DE1764873C - Photoempfindliche Vorrichtung - Google Patents

Photoempfindliche Vorrichtung

Info

Publication number
DE1764873C
DE1764873C DE1764873C DE 1764873 C DE1764873 C DE 1764873C DE 1764873 C DE1764873 C DE 1764873C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electrodes
photosensitive
attached
auxiliary electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Albert Christiaan; Santen Johannes Gerrit van; Renirie Fredericus Hendricus Ignatius; Eindhoven Aten (Niederlande)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication date

Links

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein photoempfindliche Vorrichtung mi: einer Schicht, die photoempfindliche Körner enthält, die durch ein isolierendes Bindemittel zusammengehalten werden, wobei die photoempfindliche Schicht etwa einen Korndurchmesser dick ist und mit mindestens zwei Elektroden versehen ist, an denen je ein Anschlußleiter 4°- befestigt ist.
Bekannt sind Photowiderstände mit einer Schicht aus photoempfindlichem Material, häufig einer Α,,Βνι-Verbindung, z. B. Kadmiur.isulfid, wobei auf einer Oberfläche der Schicht zwei Elektroden angebracht sind, an denen Anschlußleiter befestigt sind. Bei Massenfertigung ist es sehr wichtig, daß die mit Anschlußleitern versehenen Elektroden auf der gleichen Seite der Schicht liegen.
Bei einer bekannten Art von photoempfindlichen Vorrichtungen besteht die Schicht aus einer sogenannten Einkornschicht, d. h. einer Kornschicht, die etwa einen Korndurchmesser dick ist und bei der die photoempfindlichen Körner durch ein isolierendes Bindemittel zusammengehalten werden. Im Gegensatz zu andersartigen bekannten Photowiderständen, die eine kontinuierliche phtoempfindliche Schicht aufweisen, so daß die Elektroden auf der gleichen Seite der Schicht angebracht werden können, müssen bei den erwähnten Vorrichtungen mit einer Einkornschicht die Elektroden und die Anschlußleiter auf verschiedenen Seiten der Schicht angebracht werden, weil die Einkornschicht keine elektrische Leitung in seitlicher Richtung aufweist. Dabei ist mindestens eine der Elektroden durchlässig für Strahlung im gewünschten Frequenzbereich.
')ie Tatsache, daß bei diesen pholocmpfincllichcii Vorrichtungen die Elektroden auf beiden Seiten der Einkornschicht liegen, ist aus dem Gesichtspunkt der Fertigungstechnik als ein ernster Nachteil zu betrachten. Die Massenfertigung dieser Vorrichtungen könnte erheblich einfacher und somit billiger sein, wenn sich die beiden mit Anschlu31eitern versehenen Elektroden auf der gleichen Seite der Einkornschicht befinden würden.
Die Erfindung bezweckt, eine photoempfindliche Vorrichtung mit einer Hinkornschicht zu schaffen, bei der die beiden mit Anschlußleitern versehenen Elektroden auf der gleichen Seite der Einkornschicht Hegen, und sie beruht auf der Erkenntnis, daß dies durch Anwendung einer Hilfselektrodenschicht einfach erreichbar ist.
Eine photoempfindliche Vorrichtung der eingangs erwähnten Art ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß nur auf einer Seite der Schicht Elektroden, an denen ein Anschlußleiter befestigt isi. angebracht sind, während die gegenüberliegende Seite der Schicht mit einer Hilfselektrodenschichi versehen ist, die wenigstens für einen Teil des Frequenzbereiches der auf die photoempfindliche Schicht einfallenden Strahlung durchlässig ist.
Durch den Zusatz einer Hilfselektrode geht h^i erfindungsgemäßen photoernpfindlichen Vorrichtungen ein die Vorrichtung durchfließender Strom zweimal in einer Richtung quer zur Schichtrichtung durch die Schicht. Infolgedessen wird der effektive Abstand zwischen den Elektroden durch die Schichtdicke bedingt; der wirkliche Abstand zwischen den Elektroden ist nicht kritisch und kann unbedenklich dem Fertigungsverfahren angepaßt werden.
Weiter ist es wichtig, daß bei Anwendung der Erfindung die Durchschlagspannung der Vorrichtung höher als bei vergleichbaren Vorrichtungen der bekannten Typen ist.
Außerdem tritt bei Anwendung der Erfindung eine Ausgleichwirkung für unerwünschte Photo- und Thermospannur.gen auf, da, we'.' der Strom die Schicht sowohl in der einen als auch in der entgegengesetzten Richtung durchfließt, etwaige innere elektromotorische Kräfte sowohl mit der einen als auch mit der entgegengesetzten Polarität auftreten.
Dadurch, daß eine durchlässige Hilfselektrodenschicht verwendet wird, kann die Strahlung durch die Hilfselektrodenschicht einfallen. Dies hat den Vorteil, daß die gesamte Fläche der Schicht als empfindliche Fläche benutzt werden kann. Bei den beschriebenen bekannten Photowiderständen muß ein Teil der Oberfläche für die Befestigung eines oder zweier Anschlußleiter benutzt werden.
Ein weiterer wichtiger Vorteil der Erfindung ist, daß die Wärmeableitung verbessert weiden kann. Die Wärmeableitung muß an erster Stelle durch die Anschlußleiter erfolgen. Wenn nun ein Anschlußleiter an der Oberfläche, auf die die Strahlung auffällt, befestigt werdet· .nuß, wird die für die Befestigung erforderliche Fläche möglichst klein gehalten, um einen möglichst großen Teil der Oberfläche als empfindliche Fläche benutzen zu können, mit der Folge, daß auch die wärmeleitende Berührung zwischen dem Anschlußleiter und der Elektrode beschränkt ist. Bei Verwendung einer durchsichtigen Hilfselektrodenschicht kann ein möglichst großer Teil der beiden Elektroden für die Befestigung der Anschlußleiter benutzt werden, wodurch die Wärmeableitung erheblich verbessert wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der
Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Die Figur zeigt schematisch einen Schnitt durch eine Ausführungsform einer photoempfindlichen Vorrichtung gemäß der Erfindung.
Beim Ausführungsbeispiel besteht die photoemp- S findliche Schicht aus einer Einkornschicht 21, 22, d. h. einer Kornschicht, die etwa ein^n Korndurchmesser dick ist und photoempfindliche Körner 21 enthält, die durch ein isolierendes Bindemittel 22 zusammengehalten werden. Die Körner21 bestehen z.B. aus Kadmiumsulfid, das mit 0,1 bis 0,01 Atomprozent Kupfer datiert ist. Der Korndurchmesser beträgt etwa 40 μπι. Das isolierende Bindemittel 22 ist ein Polyurethanharz und erstreckt sich nur über einen Teil der Schichtdicke, so daß Teile der Körner 21 aus dem Bindemittel herausragen, wodurch Kontaktierung mit den Elektroden 23 und 24 und der Hilfselektrodenschicht 25 ermöglicht wird.
Die Elektroden 23, 24 sind auf eine übliche Weise mit Anschlußleitern 26 und 27 versehen. Die Hilfs- ao elektrodenschicht 25 ist nicht mit einem Anschlußleiter versehen, d. h. nicht mit einem Änschlußleiter, der zum Anlegen einer Vorspannung an die Hilfsdektrodenschicht bestimmt ist.
Die Elektroden23 und 24 bestehen z.B. auc In- as dium und sind etwa 0,3 μΐη dick. Die Hiifselektrodenschicht 25 kann eine 100 A dicke Indiumschicht sein, und die Vorrichtung kann auf übliche V/eise mit einer ■es?«
als beim Fehlen dieser Verbindung
Die Erfindung ist offensichtlich nicht aut die De
manche Abänderungen
Es tonnen
snlfid Materialien wie Silizium, Selenide undI IeI iuride oder Gemische aus photoernpnndhcher,Materialien insbesondere Gemischen aus Αι,Βν,-V erbindungen in Betracht, wobei diese Matnalien auf She Weise mit üblichen Dotieningsstoffen dot.er sein können. Die durchsichtige Hnftdektiodcnschjcht kann ζ B. aus einer dünnen Goldschicht bestehen.
Hierzu !Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Photoempfindliche Vorrichtung mit einer Schicht, die photoempfindliche Körner enthält, die durch ein isolierendes Bindemittel zusammengehalten werden, wobei die photoempfindliche Schicht etwa einen Korndurchmesser dick ist und mit mindestens zwei Elektroden versehen ist, an denen ein Anschlußleiter befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß nur auf einer Seite der Schicht (21, 22) Elektroden (23, 24), an denen ein Anschlußleiter (26, 27) befestigt ist, angebracht sind, während die gegenüberliegende Seite der Schicht (21, 22) mit einer Hilfselektrodenschicht (25) versehen ist, die wenigstens für einen Teil des Frequi_P7bereiches der auf die photoempfindliche Schicht (21, 22) einfallenden Strahlung durchlässig ist.
2. Photoempfindliche Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindlichen Körner (21) aus einer oder mehreren A||BvrVerbindungen bestehen.
3. Schaltung, die eine photoempfindliche Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Elektroden (23, 24) eine Potentialdifferenz angelegt wird und die HilfselekUodenschicht (25) schwebend ist.

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1564475C2 (de) Feldeffektanordnung
DE2235783C2 (de) Metalloxid-Varistorelement
DE1489893B1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2312413B2 (de) Verfahren zur herstellung eines matrixschaltkreises
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE2140107A1 (de) Fotodetektoranordnung
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE1906479C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2031082C2 (de) Planares Halbleiterbauelement
DE2837762C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Triacs
DE1258518B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer gelochten Isolierschicht ueber einer eingelassenen Zone
DE1764873C (de) Photoempfindliche Vorrichtung
DE1614233B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2026036C3 (de) Hochspannungs-Planarhalbleiter-Bauelement
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE1073032B (de) Einrichtung zum Abfuhlen von Magnetfeldern
DE2220924C3 (de) Oberflächenwellenfilter für einen Farbfernsehempfänger
DE1764873B1 (de) Photoempfindliche Vorrichtung
DE3035933A1 (de) Pyroelektrischer detektor sowie verfahren zur herstellung eines solchen detektors
DE2029058C2 (de) Halbleiteranordnung mit mindestens zwei Feldeffekttransistoren mit isolierter Gateelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1904198A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2012945C3 (de) Halbleiterbauelement
DE2643446C2 (de)
DE1813551C3 (de) Hochfrequenz-Planartransistor
DE2632248C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anzahl von Infrarotdetektorelementen