DE1648209B2 - Verfahren zum herstellen eines indirekt geheizten thermistors - Google Patents

Description

auf eine zur Vakuumbedampfung geeignete Temperatur gebracht. Das bei der Erfindung verwendete Material besteht aus einem elementaren Halbleiter. Der Grund zu dieser besonderen Wahl wird nachfolgend erläutert. Typische, brauchbare elementare Halbleiter sind Germanium und Silizium. Selen, Tellur und Kohlenstoff sind ebenfalls verwendbar. In sich kristallines Germanium hat einen großen Temperaturkoeffizienten des Widerstandswertes bei 100 bis 200⁰C und Silizium bei 200 bis 300° C. Innerhalb des am meisten gebrauchten Temperaturbereiches ist der Koeffizient von Silizium kleiner als der von Germanium. Auch der Dampfdruck von Germanium ist bei beliebiger Temperatur größer als der von Silizium. Daher läßt sich Germanium leichter im Vakuum verdampfen, so daß es aus diesem Grunde das bevorzugte Material für das Thermistorelement darstellt.

Der poiykristalline oder aus einem Einkristall bestehende Halbleiter wird in üblich ^r Weise der Vakuumverdampfung unterworfen. Wird die Temperatur des isolierenden Trägers bei einer geeigneten Temperatur der Verdampfungsquelle konstant gehalten und werden die Menge des verdampfenden Materials sowie die Stärke des Vakuums konstant gehalten, so bleibt der spezifische Widerstand und die Thermistorkonstante der auf dem Träger durch Bedampfung gebildeten Schicht des elementaren Halbleiters weitgehend konstant. Durch Veränderung der Temperatur des isolierenden Trägers kann der spezifische Widerstand und die Thermistorkonstante der Schicht beliebig verändert werden. Dabei ist die Veränderung in einem bestimmten Temperaturbereich besonders bemerkenswert. Der spezifische Widerstand und die Thermistorkonstante der Schicht auf dem Träger sind daher unterhalb dieses Temperaturbereiches sehr groß. Sie sind sehr klein für eine Schicht auf einem Träger, dessen Temperatur oberhalb dieses Bereiches gehalten wird. In anderen Worten zeigen die Werte für den spezifischen Widerstand und die Thermistorkonstante Extremwerte in beiden Richtungen, wobei der genannte Temperaturbereich den Umkehrpunkt bildet.

Der Temperaturbereich schließt die Kristallisationstemperatur ein, bei welcher der Aufbau der im Vakuum aufgedampften Schicht vom nichtkristallinen in den polykristallinen Zustand übergeht. Die Thermistorkonstante verändert sich sprungartig bei der KristaUisationstemperatur.

Untersuchungen de^c Kristallaufbaues der im Vakuum aufgedampften Schicht wurden von B. W. Sloop, C. O. T i 11 e r und A. Pandsack durchgeführt. Die beiden ersten benutzten Elektronendiffraktion und der letztgenannte Röntgendiffraktion, um nachzuweisen, daß die Kristallisationstemperatur Tc im Bereich von 300 bis 350 bzw. 320 bis 400^cCliegt.

Es konnte bestätigt werden, daß sich die Temperaturkonstante mit der Temperaturänderung des isolierenden Trägers verändert. Dabei ist die Veränderung in der Nähe des Kristallisationspunktes besonders augenfällig.

Nachfolgend sind Beispiele für die Vakuumverdampfung von Germanium aufgeführt:

	(D	(2)	(3)	(4)	(5)	(6)	(7)	(«	(9)
P: >be	Träger	Ver dant p-	Au lagerung durch	Stärke des	Schicht-	Entfernung Ver- *Λ f% III «A EΛ B H JIIII	Vakuum-	Spezifischer	Thermistor
Nr.	Temp.	fungs- quelle	Ver dampfung	Vakuums Mn-·	Dicke	uaxnpiungs- quelle/ Träger	veröamp- fungszeit	Widerstand	konstante
	CQ	CO	(Ä/sec)	Torr)	(μ)	(cm)	(min.)	(i2cm)	(0K)
1	250	1500	50	3,5	6	8,5	20	5400	4160
2	260	1480	46	4	25	8	90	2500	3860
3	300	1420	20	3	11	8	90	330	4580
4	340	1420	20	4	11	8	90	35	1565
5	34:	1410	17	3	9	8	90	3	2540
6	350	1410	17	3	9	8	90	1,1	1100
7	355	1410	17	3	9	8	90	0,08	30
8	360	1410	30	5	10	8	90	0,06	~0
9	400	1500	33	4,5	8	10	40	0,015	~0
10	450	1480	26	4	7	10	45	0,038	~0

Bei der umseitigen Tabelle wurden die Werte für den spezifischen Widerstand bei 21⁰C ermittelt und die Thermistorkonstanten bei 100 bis 150⁰C berechnet. Die Thermistorkonstante B ist definiert aus

R₁ = A₂ exp · B\

XT₁ r_a

Dabei sind dfe Widerstandswerte der Schicht R₁ und R₂ in Ohm [Ω] und T₁ und T_t in absoluter Temperatur ['K] angegeben.
Die Änderungen des spezifischen Widerstandswertes

.'der aufgedampften Schicht entsprechen bei den Proben Nr. 1 bis 10 den Änderungen der Umgebungs-• temperatur, wie in Fig. la und Ib gezeigt. Die Bezifferune in den Figuren entspricht der Nummer der jeweiligen Probe.

In den Schaubildern stellt die waagerechte Lime der Umgebungstemperatur [⁰C] dar bzw. 10^s/absolute Temperatur. Die senkrechte Linie bedeutet den spezifischen Widerstand [Ω cm]. Aus den Schaubildern ist ersicbtlicL; daß die Schichten der Proben Nr. 1 bis 6 eine Änderung des spezifischen Widerstandes bei Temperaturänderungen zeigen. Die Schichten Nr. 7 bis 10 zeigen dagegen im wesentlichen keine derartige Veränderung bei ähnlichen Temperaturveränderungen. ' Die angeführte Tabelle zeigt ebenso wie die Schau- «bilder deutlich, daß der spezifische Widerstand und die Thermistorkonstante der aufgedampften Germaniumschicht sich entsprechend der Temperatur des Trägers

verändern. Insbesondere verändert sich die Thermistor- nauigkeit herzustellen und außerdem die zulässige konstante im Bereich der Kristallisationstemperatur Strombelastung zu vergrößern, sprunghaft, vorausgesetzt, daß die anderen Bedingun· Die indirekt beheizte Thermistorschicht nach der gen bei der Verdampfung im wesentlichen konstant Erfindung kann mit einer metallischen Halterung, die gehalten werden. _ S wie eine Transistorbefestigung od. dgl. verwendet wird,

Die Tabelle zeigt ferner, daß die sprunghafte Ände- durch Kleben verbunden und umhüllt werden, rung der Thermistorkonstante der Germaniumschicht Der isolierende Träger des Thermistors läßt sich zwischen 345 und 355° C erfolgt. Vergleicht man dieses mit einem Harz als Klebemittel befestigen. Ergebnis mit den genannten Untenuchungcn der Jedes Ende der Elektrodenanschlüsse des Thermi-

kristallinen Zusammensetzung, so wird es offensicht- io storelementes und des Leiten zur indirekten Heizung lieh, daß die sprunghafte Änderung der Thermistor- ist entsprechend mit den Anschlußklemmen des Therkonstante eng an die Kristallisationstemperatur gebun- mistorclements und des Heizleiten verbunden. Daden ist. durch erhält man eine besonders gute, mechanische

Im Falle der Vakuumverdampfung elementarer Festigkeit des indirekt geheizten Thermistors. Halbleiter einschließlich Germaniums sind, wenn die 15 Es ist zu beachten, daß die thermische Zeitkonstante Trägertemperatur im Verhältnis zum Kristallisations- eines derartigen Thermiston hauptsächlich durch die punkt tiefer liegt, der spezifische Widerstand und die Wärmekapazität des Thermistors einschließlich seiner Thermistorkonstante der aufgedampften Schicht sehr Befestigung, der ihn umgebenden Atmosphäre, der hoch. Ist dagegen die Trägertemperatur gegenüber dem Wärmeleitfähigkeit und der Dicke der Isolierschicht Kristallisationspunkt verhältnismäßig hoch, so sind ao festgelegt ist, welche das Thermistorelement von den die genannten Werte für die Schicht ziemlich niedrig. Heizleiter trennt, sowie ferner durch die Elektroden-Von diesen Gegebenheiten geht die Erfindung aus. Zuleitungen. Wird der Thermistor nicht von dem

Die bei Trägertemperaturen unterhalb des Kristalli- Zuleitungen gehalten, so kann er auf einem Sockel mit sationspunktes aufgedampfte Halbleiterschicht be- einem geeigneten Klebstoff befestigt werden, sitzt Thermistoreigenschaften, während dies bei ober- aj Genuu) der Erfindung lassen sich der Widerstand des halb dieses Punktes liegenden Temperaturen nicht der Thcrmistorelements und die Thermistorkonstante be· Fall ist. Daher bildet sich im enteren Fall ein Thermi- liebig und in einfacher Weise bei der Herstellung steu-Storelement und im letzteren ein Widerstand. ern. Dies ist ein bedeutender Vorteil der Erfindung,

Bei einem nach der Erfindung hergestellten Thermi- da Schwierigkeiten bei der Bemessung mit bekannten stör stellt der elementare Halbleiter, der bei unterhalb 30 Verfahren nicht zu überwinden waren, des Kristallisationspunktes liegender Temperatur auf Das Prinzip der Erfindung ist an Hand eines indirekt den isolierenden Träger aufgebracht wird, das Ther- geheizten Thermiston in F i g. 2 a dargestellt. Dabei mistorelement dar und der bei einer Temperatur ober- zeigt F i g. 2 a die Draufsicht auf einen indirekt geheizhalb des Kristallisationspunktes aufgebrachte Halb- ten Thermistor, bestehend aus einem isolierenden leiter den Heizleiter für die indirekte Heizung. 35 Träger, einem Heizleiter zur indirekten Heizung, einer

Die Trägertemperatur läßt sich durch beliebige Mit- Isolierschicht, einem Thermistorelement und Metall· tel zur Erwärmung des Trägen einstellen, wie sie in der elektroden, welche sich sichtweise auf dem Träger beTechnik der Vakuumbedampfung üblich sind. finden. F i g. 2 b zeigt einen Querschnitt durch den

Es ist wünschenswert, daß die Apparatur zur Er- Thermistor nach F i g. 2a entlang der Linie X-X'. wärmung des Trägers eine genaue Einstellung der 40 Bei der praktischen Ausführung werden eine Viel-Temperatur in einem weiten Bereich gestattet. Die zahl derartiger indirekt geheizten Thermistoren auf untere Temperaturgrenze des isolierenden Tiägers für einem isolierenden Träger angebracht Lediglich zur die Herstellung des Thermistorelements wird im Hin- Vereinfachung sind hier die Erläuterungen an Hand blick auf die Haftfestigkeit der aufgedampften Schicht einer einzigen Thermistoreinheit ausgeführt, bestimmt. Die obere Temperaturgrenze bei der Her- 45 Der isolierende Träger wird zunächst verschiedenen stellung des Leiten für die indirekte Heizung sollte Arbeitsgängen zur Reinigung der Obernach«¹ unterwtedenim im Hinblick auf den Temperaturkoeffizien- worfen Zu diesem Zweck erfolgt die Reinigung einer ten des Widerstandes und den thermischen Widerstand Hartglasscheibe von 03 mm Dicke zehe Minuten lang des Tiägers festgelegt werden. mit Ultraschall in Trichloräthylen, welches danach

Weitere Vorteile bei der Herstellung des Heizfeiters 5» zweimal durch Aceton ersetzt wird, um das Trichloraus einem polykristallinen Halbleiter bestehen darin, äthylen von den Oberflächen der Scheibe zu entfernen, daß die Regelung der Vakuumbedampfung einfach Die Scheibe wird darauf 10 Minuten lang in Äthylalkoist und die Stromdichte vergrößert werden kann. hol mit Ultraschall gereinigt und getrocknet.

Da Nickel-Chrom-Schichten, welche üblicherweise Die Aufbringung von elementarem Halbleiter-

als Widerstände in Dünnfilmschaltungeu verwendet Ss material euf der bzw. den Oberflächen der Glasscheibe werden, kleine spezifische Widerstände besitzen, müs- erfolgt mittels Vakuumbedampfung in einem Vakuuntsen in den meisten Fällen diese Schichten außerordent- bedampfungsapparat.

hch dünn, z. B. in Größenordnung von SO A sein, Zur Erzeugung des Dampfes wird in sich polykristai-

nm die gewünschten Widerstandswerte zu erzielen. Es lines oder kristallines Germanium in einem Kohletiegel ist daher außerordentlich schwierig, die Dicke der- 60 auf etwa 1500° C erhitzt. Hierzu ist ein mit Aluminiumartiger dünner Schichten mit den heutigen technischen oxyd beschichteter Widerstandsdraht aus Wolfram vorMitteln bei der Vakuumbedampfung zu beherrschen, gesehen. In der Vakuumkammer wird dabei ein Va- und es läßt sich kaum ein Widerstand mit der erf order- kuutn von 8 bis 9 - IQ-* Torr eingehalten, liehen Genauigkeit herstellen. Die Vakuumbedampfung des Glaaa mit dem

Dajedoch Halbleiter im Gegensatz zu den genannten 65 Halbleiter erfolgt unter Zwischenschaltung emer Metall-Metallen höhere, spezifische Widerstände besitzen, maske und dauert 40 Minuten. Während dieser Zeit können auch größere Schichtdicken verwendet werden, wird der Glasträger anf einer Temperatur von 443° C m den Widerstandswert mit der erforderikhes Ge- ggbaltCT, um des Heizleiter for die indirekte Heizung

zu bilden. Dieser Heizleiter ist in F i g. 3a mit dem Bezugszeichen 11 bezeichnet. Verwendet man, wie im vorliegenden Fall, Germanium, so beträgt vorzugsweise die oberhalb des Kristallisationspunktes liegende Temperatur des Glasträgers mehr als 360⁰C, jedoch weniger als 700⁰C. Der in F i g. 3a gezeigte, verhältnismäßig große Bereich des oberen Teiles ist 1 mm breit und 0,8 mm lang und dient als Anschlußstück für die Elektrodenzuführungen. Der verhältnismäßig schmale und lange Teil in der Mitte wirkt als Heizleiter und besitzt eine Breite von 0,2 mm. Die Schichtdicke beträgt IC μ. Der Heizleiter ist so bemessen, daß er einen Widerstand von 200 il besitzt.

Sodann wird ein kaminartiger Tantalheizer, der Siliziummonoxyd enthält, zur Bildungder Isolierschicht erhitzt, die in Fi g. 3b das Bezugszeichen 12 trägt. In der Vakuumkammer beträgt dabei das Vakuum 3 bis

5 · 10 · Torr, und die Temperatur des Glasträgers ist auf 340"C eingeregelt. Das Siliziummonoxyd wird 30 Minuten lang durch eine andere Metallmaske aufgedampft. Die erzeugte Schicht besitzt eine Dicke von

Die Isolierschicht 12 isoliert den Heizleiter U von der Germaniumschicht, welche das Thermittorelement 13 in F i g. 3c bildet.

Sodann erfolgt die Herstellung der Germaniumschicht des Thermistorelementes: Der mit Aluminiumesyd beschichtete Wclfrsnütsizkcrper, welcher in sich polykristallines Germanium enthält, wird erneut aufgeheizt und in der Vakuumkammer ein Vakuum von 2· 10*Torr eingebalten. Die Trägertemperatur beträgt 335° C. Die Germaniumschicht 13 wird in einer Dicke von 20 μ unter Zwischenfügung einer weiteren Metallmaske aufgebracht. Diese Schicht besitzt dann eine Thermistor konstante von 3000" K.

Die Temperatur des Glasträgers liegt vorzugsweise in einem Bereich der von 150° C bis unterhalb des Kristallisationspunktes des Halbleiters reicht, beispielsweise bis unterhalb 350° C bei Germanium.

Zur Herstellung der Elektrodenanschluss« des

Thermistorelements 13 und zur Festlegung des Widerstandswertes des Thermistors werden darauf die Goldelektroden 14 durch Vakuumbedampfung aufgebracht, wie in F i g. 2 gezeigt ist. Bei dieser Aus-

S führungsform wird mittels Vakuumbedampfung eine Goldschicht bis zu einer Stärke von 0,5 μ durch eine Metallmaske hindurch aufgedampft, so daß ein Abstand von von 30 μ zwischen den Elektroden entsteht. Während des Bedampfungsvorganges bleibt der Glas träger auf einer Temperatur von 240°C.

F i g. 2a stellt die Draufsicht auf ein indirekt geheiztes Thermistorelement dar, welches nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Der Glasträger. 10 ist 2 mm breit und 3,6 mm lang.

Bei dieser Ausführungsform läßt sich der Widerstand des Thermistorelements durch geeignete Ausbildung der Metallmaske für die Aufdampfung der Metallelektrode und durch entsprechende Regulierung der Temperatur des Trägers beim Aufdampfen des

ao Thermistorelementes einstellen. Die Widerstandsänderung zeigt F i g. 4, in welcher auf der waagerechten Achse der Heizstrom in Milliampere und auf der vertikalen Achse der Thermistorwiderstand in Ohm angegeben ist.

*S Es ist zulässig, eine Isolationsschicht, beispielsweise aus Siliziummonoxyd, auf der als Thermistor wirkenden Germaniumschicht anzubringen, nachdem die Goidelektroden angebracht sind, uns eine Oxydation des Germaniums zu verhindern.

Eine indirekte beheizte Thermistoreinheit, die von dem großen Glasträgerstück abgeschnitten ist, kann zum Schutz gegen unerwünschte Verunreinigung mit einer Umhüllung versehen werden. Zur luftdichten Umhüllung können ähnliche Verfahren wie bei der TransistorherstcMung Anwendung finden. Dabei kann die Verbindung des isolierenden Trägers mit der Befestigung in verschiedenartiger Weise bewirkt werden. Beispielsweise läßt sich durch Verwendung eines in der Wärme aushärtenden KJebeharzes die gewünschte Ver bindung leicht herstellen.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 derstand als auch eine höhere Thermistorkonstante. Patentansprüche: Wenn die Trägertemperatur bei der Herstellung des Heizleiters oberhalb des Kristallisationspunktes des

1. Verfahren zum Herstellen eines indirekt ge- Halbleiters gehalten wird, wird eine Schicht mit geh <\zien Thermistors mit einem Thermistorelement 5 ringem spezifischem Widerstand und ohne Temperaturaus einer durch Vakuumbedampfung hergestellten abhängigkeit erhalten.

nichtkristallinen Schicht eines elementaren Halb- Bei einer Ausführungsform der Erfindung werden

leiters mit einem Heizleiter zur indirekten Behei- auf den auf dem Träger angeordneten Heizleiter eine

zung und mit einem isolierenden Träger, d a- Isolationsschicht und darauf das Thermistorelement

durch gekennzeichnet, daß als Heiz- io aufgebracht.

leiter Schichten eines elementaren Halbleiters durch Gemäß der Erfindung wird bevorzugt, daß als ele-

Vakuumbedampfung hergestellt werden und da.3 mentarer Halbleiter Germanium verwendet wird und

die Trägertemperatur bei der Herstellung des daß die Trägertemperatur bei der Herstellung des

Thermistorelementes unterhalb und bei der Her- Thermistorelements unterhalb 35O⁰C und bei der

stellung des Heizleiters oberhalb des Kristallisa- 15 Herstellung des Heizleiters oberhalb 360°C gehalten

tionspunktes des Halbleiters gehalten wird. wird.

2. \ trfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Die Erfindung wird nachfolgend an Hand einer zeichnet, daß auf den auf dem Träger angeordneten bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf Heizleiter eine Isolationsschicht und darauf das die Zeichnung beschrieben.
Thermistorelement aufgebracht werden. 20 F i g. 1 zeigt die Veränderung des spezifischen Wi-

3. Verfahren nach Anspruch 1 uder 2, dadurch derstands einer durch Vakuumbedampfung erzeugten gekennzeichnet, daß als elementarer Halbleiter Germaniumschicht unter experimentellen Temperatur-Germanium verwendet /ird und daß die Träger- bedingungen

temperatur bei der Herstellung des Thermistor- F i g. 2 zeigt eine Draufsicht und einen Querschnitt

elementes unterhalb 350°C und bei der Herstellung 25 eines indirekt geneizten Thermistors, der nach der Erdes Heizleiters oberhalb 360°C gehalten wird. findung hergestellt ist.

F i g. 3 zeigt die Herstellungsschritte bei einem Thermistor gemäß F i g. 2.

F i g. 4 zeigt die Veränderung des Widerstandes des

30 Thermistors in Abhängigkeit vom Heizstrom.

Gemäß der Erfindung ist auf einem isolierenden Träger aus Glimmer, Glas, Porzellan od. dgl. ein ele-

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mentarer Halbleiter durch Vakuumbedampfung aufge· eines indirekt geheizten Thermistors mit einem bracht, der in Schichten das Thermistorelement und Thermistorelement aus einer durch Vakuumbedamp- 35 den Heizleiter bildet. Die Oichten sind voneinander fung hergestellten nichtkristallinen Schicht eines getrennt und durch eine Isolierschicht, die durch elementaren Halbleiters mit einem Heizleiter zur in- Vakuumbedampfung, Aufsprühen eines Isoliermittels direkten Beheizung und mit einem isolierenden Träger. oder durch einen isolierenden Träger gebildet wird,

Bekannt ist ein Thermometer mit einer durch isoliert. Im erstgenannten Fall sind das Thermistor-Vakuumbedampfung hergestellten nichtkristallinen 40 element und der Heizleiter auf der gleichen Fläche des Schicht aus element« en Germanium, bei dessen Trägers angebracht. Dadurch wird die Zeitkonstante Herstellung die Temperatur einer als Träger dienenden des Thermistors kleiner. Im anderen Fall sind das Glasplatte auf 300°C gehalten wird. Thermistorelement und der Heizleiter auf entgegenge-

Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zu- setzten Oberflächen des Trägers angeordnet, wodurch gründe, ein Verfahren zum Herstellen eines indirekt ge- 45 die Zeitkonstante vergrößert wird. Die Art der Trenheizten Thermistors mit einem Thermistorelement und nung und Isolierung ist bei der Erfindung nicht wesentmit einem Heizleiter zu schaffen, durch das ein Ther- Hch und gehört daher nicht zu deren bedeutenden mistor erhalten wird, der gegenüber bekannten Ther- Merkmalen.

mistoren verbesserte elektrische und mechanische Die Vakuumbedampfung des elementaren Halblei-

Eigenschaften, insbesondere eine geringe Temperatur- 50 ters kann in jeder zu diesem Zweck bekannten Vorrichabhängigkeit und eine große thermische Zeitkonstante, tung erfolgen. In einer Vakuumkammer, z. B. in einem aufweist. glockenförmigen Glasgefäß, das bis auf 10-' torr oder

Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung darüber evakuiert ist, ist unten ein Tiegel aufgestellt, vor, daß als Heizleiter Schichten eines elementaren der ein Stück des elementaren Halbleiters enthält, der Halbleiters durch Vakuumbedampfung hergestellt SS das zu verdampfende Material bildet. Über diesem ist werden und daß die Trägertemperatur bei der Her- fcin isolierender Träger angebracht, der mit einer stellung des Thermistorelementes unterhalb und bei Maske bedeckt ist* durch deren öffnungen der Dampf der Herstellung des Heizleiters oberhalb des KristalH- hindurchtritt, damit die gewünschten Bereiche des sationspunktes des Halbleiters gehalten wird. Trägers bedampft werden. Das im Tiegel enthaltene

Die aufgedampfte Halbleiterschicht für das Ther- fio Material wird mittels Widerstandsheizung oder Elekmistorelement kann sehr dünn sein, während die Dicke tronenstrahlen erhitzt.

der als Heizleiter verwendeten Germaniumschicht Die Oberfläche des isolierenden T-ägers wird zuvor größer gemacht werden kann, wodurch die Steuerung gereinigt, wobei bei der Dünnfilmtechnik übliche der Schichtdicke bei der Herstellung erleichtert wird. Reinigungsverfahren angewendet werden. Die Ober-

Da die Trägertemperatur bei der Herstellung des 65 fläche sollte natürlich ganz glatt sein, da Unebenheiten Thermistorelements unterhalb des Kristallisation- Fehlerstellen in der durch Bedampfung aufgebrachten punktes des Halbleiters gehalten wird, hat die herge- Schicht bewirken,
stellte Schicht «owohl einen höheren spezifischen Wi- Wie erwähnt, wird das zu verdampfende Material