DE1665794B2 - Verfahren zum Herstellen einer magnet feldabhangigen Widerstandsanordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer magnet feldabhangigen Widerstandsanordnung

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Description

:c;l ί -'SCJ11-.SS. π:·.·;- eiie.uie:: r\. .- er/ i -. N .: ■ a.re:. /^ -."Ie: : ■ !er Aa -pi uciie : bis κ.
der Obcrilachen Ger Hai .!eik-i's. hc\'r--: ,i) dc VuMbieiterscbeib. ii) aui der Arber^unier-
leitend parallel zueinander aus.te: icnleu: ':1cei4! :-ine ihre- ^beriläd-.en. die zum Befesti-
Sireiien au'.ii.-brad".· s-nd: Cen auf der Arb.i' •a.Vi.'r'.ai'.i. (4, xorgcsehen ist,
b) AbM liieifv:;· oder A''-;i;7en der !IaIn- 20 piangcschlitlen liiid ansc'iiießeiid einer Pulior-
ieite-rsche.i-e (!) üiif rtciiiiicr als 'Od.an. ät/ung unler/ogen wird,
aber mein als ! --.n/
ei 1 ösen iici^r Abschwemmen der abi::-
sei: i.'Ienen oder geai/ie.; Halhieilerstlieibe
(ΊΟ1 von der A:heii-un;.· iaiie ί-ί ί. ?5 Die ΐ-rf..^Juni; bc/;ehi sich aiii ein Verfahren zum
d) sto!is;:hiu-,M_:es AuibririLc:· der Haiti- Herstellen einer niagneife!d;':'ba'ng!geii Widersiands- !-.-UCIscheibe ! tOi auf eine beüeii'iz geformte anordiiijng derart geringer iJicke. dali sie beliebig :-;.:riebsrn*-': :ai:e ί i 1. ti. 13. :5. 19,26.3' geformt, z. B nj.:h gekuimmt sein kann, wobei ein 35i: Verfahren schritt im siolTschiüssigen Aufbringen auf
e) Anbringen --. on ei·, .-.'risciien Anschiüs- 30 eine sp lter wieder Ciitici :■ ic ebene Arbeitsunteriage sen (!4. 20 bis 23. 3^ 37; :m dor Halb!, iter- besteh;. FIm derartiges Verfahren ist bekannt aus der scheibe (10). deutschen Patentschrift 1MO !85.
2. Verfahren naJi Anspruch !. dadurch ce- Nach diesem Verfahren können sehr dünne metalkennzcichne!. daß die lseiestituim! der Halbleiter. lischc maunetfeldabhangice Widerstände, die auf scheibe (Ii auf .!er Aibeitsuntciiage (4) durch :,5 einem Trager angeordnet sind, dadurch hergestellt Verkleben mittels einer Kittschic';.t (5) vurcenoni- werden, daß man eine Schieb: e'er, V.'idcrstandsmatemen wird, die bei Zimmertei".;;iLiatur lösbar ist. rials durch elektrohtische Abscheidung auf einem
3. Verfahren nach, .\'isprucli 2. dadurch cc- leitenden Hilfsträger aufwaciv-en ir-LSt. Das Widerkennzeichnet, daß für d:e Kittschicht 'S) ei..i stancismalerial, beispielsweise Wismut, ist dann mit Kapiiiarkleber mit i';-rini.er '-'iskosität verwendet 4" dem als Arbeitsunterlage di ienden Hilfsträger unlöswird. bar verbunden. Anschließend wird der metallische
4. Verfahren nach ».nspruch 1, dadurch ge- Niederschlag mit einem dünnen isolierenden Träger kennzeichnet, dab die auf der Ar.ijitiuntcrkiee (4) abgedeckt und dann der Hilfsträger aufgelöst,
befestigte Halbleiterscheibe ;1) au? einen vorac'"·:1- Hine wesentlich größere Widerstandsänderung im bencn Widerstandswert uiidoder du: gewünschte -Ί5 Magnetfeld erhälr. man bekanntlich mit Widerständen Form und/oder Oberflachenqualität iieiitz' wir·!. au Halbleitermaterial, insbesondere aus den bekann-
5. Verfahren nach Anspruch I. dadurch ge- ten Ap:B\-Verbindungen aus den Elementen C ?r ?. kennzeichnet, daß als Betriebsunterlage eines >de; und ^. Gruppe des periodischen Systems, aber uch mehrerer Halbleiterscheiben (10) der Mantel aus dermanium oder Silizium Solche Widerstände eines Zylinders (12 in F i g. 7 bzw. 31 in Fi g. 13) 5° können aber nicht durch elektrolytische Abscheidung oder ein ο Folie (13 in Fig. 8) b/w. ein geschlos- hergestellt werden. Die Magnetfeldempfindlichkeit seiles Band (15 in F i g. 9) verwendet wird (F i g. 6 dieser Halbleiterwidcrstiinde, der sogenannten FeIdbis 9 und 13). platten, kann dadurch noch wesentlich erhöht wer-
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 den daß der Halbleiterkörper mit Streifen aus elek- und 5, dadurch gekennzeichnet, daß von der 55 irisch gut leitendem Material, z. B. Silber oder Halbleiterscheibe (10) nur die Kontaktstullen auf Indium, versehen wird, wie aus der »Zeitschrift für die Bctriebsunterlage (35) stoffschlüssig aufge- Physik«, Band 176 (1963), Seiten 399 bis 408 bebracht werden, und daß die Halbleiterscheibe (10) kannt ist. Solche Feldplatten sind bekannt unter der so mit der Betriebsunterlage (3S) verbunden wird, Bezeichnung »Rasterfeldplatte«. Ferner kann der daß ihr magnetisch zu beeinflussender Bereich 6o Halbleiterkörper mit parallel zueinander ausgerichtefreitragend ist (Fig. 15). ten Bereichen aus elektrisch besser leitendem Mate-
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 rial versehen sein, die im kristallinen Halbleiterkör- und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die als Auf- per eine zweite Phase bilden und durch gerichtetes lagestellen für die Kontaktstellen der Halbleiter- Erstarren der Halbleiterschmelze entstehen, wie aus rcheibe(lO) vorgesehenen Flächen der Betrieb=- 65 der vorgenannten Literaturstelle ebenfalls bekannt ist. unterlage (35) vor dem Auflegen der Halbleiter- Bei der Anwendung wird die Feldplatte häufig in scheibe (10) metallisiert und mit elektrischen den Luftspalt eines Magneten gesetzt. Die magneti-Anschlüssen (40) versehen werden und daß die sehe Induktion nimmt mit zunehmender Luftspalt-
6 6 5 "Γ °· 4-
b:.':!_. J. h. mi: zitier Aii^.iiiü'MiL; >n Ki jhi; -V-ir.^K-^chcn F-. Je*-. ah M.ni h:r ν.J-. ■!·. Mi:.!h Ίν tinih;. die H;'.i!-i---r;.TM hic'r uni. die I-atic:"1 :i; ni'.'Lli.'hst dünn ■'.· ma-hcn. i r··.·;-c;'-- 1Aj! er· di. _■ FJd;-!.!"cn haul:;· auch (!:inr· :. J: /u dick und -.-.-(k:.:--i:s erfordere (lie 1 !-r^i ■■.'.·; nc ---.-Iv'Π d_r ':·.-gcrpit'iC einen ·■ jiiiiihni^rni-J'ii1 er. :■■" \. ■ .τ-d. denn di.-e Platten s ■;;-;-: s;i m;·.;-.;· -.e:'1 ;;:!· -ι..- ;c"·]; Ab---!ι lei !'en h/u . -\tzen '!er ;:ü'l'-.-'.!!U '.e;-, ! f .i'b c::c: schiclr nichi l>es· hä'dig! '.u r:ie;- Wegen der . ■ ·!■ ier- :■" liehe'-. Stabilität der Triu:c'p!a;'L uarcr. de*·1-.;:! ^ die-.·' FVidphitten nie!;'. ;]v\ibe!
Dv. r ΚγΓιι·:(.;·.!Γ;· ,L-vM . \!;'μ^'^ Μμηη je. .::■ \ ι M ihren zum i icrMel!-. ,1 .M:u: :- !j' c;'cid.i: ■" -.n.·! "Jen Wji! ^:.iiuK;:p.>rdnu;ie ■■'' -:':'λ-":. ^er;r d::p:;>'· ·.-F.:il!-.;e:;erkürper .,* .ίι'-: . ' - ;:; -■-. " ^wcph:;!; Hiili-iiciu-rmjiorial odei riiit einei- Il(1;;c-rfeldpl.!;!e .-u schaffen, deren i'räger oder ^onsiige 'ietnehs-.ir.ierl;iee lizw. eieren Reiesiigunp η i 'k Je: endsiilti>'.cn Bearbeitung des Halbleiterkris'a'N noch frei uahib'-ir --=> i>t und gekrümmt bzw. flexibel sein k'<nn
Aus der »Zeitschrift für angewandte Physik--. Band 16. Heft 4. Seiten ZO1) bis 213 isi war bekann;, daß sehr dünne H.ilhicitcrscinchten aus Indiüinr-;r!!imonid hergestellt werden konner:. Diese Schichte sf. solle?: aber aufgedampft werden. Solche Scmcn;o\ sind jedoch für inagneiieitiabhangiuc Wick-rs'öini-.-anordnungen weniger geeiuntM. weil di.'rch ci.i: Aufdampfen die Triigcrbewegiichkeit des IialMeneiriaterials ungünsti;.' beeinflußt wird, die bei der Feld- -;o platte zur Widerstandserhiihung aasgjnuizt wird.
.Aus »Solid-State ESectnin.es« Pergamon Pres-, 1064. Vol. 7. Seiten 8?5 bis S41 ist auch bekannt, daü aus dem zweiphasigen Ilalblei'ermateria' durch: mechanische Bearbeitung, nämlich Aussägen. Sv.Ii!ei- 3", fen und Polieren. Polarisationsfilter für u!i;arote Strahlung mit seinem sehr dünnen Halbleiterkörper hergestellt werden können. Diese Filtcrseheiben werden jedoch nach ihrer Fertigstellung lediglich mit einer Fassung versehen. Dagecen müssen die f^rtw verarbeiteten Halbleiterkörper für Feldplatten noch mit elektrischen Anschlüssen versehen werden.
Nach einem avis der Zeitschrift »Fein-. erKtechnik:., 1965, Heft 6, Se-te Z82 bekannten Schleif und Polierverfaliren für Halbleiterkörper können besonders tlünne HalblcKcrkörper dadurch hergestellt werden, daß der flache !' ilbleiterkörper zunächst in einer Vorbehandlung auf die gewünschte Dicke geläppt wird. Anschließend wird die so bearbeitete Scheü". für Poliervorgänge auf eine Trägerplatte aufgekittet und einer Wärmebehandlung unterzogen, die den Kitt austrocknen soll. Erhöhte Temperaturen können jedoch bei der Herstellung von magnetfeldabhängigcn Widerstandsanordnungen nicht angewendet werfer-, weil sie die Magnetfeldabhängigkeit des Halbleitermaterials ungünstig beeinflussen.
Die erwähnte Aufgabe wird eiündungsgemäß gelöst durch die Gesamtheit der folgenden Verfahrensschritte
a) lösbare Befestigung einer kristallinen Halbleitcrscheibc auf der Arbeitsunterlage, wobei die Halbleiter scheibe im wesentlichen parallel zueinander ausgerichtete Anschlüsse einer leitenden Phase enthält und/oder wobei auf mindestens einer der Oberflächen der Halbleiterscheibe leitende, parallel zueinander ausgerichtete Streifen aufgebracht sind;
bi Abschleifen oder Abätzen der Halbleiter- -...■i·. ii-e !■:: ν. ν.-:-·;._;,;: .il·- ItH; ^m aber mch·- als
\r Ι·'c-mm-Jη »i.-: abge>chh!- ■■■- M.:!bl.-i"--r>che---.- ^1H de'
A'ifhringe
eine i
n der Fialbleiteru-Betrieb-.unter-
kii!sciier; Anschlüssen
!>:■.· :-:it 'Λ m \'er! -ihien ;· ;■ h der Firiinilung hcry. ■!.i!;_ V- :J: --· .Π:Ν ·ΐ;.·ικί::.ΐ;ι_ kann in einen: selr \:\n-:r Ι.::;;·,ρι:· .'!!'^---,c:." v< j-dcn. dessen Breite ά.- \~>-<k: .:■:■ M:i!ii:c:k:-ch· :rc nicht \'.e-c!:i!ic!: ,i'1.·:- .L i- Γ·- j- τ ·;■-.■' -.IVr1 'A-;.:v'r ·Κ 1('Ι(·..ΐ-.: ,nsbcsond.rt: ■!■ tr,-! ;ir- ο.-;.:.■., Kh... η k:,;;:; Ha die Hau- !•-•itersclicibe /unäciist auf einer Ar'ne:tsunterla;:e (liiüngescl-.liff·.' oder .. a'ii wird, is; sie so ikxibei. daß die Betnc':· .unterlage .!er Widerstandsanordnung nicht nur gekrümmt, sondern auch selbst flexibel scm kann.
Die Widerstandsanordnung hat ferner den Vorteil. daß die aus ihrer Hai!--!cr.-rrsi.-ii ·:ι^ freieew: ■ lene Vcrhr-viv. arme leicht a'-l-.'üi'ar ist. S;- ist eine nur co dew Krütaktsiellen hefcs'.:;-:u und sonst frei in den Riiiim rauende flaHilcitrr-cheibe zur Messung von \Ia«netf-.;idc! η in \eriiü---i^ien Gasen. 7. B. Heliu;n, L-Ut üv'.\;>:-,et.
Du.-, ''.'crfa!'!'/;! jrford-.r; auch nur einen geringen Aufwand, weil lic! Beschädigung der Halbleiter^ scheibe wahrend der Bearbeitung nicht außer dieser Scheibe auch r.och eine Trägerplatte als Ausschuß alifällt.
Bei der Herstellung der Halbleiterscheibe wird die Flüche, mit eier sie auf die Arbeit;.interlace aufgelCi?! werden soll, geschliffen, insbesondere piangeschliffen. und geeebcnc:falls mit leitenden .Streifen ver.ehen UTVi dann die so vorbereitete Halbleiterscheibe zur weiteren Behandlung auf der Arbeitsunterlage bcfestii:!.
Eine besonders vorleilVnfle weitere Ausgestaltuiig des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß die plangeschiifTene Oberfläche des Halbleiterkörper vor ihrer Befestigung auf der Arbeitsunterlage noch einerPolierai/ung unterzoeen wird.Durch das Schleifen können nämlich in einem gewissen Oberfiächenbereicb Krist.illstörungen entstehen, die durch den Atzvorgan« wieder entfernt werden.
Als Arbeitsunierlage wird eine ebene, vorzugsweise ebenfalls polierte Platte, insbesondere Glas oder Keran.!k, verwendet. Auf eine- einzigen Arbeiisunterlagc können auch mehrere Halbleiterscheiben zugleich bearbeitet werden, wie es in der bereits genannten Literaturstelle aus «Feinwerktechnik« beschrieben ist.
Die Halbleiterscheibe und die vorgesehene Arbeitsunterlage werden zunächst, mii einer insbesondere 1 bis 2 [im starken Kittschicht verklebt, die bei für den Halbleiter unschädlichen Temperaturen, beispielsweise bei Zimmertemperatur, lösbar ist. Als Kitt kann dabei ein Kapillarkleber verwendet werden, der so schwach viskos und so zusammengesetzt ist, daß er in dünner Schicht, insbesondeic 1 bis 2 μ stark, blasenfrei zwischen Halbleiterscheibe und Arbeitsunterlage liegt. Er dringt in die Poren von Halbleiter und Unterlage ein und erhärtet dort. Der Kitt soll chemisch kalt lösbar sein und gegen beim Schleifen de« Halbleiters benutzte Substanzen, wie Schmier-
mittel, sowie gegen Ätzmittel insistent sein. Derartige im Handel erhältliche dünnflüssige Kleber dotieren den Halbleiter nicht merklich bzw. störend und sind rückslandsirci von ihm ablösbar.
Nach dem Befestigen der Halbleiterscheibe auf der Arbeitsuntcrlage wird der Halbleiter so bearbeitet, daß er seine endgültige Form erhält. Dabei wird or a::f 1 bis 100 μΐη, vorzugsweise 5 bis 50 |im. insbesondere weniger als 20 [im, abgeschliffen oder abgeät/t.
Die auf der Arbcitsunterlagc befestigte Halbleiterscheibe kann außerdem auch auf einen vorgegebenen Widerstandswert sowie eine gewünschte Oberflächenqualität geätzt werden. F.s kann in ihn beispielsweise auch eine Mäanderform geätzt werden. Beim Ätzen der Halbleiterscheibe haben sich Maskentechniken bewährt.
Nach dieserBearbeitung wird die Halbleiterscheibe von der Arbcitsunterlagc gelöst. Dazu können chemische Lösungsmittel verwendet werden, mit des cn Hilfe die formgeätzte Halbleiterscheibe auch von der Arbeitsunterlage abgeschwemmt werden kann, z. H. auf ein Nylontuch. Die einzelnen Halbleiterscheiben können dann, z. B. mit Hilfe eines feuchten Pinsels oder ähnlicher Hilfsmittel, aufgenommen und im nachfolgenden Verfahrensschritt auf die gewünschte Betriebsunterlagc übertragen und dort befestigt werden. Bei der Befestigung der Halbleiterscheiben auf der Betriebsunterlagc kann 7. B. Kitt, insbesondere Ar.ilrlit. verwendet werden.
Die bearbeiteten Halbleiterscheiben werden mit elektrischen Anschlüssen versehen. Das kann in herkömmlicher Weise geschehen. Es ist aber auch möglich, die Halbleiterscheibe beim Befestigen an der Betriebsunterlagc in ein und demselben Arbeitsgang mit elektrischen Anschlüssen zu verschen. Beispielsweise kann das dadurch geschehen, daß der Halbleiter nur mit seinen Kontaktstellen auf vorbereiteten Kontaktflächen der Betricbsunterlage befestigt wird. Die Kontaktflächen auf der Betriebsunterlage können metallisiert sein und z. B. aus mit Indium überzogenen Kupferflächen bestehen. Es ist dann möglich, das Halbleiterplättchen durch Erhitzen der Kontaktstellen bzw. der Betriebsunterlagc. insbesondere durch Wärmestrahlung mit der Betriebsunterlage, zu verbinden und gleichzeitig zu kontaktieren.
Die Kontaktstellen der Halbleiterscheibe können auch an metallisierte Bereiche der vorgesehenen Betriebsunterlage herangeführt werden. Durch Aufdampfen eines gut leitenden Materials, insbesondere Silber oder Aluminium, z. B. mit einer Maskentechnik, können dann leitende Brücken zwischen den metallisierten Bereichen und den Kontaktstellen des Halbleiters hergestellt werden. Die Herstellung der Kontakte durch Aufdampfen kann besonders vorteilhaft sein, da beim Aufdampfen keine Erhitzung der Kontaktstellen erforderlich ist.
An Hand der schematischen Zeichnung von Ausführungsbeispielen wird das Verfahren nach der Erfindung näher erläutert; es zeigen
Fig. 1 und 2 zwei Halbleiterscheiben vor deren Bearbeitung.
F i g. 3 bis 5 drei Verfahrensschritte,
F i g. 6 bis 16 verschiedene Möglichkeiten der weiteren erfindungsgemäßen Verfahrensschritte bei Halbleitern mit magnetfeldabhängigem Widerstand.
Tn den Fig. 1 und 2 ist eine Halbleiterscheibe 1 ve r der erfindungsgemäßen Bearbeitung gezeigt. Die Scheibe uemäß Fig. 1 enthält parallel ausgerichtete Einschlüsse 2. Aul die Scheibe gemäß Fig. 2 sind leitende Streifen 3 aufgebracht. Beide Scheiben sowie Scheiben, die sowohl Einschlüsse als auch Streifen besitzen, können erfindungsgemäß bearbeitet werden. In F i g. 3 ist eine Halbleiterscheibe 1 mit einem — wie oben beschrieben — kalt lösbaren Kitt 5 auf eine Arbeitsunterlage 4 aufgebracht. Fig. 4 zeigt den Halbleiter, der nach dem Schleifen bzw. Ätzen mit 10 bezeichnet ist, noch auf der Arbeitsunterlage 4. Hs
ίο ist in Fig. 4 auch ein Einschnitte im Halbleitei zu sehen, der auch in der perspektivischen Zeichnung der von der Arbcitsunterlagc 4 abgelösten Halbleiterscheibe gemäß Fig. 5 zu sehen ist. Wie sich aus den folgenden Figuren ergibt, kann die Halbleiterscheibe durch das Schleifen bzw. Ätzen die mannigfaltigsten Formen erhalten. Der Halbleiter ist unabhängig davon stets mit 10 bezeichnet.
In den Fig. 6 bis 16 sind einige Möglichkeiten weiterci Verfahrensschritte bei flexiblen magnelfeldabhängigen Widerstandsanordnungen gezeigt. Es kann für eine flexible Halbleiterscheibe als Belriehsunterlage unter anderem verwendet werden: eine ebene oder gewölbte Platte, der Mantel oder der Rand eines VoIi- oder Hohlzylinders, eine Folie, ein langgestrccktcs o'ler geschlossenes Band, eine gedruckte Schaltung oder eine dem Luftspalt zugewandte ebene oder gewölbte Stirnfläche der Polschuhe eines Magnetkreises (evtl. unter Zwischenlegung einer Isolierung, wie Kitt oder Kunststoff).
Gemäß Fig. 6 kann uub flexible Halbleiter;-.!;!!! chen 10 auf einer gewölbten Fläche 11 liegen. In Fig. 7 ist ein Beispiel gezeichnet, in dem das Halbleiterplättchen 10 mit dem Anschluß 7 auf dem Mantel des Zylinders 12 und das Halbleiterplältchcn 10 mit den Anschlüssen 8 auf dem Rand eines Zylinders liegt. Das Halbleiterplättchen 10 kann auch auf einer (biegsamen) Folie 13 gemäß Fig. 8 aufgebracht sein. Eine solche Folie kann z. B. in einen gewölbten Luftspalt eines Magnetkreises leicht eingeschoben werden.
Statt der Folie 13 gemäß Fig. 8 kann auch ein langgestrecktes Band 15 gemäß Fig. 9 als Betriebsuntcrlage der flexiblen Halbleiterscheibchen 10 verwendet werden. Das Band 15 kann endlos sein und über die Rollen 16 laufen. Die elektrischen Anschlüsse und Zuleitungen 14 der Halbleiter können auch Bestandteil des Bandes sein.
Ein Beispiel einer gedruckten Schaltung mit biegsamen Halbleitern 10 ist in Fig. 10 gezeichnet. Das Schaltbild ist in Fig. 11 angegeben. Die drei Halb· leiter 10 sind gemäß Fig. 10 mit einem Kontakt ar die Kontaktfläche 20 mit dem Anschluß E der (in de Regel biegsamen) Betriebsunterlage 19 leitend ver bunden und mit den anderen Kontakten an die lei tenden Bereiche 21 bis 23 mit den Zuleitungen I bi:
III angeschlossen. Eine solche Schaltung mit dre symmetrisch um 120° auf einem Kreis versetztet magnetfeldabhängigen Widerständen 10 ist z. B. fü einen Schaltkopf zum Kommutieren elektrische Maschinen geeignet, wie er im deutschen Paten l 563 0OQ beschrieben ist.
In Fig. 12 ist ein biegsames Halbleiterplättche 10 gezeichnet, das zwischen die (der Einfachheit hai ber eben gezeichneten) Polschuhe 25 und 26 eine Magneten gesetzt ist. Dabei kann das Halbleiterpläti chen mit den Schichten 27 und 28 g^gen die Po schuhe elektrisch isoliert sein. Bei einem derartige Magnetkreis wurden bei Ausführungsbeispielen Luf spalte auf weniger als 40 (im Breite hergestellt, wobi
die zur Luftspaltbreite gehörigen Isolierschichten 27 und 28 bis über 1000 V spanmingsfest waren.
In Fig. 13 ist ein gekrümmtes Halbleiterscheibchen 10 gezeichnet, das in einen Magnetkreis gesetzt ist, dessen radial magnetisierte Polschuhe 30 und 31 gegeneinander um die Achse 32 verdrehbar sind und dessen Luftspalt bei 33 stark erweitert ist. Befindet sich das Plättchen 10 also ganz im erweiterten Luftspalt 33, so ist es praktisch magnetfeldfrei, befindet sicli das Plättchen 10 im schmalen Bereich des Luftspaltcs, so ist es einem starken Magnetfeld ausgesetzt. Bei Ausführungsbcispielen konnten flexible Halbleiterscheiben, z. B. gemäß Fig. 13, auf einen Krümmungsradius bis herab zu etwa 7 mm gebogen werden.
In den Fig. 14 bis 16 ist gezeigt, wie erfindungsgemäße Halbleiter 10 kontaktiert werden können. Die Betriebsunterlage 35 gemäß Fig. 14 kann vor dem Anbringen des Halbleiters 10 mit Kontaktflächen 36 und 37 und deren Anschlüssen 40 versehen sein. Das Halbleiterscheibchen 10 kann dann durch Lötung,
insbesondere durch berührungsloses Löten mittels Wärmestrahlung, mit den Kontakten 36, 37 verbunden werden. Dabei ist es möglich, daß nur die Kontaktstellen des Halbleiterscheibchens auf der Betriebsunterlage aufliegen und die übrigen Bereiche des Scheibchens 10 frei von jeder Unterlage sind. Ein solches Beispiel ist in Fig. 15 gezeichnet, wobei Fig. 16 einen Schnitt längs der Linie XVI-XVI von Fig. 15 ist. In den Fig. 15 und 16 sind gleiche Teile
ίο wie in Fig. 14 bezeichnet. Der Halbleiter 10 gemäß Fig. 15 und 16 ist jedoch durch Aufdampfen einer elektrisch leitenden Schicht 41 über den Kontaktbereich 36 bzw. 37, der Betriebsunterlage 35 und die Kontaktstellen des Halbleiters 10 mit der Betriebsunterlage kontaktiert und verbunden. Dabei ist es zweckmäßig — vor dem Anlegen des Halbleiters 10 an die Betriebsunterlage — an die vorgesehene Berührungsstelle etwas Kitt zu bringen, damit dieser — wie bei 42 gezeichnet — den Spalt zwischen dem
ao Kontaktberetch 36 bzw. 37 und dem Halbleiter 10 ausfüllt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 540/152

Claims (1)

  1. ., 1>Λ '■-.,-. ke. ί > ^ 1 a!' 11. -.'; L ι ■ii : dal. ger Du 'CiIl gel. π; mi .. IU ,!■ass in- -:·.■!' ι: . 'en! W ..de Γ er e i c Her ;■ Π !en λ· der U-I-:
    ,. t ^1 , .. .niakheiiini; der 1 Liibieiiei - heibe (1 ■' durch
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E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977