DE1771145B2 - Verfahren zur herstellung einer siliciumdioxidschicht - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer siliciumdioxidschicht

Info

Publication number
DE1771145B2
DE1771145B2 DE19681771145 DE1771145A DE1771145B2 DE 1771145 B2 DE1771145 B2 DE 1771145B2 DE 19681771145 DE19681771145 DE 19681771145 DE 1771145 A DE1771145 A DE 1771145A DE 1771145 B2 DE1771145 B2 DE 1771145B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon dioxide
substrate
inert gas
acid
acetic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19681771145
Other languages
English (en)
Other versions
DE1771145C3 (de
DE1771145A1 (de
Inventor
Hitoo Toyonaka; Yokozawa Masami Takanocho Osaka; Termamoto Iwao Ibaragi; Iwasa (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of DE1771145A1 publication Critical patent/DE1771145A1/de
Publication of DE1771145B2 publication Critical patent/DE1771145B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1771145C3 publication Critical patent/DE1771145C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht auf der Oberfläche eines erhitzten Substrates durch chemische Reaktion aus der Dampfphase unter Verwendung eines Organosiloxans und eines Inertgases.
In der Zeichnung ist eine schematische Skizze einer Vorrichtung zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt.
Es ist bereits ein Verfahren zum Herstellen von Siliciumdioxidschichten bekannt, bei dem ein Organooxysilan, wie Tetraäthoxysilan oder Äthyitriäthoxysilan, thermisch in einer Stickstoff- oder Argonatmosphäre bei 700 bis 800° C zersetzt und dabei eine Siliciumdioxidschicht auf der Oberfläche eines Halbleiters niedergeschlagen wird. Zum Niederschlagen eines als Isolator für Halbleitervorrichtungen brauchbaren Siliciumdioxidfilms muß also die Niederschlagstemperatur auf 700 bis 8000C gehalten werden. Aus diesem Grund ist die Auswahl an Substraten für dieses Verfahren stark begrenzt. Beispielsweise läßt sich dieses Verfahren nicht auf niedrigschmelzende Halbleiter, wie Indium-Antimonverbindungen, oder Halbleitervorrichtungen, deren Substrat aus einer Substanz mit verhältnismäßig großem Dampfdruck, wie Galliumarsenid, besteht, anwenden, da dieses bei einer derart hohen Temperatur thermisch zersetzt wird.
Bei einem anderen bekannten Verfahren wird die Pyrolyse des Organooxysilans durch Beimischen von Sauerstoff in die Stickstoff- oder Argonatmosphäre begünstigt, wodurch sich ein Siliciumdioxidfilm bei verhältnismäßig niedriger Temperatur von 300 bis 6000C bildet. Infolge der Anwesenheit von Sauerstoff in der Atmosphäre kann dieses Verfahren nicht bei leicht oxidierbaren Substraten, wie z. B. Germanium, angewandt werden; praktisch ist dieses Verfahren auf Silicium als Substrat beschränkt. Falls ein Organooxysilan thermisch in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre zersetzt wird, bildet sich ein brennbares Gas, wie Äthanol (C2H5OH) oder Äthylen (C3H4) als Zersetzungsprodukt in dem Reaktor. Dies führt zu Brand- oder Explosionsgefahr, so daß eine zunehmende Sauerstoffmenge zwecks Begünstigung der thermischen Zerset- ?ung des Organooxysilans und rascherer Bildung des Siliciumdioxids Gefahren bei der praktischen Ausführung des Verfahrens mit sich bringt.
Auch die Verfahren der US-PS 30 89 793 und 31 14 663 arbeiten zur Zersetzung organischer Siloxane in Inertgas bei Temperaturen über 650 bzw. 6000C, so daß sie ebenfalls nicht auf niedrigschmelzende, thermisch oder oxidationsempfindliche oder einen hohen Dampfdruck entwickelnde Substrate anwendbar sind.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von SiO2-Schichten auf Halbleitersubstratoberflächen durch chemische Reaktion und Niederschlagen aus der Dampfphase zu schaffen, das bei einer Temperatur unterhalb der normalen Zerselzungsiemperatur der Siloxane von mindestens 600°C durchgeführt werden kann, ohne eine unerwünschte Oxidation der Substratoberfläche in Kauf nehmen zu müssen.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren der eingangs genannten Art zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht auf der Oberfläche eines erhitzten Substrates durch chemische Reaktion aus der Dampfphase unter Verwendung eines Organosiloxans und eines Inertgases, welches sich dadurch auszeichnet, daß ein dampfförmiges bzw. gasförmiges Gemisch des Organosiloxans, einer aliphatischen Carbonsäure und des Inertgases auf die Oberfläche des auf 300 bis 600 C erhitzten Substrates geleitet wird.
Erfindungsgemäß wird also Siliciumdioxid auf der Oberfläche eines Substrats thermisch durch Zersetzen von Organooxysilan in einer Stickstoff- oder Argonatmosphäre, der eine aliphatische Carbonsäure, wie Essigsäure oder Propionsäure, in gasförmigem Zustand zugemischt wird, bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur von 300 bis 6000C, beispielsweise durch folgende Umsetzung niedergeschlagen:
Si(OC2H5)+ 4 CH1COOH
- SiO2 + 4CH3COOC2H, + 2 H2O
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden vorzugsweise Carbonsäuren mit verhältnismäßig hohem Dampfdruck, wie zum Beispiel Essig- oder Propionsäure, verwendet. Selbst wenn man andere aliphatische Carbonsäuren mit verhältnismäßig niedrigem Dampfdruck, wie Butter- oder Valeriansäure, verwendet, ist die Bildungsgeschwindigkeit für das Siliciumdioxid trotz der verhältnismäßig geringen Wirkung dieser Säuren noch größer als bei dem bekannten Verfahren. Dies ist auf den Unterschied hinsichtlich des Dampfdrucks der aliphatischen Carbonsäuren zurückzuführen. Falls daher der Dampfdruck einer aliphatischen Carbonsäure mit niedrigem Dampfdruck durch Erhitzen erhöht wird, erzielt man die gleiche Wirkung wie bei Verwendung einer aliphatischen Carbonsäure mit verhältnismäßig großem Dampfdruck. In diesem Fall benötigt man jedoch eine umständliche Apparatur. Aus diesem Grund wird bei der technischen Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens Essigsäure bevorzugt angewandt.
Die Erfindung wird nun anhand der folgenden
Beschreibung und der Zeichnung weiter erläutert.
Die Zeichnung stellt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dar. Bei der in der Zeichnung
dargestellten Vorrichtung wird ein Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, von einer Seite der Vorrichtung in einen mit einem Organooxysilan beschickten Verdampfer 3 geleitet, wobei das Oganooxysilan mit einem Thermostat 2, der beispielsweise mit einer S Heizvorrichtung 1 kombiniert ist, auf konstantem Dampfdruck gehalten und das Inertgas mit dem Organooxysilandampf vermischt wird. Von der anderen Seite der Vorrichtung her wird ein Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, in einen mit einer aliphatischen Carbonsäure, wie Essigsäure, beschickten Verdampfer 6 eingeleitet, wobei die aliphatische Carbonsäure mit Hilfe eines Thermostaten 5, der beispielsweise mit einer Heizvorrichtung 4 kombiniert ist, auf konstantem Dampfdruck gehalten wird; das Inertgas wird in dieser i* Verfahrensstufe gründlich mit dem Essigsäuredampf vermischt.
Die durch getrenntes Vermischen von gasförmigen Organooxysilan und gasförmiger Essigsäure mit einem Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, erhaltenen Mischgase werden gründlich in einer Gasmischvorrichtung 7 miteinander vermischt, wobei man ein Organooxysilan und Essigsäure enthaltendes Reaktionsgas erhält. Dieses Reaktionsgas wird dann in einen Reaktor 8 eingeführt, in welchem ein Siliciumdioxidfilm durch Umsetzung des Organooxysilans mit Essigsäure auf der Oberfläche eines auf einer Heizplatte 10 befindlichen Halbleitersubstrats 11 gebildet wird. Die Heizplatte 10 wird hierbei mit einer Heizvorrichtung 9 auf eine Temperatur zwischen 3000C und 6000C erhitzt; als Heizvorrichtung eignen sich beispielsweise ein Hochfrequenzofen oder -erhitzer, eine Infrarotlampenheizvorrichtung oder eine Widerstandsheizvorrichtung. In der Zeichnung bedeuten 12 und 13 Absperrvorrichtungen zum Regeln der Fließgeschwindigkeit des Inertgases.
Als Organooxysilane eignen sich für das erfindungsgemäße Verfahren beispielsweise Tetraathoxysilan, Äthyltriäthoxysilan, Vinyltriäthoxysilan, Phenyltriäthoxysilan, Amyltriäthoxysilan und Dimethyldiäthoxysilan.
Verwendet man bei dem erfindungsgemäßen Verfahren Tetraathoxysilan als Organosilan, so kann das Mol-Verhältnis von Essigsäure zu Teiraoxysilan wahlweise zwischen 0,5 — 5 :1 liegen. Insbesondere bei einem Verhältnis von 2—4 :1 nimmt die Wachstumsgeschwindigkeit des Siliciumdioxids bei einer Umsetzungstemperatur von 6000C um das Fünffache gegenüber der Wachstumsgeschwindigkeit ohne Zusatz von Essigsäure zu. Selbst wenn man Propionsäure anstelle von Essigsäure anwendet, läßt sich die gleiche Wirkung erzielen.
Falls die Umsetzungstemperatur über 6000C liegt, hängt die Wachstumsgeschwindigkeit des Siliciumdioxid Films von der thermischen Zersetzungsgeschwindigkeit des Organooxysilans ab und der Einfluß der Essigsäure oder analoger Verbindungen auf die Beschleunigung der Umsetzung nimmt merklich ab. Andererseits ist die Wachstumsgeschwindigkeit des Siliciumdioxid-Films bei Temperaturen unter 300°C gering; aus diesem Grund wählt man eine derartige Temperatur nicht für die technische Ausführung des Verfahrens.
Aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens kann man also einen Siliciumdioxid-Film auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats in einer nicht sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einer verhältnismäßig niedrigen TemDeratur von 300°C bis 600°C erzielen. Aus diesem
Grund ist die Auswahl der Substratmaterialien bei der Erfindung kaum begrenzt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann man einen Siliciumdioxid-Film nicht nur auf die Oberfläche eines Siliciumsubstrats aufbringen, sondern auch auf ein beispielsweise leicht an der Oberfläche oxidierbares Substrat, wie Germanium, ferner auf niedrigschmelzender Halbleiter, wie Indium-Antimon-Verbindungen, sowie b^i erhöhter Temperatur leicht zersetzliche Materialien, wie Galliumarsenid.
Bei der praktischen Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Erhitzungstemperatur für das Reaktionsgas und das Substrat verhältnismäßig niedrig zwischen 3000C und 6000C liegen; dadurch kann man bei der technischen Ausführung sogar Infrarotlampen mit Erfolg anwenden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren müssen also nicht bestimmte Halbleitersubstrate angewandt werden, sondern es eignen sich alle Feststoffe, die beim Erhitzen auf 3000C bis 6000C beständig sind.
Die Erfindung wird nun anhand der folgenden Beispiele weiter erläutert.
Beispiel 1
Stickstoff wurde als Trägergas in einer Menge von 200 ml/Min, in einen auf 700C erhitzten und mit Tetraathoxysilan beschickten Verdampfer und in einer Menge von 300 ml/Min, in einen mit Eisessig beschickten und auf 500C erwärmten Verdampfer eingeleitet. Dabei wurde ein Gemisch von gasförmigen Tetreäthoxysilan mit Stickstoff und von gasförmiger Essigsäure mit Sticksuff erhalten. Diese beiden Mischgase werden in eine Gasmischvorrichtung geleitet und gründlich miteinander vermischt, wobei ein Reaktionsgas aus Tetraathoxysilan, Essigsäure und Stickstoff erhalten wurde. Dann wurde das Reaktionsgas in einen Reaktor eingeleitet, in welchem die folgende Umsetzung auf der Oberfläche eines mit Infrarotlampen auf 4400C erhitzten Siliciumsubstrats erfolgte:
Si(OC2Hs)4+ 4CH3COOH
- SiO2 + 4CH3COOC2H5 + 2 H2O
Der Siliciumdioxid-Film bildete sich hierbei auf der Oberfläche des Substrats mit einer Geschwindigkeit von 0,11 Micron/Std. Der so gebildete Siliciumdioxid-Film war praktisch gleichwertig mit einem Siliciumdioxid-Film, der in bekannter Weise durch thermisches Zersetzen von Tetraathoxysilan in Stickstoffatmosphäre bei 650°C erhalten wurde.
Das gleiche Ergebnis wie oben erhält man, wenn man statt des Siliciums Germanium (GE), Indium-Antimon (InSb) oder Indium-Arsenid (InAs) verwendet.
Beispiel 2
Das im Beispiel 1 beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei jedoch Propionsäure anstelle von Eisessig verwendet wurde; ein Siliciumsubstrat wurde auf 5200C erhitzt, wobei sich ein Siliciumdioxid-Film auf der Oberfläche des Siliciumsubstrats bildete. In diesem Fall betrug die Wachstumsgeschwindigkeit des Siliciumdioxid-Films 0,3 Micron/Std. Die Eigenschaften des Films waren die gleichen wie im Beispiel 1.
Beispiel 3
Gemäß dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde Stickstoff mit einer Fließgeschwindigkeit von 200 ml/Min, in einen auf 70°C erwärmten, mit Tetraathoxysilan beschicken Verdampfer und in einer Menge von 300 ml/Min, in einen auf 400C erwärmten,
mit Eisessig beschickten Verdampfer geleitet. Dabei bildet sich ein Reaktionsgas aus gasförmigem Tetraäthoxysilan, gasförmiger Essigsäure und Stickstoff. Dieses Reaktionsgas wurde in einen Reaktor eingebracht und auf einem mit Infrarotlampen auf 5200C erhitzten Siliciumsubstrat zersetzt. Dabei bildete sich ein Siliciumdioxid-Film mit einer Wachstumsgeschwindigkeit von 0,5 Micron/Std. Der so gebildete Siliciumdioxid-Film wurde anschließend durch etwa einstiindiges Erhitzen auf 8000C in Stickstoffatmosphäre verdichtet. Der so behandelte Film wies einen Brechungsindex von 1,45 und eine Dichte von 2,23 auf. Die Qualität des so erhaltenen Films war ebensogut wie ein durch gewöhnliches thermisches Zersetzen erhaltener Siliciumdioxid-Film.
Wie sich aus der vorangegangenen Beschreibung ergibt, kann man Siliciumdioxid-Filme durch thermisches Zersetzen von Organooxysilanen bei niedrigen Temperaturen erhalten. Die Ausführbarkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens bei niedrigen Temperaturen führt zu dem Vorteil, daß man weitgehend beliebige Substanzen als Substrat verwenden kann. Außerdem läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren in einer einfachen Vorrichtung ausführen. Die Erfindung besitzt somit großen technischen Wert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht auf der Oberfläche eines erhitzten Substrates durch chemische Reaktion aus der Dampfphase unter Verwendung eines Organosiloxans und eines Inertgases, dadurch gekennzeichnet, daß ein dampfförmiges bzw. gasförmiges Gemisch des Organosiloxans, einer aliphatischen Carbonsäure und des Inertgases auf die Oberfläche des auf 300 bis 6000C erhitzten Substrates geleitet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Organooxysilan Tetraäthoxysilan oder Äthyitriäthoxysilan verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als aliphatische Carbonsäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure oder VaIeriansäure anwendet.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Substrat Silicium, Germanium, eine Indium-Antimon-Verbindung, Galliumarsenid oder Indiumarsenid verwendet.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Inertgas Stickstoff oder Argon anwendet.
DE671771145A 1967-04-11 1968-04-10 Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht Expired DE1771145C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2377367 1967-04-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1771145A1 DE1771145A1 (de) 1971-11-25
DE1771145B2 true DE1771145B2 (de) 1977-04-07
DE1771145C3 DE1771145C3 (de) 1979-03-08

Family

ID=12119644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE671771145A Expired DE1771145C3 (de) 1967-04-11 1968-04-10 Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3556841A (de)
DE (1) DE1771145C3 (de)
FR (1) FR1577956A (de)
GB (1) GB1174755A (de)
NL (1) NL140296B (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5137147B2 (de) * 1971-08-20 1976-10-14
GB1483144A (en) * 1975-04-07 1977-08-17 British Petroleum Co Protective films
GB2043040B (en) * 1978-12-07 1982-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Method for preventing leaching of contaminants from solid surfaces
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
US4717596A (en) * 1985-10-30 1988-01-05 International Business Machines Corporation Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control
US4687682A (en) * 1986-05-02 1987-08-18 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. Back sealing of silicon wafers
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica
US6004885A (en) * 1991-12-26 1999-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Thin film formation on semiconductor wafer
US6114216A (en) * 1996-11-13 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation
WO2001029282A2 (en) * 1999-10-20 2001-04-26 Cvd Systems, Inc. Fluid processing system
US9169552B2 (en) 2009-09-04 2015-10-27 Wieland-Werke Ag Process for depositing ceramic or organoceramic material on a substrate
DE102012104357A1 (de) 2012-05-21 2013-11-21 Rehau Ag + Co. Verfahren zur Beschichtung eines Formteils
KR101688512B1 (ko) * 2014-06-03 2017-01-03 한국에너지기술연구원 복합체 대량 합성장치, 복합체 합성장치용 반응기 및 이를 이용한 복합체 합성방법
US20220389572A1 (en) 2019-11-06 2022-12-08 Wieland-Werke Ag Method for coating a component

Also Published As

Publication number Publication date
NL140296B (nl) 1973-11-15
FR1577956A (de) 1969-08-14
US3556841A (en) 1971-01-19
NL6805067A (de) 1968-10-14
GB1174755A (en) 1969-12-17
DE1771145C3 (de) 1979-03-08
DE1771145A1 (de) 1971-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1771145C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxidschicht
DE1914411B2 (de) Beschichtung durch thermische zersetzung oder reaktion chemi scher verbindungen bei erhoehter temperatur
DE19829309A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid
DE2557079C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht
DE69105404T2 (de) Verfahren zum Erzeugen einer Siliziumdioxid-Schicht auf einem Substrat mittels chemischer Dampfphasenabscheidung bei niedrigem Druck(LPCVD).
DE3249203T1 (de) Verfahren zum aufdampfen von ueberzuegen
EP0015315A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kieselsäure mittels Flammenhydrolyse
DE2306614A1 (de) Verfahren zum eindiffundieren von arsen aus der festen phase in silicium
DE3687529T2 (de) Herstellung von graphiteinlagerungsverbindung und gedopte carbonfilme.
DE102016114809B4 (de) Verfahren zum Verbessern des Wachstums von polykristallinem Silizium in einem Reaktor
DE1213054B (de) Diffusionsverfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DD256151B5 (de) Verfahren zur erzeugnung von oberflaechenschichten
DE1521605A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Oxidfilmen auf Unterlagen
DE69919788T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus Titan- und Siliziumdioxid
DE2339183A1 (de) Verfahren zum aufwachsen einer epitaxieschicht auf einem einkristallinen, in seiner zusammensetzung mit ihr nicht identischen substrat
DE1544287B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus Siliciumnitrid
DE1771575B2 (de) Verfahten zum herstellen eines titandioxidfilms
DE69801011T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Gasgemisches enthaltend ein Trägergas, eine oxidierendes Gas und ein Silan
DE1614455C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
DE1814579C3 (de) Verfahren zum Herstellen von AIuminiumnitridüberzügen
DE2212295B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium- oder Germanium-Epitaxialschichten
DE2807475A1 (de) Phosphor und stickstoff enthaltendes material, seine herstellung und verwendung
DE1269559B (de) Verfahren zur Korrosionsschutzbehandlung von Gegenstaenden aus Graphit und nach diesem Verfahren behandelte Graphitgegenstaende
DE2209776A1 (de) Diffusionsverfahren für Halbleiter mit flüssigen Dotierungsstoffen
DE1769177C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Aluminiumsilikat-Schicht auf Halbleitermaterial

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee