DE1614310A1 - Method for attaching an electrical connection to a surface of an electronic circuit arrangement and circuit arrangement produced according to this method - Google Patents
Method for attaching an electrical connection to a surface of an electronic circuit arrangement and circuit arrangement produced according to this methodInfo
- Publication number
- DE1614310A1 DE1614310A1 DE19671614310 DE1614310A DE1614310A1 DE 1614310 A1 DE1614310 A1 DE 1614310A1 DE 19671614310 DE19671614310 DE 19671614310 DE 1614310 A DE1614310 A DE 1614310A DE 1614310 A1 DE1614310 A1 DE 1614310A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit arrangement
- contact layer
- aluminum
- electronic circuit
- galvanic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Description
w < . S*w <. S *
18143TÖ18143TO
ι ι σ: ti ι ι σ: ti
Änitieldünä vorn« 13* Dez» 196*7Änitieldünä in front «13 * Dec» 196 * 7
:äat Mhe*· JlIoH^ äirieär äiöklt^hlsöhiiJi SoHsltüngs^ SöMi tliiigs : äat Mhe * · JlIoH ^ äirieär äiöklt ^ hlsöhiiJi SoHsltüngs ^ SöMi tliiigs
üg-. TaeziaM -Si.ioii auf iia ^tlähriii έ\&üg-. TaeziaM -Si.ioii on iia ^ tlähriii έ \ &
Un iiäl.¥iiii^yfcMßtän&e&ii%iaiii| lls^liUn iiäl. ¥ iiii ^ yfcMßtän & e & ii% iaiii | lls ^ li
tat ikdid ik
PHN*?202PHN *? 202
angebracht wird j, die auf galvanisch em. Wege verstärkt wird., wodurch der erwähnte Anschluss erhalten wird. Ss ist bekannt bei einem derartigen Verfahren die Könt&k.t schicht aus Silber oder Chrom herzustellen und auf dieser Schicht durch geil iranisches Anwachsen einer Silberschicht alnan Anschluss auf dieser Schicht zu bilden«. Auch wurde bereits vorgeschlagen, die Kontaktschicht dadurch zuis attached j, which is galvanically em. Ways is reinforced., Whereby the mentioned connection is obtained. Ss is known to one such processes the Könt & k.t layer of silver or chrome and on this layer by horny Iranian growth a layer of silver to form a connection on this layer «. It has also already been proposed that the contact layer be closed in this way
bildiänj dasG· zunächst Chrom, danach Alunlniua und darauf Silber auf^e.iampft wird, und zwar derart, d->ss- die Aufdanpfvorgange einander teilweise überlappten und 30 gemischte übargangsgebiete zwischen .«.us reines Metall bsstohenden Schienten gebildet werden»bildiänj dasG · first chrome, then aluminum and then silver on ^ e.iampft, in such a way that d-> ss- the Aufdanpfvorgange partially overlapping and 30 mixed access areas between. «. pure metal can be formed from broken splints»
Die in dieser vfeiaö hergestell tan elektronischen Schal tunto-s anordnungen kSn-ften jedGch elektrische Instabilitäten aufweisen, die der '-iahdorung des Silbe'rs über die Gberfl2.eh9 zugeschrieben werden können. Auch ist es bekannt, dass Silber leicht von einer Oxidschicht antfarnt werden kann, wenn eä, darauf aufgedampft ist» Bias ist ein Vorteil j nenn die Silberschicht nur zeitweilig vorhanden sein eoll und wieder entfernt werden muss; diäse Sigönsohaft kann jedoch auch zu einäa weniger guten aiechanischeh iuöärrÄienhäng zwischen den elektrischen Anschlüssen und dem darunter liegati&en Toil dir elaktroniächan SöhaltungsanörcLnüng fuhren* -.-■.·. ■ ■ - . .··-.. The in this vfeiaö hergestell tan electronic scarf do to -s arrangements KSN ften jedGch electrical instabilities have that can be attributed on the Gberfl2.eh9 the '-iahdorung of Silbe'rs. Also, it is known that silver can be antfarnt of an oxide layer easily when EAE is deposited thereon "Bias is an advantage j call the silver layer only temporarily available eoll and removed must be; However diäse Sigönsohaft can also einäa less good aiechanischeh iuöärrÄienhäng between the electrical connections and the below so gati & s Toil you elaktroniächan SöhaltungsanörcLnüng drove * -.- ■. ·. ■ ■ -. . ·· - ..
Me ArFi«dung bezieht sieh dagegen iftabeaeM^rse atif · die lildüta^ eines ifesoaiTlsses auf aiMer UentiaktiBcMeiiti ift ä&t iMe ArFi «dung, on the other hand, relates iftabeaeM ^ rse atif · the lildüta ^ of an ifesoaiTlsses to aiMer UentiaktiBcMeiiti ift ä & t i
mit ter 'Ölerlläofel <itr eiekii-oMls^&iii SGhaitwR.-öS^ördnufig: ϊϊΐ u telibardr Berührung s^telti Mn eiöS iai-der t^kma&k v:ötö. fur dl%sek iweck äehSr^Öbllcfe taii feaifeiSlöweis* %M 4% schein Pmit ter 'Ölerlläofel <itr eiekii-oMls ^ & iii SGhaitwR.-öS ^ ördnufig: ϊϊΐ u telibardr contact s ^ telti Mn eiöS iai-der t ^ kma & k v : ötö. for dl% sek iweck äehSr ^ Öbllcfe taii feaifeiSlöweis * % M 4% Schein P
-3- 161431Q-3- 161431Q
auf p-liitenden Siliziujn als auch auf n-leitenUes Silizium, "s ist jedooh schid·rig auf einer Kontaktschicht aas Aluminium auf g&lva-niecbera Hege einen '.rischluas zu bilden, der damit nechaniBch fest verbunden iet, wahrend die Anwendung von auf einander folgenden und einander überlappenden /lufdampfvorgSngen von Aluminium und anderen Elenenten schwierig ist, ucd nicht isme'r möglich, -besenders dann nicht, wenn eine ausschliasslloh aus Aluminium bestehende Kontaktschicht einer "Destisscrtan Wärmebehandlung ausgesetzt werdenon p-conductive silicon as well as on n-conductive silicon, "s is however, it is disguised on a contact layer like aluminum on g & lva-niecbera Make sure to form a policy that is mechanically safe firmly connected while applying successive and overlapping / air vapor processes of aluminum and other elenents is difficult, ucd not isme'r possible, -besenders then not if an exclusively made of aluminum Contact layer are subjected to a "Destisscrtan" heat treatment
muss, bevor ein Anschluss angebracht wird. μ must be done before a connection is made. μ
Die Erfindung bezweckt vi«a«, die obenerwähnten Schwierigkeiten zu veraeiden-The invention aims to overcome the difficulties mentioned above to deny-
lisch dar Erfindttn^ besteht die i'oiitaJfctschicht aus Aluminium, auf statt eine Schicht aus eleaientaraa Kicfcel in feinverteilter Forns niedergeBchlagen wird, vonr-ch auf dem Sicltel auf galvaölachea Wege der Anschluss gebildet wird. Diese Nickelschiebt wird veiter als SwischenEchicht bezeichnet» Unter dem Niederschlagen von elementaren! KiclcelAccording to the invention, the functional layer consists of Aluminum, on instead of a layer of eleaientaraa Kicfcel in finely divided Forns is knocked down, by r-ch on the sill on galvaölachea ways the connection is formed. This nickel slide is further referred to as SwischenEchicht » Under the knockdown of elemental! Kiclcel
in feinver tail tar Form vird in diecar: "!usassenhang verstanden, des Niederschlagen von Kicke 1 in ctcnarär oder Beiefcularer Porn ™in finely detailed form in diecar: "! usassenhang understood, knocking down Kick 1 in ctcnarär or Beiefcularer Porn ™
oder in Forrt von lcnxsierten o,usr nicfit-ionieierten rartikeln, lurch Aufdampfen, Serstäuban oder Zerlegen in der Oasphäse is Vokuu- oder in einer iTidifferentan: fttEoophare, also aaf troclcnem. Wege.or in the form of lnxed o, usr nicely-ionized articles, lurch Vapor deposition, dusting or dismantling in the oasis is vokuu- or in an iTidifferentan: fttEoophare, also aaf troclcnem. Ways.
^ ;. 5ia sii:5Γ3Γ Tbrteil' dar Koribinatior einer- Kontakt- ■^ ; . 5ia sii: 5Γ3Γ part 'represents the correspondence of a contact
sohicht aus Alujciniua: ϋηά einer Zwieehenscbich*. aus' Jiickel, besieht weiter darin, ööes selektive jttzraittal ervllhnt- werden können, iie das Kicfcei nicht engröifen. und däe Älüciniari entfernen odsr das ■Nickel, entferr.err und das Aiurinius nicht ar^raifen oder aber beide . ' entfernen'(ohne dass das SiO^ 'odsr Si crürrsr angegriffen viriv.sohicht from Alujciniua: ϋηά a bison *. from Jiickel, further points out that it is possible to achieve selective jttzraittal so that the kicfcei do not cut. and the Älüciniari remove or remove the nickel, entferr.err and the Aiurinius do not remove or both. 'remove' (without the SiO ^ 'odsr Si crürrsr attacked viri v .
■. 0 09 8-3 3/;-rS: 8-3'■ " ' . ^ : ^ - '■. 0 09 8-3 3 / ; -rS : 8-3 '■ "'. ^: ^ - '
16U31016U310
PHI* 2202.PHI * 2202.
ObBChon die in dieser tfeis* erhalten· Sohioht tin Verstärken auf galvanischem Vege ait vielen endeten Metall« er«Cglicht, was an ei oh in der Technik der (JelTejioplaitik bekannt ist, wird naoh einer veraitsireiee angewandten Ausführungsbeisfiei der Srfindung diese Verstärkung «it Kupfer Yoreenoaeea*ObBChon received in this tfeis * Sohioht tin Reinforcing on galvanic vege a with many ended metal "enables" what is known in the technology of the (JelTejioplaitik, is carried out according to a veraitsireiee applied execution example the invention of this reinforcement "it copper Yoreenoaeea *
Sie trfindung besieht sieh weiter auf eine elektronische Schaltungsanordnung, ine Im sondere ei ft» integriert·You see further on an electronic circuit arrangement, in a special ei ft »integrated ·
I kristallBohaltun« auf deren Oberflioh· «ine Kentaktsohioht fitI crystal Bohaltun "on their surface" ine Kentaktsohioht fit elektrischen Anschlüssen angebracht ist, die taduröh gekeHnieiohnet ist, dass die Kontaktsohioht aus Alualniti· ^s**t*ht und »indestens unter den nlektriaoiien Anaohlüaeen mit Ifioitel !»deckt ia*.electrical connections is attached, the taduröh gekeHnieiohnet is that the contact is based on Alualniti · ^ s ** t * ht and »at the least among the nlektriaoiien Anaohlüaeen with Ifioitel! »covers ia *.
Torsugeweis· bestehen die lnaeblöeee eelber aui Kupfer*Torsugeweis consist of the inferno eelber Copper*
tin luefAhruefabei.pl·! der 8rfiar«i« 1·« !■ des Zelohnu%en darbtet eilt und wird la felfeftden dttuir Veaatlltielfteii. Die Firjtirett s-tlitn teilweise »cfaaubildliea, Uilweiee 1« iohnitt, eine elektronieehe StAaltuneMttoriiitiftf i» vHredliedenen lertftellungsstufen· Der DeaUieiüceit-iiuaber aind die Figuren uad %n -rerfröasertea Kaaetab darfeatellt, wob·I «1« der Teile untereinander frosae Abvelofcunfen aufw«14ihtin luefAhruefabei.pl ·! The 8rfiar «i« 1 · «! ■ of the reward hurries and becomes la felfeftden dttuir Veaatlltielfteii. The Firjtirett s-tlitn partly »cfaaubildliea, Uilweiee 1« iohnitt, an electronic StAaltuneMttoriiitiftf i »vHredliedenen levels of delivery · The DeaUieiüceit-iiuaber also the figures uad · % n -rerfröasertea Kaaetun« the aboetab is allowed to fall one below the other. 14ih
Al· einfach·· Beispiel einer elektroaltefcell S^aItu anordnung ist hier der in flg. t dargestellte l*«nsiste* |piwlhit, Uw aus eine« linkrUtall-Silieiuekörper i Hit einer n-1 eiterten , Kollektorsen· 2, einer p-leltendon laeieseee 3 und eiset »-leitende» Saittenon· 4 bestellt» Meist·» wird 4«do«h die irfiutuBp auf koeplialertere clektronieek* tsksltuneaanordBaneen, wie integrierte Haibi«it*rkriatalleohaltunga* ajwendbar eint, ekne dsjs«Al · · · simple example of a elektroaltefcell S ^ aitu's arrangement here in flg t shown l * "nsiste * |. Piwlhit, Uw of a" linkrUtall-Silieiuekörper i hit a n-1 festered, Kollektorsen · 2, a p- leltendon laeieseee 3 and eiset »-leitende» Saittenon · 4 ordered »mostly ·» is 4 «do« h the irfiutuBp on koeplialertere clektronieek * tsksltuneaanordBaneen, like integrated Haibi «it * rkriatalleohaltunga * aapplicable, ekne dsjs
009833/1513 .o009833/1513 .o
-5- PHN.2202-5- PHN.2202
abgewiohen wird.is rejected.
Auf an sioh bekannte Heise wird auf der oberen Fläche 5 dieses KSrpers eine Isolierschicht 6 angebracht) die beispielsweise aus Siliziumdioxid besteht und in der zwei Fenster 7» beispielsweise durch fitzen, vorgesehen sind* (siehe Fig. 2).In a well-known way, is on the upper surface 5 of this KSrpers an insulating layer 6 attached), for example consists of silicon dioxide and in the two windows 7 »for example by fitzen, are provided * (see Fig. 2).
Danach wird eine Alurainiumschioht 8 in einem Vakuum von ungefähr 5» 10*" Torr bis zu einer Stärke von ungefähr 2000 Ϊ aufgedampft (siehe Fig. 3)·Then an Alurainiumschioht 8 in a vacuum from about 5 »10 *" Torr to a strength of about 2000 Ϊ vapor-deposited (see Fig. 3)
DarUber wird eine nicht dargestellte photoempfindliehe Maekierungssohioht angebracht, die wieder völlig entfernt wird, ausgenommen über den Fenstern 7 und über den Bändern derselben. Dies gesohieht in üblicher Weise auf photografischem Wege. Danach wird der gröaste Teil der Aluminiumsohioht 8 durch Itzen in einer 1$-igen Lösung von Natriumhydroxid in Wasser in ungefähr 1 min weggenommen, so dass nur in den Fenstern 7 und über den Händern derselben zwei Teilsohiohten Aluminium 9 und 10 zurückbleiben (Fig. 4).A photosensitivity (not shown) becomes over it Maekierungssohioht attached, which again completely removed except over the windows 7 and over the bands of the same. This is done in the usual way by photographic means. Thereafter Most of the aluminum tube 8 is made in one by itching 1 $ solution of sodium hydroxide in water in about 1 min taken away so that only in the windows 7 and above the hands the same two partial aluminum aluminum 9 and 10 remain (Fig. 4).
Nach Entfernung der phutoempfindliohen Haskierungssohioht wird das Ganze in einer indifferenten Atmosphäre beispielsweise in Argon, auf 550 C erhitzt, wodurch die Schichten 9 Und 10 mit dem darunter liegenden Silizium legieren und damit einen ohm- : sehen Kontakt bilden, sowohl mit der p-1ei tenden Zone 3 ale auch mit der n-~leitenden Zone 4 (siehe Fig« 4).After removing the phuto-sensitive masking skin is the whole thing in an indifferent atmosphere, for example in argon, heated to 550 C, creating layers 9 and 10 alloy with the underlying silicon and thus create an ohmic: see making contact, both with the p-1 leading zone 3 as well with the n- ~ conductive zone 4 (see Fig. 4).
Darauf wird die ganze obere Fläche wieder durob Aufdampfen mit einer Sohioht reinen Aluminiums 13 zur Stärke von ungefähr 10C00 I (« 1 μίδ) bedeckt. Diese Sohioht 13 und die feilsehichten 9 und 10 bilden zusammen die Kontaktschicht (siehe Fig. 5)»Then the entire upper surface is vapor-deposited again with a Sohioht of 13 pure aluminum to the thickness of about 10C00 I («1 μίδ) covered. This Sohioht 13 and the for sale 9 and 10 together form the contact layer (see Fig. 5) »
009833/1883 BAD original009833/1883 BAD original
Auf dieser Schicht 13 wird nun «int Iiokelnobioht mit einer StSrke von ungefähr 5000 A niedergeschlagen (siehe flg. $)· On this layer 13 is now deposited "int Iokelnobioht with a strength of about 5000 A (see flg. $).
—*5 1.10 Torr erfolß«n, wobei ein kleinen Ifickelband in geringer- * 5 1.10 Torr took place, with a small nickel band in less Entfernung^ beispielsweise 5 o» von der zu "bedeckenden Oberflach·, angeordnet und durch Stromdurchgang erhitzt wird·Distance ^ for example 5 o »from the surface to be" covered ", arranged and heated by the passage of current
Im Hinblick auf die weitere Formgestaltung der leitenden Schichten auf der Oberfläche der elektronischen Schaltungsanordnung wird bereits in der n&chsten Becrbeitungastufe ein grosser Teil der aus Nickel bestehenden Zwischenschicht dadurch weggenommen ( dass diejenigen feile, die zurückbleiben müssen mit einer - nicht dargestellten - wieder euf üblichem photoßrafischem Wege erhaltenen Maskierungeechicht bedeckt und der unbedeckte Teil mit einer LÖeung τοη 3 VoI um teil en konzentrierter Salpetersäure in 1 Teilen Wasser bei ungefShr 500C weggeStzt wird. Die aus Aluminium bestehende Kontaktediicht 13 wird durch dieses Ätzmittel nicht- spürbar angegriffen· Auf der Kontaktschicht 13 bleibt also iin sogenarrtten Spurenmister zurück, dass hier aus zwei Teilen 15 und 16 besteht. Der Teil I5 liegt teiX-veise über der Btaitterzone 4 und der Kollektorzone 2, der Teil teilweise fiber der Basiszone 3 und der Kollektor so» (siehe Fig. '7) Ks eei wieder bemerkt, dass das Spurenmuster bei integrierten ■In regard to the further shaping of the conductive layers on the surface of the electronic circuit arrangement, a large part of the group consisting of nickel intermediate layer is removed thereby already in the n next Becrbeitungastufe (that those inexpensive, have to remain with a - not shown - again euf conventional photoßrafischem way Maskierungeechicht obtained covered and uncovered portion with a LÖeung τοη 3 VoI to partially en concentrated nitric acid in 1 parts of water at ungefShr 50 0 C is weggeStzt. the existing aluminum Kontaktediicht 13 is formed by this etchant non noticeably attacked · on the contact layer 13 remains So back in so-called trace mister, that here consists of two parts 15 and 16. Part 15 is partly above the bitter zone 4 and the collector zone 2, the part partly above the base zone 3 and the collector so »(see Fig. 7 ) Ks eei noticed again that the trace pattern at integr ten ■
Ralbleiterkristallschaltungen eine viel verwickelterefsFora aufweisen kann» Bs kann jedoch auch einer einfacherer. For« sein* beispielsweise bei Dioden und bei Transistoren, deren Emitter und/oder Basiszone beispielsweise eine derart gross* M-adeaiiung aufweinta* dassSemiconductor-crystal circuits have a much more intricate faq can »Bs can also be a simpler one. For example, in diodes and transistors, the emitter and / or base zone of which, for example, has such a large size that
009833/009833 /
Antohlttttt unmittelbar über eitlem Fenster vorgesehen werden können« Xn der nachfolgenden Bearfealtungaetufe wird das Qante wit dar ait titter phot«wr*fie»v sa Maekierungtsohicht 18 bedeckt in ι · ; der cvti Öffnungen \a u**£ ÜO vorgeeehen werden, unter denen dieAntohlttttt can be provided directly over the vain window «Xn the following processing stage, the Qante wit dar ait titter phot« wr * fie » v sa Maekierungtsohicht 18 covered in ι ·; the cvti openings \ a u ** £ ÜO are made, under which the
'? . j ■ ? . . ■■: ■ j'? . j ■? . . ■■: ■ j
',. feilt 15 und Vo tiefet)*? werden. 1» gleicher Veite» «der tiafaoh',. files 15 and Vo lowers) *? will. 1 " equal to" the tiafaoh
t auf atthaRiaofct· Heget wird autterdea ein vorcugtmeiee :t on atthaRiaofct · Heget is autterdea a vorcugtmeiee:
• Ί -' ■ Π- j• Ί - '■ Π- j
): 4 Ϊβ ftaadt dtr Natkleruageeohioht 16 liegender Teil 21 veggenosaen» t ) : 4 Ϊβ ftaadt dtr Natkleruageeohioht 16 lying part 21 veggenosaen »t ; «Qdurta dit Kontakttohioht 11 freigelegt wird*; «Qdurta dit Kontakttohioht 11 is exposed *
ι 9aa Oanxe wird nun in tinen nicht dargettellten iatflie-jι 9aa Oanxe is now iatflie-j not shown in tinen
fendtm Halter gttttllti wthrend die Spitse einet in übrigen ieolierv *· Uitert 22 euf dit Kontakt «chi oh t 13 ge, . >■; ^iM. BioFendtm holder gttttllti while the tip unites in the rest of the insulation. > ■; ^ iM. Bio
itt in Ptg· β tohesatiaoh dargettulilc- Bats Gs^im vird ^H galvanitohet Bat geetellt» dta 4* ki^*5 ?&s@t? ECQ ; ► und 50 t fiottwefeltiurt (I9SO4) enthllt, ■■, itt in Ptg · β tohesatiaoh dargettulilc- Bats Gs ^ im vird ^ H galvanitohet Bat geetellt »dta 4 * ki ^ * 5 ? & s @ t? ECQ ; ► and 50 t solid sulfur content (I 9 SO 4 ) contained, ■■,
!»«fefmiu· 250C in 1 Stunde* bei einer 3troadichte ro-·,! »« Fefmiu · 25 0 C in 1 hour * with a 3troadichte ro- ·,
aa/oc* und bei einer Spannut vori i*n^tf«^i l/s ¥ in :, 19 und 20 aattalfkatt nitd*rge*chlag«iuaa / oc * and with a flute vori i * n ^ tf «^ i l / s ¥ in :, 19 and 20 aattalfkatt nitd * rge * chlag «iu
; Darauf witi die Katkierungteehielii 18 und danuoh dit; Thereupon the Katkierungteehielii 18 and danuoh dit
f\ '■ ■■f \ '■ ■■ --
> tut alttalniua bestehende Kentokteoaieltt 13, insofar» dies· nicht> does alttalniua existing Kentokteoaieltt 13, insofar »this · not
,-' ve« S-*ureeaue»er 15» 14 bedeokt let» entfernt« Saeti kann »la au» toluattilen flMMph«rtiure (I.PO.) und Vateer, - 've «S- * ureeaue» er 15 »14 means let» removed «Saeti can» la au » toluattilen flMMph «rtiure (I.PO.) and Vateer
«tffirtadet weiden, in dt« iit Mardnunc *S^r?m4 ;'■, mr Uwute bei 500G unttrgetauoh« wird."Tffirtadet willow, in dt" iit Mardnunc * S ^ r? M4 ; '■, mr Uwute at 50 0 G unttrgetauoh ".
Auf den »Mden feilen 15 und K sind in dieaer Veite «tt<s Kupfer b«»tehe»dle imaohlfifrSM M und 25 ait elfter Bfthe von ueg4flft? 10 μ« gebildet*On the "Mden feilen 15 and K are in the larger width" tt <s copper b "" tehe "dle imaohlfifrSM M and 25 a with the eleventh letter from below? 10 μ «formed *
ϊέι-/.'--:1 ti.« ?wi8ob«n6i^· ufet auf aluaiadtw» den ¥ebeE^ort#il " 1-, '<ϊ1ϊέι - / .'--: 1 ti. «? wi8ob« n6i ^ · ufet auf aluaiadtw »den ¥ ebeE ^ ort # il" 1-, '<ϊ1
-B--B-
säure (H,PO4)3 Volumteilen konzentrierter talpeterelure (HiO,) und 7 VoI ν« teil en Wasser 'bestehend· Iteflüseigkeit bei 4O0C eowohl Aluminium ale auch Niokel· Sine eue 1 Volumteil konzentrierter Phosphorsäure (H3PO4) und 1 Volumteil We.eeer beistehende ltzflüeeiekeit lout bei 55° C due Aluroiniua, greift jtdooh das Kioktl nicht in störendem Masse an· Zu demeelben Zw*ok ist auoh eine Löeung von 1/2 i» Natriumhydroxid (IaOH) in Vaeeer bei 25°C verwendbar. Dagegen kann Nickel f ohne das« dae Aluainiua in *t Or ende» Maase angegriffen wird, in einer aus 3 Volumteilen konzentrierter Salpetersäure (HtfC.) und 7 Voluoteilen Waseer bestehenden flüssig keit bei 500C weggeätzt werden»acid (H PO 4) 3 parts by volume of concentrated talpeterelure (HIO) and 7 VoI ν "part en water 'consisting · Iteflüseigkeit at 4O 0 C eowohl aluminum ale also Niokel · Sine eue 1 part by volume of concentrated phosphoric acid (H 3 PO 4) and 1 part by volume We.eeer bystanders ltzflüeeiekeit lout at 55 ° C due Aluroiniua, does not attack the jtdooh Kioktl in disturbing mass of · for demeelben Zw * ok AUOH a Löeung of 1/2 i »sodium hydroxide (IaOH) in Vaeeer at 25 ° C usable. Contrast, f nickel without Maase is attacked "dae in Aluainiua * t end Or" existing become liquid etched away ness at 50 0 C in a concentrated from 3 parts by volume of nitric acid (HTFC.) And 7 Voluoteilen Waseer "
Xn dieser '/eiee sind im Baheen der Brfindunft· »eiirere AucnkhrungBformen möglich, wobei «owchl die QtOiIetrie der elikironisohen .Schaltungsanordnung ils auoh die lnaahl und dl· Reihenfolge der Herotellungeatufen vom Mwfuhrungebeispiel asweiohtn können.Xn these '/ eggs are in the baheen of the rut AucationB forms possible, whereby “the quality of the electrical circuit arrangement also the number and the sequence of the production steps differ from the example can.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6701217A NL143369B (en) | 1967-01-26 | 1967-01-26 | PROCEDURE FOR FITTING AN ELECTRICAL CONNECTION TO A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED IN ACCORDANCE WITH THIS PROCEDURE. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1614310A1 true DE1614310A1 (en) | 1970-08-13 |
| DE1614310B2 DE1614310B2 (en) | 1974-10-10 |
| DE1614310C3 DE1614310C3 (en) | 1975-05-28 |
Family
ID=19799131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19671614310 Expired DE1614310C3 (en) | 1967-01-26 | 1967-12-14 | Method for attaching an electrical connection to a surface of an electronic component |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS514631B1 (en) |
| AT (1) | AT280351B (en) |
| BE (1) | BE709837A (en) |
| CA (1) | CA918813A (en) |
| CH (1) | CH468698A (en) |
| DE (1) | DE1614310C3 (en) |
| ES (1) | ES349649A1 (en) |
| FR (1) | FR1551826A (en) |
| GB (1) | GB1193373A (en) |
| NL (1) | NL143369B (en) |
| SE (1) | SE363191B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2176938A (en) * | 1985-06-24 | 1987-01-07 | Nat Semiconductor Corp | Pad metallization structure |
-
1967
- 1967-01-26 NL NL6701217A patent/NL143369B/en not_active IP Right Cessation
- 1967-12-14 DE DE19671614310 patent/DE1614310C3/en not_active Expired
-
1968
- 1968-01-22 CA CA010400A patent/CA918813A/en not_active Expired
- 1968-01-23 SE SE91568A patent/SE363191B/xx unknown
- 1968-01-23 CH CH99468A patent/CH468698A/en unknown
- 1968-01-23 GB GB351668A patent/GB1193373A/en not_active Expired
- 1968-01-23 AT AT66868A patent/AT280351B/en not_active IP Right Cessation
- 1968-01-23 ES ES349649A patent/ES349649A1/en not_active Expired
- 1968-01-24 BE BE709837D patent/BE709837A/xx not_active Expired
- 1968-01-26 FR FR1551826D patent/FR1551826A/fr not_active Expired
-
1970
- 1970-03-23 JP JP2400770A patent/JPS514631B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1551826A (en) | 1968-12-27 |
| GB1193373A (en) | 1970-05-28 |
| CH468698A (en) | 1969-02-15 |
| SE363191B (en) | 1974-01-07 |
| AT280351B (en) | 1970-04-10 |
| ES349649A1 (en) | 1969-10-01 |
| NL6701217A (en) | 1968-07-29 |
| NL143369B (en) | 1974-09-16 |
| BE709837A (en) | 1968-07-24 |
| DE1614310C3 (en) | 1975-05-28 |
| DE1614310B2 (en) | 1974-10-10 |
| CA918813A (en) | 1973-01-09 |
| JPS514631B1 (en) | 1976-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0361193B1 (en) | Circuit board with an injection-moulded substrate | |
| DE2847356C2 (en) | Process for the production of a printed circuit with resistance elements | |
| DE2945533C2 (en) | Method of manufacturing a wiring system | |
| DE2401333A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING INSULATING FILMS ON CONNECTING LAYERS | |
| DE2637667A1 (en) | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT | |
| DE2554691C2 (en) | Process for producing electrical conductors on an insulating substrate and thin-film circuit produced therefrom | |
| DE1965546A1 (en) | Semiconductor component | |
| DE1614393A1 (en) | Semiconductor device | |
| DE2144137A1 (en) | Method for producing the holes for the connections between electrical circuit layers lying parallel on top of one another in a multilayer circuit package | |
| DE3635800A1 (en) | CIRCUITS WITH COAXIAL CABLES | |
| EP0016925A1 (en) | Method of depositing metal on metal patterns on dielectric substrates | |
| DE1817434B2 (en) | Method for producing an electrical line arrangement | |
| DE1614306C3 (en) | Process for producing electrical connections on a surface of an electronic component and component produced by using this process | |
| DE1764671A1 (en) | Integrated magnetic circuit | |
| DE1614310A1 (en) | Method for attaching an electrical connection to a surface of an electronic circuit arrangement and circuit arrangement produced according to this method | |
| DE2839215A1 (en) | ARRANGEMENT FOR CONNECTING MICROCIRCUITS | |
| DE1199344B (en) | Process for making a printed circuit board | |
| DE2926516A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A METAL FILM RESISTANCE AND METAL FILM RESISTANCE | |
| DE1929084C3 (en) | Etching solution for a method for producing a semiconductor component | |
| DE1546014A1 (en) | Process for etching metal layers with different compositions along the length of the layer thickness | |
| DE2234408A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRICAL CONDUCTOR ARRANGEMENT | |
| DE2202077A1 (en) | Process for the production of multilayer printed circuit boards | |
| DE2030138A1 (en) | Circuit design | |
| DE1958811A1 (en) | Flexible insulating film with a pattern of conductor tracks | |
| DE1764977C2 (en) | Method for producing a plastic protective layer on the surface of a semiconductor component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |