DE1789148C - Induktives Halbleiter-Bauelement, Verfahren zum Herstellen und Verwendung - Google Patents

Description

4. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (12) aus magnetischem Material bestehen.

5. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (12) an ihren Enden breiter bemessen sind als in den dazwischenliegenden Teilen (Fig. 4).

6. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (11) in ihren an die Enden der Metallstreifen grenzenden Randbereichen dünner bemessen ist als im mittleren Bereich ( F i g. 5 bis 7).

7. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß an den die Metallstreifen enthaltenden Oberflächen des Bauclements Magrietkörper (16) angeordnet sind (Fig. 8).

8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetkörper (16) durch loche (17) eingeschlossen sind ( F i g. 9).

9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Schicht (11) durch anodische Oxidation des Halbleiterkörper (9) erzeugt wird.

10. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallstreifen (12) durch Elektroplattieren, Vakuumaufdampfen oder Aufdrucken auf der dielektrischen Schicht (11) aufgebracht werden.

11. Verwendung eines Halbleiter-Bauelements nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Frequenzabstimmung, indem es /wischen den beiden Polen eines Elektromagneten (20) angeordnet wird, wobei der erzeugte induktive Widerstand durch den dem Elektromagneten /ugeführten Strom (,5 regelbar ist ( F" i g. 14).

Die Erfindung betriff- ein induktives Halbleiter-Bau element, dessen induktive Wirkung auf dem Hall-Effekt beruht und bei dem ein plattenförmiger Halbleiter körper von einem magnetischen Feld diirchscizt ist unc in einer dazu senkrechten Richtung an zwei einandei gegenüberliegenden Stirnflächen mit jeweils einci Elektrode versehen ist, durch die ein elektrischer Stroiv durch den Halbleiterkörper fließt.

Ein Problem der Halbleitertechnologie, insbesondere der Technologie integrierter Kreise, liegt in dei Herstellung von Induktivitäten. Da Dioden nur be: bestimmten Frequenzen einen induktiven Widerstand zeigen, können sie nur in einem bestimmten Frequenzbereich verwendet werden. Eine allgemeine Anwendung ist jedocn nicht möglich.

Zur Lösung des genannten Problems ist schon eir induktives Halbleiter-Bauelement der eingangs genannten Art bekanntgeworden (Proceedings of the IEEE Band 53, 1965, Nr. 12, S. 2138 und 2139). Bei diesem Halbleiter-Bauelement ist ein Blindwiderstand /wischen die Hallelcktroden geschaltet. Der induktive Widerstand zwischen den stirnseitigen Elektroden wird durch die Stärke eines rechtwinkelig zu dem Halbleiterkörper angelegten Magnetfeldes geändert. Durch die Verwendung mehrerer Blindwiderstände kann die Charakteristik der Vorrichtung zwar verbessert werden, jedoch wächst dann auch die Größe des induktiven Bauelements. Der induktive Widerstand, der auf diese Weise erhalten wird, ist zudem relativ gering.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein induktives Halbleiter-Bauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, dessen Ausdehnung dadurch verringert werden kann, daß äußere Blindwiderstände vermeidbar sind und trotzdem ein großer induktiver Widerstand erzielt werden kann, der zudem regelbar ist.

Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten induktiven Halbleiter-Bauelement erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf dem plätichenförmigcn Halbleiterkörper eine dielektrische Schicht vorgesehen ist und daß mehrere Metallstreifen auf der freien Oberfläche der dielektrischen Schicht quer zur Richtung des durch den plättchcnförmigen Halbleiterkörper hindurchfließenden Stromes angeordnet sind

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung sind in der nachfolgenden Beschreibung und in den Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispicle näher dargestellt. Es zeigt

Fig. IA eine perspektivische Ansicht eines induktiven Halbleiter-Bauelements, bei dem dielektrische Schichten und Metallstreifen auf der freien Oberfläche eines Halbleitcrplättchcns vorgesehen sind,

F i g. 1 B einen Querschnitt durch das Bauelement nach F i g. I A entlang der Linie bB-bB,

Fig. IC eine Ersatzschaltung für die Querschnittsebene von F i g 1 B.

Fig. 2A mit 7Λ weitere bevorzugte Ausführungslormen von induktiven Halbleiter-Bauelementen.

I i g. 2B mit 7B Querschnitte durch die 111 Fig. 2 Λ mit Fig. 7Λ gezeigten induktiven 1 lalbleitei"-Bauelemente entlang der Linien 7/f 7/?, 8/J-8/J. 9 ft 9/f. H)/M Oft. llft-llftund I2ft-I2ft.

l'ig. 2C eine Ersatzschaltung lür die Querschnitts ebene von I i g. 2B.

I 1 g. 3C einen Querschnitt durch tin. Anordnung nach !' i g. 3A mit der Verteilung des 1 lallsiroines,

F i g. 8 eine Seitenansicht eines induktiven 1 lalbleiter-Bauelements, das auf beulen Seilen
Pcrmanei'lmaLMieten vi rseheii ist.

ic einem

F i g. 9 eine .Seitenansicht, teilweise aufgebrochen, bei der die vorgenannte Anordnung eingeschlossen durch ein (och dargestellt ist.

Fig. 10 einen Vertikalschnitt duich das induktive Ilalblciicr-Bauelemerit. bei dem i'ernianentmagnete auf beiden Seiten desselben angeordnet sind,

F i g. 11 einen Vertikalschnitt durch ein Ausführungsbeispiel /u dem vorgenannten Bauelement,

Fig. 12 eine perspektivische Ansicht eines induktiven Harnleiter-Bauelements,

Fig. 13 die Charakteristik des induktiven Halbleiter-Bauelements,

Fig. 14A mit 16 Beispiele von elektronischen Abstiminschaltungen, bei denen die induktiven Halbleiter-Bauelemente verwendet werden können.

Wie den Figuren zu entnehmen, ist eine dielektrische Schicht 11 auf der Oberfläche eines Halbleiterkörpers 9 (ζ. B. Indium-Amimonid vom η-Typ; angeordnet, an dessen oberem und unterem Ende Elektroden 10 vorgesehen sind. Auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht Il sind mehrere Metallstreifen 12 rechtwinkelig /ur Richtung des Haupistroms / und bevorzugt in gleichen Abständen vorgesehen. Bei diesem Halbleiter-Bauelement wird eine Hallspannung Vn in Querrichtung im Halbleiterkörper 9 durch Anlegen eines magnetisehen Feldes Berzeugt.

Diese Hallspannung wird durch die Metallstreifen 12 längs der dielektrischen Schicht 3 kurzgeschlossen, und es fließt ein Hallstrom ///in dem Halbleiter-Bauelement in Richtung der Metallstreifen 12, wie dies in F i g. 1 B gestrichelt dargestellt ist. Die Phase des Hallstroms in eilt gegenüber der Phase der Hallspannung Vn und des llaupistrams /voraus. Line Ersatzschaltung für diesen Querschnitt ist in F ig. IC dargestellt.

Die Phase der sekundären Hallspannung, welche durch diesen Hallstrom in erzeugt wird, eilt somit vor, und da sie über den stirnscitigen Elektroden 10 angelegt ist, eilt die Phase der Spannung gegenüber der des Hauptstroms / vor, so daß das Halbleiter-Bauelement als Induktivität wirkt und zwischen den stirnseitigen Elektroden 10 ein induktiver Widerstand entsteht.

Bei dem vorgenannten Bauelement genügt eine Art von Halbleitermaterial zur Herstellung. Wenn ein n-Halbleitermaterial hoher Beweglichkeit benutzt wird, kann der Verlust des Halbleiters scibst sehr klein gehalten werden, so daß damit ein wirkungsvolles Bauelement hergestellt werden kann. In den F i g. 2A mit 7A sind weitere Ausführungsformen des in Fig. I gezeigten induktiven Halbleiter-Bauclements dargestellt, die noch geeignetere Charakteristiken zeigen, und bei denen eine größere Anzahl von Metallstreifen verwendet wird.

Wenn die zuvor beschriebenen Anordnungen auf beiden Seiten eines Halbleiterkörpers 9 vorgesehen werden, können weitere Vorteile erzielt werden, wie dies aus den Fig. 2Λ bis 2C und der nachfolgenden Beschreibung ersichtlich ist.

Die Metallstreifen 12 werden in Querrichtung ungeordnet, um nur die Hallspannung kurzzuschließen, /wischen ilni Me!;i!!->iieiieii 12 selbst muli ein ho Awscherirauni vorgesehen werden, um einen Durchfluß des I lauptsiroms durch dieselben zu vermeiden.

Die Anordnung der Metallstreifen 12 kann durch Elektroplattieren. Aufdampfen im Vakuum oder Aufdrucken erlolgen. Wenn Nickel oder andere elektrisch os leitende magnetische Stolle wie Nile, N.'C'o, I e oder ( Ό benutzt v. erden, gelingt es. die Induktivität w eilcrhin /11 erhohen und /11 verbessern, denn die (.lenannien Stolle magnetisieren selbst bzw. konzentrieren den magnetischen Fluß.

In F i g. 3A ist eine weitere verbesserte Ausführungsform dargestellt. In der Mitte auf der Seitenfläche dc< Halbleiterkörpers 9. an dem die Elektroden lü vorgesehen sind, ist ein Isolator 13 niedriger dielektrischer Konstante in Richtung des Hauptstroms vorgesehen, wobei zu beiden Seiten zwei Platten 14 aus einem Werkstoff hoher dielektrischer Konstante angeordnet sind. An der Oberfläche sind Metallstreifen 12 in Richtung des Hallstroms vorgesehen. Die Fig. 3B und 3C zeigen einen Querschnitt bzw. die Verteilung des Halistroms. woraus ersichtlich ist, daß der Weg des Strom;; innerhalb des Halbleiterkörpers 9 vergrößert worden ist, was die erwünschte Verbesserung mit sich bringt.

Da bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen der Strom kreisförmig im Mittelpunkt des Halbleiterkörpers zirkuliert, kann der Halleffekt im Halbleiterkörper nicht vollständig ausgenutzt und entwickelt werden, denn die einheitliche Breite der Metallstreifen verursacht eine einheitlich verteilte Kapazität. Um diesem abzuhelfen, ist beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4A ein Metallstreifen 12 vorgesehen, der im mittleren Teil eingeschnürt ist. Hierdurch wird die Kapazität zwischen den Metallstreifen 12 und dem Halbleiterkörper 9 im mittleren Teil des Bauelements klein gemacht, während sie im äußeren Teil groß ist. Wie Fig. 4B zu entnehmen, ist der das Dielektrikum 11 durchfließende Hallstrom vor allem im Bereich der Randteile vorhanden. Der Weg des in Querrichtung innerhalb des Halbleiterkörpers 9 fließenden Hallstroms wird deshalb vergrößert, so daß der Halleffekt besser ausgenutzt werden kann und in Induktivität wirksamer wird.

Wie vorstehend beschrieben, sind die Metallstreifen 12 an ihren beiden Enden breiter als in der Mitte, so daß an diesen Stellen größere Kapazitäten vorhanden sind. Um denselben Effekt, wie weiter vorstehend beschrieben, zu erhallen, wird bei den Ausführungsbeispielcn nach den Fi g. 5a, 6A und 7A die dielektrische Schicht gegen den Randteil dünner ausgeführt. Bei diesen Bauelementen ist die Kapazität zwischen dem Halbleiterkörper 9 und den Mciallstreifen 12 zu beiden Seiten des Bauelements groß und im mittleren Bereich klein. Wenn ein Magnetfeld vertikal angelegt wird, stellt sich eine Verteilung des Hallstroms im Querschnitt ein, wie sie in den Fig. 5B, 6B und 7B dargestellt ist. Auf Grund der Tatsache, daß der in Querrichtung innerhalb des llalbleiterkörpers 9 fließende Hallsirom anwächst, wird der Hallcffckt im Halbleiter sehr wirksam genutzt und die Induktivität verbessert.

Die dielektrische Schicht wird durch anodischc Oxidation hergestellt, z. B. wird der aus InSb bestehende Halbleiterkörper 9 oberflächenpoliert und in einen verdünnten Elektrolyten, z.B. KOII, als Anode eingetaucht. Außerdem wird eine weitere Platte, die die Kathode bildet und aus einem anderen leitenden Werkstoff besieht. in die I ösiing eingetaucht. Wenn die Anode und Kathode an den positiven und den negativen Pol einet (!leichslromquellc angeschlossen werden, findet an der Anode eine Oxidation statt, so daß eine isolierende dielektrische Schicht entsteht.

Wie vorstehend angedeutet, muß, um der l-orderung nach Induktivität zu genügen, das Magnelleld /J vertikal /11 den I lalbleiierkorpern ausgerichtet sein. I lier/u kann man folgende Vorkehrungen treffen:

Wie I ic. H /υ entnehmen, sind IVrinanrnimaiMirn·

Ib. /. Ii. F'erritmagncte. zu beiden Seilen ties Halbleiter· Uauelcmcnts 15 ungeordnet. Die g;in/e Anordnung kann durch Joche 17 eingeschlossen sein. die. wie I· i g. M zu entnehmen, eine hohe Permeabilität aufweisen. Insbesondere bei den Ausführungsformen nach den Fig. IA und 2Λ ist es von Vorteil, die Metallsireilen 12 durch Anlegen des starken Magnetfeldes permanent zu magnetisieren, wenn dieselben durch Aufdrucken. Aufdampfen oder Elektroplattieren aufgebracht werden, wobei Nickel benutzt werden kann, welches ferromagnetisch ist und eine große elektrische l.eiliihigkeii aufweist.

|e kürzer der Abstand zwischen den anzubringenden lenomagnetisehcn Stoffen (Magnete) ist — Dicke des zwischen den beiden Permanentmagneten 16 angeordneten Halbleiterbauelements 15 — desto größer ist die magnetische Flußdichte, die durch das Halbleiter-Bauelement 15 hindurchgeht, was zur Folge hai. daß der induktive Widerstand und der (?-Wcrt größer werden. Hieraus folgt, daß das Halbleiter-Bauelement 15 möglichst dünn gemacht werden soll. Wie vorstehend beschrieben, macht das bloße Anbiingen ferromagnelischer Stoffe durch die vorgenannten einfachen Verfahrensschrilte die Verwendung eines äußeren magnetischen Feldes entbehrlich.

Bei der Anordnung gemäß Fig. 10 weiden dünne magnetische Werkstoffe verwendet, um das Magnetfeld für das Halbleiter-Bauelement zu erzeugen.

Da es nicht notwendig ist. daß das an dem Halbleiterkörper angelegte magnetische Feld einheitlich in derselben Richtung angelegt wird, können die magnetischen Werkstoffe längs ihrer Oberfläche magnetisiert werden.

Wie Fig. 10 zu entnehmen, werden dünne magnetische Werkstoffe 17' an beiden Längsseiten des magnetischen induktiven Halbleiter-Bauelements angeklebt und die Magnetisierung wird längs der Oberflächen jeweils in entgegengesetzter Richtung durchgeführt. Es wirkt somit ein magnetisches Feld vertikal auf das Halbleiter-Bauelement 15 ein, wobei die magnetischen Kraftlinien in der oberen und der unteren Hälfte des Elements unterschiedliche Richtung haben, wie sie durch die gestrichelten Pfeile in Fig. 10 dargestellt ist.

Es ist nicht immer notwendig, daß die auf die Halbleiter-Bauelemente einwirkenden Magnetfelder eine konstante Richtung aufweisen und eine konstante einheitliche Größe haben. Der Grund hierfür liegt darin, daß der sekundäre Halleffekt zweimal ausgenutzt wird und das Entstehen des induktiven Widerstandes somit unabhängig von der Richtung ist. Selbst wenn der Betrag und die Größe des magnetischen Feldes an den verschiedenen Stellen des Halbleiter-Bauelements verschieden ist. kann die Hallspannung durch eine Integration über die Flußdichteverteilung dargestellt werden, so daß diese Nichteinheitlichkeit keine schädlichen Auswirkungen zeigt.

Da bei einer Anordnung gemäß Fig. 10 das magnetische Feld nicht im mittleren Teil des Halbleiter Bauelements 15 angelegt wird, ist dieser frei von Induktivität, so daß von diesem Teil nur ein reiner Widerstand des Halbleiterkörper* in Reihenschaltung 2TU dem Halbleiter-Bauelement beiträgt, wodurch ein gewisser Nachteil entsteht Um diesem Nachteil abzuhelfen, kann diese Stelle durch ein Mctallstück 18 ersetzt oder kurzgeschlossen werden, wie dies in Fig. 11 dargestellt ist

Wie vorstehend aufgeführt, gelingt crfindungsgcmäH Line Verbesserung eines induktiven Halhlcitcr-B.iuclc merits, indem es in Form eines dünnen Plättchens ausgeführt werden kann und indem Magnetkörper an beiden Seilen zur Verstärkung des magnetischen Feldes vorgesehen werden. Die induktiven HalbleiiciBauelemente gemäß der Erfindung ermöglichen die Erzeugung eines großen induktiven Widerstandes mil relativ schwachen Magnetfeldern, indem der Hallstrom in dem Hiilbleilerkörper über dessen gesamies Volumen verteilt wird, wobei vorteilhafterweise zumindest ein

ίο Teil des Magnetfeldes von mindestens einem mit dem Halbleiter-Bauelement fest verbundenen Permanentmagneten geliefert werden kann.

Als Anwendungsbeispiel wird im folgenden ein Irequcnzabstinimkrcis beschrieben, bei dem eines der besprochenen Halbleiter-Bauelemente Anwendung finden kann.

Eine Frequenzabstimmung wird in der Regel allein dadurch erreicht, daß eine Induktionsspule eines bestimmten Wertes mit einem veränderlichen Konclensator kombiniert wird und wobei die Größe der Kapazität mechanisch eingestellt wird. Für eine automatische Frequenzabstimmung ist in der Regel ein relativ komplizierter Mechanismus erforderlich, der meistens einen Servomotor enthält.

Man kennt bereits ein elektronisches Abstimmsystem, welches eine Diode veränderlicher Kapazität einhält, wobei die Talsache ausgenutzt wird, daß die p-n-llber gangszone eines Halbleiters sich entsprechend der Spannung ändert. In diesem Fall ist es jedoch notwendig, eine Spannung von mehr als 10 Volt an die Diode anzulegen, weshalb die .Spannungsquelle eines in herkömmlicher Weise transistorisierten Radiocmplängers hierfür nicht ausreicht und eine besondere Spannungsquelle benötig! wird. Ein anderer Nachteil isi darin zu sehen, daß, da eine Gleichstromvorspannung über dem Abstimmkreis angelegt werden muH, ein Gleichstromkreis und ein Kreis hoher Frequenz verbunden sind, wodurch hinsichtlich dieser Kreise starke Einschränkungen bestehen.

Bei Verwendung der induktiven Halbleiter-Bauelemente der Erfindung, wie sie schematisch in Fig. 12 dargestellt sind, und deren Charakteristik Fig. 13 entspricht, ergeben sich die genannten Nachteile nicht. Wie in Fig. 14A dargestellt, ist ein induktives Halbleiter-Bauelement 15 in den Luftspalt eines magnetischen Kreises 20eingesetzt, wobei ein bestimmter magnetischer Fluß auf Grund eines Erregerstroms / in einer Erregerspule 19 erzeugt wird. Wenn die Spannungsresonanz dieser Anordnung ausgenutzt wird.

wird ein Kondensator 21 bestimmter Größe parallel mit dem Element 15 verbunden. Die Abstimmfrequenz dieses Abstimmkreises wird sodann eine Funktion des Erregerstroms und die Abstimmung kann durch ein Steuern des Erregerstroms erreicht werden. Fig. 14B zeigt eine Ersatzschaltung des in Fig. 14A dargestellten Schaltkreises.

Wenn die Stromresonanz ausgenutzt wird, wird das induktive Halbleiter-Bauelement 15 in Reihe mit dem Kondensator 21 bestimmter Größe geschaltet. Die Anordnungen nach den Fig. 15A und 15B zeigen den Aufbau sowie die Ersatzschaltung einer derartigen Anordnung.

Aus der US-PS 2862 184 ist es bekannt, ein Hallelement beispielsweise bei Temperaturmessungen im Luftspalt eines Elektromagneten anzuordnen und an den Hallelektroden Spannungen in Abhängigkeit vom Magnetfeld und dem elektrischen Strom, der durch das Hjllclement fließt, abzugreifen. Im Gegensalz da/u

wild (his induktive I lalbleiler Baiieli mem /in lic tiucn/ahstimmiing eingcset/l. wobei es sich im Magnet IcIiI eines l.lcktromaj. nelen wie cmc Induktivität \crh;ili.

Wenn mehl' ills /w ei induktive I lalblciler liauclemcn Ic IS in den l.ultspalt des magnelisihcn Kreises 20 eingesetzt werden, isl es möglich, mehr ;ils /wei l.lcmcnie gleichzeitig und unabhängig /n sieiicni. In I ι μ. Ib isl ein diesbezügliches Anwendungsbcispiel. I'm Siipcrheteroilynempliii^er, diiigcsielli. Hierbei isl mi Mischer 22 vorgesehen sowie cn) /wiselienlreiiiieii/inis μ;ιrι»; 2J. ein /uischcnlrcciiicn/veislaikei 24 und em Detckloi 25.

Hie Uesuniin/.ihsiminuing kann allein durch cleklii sehe h/w·. elektronische Millel crlolgcii. hgcndwclclic beweglichen 1 eile werden mehl bcnoligl. d. It.

inei hanischcn I eile können eliminier! werden, so dal.t eine sehr kleine Hiiugrolk' eneiclil wird. Außerdem sind praktisch keine Abniil/ungsci schcinungen vorhanden, und die Zuverlässigkeit wird \einrollen. Weiterhin können mehr als /wei Absliinmvorgiiiige sehr eintach (•leich/eiiig ilinchgelührl werden, wobei iiiiMerdem der Vorteil besieht, dall aiii (iiimd der liciniung des (pleichsttomkreises /um Steuern der Abstimmung von dein I iocltfreqiicn/krcis. det abgeslimmi werden soll, die Ausbildung dieser Kreise keine Schwierigkeiten bereuet, da keine nennenswerten l.insi hr.mkiingen bestehen.

Aul (iruiul der I ,itsachc. d.il.l der I rregei strom nur ungefähr I niA ist. kann eine gewöhnliche Spanniings quelle Im I r.msistoien als Spannungsquellc /uiii Steuern der Abstimmung bcniil/l v\ erden.

Hierzu ü Blatt Zeichnungen

«09 638/92

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Induktives Halbleiter-Bauclenieni. dessen induktive Wirkung auf dem Hall-Effekt beruht und bei dem ein plüttchenförmiger Halbleiterkörper von einem magnetischen Feld durchsetzt ist und in einer dazu senkrechten Richtung an zwei einander gegenüberliegenden Stirnflächen mit jeweils einer Elektrode verschen ist, durch die ein elektrischer Strom durch den Halbleiterkörper fließt, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem plättchenförmigen Halbleiterkörper (9) eine dielektrische Schicht (11, 13, 14) vorgesehen ist und daß mehrere Metallstreifen (12) auf der freien Oberfläche der dielektrischen Schicht (11, 13, 14) quer zur Richtung des durch den plattenförmigen Halbleiterkörper (9) hindurchfließenden Stroms angeordnet sind.

2. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die dielektrische Schicht (11) und die Metallstreifen (12) beidseitig auf dem Halbleiterkörper (9) angeordnet sind (Fig. 2).

3. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schicht (13, 14) in den an die Enden der Metallstreifen (12) grenzenden Randteilen (14) größer ist als im mittleren Bereich