DE2724550A1 - Mikrowellenoszillator - Google Patents

Mikrowellenoszillator

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DE2724550A1
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B7/00Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
    • H03B7/12Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B7/14Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/014Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
    • H03B2201/015Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a cavity

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

Dipl.-Phys. O.E. Weber Patentanwalt
D-8 München 71 Hofbrunnstraße 47
Telefon: (089)7915050
Telegramm: monopolweber münchen
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BAD
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Die Erfindung betrifft allgemein einen Mikrowellenoszillator und bezieht sich insbesondere auf einen Festkoroer-Mikrowellenoszillator, der für vielfältige militärische und kommerzielle Zwecke sowie auch für die Raumfahrt verwendbar ist. Ein derartiger Mikrowellenoszillator ist beisoielswei.se als Transoonder, als Sicherung, in Radargeräten, und in vielen anderen Einrichtungen vorteilhaft verwendbar. Allgemein verwenden Festkörper-Mikrowelleno.szillatoren eine Diode mit negativem Widerstand wie eine IMPATT-Diode, eine Gunn-Effekt-Diode, eine Tunnel-Diode, eine LSA-Diode usw.. Solche Dioden mit negativem Widerstand lassen sich allgemein in zwei Typen einteilen, d.h. in Dioden mit kontinuierlicher Arbeitr3weise oder ungedämpfter Arbeitsweise und in geoulste Dioden. Im allgemeinen liefern gehülste Dioden eine höhere Soitzenenergie als Dioden mit kontinuierlicher Arbeitsweise, sie sind ,"jedoch auf einen bestimmten Prozentsatz ihrer Arbeitsohase begrenzt. Dadurch wird die durchschnittliche Energie von genulsten Dioden im allgemeinen auf weniger als den von kontinuierlich arbeitenden Dioden erreichbaren Energieoegel begrenzt. Wenn eine höhere Soitzenenergie erwünscht ist, als sie allgemein von gepulsten Dioden erreicht werden kann, ist es gegenwärtig erforderlich, Hochleistungs-HF-Röhren zu verwenden wie Magnetrons oder Klystrons. Derartige Hochleistungs-HF-Röhren sind schwer, groß, komoliziert, teuer und benötigen im allgemeinen sehr hohe Spannungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrowellenoszillator der eingangs näher erläuterten Art zu schaffen, welcher dazu in der Lage ist, unter Verwendung von kontinuierlich arbeitenden oder geoulsten Halbleitereinrichtungen eine besonders hohe Soitzenenergie zu liefern.
Zur Lösung dieser Aufgabe dienen insbesondere die im Patentbegehren niedergelegten Merkmale.
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Gemäß einer besonders bevorzugten Au j führung·-form de: Erfindungsgegenstande■:-. ist vorgesehen, da'S ein Hohlraum vorge ^ eben ist, welcher derart abge stimmt ist, da.i er bei der gewünschten Frequenz in Resonanz ist und dazu in der Lage ist, eine vorgegebene Menge an HF-Energie zu speichern, daß weiterhin eine Kopplungseinrichtung vorhanden ist, um die HF-Energie bei der gewünschten Frequenz zwischen der Übertragung;leitung und dem Hohlraum zu koooeln, daß weiterhin eine Schaltung an die Einrichtung; mit negativer Impedanz angeschlossen iot, um dort eine Vorsoannun^ hervorzurufen, welche normalerweise auf einem ersten Pegel liegt und oeriodisch auf einen zweiten Pegel umschaltbar ist, da3 weiterhin eine ocheinleitwerteinrichtung vorhanden ist, welche mit der Einrichtung mit negativer Impedanz derart zusammenarbeitet, daß die Einrichtung auf \ntire~onanz umgeschaltet wird, wenn der zweiteVbrsoannungsoe.gel angelegt ist, und da3 die Einrichtung mit negativer Impedanz im Resonanzbetrieb arbeitet, wenn ;ich die Vorspannung auf den ernten L'egel befindet, um HF-Energie in dem Resonanzhohlraum zu speichern und die Anordnung im \ntiresonanz-Betrieb arbeiten zu lassen, wenn der zweite Vorsoannungspegel angelegt ist, so daß der Wert Q des Resonanzhohlraums verändert wird und die HF-Energie die Möglichkeit hat, von dem Resonanzhohlraum zum Ausgang der Übertragungsleitung abzufließen, und zwar mit einer anderen Geschwindigkeit als der Geschwindigkeit, mit welcher sie gesoeichert wurde.
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Die Erfindung wird nachfolgend beisoielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt entlang der Längsachse durch einen erfindungsgemäßen Mikrowellenoszillator,
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 in der Fig. 1 und
Fig. 3 verschiedene Wellenforraen, welche an den bezeichneten l?unkten in der Anordnung gemäß Fig. 1 auftreten.
In den Fig. 1 und 2 ist ein in seiner Gesamtheit mit 10 bezeichnetes Gehäuse dargestellt. Das Gehäuse 10 kann aus elektrisch leitendem Metall hergestellt sein, oder die Hohlräume, welche nachfolgend näher erläutert werden, können mit einem elektrisch leitenden Metall ausgekleidet sein, um eine ordnungsgemäße Arbeitsweise der Schaltung zu gewährleisten. Das Gehäuse 10 legt einen ersten langgestreckten Hohlraum 11 fest, der sich in Längsrichtung durch das Gehäuse hindurch erstreckt und die Form eines Zylinders mit einem kreisförmigen Querschnitt aufweist. Ein allgemein kreisförmiger Mittelleiter 12 (mit verschiedenen Durchmessern, die nachfolgend näher erläutert werden) ist koaxial in dem Hohlraum 11 angeordnet, um eine Übertragungsleitung zu bilden. Ein Stoofen 14 steht in Gewindeeingriff mit dem Gehäuse 10, und zwar an einem Ende des Hohlraums 11, um den Hohlraum abzudichten und um eine Klemme 15 einer Halbleitereinrichtung 16 mit einer negativen Impedanz darin aufzunehmen. Eine zweite Klemme 17 der Halbleitereinrichtung 16 ist fest mit dem Mittelleiter 12 verbunden und hält dessen eines Ende fest an Ort und Stelle. Die Halbleitereinrichtung mit negativer Impedanz kann ein Transistor oder eine Diode mit einem negativen Widerstand sein, wie sie bei Mikrowellenoszillatoren häufiger verwendet wird. Die Halbleiterein-
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richtung schließt das eine Ende der übertragungsleitung mit einer negativen Imoedanz ab.
Das gegenüberliegende Ende der Übertragungsleitung'ist offen und hat einen daran befestigten externen Zirkulator/Last-Isolator 20. An dem Zirkulator/Last-Isolator ist eine HF-Last 25 angebracht, welche in der dargestellten Ausführungsform zur Vereinfachung als Widerstand 25 veranschaulicht ist, wobei weiterhin Gleichstrom-Blockierkondensatoren 26 und 29, eine breitbandige (50 Ohm) Lastimpedanz 27 und eine Gleichsoannungs-Vorsoannungseinrichtung 30 angeschlossen sind. Die Gleicheoannungs-Vorsoannungs einrichtung 3O ist in Blockform dargestellt, da eine beliebige bekannte Einrichtung dazu verwendet werden kann, so daß für den Fachmann hierzu keine weiteren Erläuterungen erforderlich sind. Der Zweck des Zirkulator/Last-Isolators 20 besteht darin, eine breitbandige Last 27 zu bilden, welche verhindert, daß außerhalb des Bandes Störschwingungen auftreten, und Vielehe zugleich eine Einrichtung darstellt, eine Vorspannung anzulegen, ohne daß der HF-\bschluß beeinträchtigt wird, welcher von der Einrichtung mit der negativen Imoedanz gesehen wird.
Das Gehäuse 10 legt weiterhin einen zweiten Hohlraum 35 fest, welcher bei der dargestellten Ausführungsform als Koaxial-Hohlraum dargestellt X3t, der einen Mittelleiter 36 hat, welcher sich in Längsrichtung durch den Hohlraum 35 hindurch erstreckt und als Teil des Gehäuses 10 ausgebildet ist. Der Hohlraum 35 kommt bei der gewünschten Frequenz des Oszillators in Resonanz, und er hat bei der dargestellten Ausführungsform eine Längsabmessung von ' /2. Ein Saohir-Abstimrastab 37 steht im Gewindeeingriff mit einer öffnung in dem Hohlraum 35» um den Hohlraum auf die gewünschte Frequenz abzustimmen. Der Resonanzhohlraum 35 ist derart ausgebildet, daß er elektromagnetische HF-Energie soeichert, wel-
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δ I 1 δ 4 Ό b υ
ehe durch die Halbleitereinrichtung mit negativem Widerstand gemM3 den obigen Ausführungen erzeugt wird, und die Menge der -ei )eich(jrten Energie ist eine funktion von ~) des Resonanzhohlraum ; 35. Deshalb kann der Resonanzhohlraum 35 eine beliebige gewünschte Konfiguration aufweisen, um den gewünschten Wert ") zu liefern, und er kann beispielsweise als Wellenleiter, al j Übertragungsleitung, als Koaxial-Hohlraumccruone usw. ausgebildet sein, wobei die Länge derart bemessen sein kann, daß der gewünschte Wert von ") entsteht, während der Hohlraum bei der gewünschten Frequenz in Resonanz gehalten wird.
In dem Gehäuse 10 ist eine Öffnung 'lO zwischen der Übertragungsleitung und dem Resonanzhohlraum 35 vorhanden, um zwischen diesen beiden Teilen elektromagnetische Energie zu koooeln. jiei der dargestellten 4usfüh rungs form weist die öffnung ;+0 eine Längsabmessung von etwa ι /4- auf, und zwar bei der Gewünschten Frenuenz, und die Längsachse der Übertragungsleitung, der Resonanzhohlraum 35 und die Öffnung 4-0 sind zueinander oarallel und auf Abstand voneinander innerhalb des Gehäuses 10 angeordnet. Die öffnung ^O oder die Ko ot> lungs einrichtung sollte derart ausgebildet sein, daß die Imoedanz des Resonanzhohlraums 35 an die Impedanz der Flalbleitereinrichtung 16 angeoaßt ist. Es ist zu bemerken, daß verschiedene andere Einrichtungen zur Erreichung der gewünschten Kopolung zwischen der Übertragungsleitung und dem Resonanzhohlraum verwendet werden können, und die in der Zeichnung veranschaulichte Kooolung wird bevorzugt vorgesehen, weil sie außerordentlich einfach aufgebaut ist und weil sie ausreicht, in den allermeisten Fällen eine ausreichende Kopplung zu gewährleisten.
Eine kapazitive Einrichtung ist zwischen der Halbleitereinrichtung 16 und dem Gehäuse 10 angeordnet, indem ein kreisförmiger Ring 4-5 als integraler Bestandteil des Gehäuses 10 vorgesehen wird, der sich nach innen in den Hohl-
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raum 11 erstreckt und koaxial die Halbleitereinrichtun": 15 umgibt. Die kapazitive Einrichtung 4-5 liefert einen Shun!;-Blindleitwert oder eine Shunt-Suszeotanz, welche bei dem Blindleitwert der Halbleitereinrichtung 16 mit negativer Impedanz bei der gewünschten Frequenz zu einer Parallelresonanz führt, wenn die dem Oszillator zugeführte Gleichvorspannung auf einen vorgegebenen oder zweiten Wert vermindert wird. Bei der normalen oder der ersten GleichvorsDannung wird durch die kaoazitive Einrichtung 4-5 die Einrichtung mit negativer Imoedanz nicht wesentlich beeinflußt, und es wird ein Serienresonanzkreis gebildet, welcher in dem Oszillator Schwingungen bei der gewünscaten Frequenz erzeugt.
Der Mittelleiter 12 hat einen ernten Durchmesser, welcher mit 4-6 bezeichnet ist und sich über eine Länge von etwa λ //μ erstreckt, wobei sich dieser Teil von einem Bereich benachbart zu der Halbleitereinrichtung 16 bis zu einem Bereich benachbart zu der gegenüberliegenden Seite der öffnung 40 erstreckt. Der Mittelleiter 12 hat einen zweiten Durchmesser, welcher mit 4-7 bezeichnet ist und sich über eine Längsausdehnung von etwa ? /4- erstreckt, wobei sich dieser Abschnitt von dem Ende des Durchmessers 4-6 bis zu dem Bereich benachbarc zu dem Ende des Hohlraums 35 erstreckt. Der übrige Teil entlang dem Mittelleiter 12 hat einen Durchmesser, der mit 4-8 bezeichnet ist und welcher der Übertragungsleitung eine charakteristische Imoedanz bzw. einen Wellenwiderstand-von etwa 50 Ohm verleiht. Der Durchmesser 4-6 i.-.t kleiner als der Durchmesser -'+8 und liefert einen Wellenwiderstand von mehr als 50 Ohm. Der Durchmesser 4-7 ist grö3er als der Durchmesser 4-3 und liefert einen Wellenwiderstand von weniger als 50 Ohm. Die Abschnitte mit einer Längsabmessung von X/4- der übertragungsleitung bilden Imoedanzübertrager oder Imnedanztransforraatoren, welche dazu dienen, die Kopplung zwischen der Übertragungsleitung und dem Koaxial-Hohlraum 35 auf den geeigneten gewünschten Wert einzustellen, wenn die Halbleitereinrichtung 15 mit negativer
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Impedanz auf ihren zweiten Pegel vorgespannt ist. Auf diese »Vei ;e v;ird der belastete Wert ") des Hohlraums ■)'■} eingestellt und somit der ?egel der HF-Energie, welche aus dem Hohlraum 35 an die Last 25 au -,gekoooelt wird, und. zwar während der Zeit des Ausgangsimnulses des Vors oannungsZyklus. Es ist zu bemerken, daß natürlich verschiedene Arten von Imoedanzübertragern verwendet werden können, und zwar in Abhängigkeit von der verwendeten Last und in Abhängigkeit von dem daran anzuoassenden Resonanzhohlraum, ;o daß die in der Zeichnung veranschaulicate Ausführungsform nur zur Illustration dient. Unter bestimmten Voraussetzungen kann der Mittelleiter einen konstanten Durchmesser haben und somit auch einen konstanten Wellenwiderstand von beiooielsweise 50 Olim. In diesem Fall liefert der Inmedanzübertrager ein Verhältnis von 1 zu 1 .
Während in der Fig. 1 eine kapazitive Shunt-Einrichtung dargestellt ist, um die erforderliche Antiresonanz zu liefern, ist zu bemerken, daß eine Vielfalt von anderen Einrichtungen ebenso verwendet werden könnten, um diesen Zweck zu erfüllen. In Abhängigkeit von der Art der Haibleitereinrichtung mit negativem Widerstand kann entweder eine kapazitive oder eine induktive Shunt-Reaktanz verwendet werden. Es können verschiedene integrierte oder als einzelne Bauelemente ausgebildete Schaltungen für dxesen Zweck verwendet werden. Es muß jedoch in jedem Fall die Gleichsoannung zwischen der Klemme 17 der Diode und der Masse oder dem Gehäuse 10 offen sein, so daß die Gleichvorsoannung nicht kurzgeschlossen wird.
Bei dem in den Fig. 1 und 2 veranschaulichten und oben beschriebenen Mikrowellenoszillator wird ein erster oder hoher Pegel einer Gleichspannung dem Oszillator über die Vorsoannungseinrichtung 30 durch den Zirkulator/Last-Isolator 20 zugeführt. Dieser hohe Vorsnannungsoegel ist in der Fig. 3 als Wellenform (a) darpreTCellt und mit 50 bezeichnet. Während der erste oder hohe Gleichvorsoannungsoegel dem Oszillator zugeführt wird, arbeitet die Halbleitereinrichtung 16 als Serienresonanzkreis oder oerienschwingkreis, welcher die Übertragungsleitung mit einer
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ζ / i ί5 -ο
ί, 5
negativen Impedanz abschließt, wodurch Schwingungen hervorgerufen werden, die im we '.entliehen mit dem Resonanzhohlraum 55 gekoooelt sind. Da die Kopplung mit; de:" ^e-onanzbohlraum ootimal ist, ist der belastete Wert ) de: Uejonanzhohlraum-25 verhältnismäßig hoch und e- vird darin elektromagnetische Energie gesoeichert, wobei die speicherbare Energiemenge eine Funktion des unbelasteten ~> de.." Sesonanzhohlraurns ist. bedeutet, daß der Wert ι im unbelasteten Zustand de:· il hohlraums 55 durch die Vergrößerung oder die Form angehoben werden kann, wobei die Menge der soeicherbaren Energie zunimmt. Um die Anwendung des Hohlraum-; zu erleichtern, wird die Öffnung 40 oder die Koοolungseinrichtung derart eingestellt, daß die Parallelkombination au3 der Imoedanz des Resonanzhohlraums $5 und der Ausgangslastimoedanz 25 fjleic/r der negativen Impedanz der Diode ist, und zwar während de-3 ungedämpften Betriebes. Wenn die Öffnung 40 gemäß den obigen Ausführungen eingestellt ist, kann bis auf einen sehr kleinen Prozentsatz die gesamte elektromagnetische Mikrowellenenernrie in den Hohlraum übertragen werden. Wenn die erste Vorspannung oder die Vorspannung mit dem hohen Gleichspannung pegel dem Oszillator über eine ausreichende Zeit zugeführt wird und der Hohlraum ordnungsgemäß an die Diode angepaßt ist, so nähert sich die in dem Resonanzhohlraum gesoeicherte Mikrowellenenergie dem Wert O, geteilt durch 2, multioliziert mit der Eingangsenergie oro Zyklus im ungedmoften Zustand, wobei 0 dem unbelasteten Wert des Resonanzhohlraumn 55 entspricht.
Nach einer vorgegebenen Zeit wird die Gleichvorspannung verändert oder ra:3ch auf einen zweiten Pe^ei abgesenkt, und zwar während einer kurzen Zeit, wie es in Form den negativ verlaufenden Impulses 51 in der Wellenform (a) der Fig. 5 dargestellt ist. Durch Umschalten der an die Halbleitereinrichtung 16 angelegten Gleichvorspannung wird, die Halbleitereinrichtung auf Antiresonanz umgeschaltet. Dies bedeutet, daß die kapazitive Einrichtung ''4-5 einen Shunt-ßlindleitwert liefert, der zu einer Parallelresonanz mit dem Blindieitwert der Halbleiterein-
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richtung bei der Oszillatorfrequenz führt, so daß eine sehr hohe Impedanz zum Abschluß der übertragungsleitung 12 gebildet wird. Ein Umschalten der Ilalbleitereinrichtung 16 auf .mtirejonanz bewirkt eine Kooolung zwischen der Übertragungsleitung 12 und dem Hohlraum 35» die wesentlich größer ist, wodurch der externe Wert ) des Resonanzhohlraums 35 vermindert wird und die darin gesoeicherte Energie rasch an die Ausgangs las timr>edanz 25 abgegeben wird.. Die Halbleitereinrichtung 16 ist noch in dem Bereich oder in der Nähe des Bereiche:: des negativen Widerstandes vorgespannt, so daß sie keine HF-Energie verbraucht, und deshalb gehen die hohen Pep;ei der HF-Ausgangsenergie nicht durch die Halbleitereinrichtung 16 hindurch.
Somit wird ein starker HF-Ausgangsimouls in Form eines Zackenimpulse~ gemäß der Wellenform (b) der Fig. 3 erzeugt, wie er bei 53 dargestellt ist, und zwar jedesmal dann, wenn die Gleichvorspannung abgesenkt wird. Die Impulsbreite muß der Spitzenausgangsenergie umgekehrt Proportional sein, so daß eine hohe Ausgangsspitzenenergie eine geringe Imrmlsbreite erfordert. Auf diese Weise wird HF-Energie über eine lange Zeit gesoeichert und während einer kurzen Zeit abgegeben, und somit wird ein geoulster Festkörperübertrager aus einer Halbleitereinrichtung mit einer negativen Impedanz gebildet, und zwar in der Weise, daß eine wesentlich höhere Spitzenausgangsenergie (bis zum tauschendfachen Wert oder mehr) als bei einer normalen Halbleitereinrichtung erreicht werden kann. Da die Zeit zwischen den Impulsen 53 größer ist (bei dieser Ausführungsform) als diejenige Zeit, welche die elektromagnetische Energie benötigt, einen maximalen Pegel in dem Hohlraum 35 aufzubauen, wird die Vors^annungsenergie dem Oszillator für eine bestimmte Zeitperiode nicht zugeführt, die mit 52 bezeichnet ist, und zwar nach jedem Ausgangsimpuls 53. Dadurch wird der Wirkungsgrad des Oszillators gesteigert, da diejenige Energie, welche in der zusätzlichen Zeit verwendet werden könnte, einfach verschwendet wäre.
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Claims (1)

  1. ? a tent ans ο räche
    .'Mikrowelleno-,.sillator mit um:;chal tbaren "), wobei eine Ühe·"-trafrungsleitung vorhanden i.;t, wobei weiterhin eine Einrichtung mit negativer Impedanz an das eine Ende der 'übertragung"-leitunp; an~e~chlo ;sen ist, hti die ^'bertra^unrrsIeItUn1T mit; einer negativen Irnoedanz abzuschließen und um II7-Ener^ie bei einer nrewünschten ?renuenz zu erzeugen, und wobei da-; ^etrenüberlie^ende Ende der LJbertra'-unHv. leitunrr einen Aurj^anp: für err.eiK-te IIF-Ener^ie-lra ~>ulse darstellt, dadurch ~ e k e η η zeichnet, daß ein Hohlraum (.33) vorgesehen ist, v/elcher derart ab^estimmt ist, da^i or bei der Tev:ün.ochten i'renueaz in Resonanz i:. t und d.ar.u in der Lap;e i'.;t, eine vorgegebene Klenge an Iii-'-Ener-cie zu ;: reichern, dai weiterhin eine Ko Tolun^seinric^tunr-1: (-'!-O) vorlvariden ϊτί", um die HF-Energie bei der i^ev.'üriachten Fre-nuen.^ :v;i ^chen der übertragung-.;leitung und dem Hohlraum zu koToeln, daß weirerhin eine Schaltun'··; (?v\) an die Einrichtung mit negativer Irmedanz an^e.^chlo.;->en i-;t, um dort eine Vors oannunp; hervorzurufen, welche normalerweise auf exnem ersten Pe^eI lie^t und Periodisch auf einen zv/eiten Pendel umschaltbar i^t, da'i weiterhin eine Scheinleitwerteinrichtung (A?) voriianden ist, welche mit der Einrichtung mit negativer Imoedanz derart zu.jammenarbeitet, daß die Einrichtung auf Antiresonanz umgeschaltet wird, wenn der zweite Vorspan-Tiungj ->egel an^ele^t i:t, und daß die Einrichtung mit negativer Impedanz im Resonanzbetrieb arbeitet, -wenn sich die VorsDannunp; auf dem ersten ^e^el (50) befindet, um HF-Ener^ie in dem Resonanzhohlraum zu ;;-»eichern und die Anordnung im Antiresonanz-Betrieb arbeiten zv lassen, wenn der zweite Vorsoannungsoegei (51) angelegt ist, so daß der Wert ") des Re^onanzhohlraums verändert wird und die HF-Ener^ie die Möglichkeit hat, von dem Resonanzhohlraum zum 'ius^anp; der übertras^ungsleitung abzufließen, und zwar mit einer anderen Geschwindigkeit als der Geschwindigkeit, mit welcher sie njesoeichert wurde.
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    ?. Oszillator nach Ana^ruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einricatung vorgesehen ist, um die HF-Ko r>iung zwischen der übertragung.^,leitung und dem Resonanzhohlraum auf einen Ejevjünachten T./ert einzustellen, v/enn die Einric tun"* mit negativer Impedanz auf den zweiten Pegel vorgespannt i.:.t.
    ). Oszillator nach An;·, iruch °, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Einstellung der HF-Konolung einen Iraoedanzübertrager (46, 47) in der Übertragungleitung aufweis b.
    -I-. Oszillator nach Ansoruch 1, dadurch ;^ ek e η η ζ e i c h net, daß die Schaltung zur Aufnahme einer Vorspannung gleichsoannung:rnä3ig mit dem gegenüberliegenden Ende der übertragungsleitung gekormelt ist.
    ;). Oszillator nach Ansoruch 4, dadurch gekennzeichnet, d.aii die Schaltung zur Aufnahme der Vorspannung eine Einrichtung aufweist, welche dazu dient, die HF-Energie am Ausgang der Übertragungsleitung ebenso wie die daran angelegte Vorspannung zu trennen.
    6. Oszillator nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung zur Vufnähme der Vorspannung einen Zirkulator/Lajt-Isolator (PO) aufweist, der eine erste Öffnung hat, welche an den Ausgang der Übertragungsleitung angeschlossen ist, welcher weiterhin eine zweite Öffnung hat, um die Vorspannung aufzunehmen, und welche eine dritte öffnung hat, an welche eine HF-Last anschließbar ist, und daß die zweite Öffnung HF-Energie absorbiert, welcne von der dritten öffnung reflektiert wird.
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DE19772724550 1976-06-07 1977-05-31 Mikrowellenoszillator Withdrawn DE2724550A1 (de)

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