DE1621525A1 - Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht

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DE1621525A1
DE1621525A1 DE19671621525 DE1621525A DE1621525A1 DE 1621525 A1 DE1621525 A1 DE 1621525A1 DE 19671621525 DE19671621525 DE 19671621525 DE 1621525 A DE1621525 A DE 1621525A DE 1621525 A1 DE1621525 A1 DE 1621525A1
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DE
Germany
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boron trioxide
boron
producing
precipitation
boron compound
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Pending
Application number
DE19671621525
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English (en)
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Volker Dipl-Chem Dr Doetsch
Alfons Hamberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
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Description

  • "Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht" Der Erfindung liEgt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren an® zugeben, welches die Herstellung von dünnen, glasigen Bortrioxydschichten ermöglicht. Solche Schichten werden beispielsweise in der Halbleitertechnik zum Schutz der. Oberfläche von Halbleiterkörpern benötigt. Zur Lösung dieser Aufgabe wird nach der Erfindung vorgeschlagen, daß eine flüchtige Borverbindung mit einem Alkohol verdünnt, anschließend verdampft und nach einer Mischung mit Luft zur@Erzielung eines Bortrioxydniederschlages verbrannt wird. _ . Die Erfindung liefert eine-dünne, glasartige Schicht, ohne daß die Schicht mit der Unterlage verbackt' wie es bei sonstigen Verfahren leicht der Fallist. Durch die Erfindung wird auch eine gleichmäßige Beschichtung des Trägers erzielt. Der Niederschlag erfolgt in einer geheizten Zone; es besteht aber auch die Möglichkeit' die Schicht bei, tieferen Temperaturen, beispielsweise 2oooC, zunächst in Pulverform niederzuschlagen und erst danach einer Wärmehehand-.lung auszusetzen. Die Temperatur beträgt bei beiden Wäru behandlungen.beispielsweise 50o b?.; 7oooC. Die Borverbin-.dung besteht z.B. aus Borsäuretrialkylester wie z.B. Bor® säuretrimethylester. Die Borverbindung kann beispielsweise mit Methylalkohol verdünnt werden. Die Erfindung wird im-folgenden an einem Ausführungsbeispiel. .anhand der Figur erläutert. Die Figur zeigt eine Laborausführung einer Vorrichtung zum Erzeugen einer dünnglasigen Bortrioxydschicht nach.
  • der Erfindung. Diese@Laborausführung besitzt einen Behälter '# zur Aufnahme von Borsäuretrimethylester (2)..Der Behälter 'I ist durch eine Zuleitung 3 mit einer Kammer 4 verbunden, die im Bereich 5 eine Heizzone aufweist, in der der Niederschlag der Bortrioxydschicht erfolgt. Im Betriebszustand wird mit Hilfe des Dosierhahnes 6 mit, Methylalkohol verdünnter Borsäuretrimethylester aus dem Behälter 1 in die Kammer 4 eindosiert, nachdem er zuvor in der Verdampfungszone -verdampft wurde. Dort wird er zunächst mit Luft vermischt, welche aus der Zuleitung 8, die auf eine Temperatur über der Siedetemperatur des Esters liegende Temperatur aufgeheizt ist, in die Kammer 4 einströmt. Das luft--Gasgemzsch wird in der Verbrennungszone 9 gez;xndet, und zwar durch die Wärme, die aus der Heizzone 5 auf den Bereich der Verbrennungszone einwirkt, oder besser durch eine Zündspirale 9o. Die Heizzone ist auf eine Temperatur von z.B. 5500C erhitzt. Der Niederschlag erfolgt in der Heizzone 5, wobei die hohe Temperatur von 55ooC bewirkt, daß der Niederschlag auf . einem in der Heizzone-untergebrachten Träger '1'I eine glasige Form annimmt. Infolge der Vergasbarkeit der flüchtigen Borverbindung ist eine beliebig feine Mengendosierung und damit auch die Herstellung einer sehr dünnen Bortrioxydschicht möglich. Durch besondere Ausbildung einer Verdampfungszone mit getrennter Heizwicklung in Verbindung mit einer Zündspirale an den Austrittsöffnungen für Gas und Luft läßt sich eine besonders gut steuerbare Verbrennung und mithin Abscheidung von glasigem Bortrioxyd erzielen. Dünne, glasige Bortrioxydschichten sind beispielsweise in der Halbleitertechnik erforderlich, und zwar zum Schutz der Halbleiteroberflächen. So hat sich beispielsweise herausgestellt t daß Bortrioxydschichten auf-Halbleiterkörpern diese vor Fremdstoffen schützen, die beim Einschmelzen des Halbleltersystems in ein Glasgehäuse entstehen und vermutlich aus dem Glas des Gehäuses stammen.

Claims (6)

  1. P a t e 4 t a n s p r ü c h e Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht, dadurch-gekennzeichnet, daß eine flüchtige Borverbindung -mit einem Alkohol. verdünnt, anschließend verdampft und nach Mischung mit Luft zur Erzielung eines Bortrioxydniederschlages verbrannt wird..
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Niederschlag in einer geheizten Zone erfolgt.
  3. 3) Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Niederschlag bei tieferer Temperaturerfolgt und daß nach dem Niederschlag noch eine Wärmebehandlung bei höherer Temperatur durchgeführt wird.
  4. 4) Verfahren nach: Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der geheizten Zone oder bei der Wärmebehandlung nach erfolgtem Niederschlag 50o bis 700°C beträgt.
  5. 5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Borverbindung aus Borsäuretrialkylester, insbesondere Borsäuretrimethylester,besteht.
  6. 6) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge= kennzeichnet, daß die Borverbindung mit Methylalkohol ver-: dünnt.wird.
DE19671621525 1967-08-01 1967-08-01 Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht Pending DE1621525A1 (de)

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DE19671621525 Pending DE1621525A1 (de) 1967-08-01 1967-08-01 Verfahren zum Herstellen einer Bortrioxydschicht

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0166893A1 (de) * 1984-05-04 1986-01-08 BBC Brown Boveri AG Trockenätzverfahren

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0166893A1 (de) * 1984-05-04 1986-01-08 BBC Brown Boveri AG Trockenätzverfahren

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