DE1619968C3 - Verfahren zum Herstellen einkristalliner Ferritfilme - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einkristalliner FerritfilmeInfo
- Publication number
- DE1619968C3 DE1619968C3 DE1619968A DE1619968A DE1619968C3 DE 1619968 C3 DE1619968 C3 DE 1619968C3 DE 1619968 A DE1619968 A DE 1619968A DE 1619968 A DE1619968 A DE 1619968A DE 1619968 C3 DE1619968 C3 DE 1619968C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- ferrite
- flux
- film
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/26—Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/02—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by evaporation of the molten solvent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
3 4
eine pulverförmige Mischung gebildet hat. Dann wird Beispiel I
Alkohol hinzugefügt und die Mischung umgerührt,
bis ein Brei entsteht, welcher die Konsistenz dünner Es liegt ein Substrat aus Magnesiumoxyd vor, das
Sahne aufweist. für die erwünschten Lichtwellenlängen durchlässig
Vor der eigentlichen Herstellung des Filmes wird 5 ist. Das Substrat hat eine Fläche, die in einer der
die Oberfläche des Magnesiumoxyd-Substrates 1 mit wichtigen kristallographischen Ebenen orientiert ist,
Alkohol gespült, getrocknet und gewogen. Um den d.h. in der (Hl)-Ebene oder der (100)-Ebene. Eine
epitaktischen Film zu bilden, wird der Ferrit- und (lOO)-Ebene kann erzielt werden, indem der Kristall
Flußmittelbrei auf die Kristallfläche des Substrates gespalten wird. Das Substrat wird vorbereitet, indem
aufgetragen, und zwar aus einem Medizin-Tropfen- io es mit Isopropyl-Alkohol gewaschen und anschließend
zähler jeweils drei oder vier Tropfen. Anschließend getrocknet wird. Eine Mischung aus gleichen Gewird
der Ferrit-und Flußmittelbrei während mindestens wichtsteilen von wasserfreiem Natriumkarbonat und
15 Minuten an der Luft getrocknet. Dann wird das einem Lithium-Chromferrit der Formel
Substrat für 5 bis 10 Minuten auf eine Heizplatte
Substrat für 5 bis 10 Minuten auf eine Heizplatte
gelegt. Ein dünner homogener Ferrit- und Flußmittel- 15 Li0,5Fe2,5-aCra;O4, mit
überzug bedeckt eine Fläche des Substrates 1, wenn O < χ < 2,0
die verschiedenen Stufen des oben erläuterten Verfahrens ausgeführt wurden. Anschließend wird das wird in Alkohol gemischt, indem es in einem Mörser Substrat 1 und der Überzug gewogen, um festzustellen, zu einem homogenen Brei zerstoßen wird. Typische ob genügend Ferrit auf die Oberfläche aufgetragen 20 Mengen von Flußmittel und Ferrit zur Bildung der wurde, um einen Film der gewünschten Stärke zu Mischung sind 0,2 g von jeder Substanz. Der Brei wird erzielen. Werden dickere Schichten gewünscht, muß an der Luft getrocknet, damit ein Pulver entsteht, das Auftragen und das Erhitzen des Breis wiederholt und nochmals mit soviel Alkohol gemischt, daß ein werden, bis ein Überzug der gewünschten Dicke ent- Brei mit einer Konsistenz entsteht, die der von dünner standen ist. 25 Sahne entspricht. Tröpfchen dieses Breis werden dann
überzug bedeckt eine Fläche des Substrates 1, wenn O < χ < 2,0
die verschiedenen Stufen des oben erläuterten Verfahrens ausgeführt wurden. Anschließend wird das wird in Alkohol gemischt, indem es in einem Mörser Substrat 1 und der Überzug gewogen, um festzustellen, zu einem homogenen Brei zerstoßen wird. Typische ob genügend Ferrit auf die Oberfläche aufgetragen 20 Mengen von Flußmittel und Ferrit zur Bildung der wurde, um einen Film der gewünschten Stärke zu Mischung sind 0,2 g von jeder Substanz. Der Brei wird erzielen. Werden dickere Schichten gewünscht, muß an der Luft getrocknet, damit ein Pulver entsteht, das Auftragen und das Erhitzen des Breis wiederholt und nochmals mit soviel Alkohol gemischt, daß ein werden, bis ein Überzug der gewünschten Dicke ent- Brei mit einer Konsistenz entsteht, die der von dünner standen ist. 25 Sahne entspricht. Tröpfchen dieses Breis werden dann
Befindet sich ein Überzug der gewünschten Stärke auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht und
auf dem Substrat 1, wird das Substrat 1 in ein Platin- während 15 Minuten an der Luft getrocknet. Der
gefäß gelegt und in einen Brennofen geschoben, der Trocknungsprozeß wird durch Erhitzen auf einer
auf etwa 12000C geheizt wurde. Das überzogene Sub- Heizplatte während 5 bis 10 Minuten fortgesetzt. Der
strat wird dann während ungefähr 20 Stunden in Luft 30 Brei kann vorteilhaft durch Sprühen, Aufmalen oder
oder Sauerstoff erhitzt. Eintauchen aufgebracht werden. Je nach der ge-
Nach der gewünschten Brennzeit wird das Platin- wünschten Stärke des Filmes kann das Aufbringen und
gefäß aus dem Brennofen herausgeholt, und die Trocknen des Breis verschiedene Male wiederholt
Substratfläche ist mit einem epitaktischen Einkristall werden,
eines Spinell-Ferrits überzogen. 35 Das Gewicht der Mischung aus Ferrit und Fluß-
Es ist darauf hinzuweisen, daß die Bestandteile jedes mittel, die auf das Substrat aufgebracht werden muß,
verwendeten Ferrits auch getrennt bezogen und um die gewünschte Stärke zu erzielen, kann errechnet
gebrannt werden können, um den erwünschten Ferrit werden, wenn die Dichte des Ferrits, die Oberfläche
zu erhalten, anstatt von den umgesetzten Ferriten des Substrats und der Gewichtsprozentsatz des Ferrits
auszugehen, wie das oben vorgeschlagen wurde. 40 in der Mischung bekannt sind. Wenn ein Film von
Das Bilden des epitaktischen Filmes erklärt sich so: einer Stärke von 20 μ (20 χ 10~4 cm) auf einem SubWenn
das Substrat und der Überzug in den Brennofen strat mit einer Fläche von 1 cm2 erforderlich ist, wobei
gebracht werden, schmilzt das Flußmittel zuerst bei die Dichte des Ferrits 6 g/cm3 betragen soll, dann
einer Temperatur von etwa 7000C. Während sich sind 0,0120 g Ferrit erforderlich, die man durch Verdas
Substrat auf die Ofentemperatur erwärmt, löst 45 wendung von 0,024 g einer 50-Gewichtsprozent-Ferritsich
der Ferrit in dem Flußmittel auf und bildet eine Flußmittelmischung erhält. Das Gewichtsverhältnis
Flußmittel-Ferrit-Lösung, welche die Oberfläche des von Flußmittel zu Ferrit ist nicht kritisch und kann
Substrates benetzt und somit eine flüssige Schicht beträchtlich variieren ohne die Verwendbarkeit des
einheitlicher Stärke bildet. Im geschmolzenen Zustand erhaltenen Ferritfilms zu beeinträchtigen. Das Vertritt
ein durch Konvektion bedingter Rührvorgang 50 hältnis von Flußmittel zu Ferrit kann in dem Bereich
innerhalb des Materials ein, und zwar so, daß das Fluß- von 1 Gewichtsteil Flußmittel zu 3 Gewichtsteilen
mittel, welches eine geringere Dichte aufweisen muß als Ferrit bis zu 9 Gewichtsteüen Flußmittel zu 1 Geder
Ferrit, sich in dem geschmolzenen Material nach wichtsteil Ferrit variieren.
oben bewegt. Anschließend verdampft das Flußmittel Das Substrat wird dann in ein flaches Platingefäß
langsam und läßt eine übersättigte Lösung von Ferrit 55 gelegt und in einen Brennofen gebracht, der bevorzugt
in dem geschmolzenen Flußmittel zurück. Bei weiterer auf eine Temperatur von 12000C geheizt wurde.
Verdampfung des Flußmittels sinkt die übersättigte Brenntemperaturen zwischen 1050 und 1300° C wurden
Lösung in dem geschmolzenen Material nach unten, erfolgreich angewandt, ohne daß die Qualität des er-
und Ferrit schlägt sich auf der Fläche des Substrates zielten epitaktischen Filmes beeinträchtigt worden
nieder, das eine kristalline Struktur besitzt und ergibt 60 wäre. Das Substrat wird bei einer Brenntemperatur
einen epitaktischen Film aus Spinell-Ferrit, der eine (1200° C) während 20 Stunden in Luft oder Sauerstoff
Stärke von 5 bis 50 μ aufweist, je nach dem anfäng- erhitzt. Die Zeitspanne von 1 Stunde bis zu 48 Stunden
liehen Gewicht von Ferrit pro Oberflächeneinheit des wurden ebenfalls erfolgreich zur Erzielung von epiSubstrates,
taktischen Ferritfilmen angewandt. Je dicker der
Im folgenden werden spezielle Beispiele des Her- 65 gewünschte Film sein soll, desto langer ist die Brenn-
stellungsverfahrens für dünne epitaktische Filme aus zeit zur Verdampfung des Flußmittels. Nach dem
Spinell-Ferriten angegeben, bei denen verschiedene Erhitzen wird das Substrat auf Zimmertemperatur
Ferrite und Flußmittel Anwendung finden. abgekühlt und der erhaltene epitaktische Ferritfilm
mit dem Substrat verwendet (MgO ist durchsichtig), wendeten Ferrit um
oder das Substrat wird durch Schleifen oder Spalten
entfernt. Der erhaltene Ferritfilm hat eine Stärke von MgFe2O4
5 bis 50 μ, je nach dem Gewicht von Ferrit pro handelt.
Flächeneinheit des Substrates. 5 η · · . ,,
Beispiel II PIe Verfahrensschritte sind dieselben wie in Beispiel
II, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver-Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- wendeten Ferrit um
spiel I, mit der einen Ausnahme, daß als Flußmittel io MeF O
spiel I, mit der einen Ausnahme, daß als Flußmittel io MeF O
wasserfreies Lithiumkarbonat an Stelle von wasser- e2 4
freiem Natriumkarbonat verwendet wird. handelt.
Beispiel XI
Beispiel III
Beispiel III
15 Die Verfahrensschritte sind dieselben wie in Bei-
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- spiel I, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem verspiel
I, mit der Ausnahme, daß der verwendete Ferrit wendeten Ferrit um
die Formel CoFe2O4
Li055Fe256O4 ao handelt.
die Formel CoFe2O4
Li055Fe256O4 ao handelt.
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei-
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- spiel II, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem verspiel
II, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- 35 wendeten Ferrit um
wendeten Ferrit um _ „ ^
CoFe2O4
Li015Fe255O4 handelt
handelt. jn ^em Jn ρ j g 2 schematisch dargestellten magneto-
BeisoielV 3° °Pt'sc'ien Gerät wird ein einkristalliner Film eines
Spinell-Ferrits 2 auf einem Substrat 1 zwischen in
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- Abständen angeordneten gekreuzten Polarisationsspiel I, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- filtern (d. h. zwischen Polarisator 3 und Analysator 4)
wendeten Ferrit um angebracht. Der Kristall wird in ein magnetisches
χ,-ρ Q 35 Feld gebracht (z. B. das Feld, welches durch einen
24 Elektromagneten 5 oder durch Helmholtz-Spulen erhandelt.
zeugt wird) Eine Lichtquelle 6 und eine Photozelle 7
Beisoiel VI werden so angebracht, daß das Licht, mit welchem
die Photozelle 7 belichtet wird, dasjenige ist, welches
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- 40 bei Lichtquelle 6 seinen Ursprung hat und hinterspiel
II, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- einander den Polarisator 3, den Monokristallfüm 2,
wendeten Ferrit um das Substrat 1 und den Analysator 4 durchläuft. Da
NiPe Q der Grad der Drehung der Ebene des polarisierten
2 4 Lichtes, welches den Monokristallfilm aus Spinellhandelt.
45 perrjt durchläuft, vom magnetischen Feld abhängt,
B e i s η i e 1 VII kann der Grad der Drehung des Lichtes, das seinen
Ursprung in der Lichtquelle 6 hat und durch den
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- Polarisator, den Analysator und den monokristallinen
spiel I, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- Film zur Photozelle 7 gelangt, dadurch verändert
wendeten Ferrit um 50 werden, daß die Stärke des Magnetfeldes des Magneten
geändert wird. Im Bereich der magnetischen Sättigung
Ni1-^ZHyFe2O4 handelt, mit ist die Drehung nicht von dem angelegten Magnetfeld
O < y < 1. abhängig, und es kann eine maximale Drehung erzielt
werden.
B e i s ο i e 1 VIII 55 In F i g. 2 durchdringt 34 % des einfallenden Lichtes
mit einer Wellenlänge von 0,8 einen Kristall aus
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- Li055Fe255O4, dessen Herstellung im Zusammenhang
spiel II, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- mit den obengenannten Beispielen III und IV erwähnt
wendeten Ferrit um wurde und der eine Stärke von 5 μ aufweist. Die
60 magnetooptische Drehung bei Sättigung für dieses
Nii-j,Z%FeO4 handelt, wobei Material hat 1000° Drehung pro Zentimeter Stärke.
O < y < 1 ist. ' Auf diese Weise dreht ein Film von 5 μ Stärke die
Polarisationsebene um 0,5°. Spinell-Ferritfilme wie
diejenigen, welche in den anderen Beispielen be-
B e i s ρ i e 1 IX 65 schrieben wurden, geben ähnliche Drehungen unter
ähnlichen Bedingungen.
Die Verfahrensschritte sind dieselben wie bei Bei- Wenn Einkristallfilme aus Spinell-Ferrit und mit
spiel I, mit der Ausnahme, daß es sich bei dem ver- ausreichender Stärke erzeugt werden, kann das dar-
unterliegende Substrat entfernt werden, und zwar
entweder durch Spalten oder Abschleifen. Obgleich
die Filme im Zusammenhang mit Vorrichtungen
beschrieben wurden, die die Faraday-Drehung ausnutzen, ist darauf hinzuweisen, daß diese Filme auch
entweder durch Spalten oder Abschleifen. Obgleich
die Filme im Zusammenhang mit Vorrichtungen
beschrieben wurden, die die Faraday-Drehung ausnutzen, ist darauf hinzuweisen, daß diese Filme auch
andere Verwendung finden können. Mehrere schichtförmig
zusammengefügte Filme können z. B. einen magnetischen Aufzeichnungskopf bilden, welcher nur
die magnetischen Eigenschaften der ferromagnetischen 5 Filme ausnutzt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen eines einkristallinen, Einkristallen geschnitten und geschliffen werden. Risse
epitaktisch auf ein Substrat aufgewachsenen Ferrit- S und andere Fehler, die durch diese Beanspruchungen
films mit Spinellstruktur, dadurch gekenn- entstehen, beeinträchtigen im allgemeinen die magnetozeichnet,
daß der Film aus einer mit dem optischen Eigenschaften des Kristalls.
Substrat in Berührung stehenden Lösung des Diese Nachteile werden mit einem Verfahren der
Ferritmaterials in einem Flußmittel durch Ver- eingangs genannten Art dadurch vermieden, daß der
dampfen des Flußmittels aufwachsen gelassen wird. io Film aus einer mit dem Substrat in Berührung stehen-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- den Lösung des Ferritmaterials in einem Flußmittel
zeichnet, daß als Flußmittel wasserfreies Soda durch Verdampfen des Flußmittels aufwachsen ge-
und/oder Lithiumkarbonat verwendet wird. lassen wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, In vorteilhafter Weise besteht ein Ferritmaterial
dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung ver- »5 gemäß der Erfindung aus mindestens einem der
wendet wird, in der das Gewichtsverhältnis von folgenden Ferrite:
Flußmittel zu Ferritmaterial sich in dem Bereich
von 1: 3 bis 9:1 bewegt. Li0,5Fe2,sO4, Li055Fe255-^Cr1O4 mit O
< χ < 2,0,
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, NiFe2O4, Ni1-^ZnJ, Fe2O4 mit O
< y < 1, MgFe2O4,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung ver- ao CoFe2O4.
wendet wird, in der das Gewichtsverhältnis von
Flußmittel zu Ferritmaterial 1:1 beträgt. Als Flußmittel wird vorteilhaft wasserfreie Soda
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, da- und/oder Lithiumkarbonat verwendet.
durch gekennzeichnet, daß das Flußmittel bei einer In vorteilhafter Weise läßt sich Magnesiumoxid,
Temperatur von 1050 bis 13000C verdampft wird, as Nickeloxid oder Aluminiumoxid als Substratmaterial
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, verwenden. Die genannten Materialien sind leicht
dadurch gekennzeichnet, daß das Flußmittel wäh- sauber und in der gewünschten Form erhältlich,
rend eines Zeitraumes von 1 bis 48 Stunden ver- Außerdem sind sie für das Licht, das im allgemeinen
dampft wird. in Verbindung mit magnetooptischen Vorrichtungen
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, da- 30 verwendet wird, durchlässig.
durch gekennzeichnet, daß als Substratmaterial Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich
Magnesiumoxid, Nickeloxid oder Aluminiumoxid aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit
verwendet wird. den Zeichnungen, von denen zeigt
F i g. 1 eine perspektivische Ansicht eines ein-35 kristallinen epitaktischen Filmes von Spinell-Ferriten,
der auf der Oberfläche eines einkristallinen Substrates
aufgebracht ist,
F i g. 2 schematisch die Darstellung eines magnetooptischen Systems, welches einen einkristallinen epi-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen 40 taktischen Film aus einem Spinell-Ferrit verwendet,
eines einkristallinen, epitaktisch auf ein Substrat In F i g. 1 wird eine perspektivische Ansicht eines
aufgewachsenen Ferritfilms mit Spinellstruktur. Substrats 1 gezeigt, auf dessen Oberfläche sich ein
Filme aus magnetischem Material, die außerdem einkristalliner epitaktischer Film 2 aus Spinell-Ferrit
lichtdurchlässig sind, haben wegen ihrer Verwend- befindet. Das Substrat 1 hat die Eigenschaft, daß es
barkeit als magnetooptische Speichervorrichtungen 45 für die Wellenlängen des Lichtes, das im allgemeinen
ein allgemeines Interesse erlangt. Üblicherweise wird in Verbindung mit magnetooptischen Vorrichtungen
die Änderung der Polarisation eines einfallenden Licht- verwendet wird, durchlässig ist. Das Substrat hat
Strahles auf Grund einer Veränderung eines Magnet- außerdem die Eigenschaft, daß es ein einkristallines
feldes, das er durchläuft oder auf Grund von örtlichen Material ist. Indem das einkristalline Substrat vorVeränderungen
im Magnetzustand des Filmes ver- 50 gesehen wird, sind die anschließend gebildeten Filme
wendet, um Ausgangssignale zu erhalten, die die epitaktische Filme, d. h., sie entsprechen dem eingespeicherte
Information anzeigen. kristallinen Aufbau des Substrats. Zusätzlich zu den Magnetooptische Filme und die Verfahren zu ihrer obenerwähnten Eigenschaften sollte das Substrat von
Herstellung sind bekannt. Die Herstellungsverfahren der Art sein, daß es den schließlich gebildeten epifür
solche Filme umfassen z. B. die Technik der 55 taktischen Film nicht verunreinigt. Ein Substrat,
Vakuum-Abscheidung und der chemischen Reduktion welches alle die oben aufgezählten Kriterien besitzt,
entsprechender Materialien. Die meisten der bekannten ist Magnesiumoxyd, Kristalle aus Aluminiumoxyd
Verfahren liefern keine epitaktischen Einkristallfilme, und Nickeloxyd sind zwar weniger zufriedenstellend
welche jedoch deshalb besonders erwünscht sind, weil als solche aus Magnesiumoxyd, sie sind jedoch auch
bessere optische Durchlaßeigenschaften erzielt werden 60 schon erfolgreich verwendet worden,
können. Bekannte Dampfniederschlagsverfahren lie- Bei der Bildung des Filmes 2 wird zuerst ein Brei fern z. B. im allgemeinen polykristalline Filme, in bereitet, indem gleiche Gewichtsteile eines Flußmittels, welchen die Korngrenzen sowohl die optischen als z. B. Natrium- oder Lithium-Karbonat, mit einem auch die magnetischen Eigenschaften der sich er- Spinell-Ferrit, wie z. B. Lithium-, Lithium-Chrom-, gebenden Filme beeinträchtigen. Die bekannten Ver- 65 Nickel-Zink-, Nickel-Magnesium- oder Kobalt-Ferrit fahren sind außerdem beschränkt hinsichtlich der in Isopropyl-Alkohol gemischt werden. Die Mischung Größe des erzielbaren Films, der die erwünschten wird dann in einem Mörser zerstoßen, bis sie homogen Einkristall-Eigenschaften aufweist. Wenn Einkristall- ist, und anschließend an der Luft getrocknet, bis sich
können. Bekannte Dampfniederschlagsverfahren lie- Bei der Bildung des Filmes 2 wird zuerst ein Brei fern z. B. im allgemeinen polykristalline Filme, in bereitet, indem gleiche Gewichtsteile eines Flußmittels, welchen die Korngrenzen sowohl die optischen als z. B. Natrium- oder Lithium-Karbonat, mit einem auch die magnetischen Eigenschaften der sich er- Spinell-Ferrit, wie z. B. Lithium-, Lithium-Chrom-, gebenden Filme beeinträchtigen. Die bekannten Ver- 65 Nickel-Zink-, Nickel-Magnesium- oder Kobalt-Ferrit fahren sind außerdem beschränkt hinsichtlich der in Isopropyl-Alkohol gemischt werden. Die Mischung Größe des erzielbaren Films, der die erwünschten wird dann in einem Mörser zerstoßen, bis sie homogen Einkristall-Eigenschaften aufweist. Wenn Einkristall- ist, und anschließend an der Luft getrocknet, bis sich
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US54478866A | 1966-04-25 | 1966-04-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1619968A1 DE1619968A1 (de) | 1971-03-18 |
DE1619968B2 DE1619968B2 (de) | 1974-04-25 |
DE1619968C3 true DE1619968C3 (de) | 1974-11-21 |
Family
ID=24173597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1619968A Expired DE1619968C3 (de) | 1966-04-25 | 1967-04-25 | Verfahren zum Herstellen einkristalliner Ferritfilme |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3498836A (de) |
JP (1) | JPS4944239B1 (de) |
DE (1) | DE1619968C3 (de) |
FR (1) | FR1513081A (de) |
GB (1) | GB1135168A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU400139A1 (ru) * | 1971-07-07 | 1974-02-25 | Фонд вноертш | |
US3922430A (en) * | 1973-10-18 | 1975-11-25 | Kuhns Roberta B | Data bearing card having an aesthetic, magnetizable, colorless, transparent coating thereon |
JPS5133898A (de) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Hitachi Ltd | |
US4093781A (en) * | 1975-05-27 | 1978-06-06 | Rockwell International Corporation | Epitaxial, sodium-substituted lithium ferrite films |
US4189521A (en) * | 1977-07-05 | 1980-02-19 | Rockwell International Corporation | Epitaxial growth of M-type hexagonal ferrite films on spinel substrates and composite |
US4243697A (en) * | 1979-03-14 | 1981-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Self biased ferrite resonators |
JPS6047240B2 (ja) * | 1980-05-16 | 1985-10-21 | ソニー株式会社 | フエライト単結晶 |
FR2996884B1 (fr) | 2012-10-15 | 2015-02-06 | Asco Joucomatic Sa | Distributeur electropneumatique. |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3150925A (en) * | 1961-04-20 | 1964-09-29 | Richard J Gambino | Method of growing single crystals |
US3332796A (en) * | 1961-06-26 | 1967-07-25 | Philips Corp | Preparing nickel ferrite single crystals on a monocrystalline substrate |
US3305301A (en) * | 1963-04-03 | 1967-02-21 | Bell Telephone Labor Inc | Process for the growth of ordered lithium ferrite |
US3404026A (en) * | 1965-04-06 | 1968-10-01 | Army Usa | Method of forming magnetic ferrite films |
-
1966
- 1966-04-25 US US544788A patent/US3498836A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-02-16 JP JP42009674A patent/JPS4944239B1/ja active Pending
- 1967-03-01 FR FR8401A patent/FR1513081A/fr not_active Expired
- 1967-03-31 GB GB14822/67A patent/GB1135168A/en not_active Expired
- 1967-04-25 DE DE1619968A patent/DE1619968C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1619968A1 (de) | 1971-03-18 |
FR1513081A (fr) | 1968-02-09 |
US3498836A (en) | 1970-03-03 |
DE1619968B2 (de) | 1974-04-25 |
GB1135168A (en) | 1968-12-04 |
JPS4944239B1 (de) | 1974-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2919590C2 (de) | ||
DE2423757A1 (de) | Duennschicht-wellenleiter | |
DE69312307T2 (de) | Verfahren zum herstellen von dünnschichten durch gepulste excimerlaser-verdampfung | |
DE2839535A1 (de) | Verfahren zur behandlung eines einkristallinen koerpers | |
DE2643793C2 (de) | Verfahren zum Züchten von einkristallinem Seltenerdmetall-Eisen-Granat | |
DE1619968C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einkristalliner Ferritfilme | |
DE2829552A1 (de) | Epitaxialwachstum von m-typ-hexagonalferritschichten auf spinellsubstraten und dessen erzeugnis | |
EP0033990A2 (de) | Magnetische Anordnung | |
DE1646789B2 (de) | Zweiechichtkörper, bestehend aus einem einkristallinen Substrat und einem heteroepitaktlsch aufgewachsenen Film, und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2434251C2 (de) | Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat | |
DE69025564T2 (de) | Nichtlineare optische Vorrichtungen und Herstellungsverfahren | |
DE3111657C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur | |
DE2113373A1 (de) | Elektro-optischer Modulator | |
DE2057099C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Dünnschichten aus Granat | |
EP0023063B1 (de) | Einkristall auf der Basis von Seltenerdmetall-Gallium-Granat und magnetische Dünnschichtanordnung mit einem monokristallinen Granat-Substrat | |
DE1544338A1 (de) | Zuechtung von Lithiumniobat-Kristallen | |
DE2134413B2 (de) | Anordnung zur frequenzwandlung kohaerenter strahlung mit einem optisch nichtlinearen organischen kristall | |
DE2225792A1 (de) | Bildschirm fur eine Dunkelspur Kathodenstrahlrohre und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3610467A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer vertikal magnetisierten schicht auf basis eines seltenen erden-eisen-granats | |
DE69919624T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einkristalliner Schicht | |
DE69201431T2 (de) | Zinkoxidkristall und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE1813844A1 (de) | Herstellung von Mangan-Wismut | |
DE2233259A1 (de) | Verfahren zur zuechtung von einkristallen auf impfeinkristallen | |
DE2252715C3 (de) | Optisch transparente Einkristallscheibe aus substituiertem Eisen-Granat und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2217301C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen kristallisierbaren Materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |