DE1614665C3 - Verfahren zum serienmäßigen Kontaktieren von elektrischen Bauelementen im Kunststoffgehäuse - Google Patents

Verfahren zum serienmäßigen Kontaktieren von elektrischen Bauelementen im Kunststoffgehäuse

Info

Publication number
DE1614665C3
DE1614665C3 DE1614665A DE1614665A DE1614665C3 DE 1614665 C3 DE1614665 C3 DE 1614665C3 DE 1614665 A DE1614665 A DE 1614665A DE 1614665 A DE1614665 A DE 1614665A DE 1614665 C3 DE1614665 C3 DE 1614665C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
soldering
component arrangement
alloy
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1614665A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1614665A1 (de
DE1614665B2 (de
Inventor
Russi Dipl.-Phys. 8000 Muenchen Tschernev
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1614665A1 publication Critical patent/DE1614665A1/de
Publication of DE1614665B2 publication Critical patent/DE1614665B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1614665C3 publication Critical patent/DE1614665C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01032Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01052Tellurium [Te]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01088Radium [Ra]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von elektrischen Bauelementen in Koaxialbauweise, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen, im Kunststoffgehäuse, bei dem mit Hilfe von Montagehorden die äußeren in der gleichen oder nahezu gleichen Achse angeordneten Elektroden des herzustellenden Bauelements mit der Bauelementanordnung verbunden werden, wonach die Bauelementanordnung und die äußeren Elektroden mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden.
Es ist bekannt, Halbleiterbauelemente mit koaxialen Anschlüssen in ein Glasgehäuse einzubauen. Dabei wird die Halbleiteranordnung zwischen zwei vorgefertigte, als Elektroden dienende Metallstreifen gelegt, mit diesen verlötet und anschließend in ein Glasröhrchen eingekapselt, wobei die Elektroden auf beiden Seiten des Röhrchens nach außen geführt werden.
Bei einem anderen bekannten Verfahren werden die Halbleiterbauelemente zum Schutz vor Feuchtigkeit und anderen atmosphärischen Einflüssen sowie zur Verbesserung der mechanischen Stabilität in ein Gehäuse aus gießfähigen Harzen oder aushärtbaren Kunststoffen, die bei der Betriebstemperatur der herzustellenden Bauelemente eine feste Vergußmasse bilden, eingebaut. Dies geschieht in der Weise, daß mit Hilfe von Montagehorden die auf Sysiemträger legierten oder gelöteten Halbleiteranordnungcn mit den äußeren Elektroden verbunden werden und dann die Verbindungsstellen zwischen den Kontaktierungsdrähten und den Anschlüssen mit einem gießfähigen Harz in einem ebenfalls aus Kunststoff bestehenden Formkörper vergossen werden. Die einzelnen Bauelemente werden dann durch entsprechendes Zerteilen der durch Vergießen hergestellten Kunststoffleiste erhalten. Dieses Verfahren hat gegenüber dem ersten unter anderem den Vorteil, daß durch das Umhüllen mit dem Kunststoff und außerdem durch die Verwendung eines als Elektrodenanschlüsse dienenden bandförmigen Trägerkörpers gleichzeitig mehrere Bauelemente in einem Formkörper vergossen werden können, während bei dem Einbau in das Glasgehäuse jedes Bauelement für sich eingekapselt wird.
Beim Übergang auf Bauelemente mit sehr feinen Strukturen, insbesondere auf solche, die nach der Pia-
nartechnik gefertigt sind, bereitet das Anbringen der Kontakte an den Elektroden erhebliche Schwierigkeiten, da die Kontakte meist nur punktförmig und mit geringen Kontakthöhen wegen der kleinen Strukturarbeiten und Diffusionstiefen aufgebracht werden können.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein rationelles und billiges Verfahren anzugeben, das es erlaubt, eine Vielzahl von kunststoffummantelten Bauelementen in koaxialer Ausführung, insbesondere Hableiterbauelemente, die nach der Planartechnik gefertigt sind, mit mechanisch stabilen Lötkontakten zu versehen, ohne daß dabei die elektrischen Parameter in ungünstiger Weise beeinflußt werden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird dadurch gelöst, daß bei der Kontaktierung eine Montagehorde verwendet wird, welche die äußeren in der gleichen oder nahezu gleichen Achse angeordneten Elektroden mit einer mechanischen Vorspannung mit der Bauelementanordnung in Kontakt bringt, daß dann '20 die vorzugsweise mit einer Lotschicht versehenen Elektroden mit der Bauelementanordnung in einem Lötofen in Schutzgasatmosphäre verlötet werden und daß vor dem Entfernen der Montagehorde die mit den äußeren Elektroden verlötete Bauelementanordnung an den Lötstellen mit einem fest aushärtbaren Isolationslack bedeckt wird.
Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß auf rationelle Weise festhaftende und mechanisch stabile, sowie vor Feuchtigkeit und anderen atmosphärischen Einflüssen geschützte Lötkontakte hergestellt werden, die im Anschluß an den Kontaktierprozeß sofort mit einer Kunststoffumhüllung aus Epoxydharz oder Polyesterharz durch ein Spritz-Preß-Verfahren versehen werden können.
Zur Erhöhung der mechanischen Stabilität der Lötkontakte werden in einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens für die äußeren Elektroden Metallbänder oder flachgedrückte Drähte aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, aus Nickel oder aus einer Bronzelegierung verwendet. Dabei ist es vorteilhaft, wenn für die gleichzeitige Kontaktierung mehrerer Elemente in einer Montagehorde das Elektrodenmaterial Kammstruktur aufweist.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß auf die Elektroden ein Lot aufgebracht wird, welches aus zwei Schichten besteht, die bei der Kontaktlötung eine Gold-Zinn-Legierung bilden. Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel wird die Zusammensetzung des Lotes so gewählt, daß die bei der Kontaktlötung entstehende Legierung einer Legierung aus 80 Gewichtsprozent Gold und 20 Gewichtsprozent Zinn entspricht.
Die die Legierung bildenden Schichten können sowohl auf galvanischem Wege aufgebracht als auch im Vakuum aufgedampft oder durch ein Plattierungsverfahren auf das Elektrodenmaterial aufgewalzt werden.
Wenn erforderlich, kann mit den aus den Lotkomponenten bestehenden Schichten zusätzlich ein die Dotierung der zu kontaktierenden Elektroden der Bauelementanordnung beeinflussendes Material mitaufgebracht werden.
Es ist zweckmäßig, wegen des eutektischen Punktes der Gold-Zinn-Legierung den Lötprozeß bei 280 bis 3000C in gereinigter Stickstoffatmosphäre und in einem Durchlaufofen durchzuführen.
Zur Erhöhung der Stabilität der Lötkontakte wird erfindungsgemäß zur Abdeckung der Lötstellen ein Epoxydharzlack verwendet, der in etwa 30 Minuten bei 150°C fest aushärtet. Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß eine starre Verbindung entsteht, die das Entfernen der Montagehorde nach dem Lötprozeß auf bequeme Weise und ohne mechanischen Ausfall erlaubt. Zusätzlich wird dabei die Oberfläche der Bauelementanordnung vor äußeren atmosphärischen Einflüssen, insbesondere vor Feuchtigkeit, geschützt.
Die Abdeckung der Lötstellen mit dem fest aushärtbaren Lack geschieht zur besseren Dosierung des aufzubringenden Lacktropfens mittels einer Pipette oder einer Düse.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, die Umhüllung der kontaktierten Bauelementanordnung mit einem Kunststoffgehäuse aus Epoxydharz oder Polyesterharz durch ein Spritz-Preß-Verfahren vorzunehmen. Durch das Vorliegen der Kammstruktur des Elektrodenmaterials ist es von Vorteil, daß gleichzeitig mehrere Elemente in der Preßform angeordnet und mit dem Kunststoffgehäuse versehen werden können.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist deshalb besonders gut geeignet zum Kontaktieren aller Halbleiterbauelemente im Kunststoffgehäuse, die nach der Legierungs- und/oder Diffusionstechnik gefertigt sind. Wegen der mechanischen Empfindlichkeit der in Miniaturbauweise gefertigten Halbleiterbauelemente ist es besonders vorteilhaft anwendbar bei der Montage von Planartransistoren und -dioden sowie integrierten Schaltungen.
Eine weitere Anwendungsmöglichkeit ergibt sich bei der Kontaktierung von mehrpoligen elektrischen Bauelementen, z. B. von Kondensatoren und Widerständen.
Im folgenden soll die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispiels und der in der Zeichnung dargestellten Figur näher erläutert werden.
In der Figur ist im Schnitt eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren kontaktierte Diode, die für diesen Zweck in eine Montagehorde eingespannt ist, gezeigt. Dabei bedeuten die mit dem Bezugszeichen 3 bezeichneten Teile die aus einem geeigneten Werkstoff hergestellte Montagehorde, in welche die mit der Halbleiteranordnung 1 zu kontaktierenden äußeren Elektroden 2 mit einer bestimmten mechanischen Vorspannung eingespannt sind. Die mechanische Vorspannung soll durch den mit 5 bezeichneten Knick in dem aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehenden, mit einer bei der Kontaktlötung sich bildenden Legierung (in der Figur nicht dargestellt) versehenen Elektrodenmaterial 2 dargestellt werden. Die Halbleiteranordnung 1, im Ausführungsbeispiel ein Planardiodensystem, bestehend aus dem Kristallkörper 6 und dem aufgedampften Metallkontakt 7 aus Silber, wird zwischen die unter mechanischer Vorspannung zueinander liegenden Metallbänder 2 eingeschoben. Die gefüllte Montagehorde wird dann in gereinigter Stickstoffatmosphäre in einem Durchlaufofen bei 2800C einem kurzen Lötprozeß unterworfen. Beim Abkühlen der gefüllten Montagehorde im Durchlaufofen wird bei Erreichen einer Abkühltemperatur von etwa 1500C durch einen in der Montagehorde angebrachten Schlitz zur Verbesserung der mechanischen Stabilität der Lötstellen auf jedes gelötete System mit Hilfe einer Pipette ein Epoxydharzlacktropfen 4 angebracht, der in etwa 30 Minuten bei gleichbleibender Temperatur von 150°C zu einem fest ausgehärteten Isolationslack erstarrt. Der mit mehreren gelöteten Anordnungen versehene Kamm aus Elektrodenmaterial kann dann ohne mechanischen Ausfall und ohne besondere Vorsichtsmaßnahmen aus
der Montagehorde genommen und sofort in die für die Kunststoffumhüllung vorgesehene Preßform eingelegt werden. Auf diese Weise lassen sich gleichzeitig mehrere Halbleiteranordnungen, z. B. eine aus 50 Elementen bestehende Kette von Halbleiteranordnungen, rationell kontaktieren und anschließend zum Schütze vor äußeren Einflüssen mit einer aushärtbaren Kunststoffmasse, insbesondere aus Epoxydharzen bestehend, umhüllen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von elektrischen Bauelementen in Koaxialbauweise, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen, im Kunststoffgehäuse, bei dem mit Hilfe von Montagehorden die äußeren, in der gleichen oder nahezu gleichen Achse angeordneten Elektroden des herzustellenden Bauelements mit der Bauelementanordnung verbunden werden, wonach die Bauelementanordnung und die Verbindungsstellen zwischen der Bauelementanordnung und den äußeren Elektroden mit einer niedrigschmelzenden, bei der Betriebstemperatur des herzustellenden Bauelements festen Vergußmasse umhüllt werden, d a durch gekennzeichnet, daß bei der Kontaktierung eine Montagehorde verwendet wird, welche die äußeren in der gleichen oder nahezu gleichen Achse angeordneten Elektroden mit einer mechanischen Vorspannung mit der Bauelementanordnung in Kontakt bringt, daß dann die vorzugsweise mit einer Lotschicht versehenen Elektroden mit der Bauelementanordnung in einem Lötofen in Schutzgasatmosphäre verlötet werden und daß vor dem Entfernen der Montagehorde die mit den äußeren Elektroden verlötete Bauelementanordnung an den Lötstellen mit einem fest aushärtbaren Isolationslack bedeckt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die äußeren Elektroden Mctallbänder oder flachgedrückte Drähte aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, aus Nickel oder aus einer Bronzelegierung verwendet werden, wobei das Elektrodenmaterial für die gleichzeitige Kontaktierung mehrerer Elemente in einer Montagehorde Kammstruktur aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Elektroden ein Lot aufgebracht wird, welches aus zwei Schichten besteht, die bei der Kontaktlötung eine Gold-Zinn-Legierung bilden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lotschicht verwendet wird, die einer bei der Kontaktlötung entstehenden Legierung von 80 Gewichtsprozent Gold und 20 Gewichtsprozent Zinn entspricht.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lotschichl durch ein galvanisches Verfahren aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lotschicht im Vakuum aufgedampft oder durch ein Plattierungsvcrfahren aufgewalzt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zur Lotschicht ein die Dotierung der zu kontaktierenden Elektroden der Bauelementanordnung beeinflussendes Material miiaufgebracht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Lötprozeß bei 280 bis 3000C in gereinigtem Stickstoff in einem Durchlaufofen durchgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Abdeckung der Lötstellen ein Epoxydharzlack verwendet wird, der in etwa 30 Minuten bei 1500C fest aushärtet.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung der Lötstellen mit dem fest aushärtbaren Isolationslack durch Auftropfen des Lacks mittels einer Pipette oder durch eine Düse erfolgt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung der kontaktierten Bauelementanordnung mit einem Kunststoffgehäuse durch ein Spritz-Preß-Verfahren mit Epoxydharz oder Polyesterharz vorgenommen wird, wobei gleichzeitig mehrere Elemente in der Preßform angeordnet und mit dem Kunststoffgehäuse versehen werden.
12. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 11 zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen, die nach der Legierungs- und/oder Diffusionstechnik gefertigt sind, sowie zum Kontaktieren von Planartransistoren und -dioden und integrierten Schaltungen.
DE1614665A 1967-11-30 1967-11-30 Verfahren zum serienmäßigen Kontaktieren von elektrischen Bauelementen im Kunststoffgehäuse Expired DE1614665C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0113066 1967-11-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1614665A1 DE1614665A1 (de) 1970-07-09
DE1614665B2 DE1614665B2 (de) 1975-05-28
DE1614665C3 true DE1614665C3 (de) 1976-01-08

Family

ID=7532222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1614665A Expired DE1614665C3 (de) 1967-11-30 1967-11-30 Verfahren zum serienmäßigen Kontaktieren von elektrischen Bauelementen im Kunststoffgehäuse

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1614665C3 (de)

Also Published As

Publication number Publication date
DE1614665A1 (de) 1970-07-09
DE1614665B2 (de) 1975-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4446566A1 (de) Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
DE2801419A1 (de) Abbildungsvorrichtung
DE2408165A1 (de) Elektrisches bauteil
DE2315711A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens
DE2306288C2 (de) Träger für einen integrierten Schaltkreis
EP0017979A1 (de) Elektrisches Netzwerk und Herstellungsverfahren
DE1614665C3 (de) Verfahren zum serienmäßigen Kontaktieren von elektrischen Bauelementen im Kunststoffgehäuse
EP0192818B1 (de) Kunststoffolien-Wickelkondensator in Chipbauweise
DE69634816T2 (de) Methode zur herstellung eines halbleiterbauteils für oberflächenmontage, geeignet für vergleichsweise hohe spannungen und ein solches halbleiterbauteil
EP0171838A1 (de) Umhülltes elektrisches Element
DE3625238C2 (de)
DE2736056A1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE1292755B (de) Verfahren zum serienmaessigen Sockeln und Gehaeuseeinbau von Halbleiterbauelementen
DE1564444C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem isolierenden Träger
DE2448296A1 (de) Anschlusselement fuer elektronische bauelemente
DE2031285C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger elektronischer Bauelemente mit Kunststoffgehäuse
DE2114075A1 (de) Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2213961C3 (de) Anordnung von Substratplättchen auf Trägerplatten
DE19957089C2 (de) Systemträger mit einer Trägerplatte für elektronische Bauteile und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0997843B1 (de) Transponderanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Transponderanordnung
DE2616256A1 (de) Anordnung von elektronikbauteilen auf einer gedruckten schaltungsplatte, sowie das zugehoerige herstellungsverfahren
AT250536B (de) Anschlußelementeeinheit, die aus wenigstens vier rechtwinkelig abgebogenen und in bestimmter Lage zueinander festgelegten Anschlußelementen für den äußeren Anschluß einer Miniaturbaugruppe besteht
DE1514893A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1514412C3 (de) Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterba uelementen
DE2454939C3 (de) Selenkleingleichrichter

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee