine Impulsgabeschaltung (13,14) ausgewählten der ersten (Xl, X2...) und zweiten (Yl, Y2...) Leitern Ströme einer Amplitude zuführt, um jeweils ein Feld in dem Blatt (11) kleiner als der Schwellenwert zu erzeugen, wobei die Ströme nur an einer ausgewählten Bitstelle ein Feld oberhalb des Schwellenwertes erzeugen.

4. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jede Bitstelle eine sie umgebende Barriere gegenüber Domänenfortpflanzung aufweist.

5. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die schwellenwerterzeugende Einrichtung ein zweites Blatt aus nichtmagnetischem Material (21) mit hierin eingebrachten öffnungen (z.B. A21) aufweist, daß die öffnungen rittlings an dem Fortpflanzungsweg der Domänen zwischen zugeordneten ersten und zweiten Positionen in dem ersten Blatt angeordnet sind, daß die öffnungen mit magnetischem Material gefüllt sind und daß letzteres so magnetisiert ist, daß es die Bewegung der Domänen zwischen zugeordneten ersten und zweiten Positionen behindert.

6. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das mag-

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netische Material zur Abstoßung der Domänen magnetisiert ist.

7. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die schwellenwerterzeugende Einrichtung ein zweites Blatt aus nichtmagnetischem Material (21) mit hierin eingebrachten öffnungen aufweist, daß die öffnungen bezüglich entsprechender erster und zweiter Positionen zentral angeordnet sind, daß die öffnungen mit magnetischem Material gefüllt sind, und daß letzteres zur Anziehung der Domänen magnetisiert ist,

8. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Schwellenwert erzeugende Einrichtung Mittel aufweist, die an jeder Bitstelle ein um paarweise entsprechende erste und zweite Positionen verlaufendes ringförmiges Magnetfeld eines Vorzeichens erzeugen, um die Domänen abzustoßen.

9. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das ringförmige Feld eine Einschnürung aufweist, die zu einer achterförmigen Figur in der Ebene des Blattes führt.

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10. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das

^% ringförmige Feld eine unüberwindliche Barriere gegenüber Domänenbewegung darstellt.

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11. Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einschnürung eine überwindbare Barriere gegenüber Domänenbewegung darstellt.

12. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Bitstellen des weiteren dritte Positionen aufweisen, und daß die Magnetfelder auch die entsprechenden dritten Positionen umfassen.

13. Speicher nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Positionen Mittel enthält, die ein Feld zum Anziehen einwandiger Domänen erzeugen.

14. Speicher nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß jede der ersten und zweiten Positionen Mittel zum Anziehen einwandiger Domänen aufweist, und daß die dritte Position Mittel zum Abstoßen einwandiger Domänen aufweist.

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