DE1644003A1 - Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen - Google Patents

Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen

Info

Publication number
DE1644003A1
DE1644003A1 DE19671644003 DE1644003A DE1644003A1 DE 1644003 A1 DE1644003 A1 DE 1644003A1 DE 19671644003 DE19671644003 DE 19671644003 DE 1644003 A DE1644003 A DE 1644003A DE 1644003 A1 DE1644003 A1 DE 1644003A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
source
phosphorus
semiconductor crystals
urch
phosphate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671644003
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Pammer Dr Erich
Christ Dr Hans
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of DE1644003A1 publication Critical patent/DE1644003A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/19—Diffusion sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/08—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S252/00—Compositions
    • Y10S252/95—Doping agent source material
    • Y10S252/951—Doping agent source material for vapor transport

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
DE19671644003 1967-04-20 1967-04-20 Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen Pending DE1644003A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0109426 1967-04-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1644003A1 true DE1644003A1 (de) 1970-09-24

Family

ID=7529513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671644003 Pending DE1644003A1 (de) 1967-04-20 1967-04-20 Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3540951A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1644003A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR1569941A (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1170709A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL6801367A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660156A (en) * 1970-08-19 1972-05-02 Monsanto Co Semiconductor doping compositions
US3658584A (en) * 1970-09-21 1972-04-25 Monsanto Co Semiconductor doping compositions
US3841927A (en) * 1972-11-10 1974-10-15 Owens Illinois Inc Aluminum metaphosphate source body for doping silicon
US3928096A (en) * 1974-01-07 1975-12-23 Owens Illinois Inc Boron doping of semiconductors
US3962000A (en) * 1974-01-07 1976-06-08 Owens-Illinois, Inc. Barium aluminoborosilicate glass-ceramics for semiconductor doping
US3954525A (en) * 1974-08-26 1976-05-04 The Carborundum Company Hot-pressed solid diffusion sources for phosphorus
US3931056A (en) * 1974-08-26 1976-01-06 The Carborundum Company Solid diffusion sources for phosphorus doping containing silicon and zirconium pyrophosphates
DE102014109179B4 (de) * 2014-07-01 2023-09-14 Universität Konstanz Verfahren zum Erzeugen von unterschiedlich dotierten Bereichen in einem Siliziumsubstrat, insbesondere für eine Solarzelle, und Solarzelle mit diesen unterschiedlich dotierten Bereichen

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL297002A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1962-08-23 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
US3540951A (en) 1970-11-17
GB1170709A (en) 1969-11-12
NL6801367A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1968-10-21
FR1569941A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1969-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE865160C (de) Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE69331300T2 (de) Verfahren zur Abscheidung aus der Gasphase von einem Fluorid-Glasfilm auf einem Substrat
DE2805247A1 (de) Vorrichtung zur herstellung von verbindungshalbleiter-duennschichten
DE1290409B (de) Verfahren zur Erzeugung duenner Schichten aus Kadmiumsalzen durch Aufdampfen
DE919727C (de) Verfahren zur Homogenisierung und Aktivierung von Halbleiterkristallen und Halbleiterschichten
Sudarsanan et al. Structure of partially substituted chlorapatite (Ca2Sr) 5 (PO4) 3Cl
DE2012459A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dotierungs st of f que He
DE1796364A1 (de) Verfahren zum verfestigen einer schicht aus einem glasartigen oder vitrokristallinen material
DE3124634C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE102005013787A1 (de) Arsen-Dotiermittel für das Ziehen von Siliziumeinzelkristallen, Verfahren für deren Erzeugung und Verfahren zur Erzeugung eines Siliziumeinzelkristalls unter deren Verwendung
DE1444396A1 (de) Verfahren zur Regelung der Zusammensetzung einer Dampfphase
DE2357230C3 (de) Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial aus der flüssigen Phase auf Halbleitersubstraten
DE2111946C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsenlassen eines Kristalls auf einer Unterlage
DE2137772C3 (de) Verfahren zum Züchten von Kristallen aus halbleitenden Verbindungen
DE1542233A1 (de) Verfahren zur Waermebehandlung von Koerpern mit fluechtigen Bestandteilen
DE1796137C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Flachglas
DE19920745C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates mit einem Material
DE1040697B (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkoerpern
DE3703079A1 (de) Verfahren zur herstellung von wasserfreiem synthetischem siliciumdioxid
DE580123C (de) Verfahren zur Herstellung eines Katalysators fuer die Ammoniaksynthese
DE2644435A1 (de) Verfahren zur herstellung von lithiumfluorid-detektoren
DE2704043A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen zuechten von mehrfach dotierten einkristallen
DE1026731B (de) Verfahren zur Herstellung von Verbindungen mit leichtfluechtigen Komponenten, insbesondere Verbindungen aus einem Element der Ill. Gruppe mit einem Element der V. Gruppe des Periodischen Systems
DE1521397C (de) Verfahren zum Niederschlagen von Sihciumdioxidfilmen
DE2236302C3 (de) Silberaktiviertes Radiophotolumineszenz-Dosimeterglas hoher Empfindlichkeit und guter Verwitterungsbeständigkeit sowie Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung