DE2724550A1 - Mikrowellenoszillator - Google Patents
MikrowellenoszillatorInfo
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
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- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
D-8 München 71 Hofbrunnstraße 47
Telefon: (089)7915050
Telegramm: monopolweber münchen
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mo'1OROL-., Γ·:-;.
Ί^Ο-' Ε-·. ·"!; '. I <■■;.:>
nor :bi
Sc launbn.---;, Ϊ11. 3^1
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BAD
V" 27245S0
Die Erfindung betrifft allgemein einen Mikrowellenoszillator
und bezieht sich insbesondere auf einen Festkoroer-Mikrowellenoszillator,
der für vielfältige militärische und kommerzielle
Zwecke sowie auch für die Raumfahrt verwendbar ist. Ein derartiger Mikrowellenoszillator ist beisoielswei.se als
Transoonder, als Sicherung, in Radargeräten, und in vielen
anderen Einrichtungen vorteilhaft verwendbar. Allgemein verwenden Festkörper-Mikrowelleno.szillatoren eine Diode mit negativem
Widerstand wie eine IMPATT-Diode, eine Gunn-Effekt-Diode, eine Tunnel-Diode, eine LSA-Diode usw.. Solche Dioden mit negativem
Widerstand lassen sich allgemein in zwei Typen einteilen, d.h. in Dioden mit kontinuierlicher Arbeitr3weise oder ungedämpfter
Arbeitsweise und in geoulste Dioden. Im allgemeinen liefern gehülste Dioden eine höhere Soitzenenergie als Dioden
mit kontinuierlicher Arbeitsweise, sie sind ,"jedoch auf einen
bestimmten Prozentsatz ihrer Arbeitsohase begrenzt. Dadurch
wird die durchschnittliche Energie von genulsten Dioden im
allgemeinen auf weniger als den von kontinuierlich arbeitenden Dioden erreichbaren Energieoegel begrenzt. Wenn eine höhere
Soitzenenergie erwünscht ist, als sie allgemein von gepulsten Dioden erreicht werden kann, ist es gegenwärtig erforderlich,
Hochleistungs-HF-Röhren zu verwenden wie Magnetrons oder
Klystrons. Derartige Hochleistungs-HF-Röhren sind schwer, groß, komoliziert, teuer und benötigen im allgemeinen sehr
hohe Spannungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrowellenoszillator
der eingangs näher erläuterten Art zu schaffen, welcher dazu in der Lage ist, unter Verwendung von kontinuierlich
arbeitenden oder geoulsten Halbleitereinrichtungen eine besonders hohe Soitzenenergie zu liefern.
Zur Lösung dieser Aufgabe dienen insbesondere die im Patentbegehren
niedergelegten Merkmale.
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Gemäß einer besonders bevorzugten Au j führung·-form de: Erfindungsgegenstande■:-.
ist vorgesehen, da'S ein Hohlraum vorge ^ eben
ist, welcher derart abge stimmt ist, da.i er bei der gewünschten
Frequenz in Resonanz ist und dazu in der Lage ist, eine
vorgegebene Menge an HF-Energie zu speichern, daß weiterhin
eine Kopplungseinrichtung vorhanden ist, um die HF-Energie
bei der gewünschten Frequenz zwischen der Übertragung;leitung
und dem Hohlraum zu koooeln, daß weiterhin eine Schaltung an
die Einrichtung; mit negativer Impedanz angeschlossen iot, um
dort eine Vorsoannun^ hervorzurufen, welche normalerweise auf
einem ersten Pegel liegt und oeriodisch auf einen zweiten Pegel
umschaltbar ist, da3 weiterhin eine ocheinleitwerteinrichtung
vorhanden ist, welche mit der Einrichtung mit negativer Impedanz derart zusammenarbeitet, daß die Einrichtung auf \ntire~onanz
umgeschaltet wird, wenn der zweiteVbrsoannungsoe.gel
angelegt ist, und da3 die Einrichtung mit negativer Impedanz
im Resonanzbetrieb arbeitet, wenn ;ich die Vorspannung auf den
ernten L'egel befindet, um HF-Energie in dem Resonanzhohlraum
zu speichern und die Anordnung im \ntiresonanz-Betrieb arbeiten
zu lassen, wenn der zweite Vorsoannungspegel angelegt ist,
so daß der Wert Q des Resonanzhohlraums verändert wird und die HF-Energie die Möglichkeit hat, von dem Resonanzhohlraum zum
Ausgang der Übertragungsleitung abzufließen, und zwar mit einer anderen Geschwindigkeit als der Geschwindigkeit, mit welcher
sie gesoeichert wurde.
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Die Erfindung wird nachfolgend beisoielsweise anhand der
Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt entlang der Längsachse durch einen erfindungsgemäßen Mikrowellenoszillator,
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 in der Fig. 1 und
Fig. 3 verschiedene Wellenforraen, welche an den bezeichneten
l?unkten in der Anordnung gemäß Fig. 1 auftreten.
In den Fig. 1 und 2 ist ein in seiner Gesamtheit mit 10 bezeichnetes
Gehäuse dargestellt. Das Gehäuse 10 kann aus elektrisch leitendem Metall hergestellt sein, oder die
Hohlräume, welche nachfolgend näher erläutert werden, können mit einem elektrisch leitenden Metall ausgekleidet sein,
um eine ordnungsgemäße Arbeitsweise der Schaltung zu gewährleisten. Das Gehäuse 10 legt einen ersten langgestreckten
Hohlraum 11 fest, der sich in Längsrichtung durch das Gehäuse hindurch erstreckt und die Form eines Zylinders mit
einem kreisförmigen Querschnitt aufweist. Ein allgemein kreisförmiger Mittelleiter 12 (mit verschiedenen Durchmessern,
die nachfolgend näher erläutert werden) ist koaxial in dem Hohlraum 11 angeordnet, um eine Übertragungsleitung zu
bilden. Ein Stoofen 14 steht in Gewindeeingriff mit dem Gehäuse
10, und zwar an einem Ende des Hohlraums 11, um den Hohlraum abzudichten und um eine Klemme 15 einer Halbleitereinrichtung
16 mit einer negativen Impedanz darin aufzunehmen. Eine zweite Klemme 17 der Halbleitereinrichtung 16 ist
fest mit dem Mittelleiter 12 verbunden und hält dessen eines Ende fest an Ort und Stelle. Die Halbleitereinrichtung mit
negativer Impedanz kann ein Transistor oder eine Diode mit einem negativen Widerstand sein, wie sie bei Mikrowellenoszillatoren
häufiger verwendet wird. Die Halbleiterein-
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richtung schließt das eine Ende der übertragungsleitung
mit einer negativen Imoedanz ab.
Das gegenüberliegende Ende der Übertragungsleitung'ist
offen und hat einen daran befestigten externen Zirkulator/Last-Isolator
20. An dem Zirkulator/Last-Isolator ist
eine HF-Last 25 angebracht, welche in der dargestellten Ausführungsform zur Vereinfachung als Widerstand 25 veranschaulicht
ist, wobei weiterhin Gleichstrom-Blockierkondensatoren 26 und 29, eine breitbandige (50 Ohm) Lastimpedanz
27 und eine Gleichsoannungs-Vorsoannungseinrichtung
30 angeschlossen sind. Die Gleicheoannungs-Vorsoannungs
einrichtung 3O ist in Blockform dargestellt, da eine
beliebige bekannte Einrichtung dazu verwendet werden kann, so daß für den Fachmann hierzu keine weiteren Erläuterungen
erforderlich sind. Der Zweck des Zirkulator/Last-Isolators
20 besteht darin, eine breitbandige Last 27 zu bilden, welche verhindert, daß außerhalb des Bandes Störschwingungen
auftreten, und Vielehe zugleich eine Einrichtung darstellt, eine Vorspannung anzulegen, ohne daß der HF-\bschluß beeinträchtigt
wird, welcher von der Einrichtung mit der negativen Imoedanz gesehen wird.
Das Gehäuse 10 legt weiterhin einen zweiten Hohlraum 35 fest,
welcher bei der dargestellten Ausführungsform als Koaxial-Hohlraum
dargestellt X3t, der einen Mittelleiter 36 hat, welcher sich in Längsrichtung durch den Hohlraum 35 hindurch
erstreckt und als Teil des Gehäuses 10 ausgebildet ist. Der
Hohlraum 35 kommt bei der gewünschten Frequenz des Oszillators
in Resonanz, und er hat bei der dargestellten Ausführungsform eine Längsabmessung von ' /2. Ein Saohir-Abstimrastab
37 steht im Gewindeeingriff mit einer öffnung in dem Hohlraum 35» um den Hohlraum auf die gewünschte Frequenz
abzustimmen. Der Resonanzhohlraum 35 ist derart ausgebildet, daß er elektromagnetische HF-Energie soeichert, wel-
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δ I 1 δ 4 Ό b υ
ehe durch die Halbleitereinrichtung mit negativem Widerstand
gemM3 den obigen Ausführungen erzeugt wird, und die Menge der
-ei )eich(jrten Energie ist eine funktion von ~) des Resonanzhohlraum
; 35. Deshalb kann der Resonanzhohlraum 35 eine beliebige
gewünschte Konfiguration aufweisen, um den gewünschten
Wert ") zu liefern, und er kann beispielsweise als Wellenleiter,
al j Übertragungsleitung, als Koaxial-Hohlraumccruone
usw. ausgebildet sein, wobei die Länge derart bemessen sein kann, daß der gewünschte Wert von ") entsteht, während der
Hohlraum bei der gewünschten Frequenz in Resonanz gehalten wird.
In dem Gehäuse 10 ist eine Öffnung 'lO zwischen der Übertragungsleitung
und dem Resonanzhohlraum 35 vorhanden, um zwischen
diesen beiden Teilen elektromagnetische Energie zu koooeln. jiei der dargestellten 4usfüh rungs form weist die
öffnung ;+0 eine Längsabmessung von etwa ι /4- auf, und zwar
bei der Gewünschten Frenuenz, und die Längsachse der Übertragungsleitung,
der Resonanzhohlraum 35 und die Öffnung 4-0 sind zueinander oarallel und auf Abstand voneinander innerhalb
des Gehäuses 10 angeordnet. Die öffnung ^O oder die Ko ot>
lungs einrichtung sollte derart ausgebildet sein, daß die Imoedanz des Resonanzhohlraums 35 an die Impedanz der
Flalbleitereinrichtung 16 angeoaßt ist. Es ist zu bemerken,
daß verschiedene andere Einrichtungen zur Erreichung der gewünschten Kopolung zwischen der Übertragungsleitung und dem
Resonanzhohlraum verwendet werden können, und die in der
Zeichnung veranschaulichte Kooolung wird bevorzugt vorgesehen, weil sie außerordentlich einfach aufgebaut ist und
weil sie ausreicht, in den allermeisten Fällen eine ausreichende Kopplung zu gewährleisten.
Eine kapazitive Einrichtung ist zwischen der Halbleitereinrichtung
16 und dem Gehäuse 10 angeordnet, indem ein kreisförmiger Ring 4-5 als integraler Bestandteil des Gehäuses
10 vorgesehen wird, der sich nach innen in den Hohl-
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raum 11 erstreckt und koaxial die Halbleitereinrichtun": 15
umgibt. Die kapazitive Einrichtung 4-5 liefert einen Shun!;-Blindleitwert
oder eine Shunt-Suszeotanz, welche bei dem
Blindleitwert der Halbleitereinrichtung 16 mit negativer
Impedanz bei der gewünschten Frequenz zu einer Parallelresonanz
führt, wenn die dem Oszillator zugeführte Gleichvorspannung auf einen vorgegebenen oder zweiten Wert vermindert
wird. Bei der normalen oder der ersten GleichvorsDannung wird durch die kaoazitive Einrichtung 4-5 die Einrichtung
mit negativer Imoedanz nicht wesentlich beeinflußt, und es wird ein Serienresonanzkreis gebildet, welcher in dem
Oszillator Schwingungen bei der gewünscaten Frequenz erzeugt.
Der Mittelleiter 12 hat einen ernten Durchmesser, welcher mit 4-6 bezeichnet ist und sich über eine Länge von etwa λ //μ erstreckt,
wobei sich dieser Teil von einem Bereich benachbart zu der Halbleitereinrichtung 16 bis zu einem Bereich benachbart
zu der gegenüberliegenden Seite der öffnung 40 erstreckt.
Der Mittelleiter 12 hat einen zweiten Durchmesser, welcher mit 4-7 bezeichnet ist und sich über eine Längsausdehnung von etwa
? /4- erstreckt, wobei sich dieser Abschnitt von dem Ende des
Durchmessers 4-6 bis zu dem Bereich benachbarc zu dem Ende des
Hohlraums 35 erstreckt. Der übrige Teil entlang dem Mittelleiter
12 hat einen Durchmesser, der mit 4-8 bezeichnet ist und welcher der Übertragungsleitung eine charakteristische Imoedanz
bzw. einen Wellenwiderstand-von etwa 50 Ohm verleiht. Der
Durchmesser 4-6 i.-.t kleiner als der Durchmesser -'+8 und liefert
einen Wellenwiderstand von mehr als 50 Ohm. Der Durchmesser 4-7
ist grö3er als der Durchmesser 4-3 und liefert einen Wellenwiderstand
von weniger als 50 Ohm. Die Abschnitte mit einer
Längsabmessung von X/4- der übertragungsleitung bilden Imoedanzübertrager
oder Imnedanztransforraatoren, welche dazu dienen, die Kopplung zwischen der Übertragungsleitung und dem
Koaxial-Hohlraum 35 auf den geeigneten gewünschten Wert einzustellen,
wenn die Halbleitereinrichtung 15 mit negativer
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Impedanz auf ihren zweiten Pegel vorgespannt ist. Auf diese
»Vei ;e v;ird der belastete Wert ") des Hohlraums ■)'■} eingestellt
und somit der ?egel der HF-Energie, welche aus dem Hohlraum
35 an die Last 25 au -,gekoooelt wird, und. zwar während der Zeit
des Ausgangsimnulses des Vors oannungsZyklus. Es ist zu bemerken,
daß natürlich verschiedene Arten von Imoedanzübertragern verwendet werden können, und zwar in Abhängigkeit von der verwendeten
Last und in Abhängigkeit von dem daran anzuoassenden
Resonanzhohlraum, ;o daß die in der Zeichnung veranschaulicate
Ausführungsform nur zur Illustration dient. Unter bestimmten
Voraussetzungen kann der Mittelleiter einen konstanten Durchmesser haben und somit auch einen konstanten Wellenwiderstand
von beiooielsweise 50 Olim. In diesem Fall liefert der Inmedanzübertrager
ein Verhältnis von 1 zu 1 .
Während in der Fig. 1 eine kapazitive Shunt-Einrichtung dargestellt
ist, um die erforderliche Antiresonanz zu liefern, ist zu bemerken, daß eine Vielfalt von anderen Einrichtungen ebenso
verwendet werden könnten, um diesen Zweck zu erfüllen. In Abhängigkeit von der Art der Haibleitereinrichtung mit negativem
Widerstand kann entweder eine kapazitive oder eine induktive Shunt-Reaktanz verwendet werden. Es können verschiedene integrierte
oder als einzelne Bauelemente ausgebildete Schaltungen
für dxesen Zweck verwendet werden. Es muß jedoch in jedem Fall
die Gleichsoannung zwischen der Klemme 17 der Diode und der
Masse oder dem Gehäuse 10 offen sein, so daß die Gleichvorsoannung
nicht kurzgeschlossen wird.
Bei dem in den Fig. 1 und 2 veranschaulichten und oben beschriebenen
Mikrowellenoszillator wird ein erster oder hoher Pegel einer Gleichspannung dem Oszillator über die Vorsoannungseinrichtung
30 durch den Zirkulator/Last-Isolator 20 zugeführt. Dieser
hohe Vorsnannungsoegel ist in der Fig. 3 als Wellenform (a) darpreTCellt
und mit 50 bezeichnet. Während der erste oder hohe Gleichvorsoannungsoegel dem Oszillator zugeführt wird, arbeitet
die Halbleitereinrichtung 16 als Serienresonanzkreis oder
oerienschwingkreis, welcher die Übertragungsleitung mit einer
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ζ / i ί5 -ο
ί, 5
negativen Impedanz abschließt, wodurch Schwingungen hervorgerufen
werden, die im we '.entliehen mit dem Resonanzhohlraum
55 gekoooelt sind. Da die Kopplung mit; de:" ^e-onanzbohlraum
ootimal ist, ist der belastete Wert ) de: Uejonanzhohlraum-25
verhältnismäßig hoch und e- vird darin elektromagnetische
Energie gesoeichert, wobei die speicherbare Energiemenge eine
Funktion des unbelasteten ~>
de.." Sesonanzhohlraurns ist. bedeutet, daß der Wert ι im unbelasteten Zustand de:· il
hohlraums 55 durch die Vergrößerung oder die Form angehoben
werden kann, wobei die Menge der soeicherbaren Energie zunimmt.
Um die Anwendung des Hohlraum-; zu erleichtern, wird die Öffnung 40 oder die Koοolungseinrichtung derart eingestellt,
daß die Parallelkombination au3 der Imoedanz des
Resonanzhohlraums $5 und der Ausgangslastimoedanz 25 fjleic/r
der negativen Impedanz der Diode ist, und zwar während de-3
ungedämpften Betriebes. Wenn die Öffnung 40 gemäß den obigen
Ausführungen eingestellt ist, kann bis auf einen sehr kleinen Prozentsatz die gesamte elektromagnetische Mikrowellenenernrie
in den Hohlraum übertragen werden. Wenn die erste Vorspannung oder die Vorspannung mit dem hohen Gleichspannung pegel dem
Oszillator über eine ausreichende Zeit zugeführt wird und der Hohlraum ordnungsgemäß an die Diode angepaßt ist, so
nähert sich die in dem Resonanzhohlraum gesoeicherte Mikrowellenenergie
dem Wert O, geteilt durch 2, multioliziert mit
der Eingangsenergie oro Zyklus im ungedmoften Zustand, wobei
0 dem unbelasteten Wert des Resonanzhohlraumn 55 entspricht.
Nach einer vorgegebenen Zeit wird die Gleichvorspannung verändert
oder ra:3ch auf einen zweiten Pe^ei abgesenkt, und zwar
während einer kurzen Zeit, wie es in Form den negativ verlaufenden
Impulses 51 in der Wellenform (a) der Fig. 5 dargestellt
ist. Durch Umschalten der an die Halbleitereinrichtung 16 angelegten Gleichvorspannung wird, die Halbleitereinrichtung auf
Antiresonanz umgeschaltet. Dies bedeutet, daß die kapazitive
Einrichtung ''4-5 einen Shunt-ßlindleitwert liefert, der zu einer
Parallelresonanz mit dem Blindieitwert der Halbleiterein-
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richtung bei der Oszillatorfrequenz führt, so daß eine sehr
hohe Impedanz zum Abschluß der übertragungsleitung 12 gebildet
wird. Ein Umschalten der Ilalbleitereinrichtung 16 auf
.mtirejonanz bewirkt eine Kooolung zwischen der Übertragungsleitung
12 und dem Hohlraum 35» die wesentlich größer ist, wodurch der externe Wert ) des Resonanzhohlraums 35 vermindert
wird und die darin gesoeicherte Energie rasch an die
Ausgangs las timr>edanz 25 abgegeben wird.. Die Halbleitereinrichtung
16 ist noch in dem Bereich oder in der Nähe des Bereiche:: des negativen Widerstandes vorgespannt, so daß sie
keine HF-Energie verbraucht, und deshalb gehen die hohen Pep;ei
der HF-Ausgangsenergie nicht durch die Halbleitereinrichtung 16 hindurch.
Somit wird ein starker HF-Ausgangsimouls in Form eines Zackenimpulse~
gemäß der Wellenform (b) der Fig. 3 erzeugt, wie er bei 53 dargestellt ist, und zwar jedesmal dann, wenn die
Gleichvorspannung abgesenkt wird. Die Impulsbreite muß der Spitzenausgangsenergie umgekehrt Proportional sein, so daß
eine hohe Ausgangsspitzenenergie eine geringe Imrmlsbreite erfordert. Auf diese Weise wird HF-Energie über eine lange
Zeit gesoeichert und während einer kurzen Zeit abgegeben, und somit wird ein geoulster Festkörperübertrager aus einer
Halbleitereinrichtung mit einer negativen Impedanz gebildet, und zwar in der Weise, daß eine wesentlich höhere Spitzenausgangsenergie
(bis zum tauschendfachen Wert oder mehr) als bei einer normalen Halbleitereinrichtung erreicht werden kann. Da
die Zeit zwischen den Impulsen 53 größer ist (bei dieser Ausführungsform) als diejenige Zeit, welche die elektromagnetische
Energie benötigt, einen maximalen Pegel in dem Hohlraum 35 aufzubauen,
wird die Vors^annungsenergie dem Oszillator für eine
bestimmte Zeitperiode nicht zugeführt, die mit 52 bezeichnet ist, und zwar nach jedem Ausgangsimpuls 53. Dadurch wird der
Wirkungsgrad des Oszillators gesteigert, da diejenige Energie, welche in der zusätzlichen Zeit verwendet werden könnte, einfach
verschwendet wäre.
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Claims (1)
- ? a tent ans ο räche.'Mikrowelleno-,.sillator mit um:;chal tbaren "), wobei eine Ühe·"-trafrungsleitung vorhanden i.;t, wobei weiterhin eine Einrichtung mit negativer Impedanz an das eine Ende der 'übertragung"-leitunp; an~e~chlo ;sen ist, hti die ^'bertra^unrrsIeItUn1T mit; einer negativen Irnoedanz abzuschließen und um II7-Ener^ie bei einer nrewünschten ?renuenz zu erzeugen, und wobei da-; ^etrenüberlie^ende Ende der LJbertra'-unHv. leitunrr einen Aurj^anp: für err.eiK-te IIF-Ener^ie-lra ~>ulse darstellt, dadurch ~ e k e η η zeichnet, daß ein Hohlraum (.33) vorgesehen ist, v/elcher derart ab^estimmt ist, da^i or bei der Tev:ün.ochten i'renueaz in Resonanz i:. t und d.ar.u in der Lap;e i'.;t, eine vorgegebene Klenge an Iii-'-Ener-cie zu ;: reichern, dai weiterhin eine Ko Tolun^seinric^tunr-1: (-'!-O) vorlvariden ϊτί", um die HF-Energie bei der i^ev.'üriachten Fre-nuen.^ :v;i ^chen der übertragung-.;leitung und dem Hohlraum zu koToeln, daß weirerhin eine Schaltun'··; (?v\) an die Einrichtung mit negativer Irmedanz an^e.^chlo.;->en i-;t, um dort eine Vors oannunp; hervorzurufen, welche normalerweise auf exnem ersten Pe^eI lie^t und Periodisch auf einen zv/eiten Pendel umschaltbar i^t, da'i weiterhin eine Scheinleitwerteinrichtung (A?) voriianden ist, welche mit der Einrichtung mit negativer Imoedanz derart zu.jammenarbeitet, daß die Einrichtung auf Antiresonanz umgeschaltet wird, wenn der zweite Vorspan-Tiungj ->egel an^ele^t i:t, und daß die Einrichtung mit negativer Impedanz im Resonanzbetrieb arbeitet, -wenn sich die VorsDannunp; auf dem ersten ^e^el (50) befindet, um HF-Ener^ie in dem Resonanzhohlraum zu ;;-»eichern und die Anordnung im Antiresonanz-Betrieb arbeiten zv lassen, wenn der zweite Vorsoannungsoegei (51) angelegt ist, so daß der Wert ") des Re^onanzhohlraums verändert wird und die HF-Ener^ie die Möglichkeit hat, von dem Resonanzhohlraum zum 'ius^anp; der übertras^ungsleitung abzufließen, und zwar mit einer anderen Geschwindigkeit als der Geschwindigkeit, mit welcher sie njesoeichert wurde.709850/1016 BAD ORIGINAL?. Oszillator nach Ana^ruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einricatung vorgesehen ist, um die HF-Ko r>iung zwischen der übertragung.^,leitung und dem Resonanzhohlraum auf einen Ejevjünachten T./ert einzustellen, v/enn die Einric tun"* mit negativer Impedanz auf den zweiten Pegel vorgespannt i.:.t.). Oszillator nach An;·, iruch °, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Einstellung der HF-Konolung einen Iraoedanzübertrager (46, 47) in der Übertragungleitung aufweis b.-I-. Oszillator nach Ansoruch 1, dadurch ;^ ek e η η ζ e i c h net, daß die Schaltung zur Aufnahme einer Vorspannung gleichsoannung:rnä3ig mit dem gegenüberliegenden Ende der übertragungsleitung gekormelt ist.;). Oszillator nach Ansoruch 4, dadurch gekennzeichnet, d.aii die Schaltung zur Aufnahme der Vorspannung eine Einrichtung aufweist, welche dazu dient, die HF-Energie am Ausgang der Übertragungsleitung ebenso wie die daran angelegte Vorspannung zu trennen.6. Oszillator nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung zur Vufnähme der Vorspannung einen Zirkulator/Lajt-Isolator (PO) aufweist, der eine erste Öffnung hat, welche an den Ausgang der Übertragungsleitung angeschlossen ist, welcher weiterhin eine zweite Öffnung hat, um die Vorspannung aufzunehmen, und welche eine dritte öffnung hat, an welche eine HF-Last anschließbar ist, und daß die zweite Öffnung HF-Energie absorbiert, welcne von der dritten öffnung reflektiert wird.709850/1016
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1976
- 1976-06-07 US US05/693,824 patent/US4053854A/en not_active Expired - Lifetime
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1977
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- 1977-06-07 FR FR7717416A patent/FR2354660A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS52149948A (en) | 1977-12-13 |
FR2354660A1 (fr) | 1978-01-06 |
US4053854A (en) | 1977-10-11 |
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