DE1652170B2 - Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken HalbleiterscheibenInfo
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- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
-
- H—ELECTRICITY
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| US8124455B2 (en) * | 2005-04-02 | 2012-02-28 | Stats Chippac Ltd. | Wafer strength reinforcement system for ultra thin wafer thinning |
| TWI402906B (zh) * | 2007-06-25 | 2013-07-21 | 聖高拜陶器塑膠公司 | 單晶體之結晶性再定向之方法 |
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