DE1762097A1 - B-Verstaerker mit Transistoren - Google Patents
B-Verstaerker mit TransistorenInfo
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- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
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Description
Braunschweig, don 3,1. 1968 Unser Zeichen: Kl/kl - M 78(i
The Marconi Company Limited IZnr?;! i sh Electric House / Strand
London ^0C.2 / England
D-Verstärker mit Transistoren A
Die Erfindung betrifft Transistor-Verstärker, insbesondere B-Vorstärker mit Transistoren.
B-Verstärker ,verrlen oftmals verwendet ,wenn eine lineare
Lei .stungsverstärkung; , d.h. eine Leistungsverstärk'in.>:,bei
der das Undingssignal dem Eingangssignal so nahe wie möglich
streng proportional ist, gefordert wird.Die Wahl der H-Verstärkung
in derartigen Fällen wird getroffen,weil A-Verstärker
einen relativ geringen Wirkungsgrad haben ,C-Verstärker jedoch ä
Signalverzerrungen verursachen.In Fällen, bei denen eine
gute Linearität der Leistungsverstärkung eine Betriebsforderung
ist, ein wichtiges Beispiel liierfür sind Verstärker für Einseitenbandbetrieb bei Rundfunksendern und dergl., werden
gewöhnlich B-Verstärker gewählt.
'.Yie bekannt,ist es erforderlich, korrekte Vorspannungen zu
erzielen, falls ein B-Verstärker nur geringe oder vernachlässigbar
kleine,Signalverzerrungen über einen weiten Leistungsbereich
009815/1170
verursachen darf. Im FnIl eines B-Verstärkers mit Röhren
ist dies nicht schwierig, da es lediglich nutwendig ist, einen statischen Arbeitspunkt zu wählen, indem dem Rölireneitter
eine geeignete Vorspannung zugeführt wird und damit eine stabile Arbeitsweise erzielt wird, im Fiill eines B-Verstärkers
mit Transistoren ergeben sich jedoch ernstliche Schwierigkeiten,
in der Praxis die richtige Vorspannung zu erzielen, weil
fe Hochfrequenztransistoren auf Temperaturänderuntren sehr empfindlich reagieren und einen niedrigen ickundärdurchbruchsitinkt
haben. Während man einen Transistor-B-Verstärker unter Labor-Bedingungen innerhalb eines weiten keistungsbereichs zufiedanstellend betreiben kann, indem man sorgfältig die Vorspannung
bei jeder wesentlichen Änderung der Ausgangsleistung nachstellt,
ist es sehr schwierig, einen zufriedenstellenden Betrieb über einen weiten Leistungsbereich im betriebsmäßigen Einsatz
zu erzielen, bei dem ein Verstärker bei einer Anzahl verschiedener Frequenzen sowie bei verschiedenen und schwankenden
Leistungspegeln arbeiten muß und möglicherweise in weitem Bereich schwankenden Umgebungstemperaturen unter Bedingungen
ausgesetzt ist, bei denen ein Bedarf für wiederholte Vorspannungs-Nachstellungen nicht zulässig ist, weil der erforderliche
erfahrene Techniker fehlt,bzw*aus anderen praktischen Gründen.
Soweit der Anmelderin bekannt, ist das seit Langem anstehende Problem der automatischen Erzeugung der richtigen Vorspannung
eines B-Verstärkers ,der innerhalb eines «reiten Leistungsbereichs in einem weiten Umgebungstemperaturbereich arbeitet,
bislang ungelöst geblieben. Die Erfindung zielt darauf ab,
dieses Problem zu lasen. -
009β15/11''° «0
—.J —
176,:097
Die M'findung ist nachfolgend im Zusammenhang mit Her
Zeichnung beschrieben. Darin zeigt
Firur 1 ein Schaltbild einer bekannten und verbreitet angewandten
Vorspannungaschaltung. Dieses schaltbild dient zur Erläuterung einiger der Schwierigkeiten,die die
Erfindung zu vermeiden sucht.
Figur 2 zeigt ein Schaltbild einer Uisführungsform der Erfindung
und
Figur 3 ist eine erläuternde grafische Darstellung.
In Figur 1 bezeichnet T.· den Transistor, für den die Vorspannung
geschiffcn werden muß und der im D-Betrieb arbeitet. Die zu
vorstärkenden Eingangssignale werden von der Eingangsklemme
über einen Kondensator wie dargestellt der Basis des Transistors zugeführt und das verstärkte Ausgangssignal wird von dessen
Kollektor abgeleitet und der Ausgangssignalklemme 2 zugeführt.
Eine positive Vorspannungsquelle (nicht dargestellt) ,deren typische Spannung zwischen O und +-5 Volt liegt, ist mit der
Klemme 3 verbunden. Ein Widerstand 1, typisch etwa 100 Ohm, verbindet die Klömme. 3 mit Hem Verbindungspunkt 5 einer
HF-Drossel ti und eines Widerstandes 7. Dabei ist die andere Seite Her HF-Dro^sel rr.it tier Basis des Transistors verbunden
und da« andere i-nrie des Widerstandes 7 ist geerdet. Ein
Kondensator β ist zu dem AiHerstand 7 paral !einschaltet.
Typische praktische Werte für die elemente 7 und 8 sind 30 Ohm
und 0, t ^uP.
Diese bekannte schaltung hat die folgenden praktischen Nachteile:
009815/1170 8AD
\, Ändert sich die Temperatur der Transistor-Sperrschicht um
einen wesentlichen Betrag, so ändert sich auch der KoI J ektorstrorn.
2. Es tritt ein erheblicher Leistungsverlust auf, um die
erforderliche niederohmige Vorspannungsquelle bereitzustelj.eifv
und *
3. Damit der Verstärker optimal arbeitet,muß die Vorspannung
von der Quelle bei 3 bei wesentlichen Änderungen des Ausgangs
leistungspegcls nachgestellt werden.
Durch die Erfindung wird ein besserer B-Verstärker tni% Transistoren geschaffen, der diese Nichteile nicht aufweist.
Gemäß der Lrfindung weist ein B-Verstärker mit Transistoren
einen im B-Betrieb arbeitenden Transistor und eine Vorspannungsschaltung dafür auf, die einen Vorspannungstransistor enthält,
dessen Basis eine Spannung von einer Vorspannungsquelle zugeführt wird und dessen Ausgang der Basis des Verstärkertransistors
über eine Verbindung zugeführt wird, die einen durch einen Widerstand überbrückten weiteren Transistor enthält, dessen
Sättigungsspannung unter der Sperrspannung des im B-Betrieb
arbeitenden Transistors liegt.
Vorzugsweise ist die Vorspannungsquelle mit dem Kollektor des Vorspannunestransistors über einen hochohmiffen Widerstand
verbunden und die Basis des VorspannunjiStransistors ist mit dem
Verbindungspunkt eines Spannungsteilers zwischen der Vorspannung
quelle und tirde verbunden. Vorzugsweise ist der widerstand
zwischen der Vorsfiannungs quelle und dem Kollektor des Vor
spannuncstransi stor-s einstellbar.
009 815/1170 BAD OWQINAL
Weiterhin vorzugsweise ist der Emitter des Vorspannungstransistors
direkt mit der Basis des weiteren Transistors verbunden, dessen Emitter geerdet ist und dessen Kollektor mit der Basis
des im B-Betrieb arbeitenden Transistors verbunden ist.
Ein einsteilbarer Widerstand verbindet dabei die Basis und den Kollektor des genannten weiteren Transistors.
In Fifiur 2 bezeichnet T1 wieder den im B-Betrieb arbeitenden
Transistor,für den eine Vorspannung erzeugt werden muß. Die Signal-Eingangs- und Ausgangsklemmen sind mit 1 bzw.2 bezeichnet
und 6 bzweö bezeichnen eine HF-Drossel und einen Kondensator
wie in Figur 1. Eine positive Spannung, typisch etwa +4 Volt, wird von einer Quelle (nicht dargestellt) über eine
Klemme 3 zugeführt, die über einen einstellbaren widerstand Rl mit einer Reihenschaltung aus einem Widerstand R2 und einem
geerdeten »viderstand R3 verbunden ist. Der Verbindungspunkt der
Aiderst'inde R2 und R3 ist mit der Basis eines Transistors T2 verbunden. Klemme 3 ist weiterhin über den vorgenannten Widerstand
Rl in Reihenschaltung mit einem weiteren widerstand R4 mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden.
Der Emitter von T2 ist mit der Basis eines weiteren Transistors
T.3 verbunden, dessen Emitter geerdet ist und dessen Kollektor
mit dem Verbindungspunkt 5 der HF-Drossel 6 mit dem Kondensator 8 verbunden ist. Ein einstellbarer Widerstand R5 überbrückt
den Transistor T3 zwischen Basis und Kollektor.
Der Transistor T3 ist so gewählt und geschaltet, daß seine Sättigungsspannung unterhalb der Sperrspannung von Tl liegt
0 0 9 815/1170 BA&
-ο-
und der Widerstand K5 ist so eingestellt, daß die erforderliche
Vorspannung V. von dem Kollektor voh T3 der Basis von Tl
zugeführt wird.
Die Arbeitsweise der Vorspannungsschaltung nach Figur 2 wird aus Figur 3 verständlich, die in grafischer Darstellung den
Zusammenhang zwischen der Vorspannung V. ( Abszisse) und dem
Vorspannungsstrom I. (Ordinate) zeigt· Wie ersichtlich, zeigt die Kurve drei ausgeprägte,im wesentlichen lineare Anteile
X1Y und Z, wobei die genaue Charakteristik natürlich durch die
Werte der verwendeten Bauelemente bestimmt ist. Der Teil X verläuft von im wesentlichen null betragenden Wert des Vorspannungsstroms I. (I. » 0 ) bis zu einem Wert des Vorstroms
I. a I4 , bei dem der Kollektorstrom von To null ist. Eine
b 1
Änderung des Widerstandes R5 verursacht eine Änderung der
Vorspannung Vfe über dem Aeil X der Charakteristik , wie durch
die gestrichelte Linie AR5 in Figur 3 angedeutet wird. Der ψ mit IN markierte Pfeil gibt dabei die Änderung an, die durch eine
Zunahme von R5 bewirkt wird und der mit DE bezeichnete ^feil
gibt die Änderung an,die durch eine Verkleinerung des Wertes
von R5 bewirkt wird. Ist R5 einmal so eingestellt, daß sich der
gewünschte Wert von V. ergibt,so ruft eine Änderung des Vor-
f Stroms Ib über dem Teil A der Charakteristik von Ib · 0 bis
j ^b-1I (wobei der Kollektorstrom von T3 null ist ) keine
Änderung der Vorspannung V. hervor, da über dem Kennlinienteil X jede Zunahme des Vorstroms Ifa zu einer ausgleichenden Abnahme
des Kollektorstroms von T3 führt.
(JQt8i5/117i 1
Kollektorstrom von T3 null ist, so fuhrt jede weitere Zunahme
des t'cnairiten Vorstroms lediglich zu einer Zunahme des Stroms
durch R5, wodurch eine proportionale Abnahme der Vorspannung
V. erzielt wird und die Schaltung nun im Teil Y der Kennlinie gemä1* Fi "ur .">
arbeitet, !.her diesem Teil 'ler Kennlinie bleibt
die Spannung V am Emitter des Transistors T2 und an der
Basis des Transistors T3 konstant und tier rjnitterstrom I
des Transistors T2 fließt durch den Widerstand R5. M
Der vorstehend beschriebene Betrieb erfolgt auf dem Teil Y
der Oi irakteristik gemäß Fi mir 3 , bis der- erste Transistor
Tl gesättigt ist. 1st dies erföl et, so arbeitet die Schaltung
auf dem »eil Z der Kennlinie -remäli Fig.3 und jede weitere
/unalune des \orstroms über den Aert 1., hinaus , bei nein Ϊ2
gesättigt ist, erzeugt einen wesentlichen Kückgarm der
Spannung. V ,da der Widerstand R4 relativ hocholvnig ist.
Kine Kinstellung des Teils Z der Kennlinie wird durch !Einstellung
von Kl bewirkt, wobei die Auswirkung einer derartigen &in- ä
stellung durch die gestrichelte Linie ARl angezeigt wird. Die Wirkung einer Zunahme von R4 wird durch den Pfeil IN und
die Wirkung der Abnahme von Rl durch den Pfeil Di, angedeutet.
Die Schaltung gemäß Finur 1 weist folgende wertvolle Vorteile
1. N u-hdem der Vorspannunersnunkt eingestellt ist,bleibt er
auf -einem uptimalwert ungeachtet der Änderungen im \usgangs-
ieistuncspegel.
1. Die schaltung schafft eine Vorspannungsoueile sehr niedriger Impοdan7.
1. Die schaltung schafft eine Vorspannungsoueile sehr niedriger Impοdan7.
0 0 9 8 15/1170 8^D
3« Sie arbeitet wirtschaftlich und verbraucht wenig ttnergie.
4. Wirkt auf den Transistor T3 im wesentlichen die gleiche
Temperatur ein wie auf den vorgespannten Transistor Tl und hat T3 einen gleichartigen Temperaturgang, so arbeitet die
Schaltung über einen weiten Temneraturbereich zufriedenstellend ohne die Notwendigkeit, die Vorspannung nachstellen
zu müssen.
5. Kine einzige VorspannungsschaJtune kann für die Vorspannung
einer Mehrzahl von Transistoren wie Tl, die im Parallelbetrieb arbeiten, herangezogen werden und
6. Die ochaltung kann so ausgeJe; t of'er eingestellt werden,
daß ihre Kennlinie die gewünschte Form der Art wie die
kennlinie zemäfi Pi&ur 3 hat, um speziellen Transistoren
angepaßt zu werden.
0 0 9 8 1 b / 1 17 0 BAD ORIGINAL
Claims (1)
- Patentansprüche(l·/ B-Verstärker mit Transistoren, gekennzeichnet durch einen im .B-Betrieb arbeitenden Transistor und eine Vorspannungsschaltung dafür, die einen Vorspaimungstransistor enthält, dessen Basis eine Spannung von einer Vorspannungsqueile zugeführt wird und dessen Ausgang der Basis des Verstärkertransistors über eine Verbindung zugeführt wird, die einen durch einen .Virlerstand überbrückten weiteren Transistor enthält, ύ dessen iättigungsspannung unter der Sperrspannung des im B-^ertrieb arbeitenden Transistors liegt.'2e Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet ,daß die Vorspannungsqueile mit dem Kollektor des Vorspannungstransistors über einen hochohmigen Widerstand und die Basis des Vorspannun<rstransistors mit dem Verbindungspunkt eines Spannungsteilers zwischen der Vorspannungsquelle und türde verbunden ist.3c Verstärker nach Anspruch 2,dadurch gekennzeichnet,daß der viderstand zwischen der Vorspannungsquelle und dem KoI Lektor des Vorspannungstransistors einsteilbar ist.4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1-3,dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Vorspannungstransistors direkt mit der Basis des weiteren Transistors verbunden ist,dessen emitter geerdet ist und dessen Kollektor mit der Basis des im B-^etrieb arbeitenden Transistors verbunden ist ,und daß ein einstellbarer Widerstand zwischen Basis und Koilektor des weiteren Transistors geschaltet ist.009815/1170 BAD ORIGINAL40 Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB06007/67A GB1215582A (en) | 1967-04-07 | 1967-04-07 | Improvements in or relating to transistor amplifiers |
GB1600767 | 1967-04-07 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1762097A1 true DE1762097A1 (de) | 1970-04-09 |
DE1762097B2 DE1762097B2 (de) | 1977-04-14 |
DE1762097C3 DE1762097C3 (de) | 1977-12-08 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1580176A (de) | 1969-09-05 |
US3501710A (en) | 1970-03-17 |
DE1762097B2 (de) | 1977-04-14 |
NL6804803A (de) | 1968-10-08 |
GB1215582A (en) | 1970-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |