DE1639014A1 - Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

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DE1639014A1
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resist
mask
adhesive mask
semiconductor arrangements
contacting semiconductor
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Martin Bennemann
Hans Dartsch
Dietrich Huebner
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Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
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Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
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Description

  • Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen, wobei Kontaktdrähte mit den auf fotolithografischem Wege auf den Halbleiteranordnungen hergestellten Leitungsbahnen verbunden werden.
  • Es ist bekannte auf fotolithografischem Wege hergestellte Zeitungsbahnen durch Thermokompression oder Ultraschallbonden mit Kontaktdrähten zu verbinden, wobei die für den fotolithografischen Prozeß notwendige Resist-Haftmaske durch chemische Quell- und Lösungsmittel sowie durch mechanische Bearbeitung von den heitungsbahnen entfernt wird.
  • Die bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß das Entfernen der Resist-Haftmaske von den Ireitungsbahnen sehr zeitaufwendig und der Ablösungsprozeß mit technischen Schwierigkeiten verbunden ist, da die Haftfestigkeit und chemische Resistenz der Haftmaske sehr groß sind. Der Nachteil chemisch wirksamer Mittel besteht meist darin# daß sie die Leitungsbahnen selbst angreifen oder zerstören. Der Nachteil der mechanischen Bearbeitung z. B. mit Ultraschall besteht darin' daß die Leitungsbahnen mechanisch beschädigt oder zerstört werden. Z. B. kann die Leitungsbahn durch die Kavitationswirkung des Ultraschalles vom Substrat abgehoben werden oder sie zerreißt an den Stellen leichtf wo sie über Kan..en oder treppenförmige Abstufungen verläuft.
  • Es kommt außerdem häufig vor' d aß die Entfernung der Res ist-Haftmaske unvollständig ist. Die nur teilweise verbleibenden Resistreste verhindern dann eine einwandfreie Verbindung der Kontaktdrähte mit den Ire itungsbahnen.
  • Zweck der Erfindung ist es; ein Verfahren darzulegen, nach dem die technischen Schwierigkeiten beim Kontaktieren von Halbleiteranordnungen wesentlich vermindert werden® Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Kontaktierung der Leitungsbahnen durch die Resistmaske hindurch vorzunehmen, so daß die Entfernung der Resisthaftmaske überflüssig ist und der mit der Entfernung verbundene Aufwand entfällt. Erfindungsgemäß wird die Fotoresitthaftmaske, z. B. aus Fotoresistlack (KPR, KM, KTFR, I'CR, FK 1 und FK 11) bestehend vor und nach dem Ätzen der Zeitungsbahnen auf den für den Fotoresistlack zulässige Temperatur erhitzt. Bein. ersten Wärmeprozeß erreicht die Resisthaftmaske ihre maximale Härte. Ihre Quellbarkeit im Ätzmittel wird während des Ätzprozesses auf ein Minimum begrenzt. Der zweite Wärmeprozeß nach dem Ätzen -reibt die während des Ätzens sorbierten Bestandteile wieder aus n. härtet die Resist-Haftmaske erneut aus. Diese erfindungsgemäße Aushärtung ist erforderlich, damit die Haftmaske sehr spräde wird und während des Kontaktierungsprozesses unter dem Bondenwerkzeug leicht wegspiittert. Die Folge davon ist eine :winzige, während des Bondvorganges freigelegte, gut bondfähige Fläche der zu kontaktierenden Ieitungsbahn.
  • Unterhalb einer höchstzulässigen Dicke der Resists:hicht ist die Kontaktierbarkeit der .Leitungsbahn praktisch von der Dicke der Resistschicht unabhängig. Durch die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist bei. der Herstellung der Halbleiteranordnungen eine erhebliche Einsparung von Arbeitszeit, Aufwand und Chemikalien zu verzeichnen. Der Ausschuß von Halbleiterbauelementen vermindert sich um d% sonst bei der Entfernung der Resist-Haftmaske beschädigten oder zerstörten Elemente. Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführ=ungsbeispiel. näher erläutert werden. Eine auf ein Substrat aufgedampfte Aluminiumschicht, aus der die Leitungsbahnen durch selektives Ätzen hergestellt werden sollen, wird mit einer Resisthaftmaskä aus Fotor®sistlack (KPR) in bekannter Weise versehen. Die Figuren der Haftmaske entsprechen den nach dem Ätzprozeß gewünschten Geomeetrien der Leitungsbahnen. Das Substrat mit der Haftmake wird ca 24 min lang auf die für den Resistlack maximal zulässige Temperatur von ca 260 °C erwärmt. lach einer kurzen Abkühlperiode von ca 2 min wird das Aluminium in etwa 20 %iger IGOR geätzt; die Scheibe wird, mit destilliertem Wasser gut gespült. An den Spülprozeß schließt sich die zweite Temperaturbehandlung bei etwa 26ƒ °C an und dauert ca 25 min. Die Leitungsbahnen der so vorbehandelten Substratscheiben werden nun mittels eines °ITltraschall-Bondgerätes mit den Anschlußdrähten durch die Resisthaftmaske hindurch kontaktiert.

Claims (2)

  1. Pate n t a n s p r ü c he: 1. Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen, dadurch gekennzeichnet, daß das Bonden durch den Lackfilm der Fotores ist-Haftmaske @ hindurch erfolgt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daB die Fotoresist Haftmaske vor und nach dem Ä.tzprozeß zur Herstellung der Leitungsbahnen temperaturbehandelt wird, mit dem Ziel, die Sprödigkeit und Härte der Resist-Haftmaske zu erhöhen. -
DE19681639014 1968-02-15 1968-02-15 Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen Pending DE1639014A1 (de)

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19681639014 Pending DE1639014A1 (de) 1968-02-15 1968-02-15 Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen

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DE (1) DE1639014A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3402630A1 (de) * 1983-02-21 1984-08-23 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren und vorrichtung fuer die waermebehandlung eines plattenfoermigen koerpers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3402630A1 (de) * 1983-02-21 1984-08-23 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren und vorrichtung fuer die waermebehandlung eines plattenfoermigen koerpers

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