DE1791120C3 - Verstärker für sehr kurze elektromagnetische Wellen - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Verstärker fü sein kurze elektromagnetische Wellen mit einen Halbleiterelement mit negativer Widerstandscharak teristik. insbesondere einer Tunneldiode, das im Zugi des Innenleiters eines Koaxialleitungsabschnitts ein gefügt ist, bei dem der negative Widerstand des Halb leiterelementes für außerhalb des Betriebsfrequenz bereiehes liegende Frequenzen, durch einen de Slabüisierung dienenden Ohmschen Widerstand, zu mindest so stark belastet ist. daß die Gefahr de Selbsterregung beseitig' ist und bei dem andererseii die Wiikung des Ohmschen Widerstandes im Be triebsfrequenzbcri'ich des Verstärkers durch ein Re sonanzeigenschaflen aufweisendes Element (Reso nanzkrei¹..^v aufgehoben ist.

Da solche Verstäikeiaiioidnungen mit Halbleiter elementen der genannten Art, *'■■ z. B. Tunneldiode!' zumindest im Betriebsfrequenzbcreieh einen negati vcn Widersland an den Eingancsklemmen zeiger

werden diese Halbleiterelemente meist an einen Arm eines Zirkulator angeschaltet, an dessen nächstfolgendem Arm der Lastwiderstand liegt. Dabei entsteht durch Fehlanpassung die Gefahr von Selbsterregung der Verstärkereinrichtung. Der negative Widerstand der Tunneldiode wurde daher bei einer bekannten Einrichtung für außerhalb des Betriebsfrequenzbereiches liegende Frequenzen durch einen de^r Stabilisierung dienenden Ohmschen Widerstand kompensiert, dessen Wirkung im Betriebsfrequenzbereich des Verstärkers durch einen Resonanzkitungsabschnitt aufgehoben wurde (deutsche Auslegeschrift 1 131281 und 1 180 804). Es ist jedoch erwünscht, daß solche Verstarker in einem möglichst breiten Beiriebsfrequenzbereich einen eindeutigen negativen Widerstand zeigen und außerhalb dieses Bereiches nicht zur Selbsterregung neigen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den damit verbundenen Schwierigkeiten zu begegnen und aen Verstärker so auszubilden, daß die gewünschte Breitbandigkeit auch bei sehr hohen Frequenzen erzielt wird.

Diese Aufgabe wird bei einem Verstarker der eingangs genannten Art gemiiß der Erfindung dadurch gelöst, daß der der Stabilisierung dienende Widersland in Axialrichtung in Serie mit dem Halbleiterelement mit negativer Widerstandscharakteristik in den Inncnlciter des Koaxialleitungsabschnilles eingeschaltet und durch einen Serienresonanzkreis überbrückt ist, der aus einem vom Verbindungspunkt des Widerstandes mit dem Halbleiterelement ausgehenden, gegen den Außenleiter geführten, insbesondere in Druckschaltungsiechnik ausgeführten, schmalen Leiter besteht, der über eine Kapazität mit dem Außenleiter des Koaxialleilungsabschnitics verbunden ist, und dessen Länge wesentlich kleiner als die lk'tricbswellenlänge des Verstärkers ist.

Es ist dabei vorteilhaft, wenn zusatzlich zu dem der Stabilisierung insbesondere im Bereich höherer Frequenzen dienenden Widerstand ein weiterer, die Vorspannungsquelle für das Halbleiterelement überbriikkender Widerstand (Speisewidersland) vorgesehen ist, der durch eine insbesondere für tiefe Frequenzen wirksame Kapazität überbrückt ist.

Der gegen den Außenleiter geführte schmale Leiter befindet sich zweckmäßig auf einer kreisförmigen Isolierstoffplatte, wo er im Zentrum der Platte zu einer scheibenförmigen Metallisierung ausgeformt ist, die unmittelbar mit dem Halbleiterelement durch koaxiales Andrücken kontaktiert is\. Dabei ist der Leiter zum Rand der Platte hin so ausgeformi und unter Zwischenlage einer Isolicrstoffplatte in eine Nut in dem Außenleiter des koaxialen Leitungsabschnitts so eingepreßt, daß die für die Serienresonanz notwendige Kapazität entsteht.

Zweckmäßig wird dabei die Isolierstoffpiatte mit solcher Dicke ausgeführt, daß die notwendige Kapazität fiir den Serienresonanzkreis erreicht wird.

Zur Vergrößerung <iei notwendigen Induktivität des Serienresonanzkreises kann der schmale Leiter in Richtung auf den Außenleiter auch gekrümmt geführt sein.

Hierbei ist es vorteilhaft, wenn die kreisförmige Isolierstoffplatte zui Aufnahme eines Anschlußzapfens der Diode im Zentrum eine Durchbrechung hai, um die sich ringförmig eine Metallisierung erstreckt, die mit dem inneren Ende des schmalen Leiters verbunden ist.

Eine vorteilhafte Ausführung besteht darin, daß die ringförmige Metallisierung durch die Durchbrechung hindurch auf eine ähnliche Randmetallisierung auf der gegenüberliegenden Seite der Isolierstoffplatte geführt ist.

Hine weitere vorteilhafte Weiterbildung besteht darin, daß die Isolierstoffplatte aus einer mit kupferkaschierter Leiterbahn versehenen Folie aus einem Epoxydharz oder Tetrafluoräthylen besteht.

ίο Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung besteht darin, daß das Ende des Innenleiterteils, das mit dem Stabilisierungswiderstand verbunden ist, über einen kreisringseheibenförmigen Widerstand (Speisewidersland) mit dem Außenleiter des Koaxialleitungsab-Schnitts verbunden ist und an den einen Pol der der Diodenvorspannung dienenden Gleichspannungsquelle angelegt ist, deren anderer Pol am Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts liegt.

Eine besonders vorteilhafte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin, daß von dem dem Serienresonanzkreis abgewandten Anschluß des Halbleiterelements eine in der gleichen Art wie die Induktivität des Serienresonanzkreises ausgebilde'.e, konzentrierte Induktivität zum Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts geführt ist, die zur Ergänzung der Kapazität des Halbleiterelements zu einem im Betriebsfrequenzbereich des Verstärkers wirksamen Resonanzkreis ergänzt ist, und daß dieses Ende des Halbleiterelements durch den anschließenden Innenleiter des Koaxiallcitungsabschnius schließlich auf den Lasiwiderstand des Verstärkers geführt ist. Dadurch wird auf vorteilhafte Weise gleichzeitig der Gleichstrompfad für die Vorspannung des Elements mil negativer Widerstandscharakteristik innerhalb des Koaxialleitungsabschnitts geschlossen, so daß äußere Schließungskreise nicht mehr erforderlich sind.

Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Zeichnungen naher erläutert.

Manche Halbleiterelemente, wie Tunneldioden, Lauf/eitdioden u.dgl., haben in ihrem fallenden Kennlinienbereich einen negativen diffcrentiellen Widerstand, dei zur Verstärkung herangezogen werden kann. Dieser negative Widerstand zeigt sich jedoch in einem sehr großen Frequenzbereich, beispielsweise zwischen I) und 30 GHz. Da die bei R.'.flexionsverstärkern diesem negativen Widerstand parallel zu schaltende positive Lasl in einem so weiten Frequenzbeieich nicht konstant zu halten ist, neigt die Tunneldiode zu unerwünschten Schwingungen. Dies is: auch dann der Fall, wenn zur besseren Entkopplung des negativen Widerstands ein Zirkulator verwendet wird, da dessen Eigenschaften nicht in einem beliebig breiten Frequenzband erhalten bleiben. Bei Breitbandverstärkern treten weitere Schwierigkeiten dadurch auf, daß die eingangs ei wähnte Stabilisierung zur Kompensation des negativen 1 unneldiodenwidersiandes nur außerhalb des Verstärkungsbandes aufu· ten soll, innerhalb dieses Bandes jedoch nicht, und daß diese Eigenschaften möglichst konstant und frequctiziinabhängig bleiben sollen.

Die Fig. 1 zeigt eine zur Erfüllung dieser Forderungen geeignete Schaltung, bei der der negative Widerstand an den Klemmen 1-1' auftritt, wo er durch den Lasiwiderstand R₁ belastet ist. Die Vorspannung U_n für die Diode wird zunächst auf die Parallelschaltung einer Kapazität C und eines Widerstandes R geführt. Der Widersland (Speisewiderstand) dient zur Belastung der Spciscspannungsquelle und wird gegen

löhcre Frequenzen durch die Kapazität C unwirksam gemacht. In Serie mit dem einen Pol der Speisespanlungsquelle liegt dann der Widerstand P_s? (Stabilisieungswiderstand), der zur Stabilisierung des Verstärkers außerhalb des Betriebsfrequenzbereiches dient. Die Wirkung dieses Widerstandes wird im Betriehsfrequenzbijreich durch den aus C_s/ und L_s/ bestehen den Serienresonanzkreis durch Kurzschluß aufgehoben. In Serie mit all diesen Elementen befindet sich das i-'iiiC negative Widerstandscharakteristik aufwcisende Halbleiterelement, beispielsweise eine Tunneldiode T_n. Zur Rückführung des zui ArbeitspunV'emstellung notwendigen Vorstromes für die DiodL innerhalb der Schaltung 1-1' ist die Iiv'-iktivität L vorgesehen. Diese Induktivität L dient gleichzeitig dazu, um im Betriebsfrequenzbereich mit der Kapazität der Diode einen breitbandigen Resonanzkreis zu schaffen. Werden, wip in diesem Schaltbild angedeutet, die Induktivitäten L_sz und L sowie die Kapazität C_s7 in konzentrierter Technik ausgeführt, d. h., wenn diese Elemente im Vergleich zur Wellenlänge geringe Abmessungen aufweisen, so verhalten sich die aus diesen Elementen gebildeten Kreise sehr brcitbandig und die sonst auftretende Pcriodizilät ντ. I ei'ungskreisen, die letzten Endes zur Aufhebung des Siabilisicrungseffektes in gewissen Frequenzbereichen führt, wird vermieden.

Ein Ausfuhrungsbeispiel einer solchen Schaltung, das sich in der Praxis sehi vorteilhaft erwiesen hat. ist in der Fig. 2 dargestellt. Dabei ist das Element mit negativer Widerstandscharakteristik, in diesem Fall eine Tunneldiode T_n. im Zuge des Innenlciters / rini··; Koaxiallcitunf^^schniiis K eingebaut. Auf der Hochfrcquenzstitc trägt dieser koaAialleiuingsabschnill einen Steck- bzw. Schraubenanschluß KS. der letzten Endes die Klemmen 1-1' der in F i £. 1 gezeigten Schaltung bildet. Die gegenüberliegende Seite des Koaxialleitungsabsehnitts ist auf einen Subminiaturstcckcr MS geführt, wobei der Außenleiter an den einen Pol der Vorspannung für die Tunneldiode geführt ist und der Innenleiter an den anderen. Von diesem Anschluß aus ist der Innenleitcr auf ein Zwischenstück ZS geführt und von dort aus auf den Stabilisierungswiderstand R_sz. Dieser Stabilisierungswiderstand führt schließlich auf den einen Anschlußzapfen der Tunneldiode T₀, deren anderer Anschlußzapfen in einem federnden Ende des Innenleitcrs gehalten ist, der letzten Endes auf den Hochfrequenzausgang fuhrt. Zur Erzeugung eines axialen Anpreßdruckes befindet sich innerhalb des gegen den Ausgang zu liegenden lnnenleiterabschnitles eine Feder, die mittels eines Kontaktierungsbolzens auf den einen Anschluß der Diode drückt.

Der Speisewiderstand R bei der Fig. 1 ist durch einen kreisringförmigen Widerstand R verwirklicht. der sich zwischen dem Zwischenstück ZS und dem Außenleiter des Koaxialleitungsabsehnitts befindet. Daran schließt sich ein Gummiring G an, der dazu dient, einen darauffolgenden Ring M aus keramischem Material elastisch zu halten. Anschließend an das Zwischenstück ZS und den Keramikring M ist ein zylindrisches Leiterstück N, das innenseitig in Richtungauf die Tunneldiode T_n zur Vermeidung von Reflexionen trichterförmig erweitert ist, vorgesehen. Auf der anderen Seite dieser trichterförmigen Erweiterung ist der Stabilisierungswiderstand R_S7 im Trichter kontakticrend befestigt. /.. B. eingelötet. Die zylindrische Außenfläche des Leiterstücks N bildet mit dem Außenleiter des Koaxialleitungsabsehnitts die Kapazität C, die dem Speisewidersland R in Fig. 1 parallel liegt. Zu diesem Zweck befindet sich zwischen dem Außcnlcitei .'es Koaxialleitungsabsehnitts und diesem trichterförmigen Stück N eine dünne Isolierstoffolie beispielsweise aus Tetrafluorethylen. Restliche Energie, die durch diesen teilweise Leilungscharakter aufweisenden Abschnitt entweichen könnte, wird durch die schon erwähnte Keramikserreibe M aus einer Keramik mit großer Dielektrizitätskonstante und hohen Verlusten beseitigt. Die trichterförmige Erweiterung Jcs Zwischenstückes N dient zur Anpassung des Stabilisierungswiderstandcs R_sz.Der Stabilisierungskreis L_s/, C\₇ bei der Fig. 1 befindet sich nun zwischen dem Verbindungspunkt der Diode mit dem Stabilisierufife..A'iderstand R_s? und ist iii der Figur nur als schmaler Strich angedeutet. Die genaue Ausführung dieses Lk men's wird später an Hard weiterer Figuren näher erläutert.

Die Induktivität L der Schaltung nach Fig. 1 ist in ähnlicher Ausfuhrung vom gegenüberliegenden Anschlußpunkt der Diode gegen den Außenleiter geführt und in der Figur mit L bezeichnet. Um eine Ent kopplung zwischen dem Element L und dem Element L₄₇ zu schaffen, sind die beiden Leitungszweige vorzugsweise um einen größeren Winkel gegeneinander verdreht angebracht.

Die Elemente L, L_sz unu C_s/ sind also in kon/cnuicrier Technik ausgeführt, wozu nur nötig ist. d;.l· ihre Lauge viel kleiner ist als die Betricbswelknl'.nrV so daß Leitungseigenschaften poch nicht auf tu-'·.·■■ Dies ist an Hand der F ig. 3 beispielsweise für da¹-' I' ment 1 ._s7 geneigt. Diese Induktivität ist als sehn 'iet zwischen Innen- und Außenleiter hegender I ei' ' in Druckschaliungstcchnik ausgeführt. Bei einer -~pc zielten Ausbildung dieses Elements befindet siel·, aii einer dünnen Isulicrstoffolie aus einem Material w^ Tetrafluoräthylen oder Epoxydharz ein sehm;>k bandförmiger Leiter, der nach Art der Dickfiimr.eha^: timgstcchr.ik ;iuf diese Folie beispielsweise aufgekleb¹ ist. In der Figur ist der Radius des Außenleiter des Koaxialleitungsabsehnitts mit Ri angedeutet und dei Radius der Folie mit Rl. Die Differenz zwischen Rl und R2 ist die Tiefe der Nut im Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts,in die der Randder Isolierst off folie eintaucht. Diese Nut ist in der Fig. 2 mit Γ bezeichnet und entsteht praktisch dadurch, daß an dieser Stelle unter Zwischenklemmung der Isolierstoffolie zwei Außenlcitei teile zusammengeschraubt werden. Die beispielsweise 0,1 mm dicke Folie ist im Zentrum zur Aufnahme des einen Anschlußstiftes der Tunneldiode durchbrochen und rings um ihren Innenrand vorzugsweise durchgehend und beidscits mit einet Melallkaschierung versehen, die auf der einen Seite der Isolierstoffolie auf den schmalen Leiter L_sz führt Auf der Außenseite ist dieser sehmale Leiter zui Bi! dung der Kapazität C_s/ '.n geeigneter Weise geformt beispielsweise so, wie in der Fig. 3 angedeutet. Ai Stelle dieser Verdickung des Leiters kann ?ur Bildun einer größeren Kapazität auch eine ringförmig Randmetallisierung vorgesehen sein. Die gesamt Scheibe ist unter Zwischenfügung von weiteren lsc ücrstoffringcn aus Folienmaterial in die Nut P eingt preßt, wobei die Isolierstoff ringe die Größe der Kap; zität Q₇ mitbestimmen und einen galvanische Schluß zwischen dem Leiter C₅₇ und dem Außenleiti des Koaxialleitungsabsehnitts verhindern.

In der F i g. 4 ist ein weiteres Ausfiihrungsbeispi

für den schmalen Leiter /._s/ gc/.eigt. wobei /in Vergrößerung der Induktiv ii iil der Leiter in geschwundener Form auf das die Kapazität C _s/ darstellende l'l.u;· ehen am Außenrand gezogen ist.

Inder I-'i g. S ist zur Verdeutlichungen! Oucι schnitt durch den Leiter L_s/ und die Folie am Ort des i .eitcrs dargestellt, wobei die l.ciicrkasehienmg mit C₁ bezeichnet ist und die Isolierstoffolie mit J₁-.
. Die besonders henor/uhcbcnden Vorteile des
Erfindungsgegenstandes sind nachstehend aufgeführt.

Die Abstimm- und Siabilisicrimgselementc ( /.. L_s/, C\_z)sind weitgehend in kon/enlrierter Technik ausgeführt, wobei folgende Vorteile sich ergeben:

Der Slabilisierungskreis verhalt sich selbst bei sehr hohen Frequenzen ' > 3/", wegen der im Vergleich Mir Wellcnliinge geringen Abmessungen konzentriert. Die Pcriodizitiit von Leisungs I: reisen kann daher nicht zur Aufhebung des Stabilisierungseffektes führen.

Der ! .uihaii del I unneldiode. die Stabilisierung uiv : die Abstimmung er.'olgen ohne parasitäre Sch.r
elemente, da alle F.lemente sehr dicht um die Diode herum angebracht sind. Daher ergibt sich keine Bandbreite verminderung.

Der Plat/bedarf ist auf ein Minimum gesenkt worden.

Wegen ties gel ingen Ciewichts ist eine große Zu\ er ■ lassigkeit und l'nempfindlichkeit gegenüber Vi^nition und Schock gegeben.

Im Ausfuhrungsbeispiel nach Fig. 2 war beispielsweise bei einem Belriebsfiequen/.bereich von etwa 5 bis 7 CiHz dei Innenleiter 3 mm stark, der Außenleiter 7 mm stark, so daß sieh für die Induktivitäten L und l._s/ eine maximale Liingi: \on etwa 2 mm ergab. Bei dieser geringen Länge treten bis zur Grenze des Bereichs negativen Widerstands der Diode (etwa 3¹ C-Hz) noch keinerlei Leüungseigensehaften diese; Elemente auf.

Hierzu 1 Blatt /eiehnunuen

Claims (1)

Patentansprüche:

1. Verstärker für sehr kurze elektromagnetische Wellen mit einem Halbleiterelement mit negativer Widerstandscharakteristik, insbesondere einer Tunneldiode, das im Zuge des Innenleiters eines Koaxialleilungsabschnitts eingefügt ist, bei dem der negative Widerstand des Halbleiterelements für außerhalb des Betriebsfrequenzbereichs liegende Frequenzen durch einen der Stabilisierung dienenden Ohmschen Widerstand zumindest so stark belastet ist, daß die Gefahr der Selbsterregung beseitigt ist, und bei dem andererseits die Wirkung des Ohmschen Widerstandes im Betriebsfrequenzbereich des Verstärkers durch ein Resonanzeigenschaften aufweisendes Element (Resonanzkreis) aufgehoben ist, dadurch gekennzeichnet, daß der der Stabilisierung dienende Widerstand in Axialrichtung in Serie mit dem Halbleiterelement mit negativer Widerstandscharakteristik in den Innenleiter des Koaxialleitungsabschnitts eingeschaltet und durch einen Serienresonanzkreis überbrückt ist der aus einem vom Verbindungspunkt des Widerstandes mit dem Halbleiterelement ausgehenden, gegen den Außenleiter geführten, insbesondere in Drucksehaltungstcchnik ausgeführten schmalen Leiter besteht, der über eine Kapazität mil dem Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts erblinden ist und dessen Länge wesentlich kleiner als die Betriebswellenlänge Oes Verstärkers ist.

2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu dem der Stabilisierung insbesondere im Bereich höherer Frequenzen dienenden Widerstand ein weiterer, die Vorspannlingsquelle fm das Halbleiterelement überbrückender Widerstand (Sneisewiderstand! vorgesehen ist, der durch eine insbesondere für liefe Frequenzen wirksame Kapazität überbrückt ist.

3. Vers;_urker nach Ansprucl ^:. dadurch gekennzeichnet, daß sich dci schmale Leiter auf einer kreisförmigen Isolierstoffplatle befindet, wo er im Zentrum der Platte zu einer scheibenförmigen Metallisierung ausgeformt ist, die unmittelbar mit dem Halbleiterelement durch koaxiales Andrücken kontaktiert ist, und daß der Leiter zum Rand der Platte so ausgeformt ist und unter Zwischenlage einer Isolierstoffplattc in eine Nut in dem Außenleiter des koaxialen Leitungsabsehnit-' ¹S so eingepreßt ist. daß die für den Serienrcsonanz.kreis notwendige Kapazität entsteht.

4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, :laßdie Isolierstoffplattc mit solcher Dicke ausgefuhil ist, d.iß die notwendige Kapazität für den Serienresonanzkreis erreicht wird.

5. Verslärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß der •chmale 1 oiler zur Vergrößerung der notwendigen Induktivität des Serienresonanzkreises gekrümmt Mi Richtung auf den Außenleiter geführt ist.

h. Verstärker nach einem der Ansprüche 3 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß die kreisförmige Isolierstoffplatle zur Aufnahme eines Anschluß- »apfcns der Diode im 7entrum eine Durchbrechung hat, um die sich ringförmig eine Mclallisietiiiig erstreckt, die mit dem inneren I-'ncle des

schmalen Leiters verbunden ist.

7. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Metallisierung durch die Durchbrechung hindurch auf eine ähnliche Randmetallisierung auf der gegenüberliegenden Seite der Isolierstoffplatte geführt ist.

H. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierstoffplatte aus einer mit kupferkaschierter Leiterbahn versehenen Folie aus einem Epoxydharz oder Tetrafluoräthylen besteht.

9. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Stabilisierungswiderstand stabförmig ausgebildet ist, an dem Halbleiterelement abgewandten Ende mit einem gegen das Halbleiterelement zu trichterförmig erweiterten Außenleiterstück kontaktierend verbunden ist, und daß das Außenleiterstück unter Zwischenlage einer dünnen Isolierstoffolie im Koaxialleitungsabschnitt angebracht ist.

H). Verstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende des Innenleiterteils, das mit dem Stabilisierungswiderstand verbunden ist, übet einen kreisringscheibenförmigen Widerstand (Speisew iderstand) mit dem Außenleiter des Ko;'.\ialleitungsabschnitts verbunden ist und an den einen Pol der der Diodenvorspannung dienenden Gleichspannungsquelle angelegt ist, deren anderer Pol am Außenleiter des Koaxialleitungsabschnitts Hegt.

1 !. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß von dem dem Serienresonanzkreis ahgewandten Anschluß des Halbleiterelemenis eine in der gleichen Art wie die Induktivität des Serienresonanzkreises ausgebildete, konzentrierte Induktivität zum Außenleiter des Koaxiallcitungsabschnittsgeführt ist,die zur F.rgänzungcier Kapazitäldes Halbleiterelements zu einem im Belriebsfrequenzbereich des Verstärkers wirksamen Resonanzkreis ergänzt ist. und daß dieses linde des Halbleiterelement!! durch den anschließenden Innenleiter des Koaxialleitungsabschnitts schließlich auf den Lastwiderstand des Vcrsiärkers geführi ist.