DE1591031B1 - Mikrowellenmodulator mit traegerunterdrueckung - Google Patents

Description

angestrebte Modulation der Trägerwelle hervor, wobei der Träger unterdrückt ist. Die Größe des Wertes der Trägerunterdrückung und die Bandbreite hängen in allen Fällen wesentlich von der Qualität des Seitenbandmodulators ab und im Falle von Mikrowellenanordnungen von den Eigenschaften des verwendeten Kristalls (vergleiche z. B. für Radarmodulatoren MIT — Microwave Receivers — Van Voorhis — McGraw Hill, 1948, Sect. 2 bis 4). ίο

Die Hauptnachteile derartiger Mikrowellen-Modulatoren liegen in der geringen abgegebenen Leistung, während ein großer Teil der angelegten Mikrowellen-Energie im Kristall verbraucht wird; des weiteren ist die Anpassung schwierig, ergibt schmale Bandbreiten und ist abhängig von der Amplitude der angelegten SHF-Frequenz.

Aus der USA.-Patentschrift 2 795 760 ist ein Mikrowellenamplitudenmodulator bekannt, bei dem ein Magnetron als Viertelwellentransformator verwendet wird. Eine Ausführungsform dieses Modulators besteht aus zwei im Abstand von einer halben " Wellenlänge angeordneten Transformatoren, die im Gegentakt gespeist werden.

Aus der USA.-Patentschrift 2 468 237 ist außerdem noch ein Modulator bekannt, der aus einer Hybridverzweigung wie einem magischen T aus U-Leitern besteht, bei dem am Ende zweier entgegenliegender Anschlüsse ein Kristallmischer angeordnet ist und den Kristallmischern das Modulationssignal gegenphasig zugeführt wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Mikrowellenmodulator der eingangs genannten Gattung zu schaffen, der für hohe Mikrowellenleistungen geeignet ist und eine hohe Mischsteilheit aufweist.

Diese Aufgabe ist bei dem hier vorgeschlagenen Mikrowellenmodulator erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in einer mit einem Lastwiderstand abgeschlossenen Mikrowellenleitung zwei an sich bekannte Diodenschaltungen im Abstand von einer Viertelwellenlänge in Serie oder parallel geschaltet sind und aus je einer Halbleiterdiode, verbunden mit feste Reaktanzen darstellenden Elementen, be- Ψ stehen und eine etwa linear mit der anliegenden Vorspannung veränderliche Impedanz bilden, die den Reflexionsfaktor zwischen 0 und 1 ändern läßt, wobei dessen jeweilige Größe von der zwischen ihren Spitzenwerten schwankenden Amplitude der an den jeweiligen Dioden anliegenden Vorspannung abhängt und die Dioden im Falle der Serienschaltung gleichsinnig, im Falle der Parallelschaltung gegensinnig geschaltet sind und die aus dem Modulationssignal gebildete Vorspannung von einer gesonderten Schaltung geliefert und über das zwischen den beiden Diodenschaltungen liegende Leitungsstück sowie zwei weitere, im Falle der Parallelschaltung gegen die Mikrowellenleitung isolierte Leiter den Dioden zugeführt wird und schließlich die Impedanz der Diodenschaltungen und des Lastwiderstandes so gewählt sind, daß ohne Vorhandensein einer Modulation die Mikrowellenleitung sich im angepaßten Zustand befindet.

Aus einer derartigen Anordnung ergeben sich insbesondere die Vorteile eines guten Wirkungsgrades und hoher erzielbarer Leistung. Im Vergleich zu einem mit einem Kristallmischer arbeitenden Mo- ^** dulator kann die Leistung ohne weiteres zehnmal größer sein. Des weiteren ist die Bandbreite für einen gegebenen Wert der Trägerunterdrückung ganz wesentlich größer. Bei Wahl einer passenden Diode, wie beispielsweise einer PIN-Diode, ist der Wert der Trägerunterdrückung darüber hinaus so gut wie unabhängig von der Amplitude der ankommenden, d. h. in den Modulator einlaufenden Trägerwelle. Die Daten des erfindungsgemäßen Modulators sind im wesentlichen von den Eigenschaften der verwendeten Halbleiterbauelemente abhängig. So ist es möglich, beispielsweise 20 db Unterdrückung für den Träger und die unerwünschten, auf Harmonische zurückzuführenden Seitenbänder in einem breiten Frequenzband zu erreichen. An den Modulator können mehrere Watt Mikrowellenleistung angelegt werden.

Die Mischsteilheit des Modulators nach der Erfindung ist hoch und erreicht häufig 7 bis 8 db. Mit geeigneten Dioden arbeitet die Anordnung bei allen Frequenzen.

Eine zur Verwendung des Modulators in einer Koaxialleitung besonders geeignete Ausführungsform besteht darin, daß die Diodenschaltungen in Serie oder parallel geschaltet sind und die hierfür das Modulationssignal liefernde, gesonderte Schaltung im ersteren Falle über Viertelwellenlängen-Stichleitungen, im letzteren Falle über Entkopplungskondensatoren angeschlossen ist und dabei eine Gleichspannungsquelle im Falle der Parallelschaltung vorgesehen ist, die eine Spannung geeigneter Größe an die Dioden zur Erzielung einer ungestörten Wellenfortpflanzung bei Abwesenheit einer Modulation abgibt.

Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des Modulators besteht darin, daß die Mikrowellenleitung eine Bandleitung ist und die Diodenschaltungen in Serie im Mittelleiter angeordnet sind.

Eine bevorzugt zur Verwendung in einem Hohlleiter geeignete Ausführungsform des Modulators besteht darin, daß die Diodenschaltungen parallel geschaltet sind und eine Viertelwellenlänge, bezogen auf die Hohlleiterwelle, auseinander liegen und daß die gesonderte Schaltung gegen den Hohlleiter durch Kapazitäten isoliert ist.

Die in Hohlleitern bevorzugt verwendete Parallelschaltung ist einfacher zu realisieren und erlaubt es insbesondere, die unerwünschten Reflexionsstellen zu umgehen, die bei der Serienschaltung auftreten. Diese Reflexionsstellen sind insbesondere beispielsweise den Zuführungen für das Modulationssignal, den mechanischen Stützen der Halbleiterschaltungen, koaxialen Steckern usw. zuzuschreiben. Die Hohlleiterausführung besitzt demzufolge bessere Eigenschaften in bezug auf die Trägerunterdrückung als die Koaxialausführung, die auch in Gestalt einer Bandleitung oder Streifenleitung herstellbar ist; die letztere hat andererseits den Vorteil kompakter Bauweise und geringen Gewichtes, was für bestimmte Anwendungen zweckmäßig sein kann

Eine weitere zweckmäßige Ausführungsform zeichnet sich dadurch aus, daß zur Trägerunterdrückung die Modulatorschaltung über eine entkoppelte Ringverzweigung mit einer zweiten gleichartigen Modulatorschaltung derart verbunden ist, daß der nachfolgenden Stufe nur ein einziges Seitenband zugeführt wird.

Der vorgeschlagene Mikrowellenmodulator mit Trägerunterdrückung ist demzufolge bisher bekannten Anordnungen dieser Art überlegen. Er kann überall dort eingesetzt werden, wo ein Mikrowellen-

träger amplitudenmoduliert werden soll, wobei der stehend bereits beschrieben wurde und die für das Träger unterdrückt wird und eignet sich vor allem Frequenzband, in dem sie arbeiten soll, angepaßt ist. auch für das Synchrodyne-Verfahren. Eine nach Die Dioden werden von einem von einer gesonderten dem Synchrodyne-Verfahren arbeitende Schaltung Schaltung 3 gelieferten Modulationssignal vorgedient insbesondere zum Aufbau eines Doppler- 5 spannt. Diese Spannung wird der Leitung zwischen simulators. den beiden Diodenschaltungen 1 und 2 zugeführt.

In der Zeichnung ist der Modulator nach der Er- Die Anordnung ist so ausgelegt, daß sie dann, wenn

findung in beispielsweise gewählten Ausführungs- das Modulationssignal Null wird oder fehlt, an die

formen in Schaltbildern und einem erläuternden Leitung angepaßt ist und daß demzufolge der Reflek-

Diagramm veranschaulicht. Es zeigt io tionsfaktor Null ist. Zu diesem Zweck ist die Leitung

F i g. 1 ein vereinfachtes Schema einer Ausfüh- mit einem Lastwiderstand 4 bestimmter Impedanz

rungsform des Modulators mit in Serie geschalteten abgeschlossen. Die Dioden der Diodenschaltungen 1

Dioden, und 2 der F i g. 1 haben in diesem Augenblick keine

F i g. 2 ein vereinfachtes Schema einer Ausfüh- Vorspannung, d. h., sie befinden sich im Sperr-

rungsform des Modulators mit parallelgeschalteten 15 zustand. Die zugehörigen Schaltungen verhalten sich

Dioden, wie eine Impedanz sehr niedrigen Wertes. Im Falle

Fig. 3 Amplituden über Zeitverlauf einer mit der Fig. 2 sollen sich die Schaltungen dagegen wie

einem Sinussignal modulierten Höchstfrequenzwelle, eine Impedanz sehr hohen Wertes verhalten. Zu die-

F i g. 4 ein vereinfachtes Ausführungsbeispiel des sem Zweck kann jede der Dioden Halbleiterbau-Modulators in einer Koaxialleitung, 20 elemente (anders als im vorhergehenden Fall) mit

F i g. 5 ein weiteres vereinfachtes Ausführungs- emer einen Blindwiderstand aufweisenden Schaltung

beispiel in einem Hohlleiter, verbunden sein, so daß die Diodenschaltungen äqui-

F i g. 6 ein vereinfachtes System zur Erzeugung valent zu einem Parallelresonanzkreis oder einem eines einzigen Seitenbandes unter Verwendung von Sperrkreis großer Impedanz sind, wenn die Vorspan-Modulatoren nach der Erfindung. 25 nung den Wert Null hat. Falls jedoch die parallel-

Aus der nach verschiedenen Verfahren möglichen geschalteten Diodenschaltungen analog zu denen auf-

Zusammenschaltung von geeigneten Anordnungen, gebaut sind, die in dem Beispiel nach Fig. 1 in

die einer Impedanz mit festem Blindwiderstand Serie geschaltet sind, ist es notwendig, zur Erzielung

äquivalent sind, mit Dioden oder Varactordioden, des gleichen Ergebnisses die Dioden aus einer geson-

die im Durchlaßbereich betrieben werden, lassen 30 derten Gleichspannungsquelle 5 mit einer bestimm-

sich Mikrowellenschaltungen aufbauen, deren Eigen- ten Spannung vorzuspannen. Demzufolge ist für

schäften genau bekannt sind. Als Beispiel hierfür einen Wert Null des Modulationssignals der Reflek-

kann die Realisierung eines Mikrowellenschalters tionsfaktor jeder der Diodenschaltungen Null, und

dienen. Dieser Schalter wird üblicherweise durch die gesamte Mikrowellenenergie wird in die Leitung

Vorzeichenumkehr oder rasche Nullsetzung eines 35 übertragen und durch den Lastwiderstand 4 aufge-

Signals geeigneter Amplitude, das die Dioden nommen.

vorspannt, betätigt. In einem bestimmten Nutzfre- Für eine gegebene Polarität des Modulationsquenzband im Mikrowellen-Gebiet arbeitet diese signals ist eine der Diodenschaltungen 1 oder 2 bzw. Diodenschaltung demzufolge digital. Die äquivalente der in ihnen enthaltenen Dioden in Durchlaßrichtung Schaltung ist dabei ein Parallel- oder Serienresonanz- 40 auf einen bestimmten Wert vorgespannt, während die kreis, d. h. eine im einen Fall sehr große, im anderen andere in Sperrichtung vorgespannt ist. Für die umFall sehr geringe Impedanz. Derartige Mikrowellen- gekehrte Polarität des Modulationssignals sind die schalter können mit kleinen äußeren Abmessungen Zustände der Diodenschaltungen ebenfalls umgehergestellt werden, die es erlauben, diese ohne wei- kehrt. Die in Durchlaßrichtung vorgespannte Diodenteres entweder in eine Koaxialleitung oder in einen 45 schaltung bildet eine Reflektionsstelle, deren Reflek-Hohlleiter einzubauen. Dabei können sie in der Lei- tionsfaktor vom Wert der Impedanz, die sie darstellt, rung in Serie oder parallel geschaltet werden. Die abhängt. Diese wiederum ist durch die Amplitude Mikrowellenenergie wird entweder übertragen oder des Modulationssignals bestimmt, die den Arbeitsgesperrt und reflektiert, je nach dem Zustand, in dem punkt auf der Strom-Spannungs-Kennlinie der Diode sich der in der Leitung angeordnete Schalter befindet. 5° verschiebt. Bei Dioden mit geeigneter Kennlinie ist

Die Erfindung benützt Schaltungen dieser Art, der Reflektionsf aktor der Reflektionsstelle im wesent-

wobei diese nicht einfach digital, sondern analog liehen proportional dem Absolutwert der Modula-

arbeiten, und zwar unter Ausnutzung der zunehmen- tionspannung (also unabhängig von deren Polarität),

den Impedanzänderung, den diese Schaltungen zwi- Diese Spannung ändert sich zwischen dem Wert Null

sehen ihren beiden Zuständen, dem Durchlaß- und 55 und einer Amplitude U während der betrachteten

dem Sperrzustand, für eine gleichfalls zunehmende positiven oder negativen Halbwelle. Der Reflektions-

Änderung der Vorspannung aufweisen. Demzufolge faktor ändert sich während dieser Halbwelle nach

besitzt die Diode und die mit ihr verbundene Schal- demselben Gesetz wie das Modulationssignal zwi-

tung einen zwischen Null und Eins veränderlichen sehen einem Wert Null und einem Höchstwert, der

Reflektionsfaktor. 60 kleiner oder gleich Eins ist.

Die F i g. 1 und 2 veranschaulichen ein verein- Demzufolge reflektiert eine der beiden Diodenfachtes Schema eines erfindungsgemäßen Modulators schaltungen 1 oder 2 die amplitudenmodulierte Mimit Trägerunterdrückung.. In Fig. 1 sind die Di- krowellen-Energie während einer Halbwelle des öden und die mit ihnen verbundenen Schaltungen in Modulationssignals. Während der folgenden Halbeiner Leitung gleichsinnig in Serie geschaltet. In 65 welle der entgegengesetzten Polarität arbeitet die F i g. 2 sind sie gegensinnig parallel geschaltet. Jede andere Diodenschaltung unter denselben Bedingunder Dioden bildet mit der zugehörigen Schaltung eine gen. In jedem Falle besitzt die in Sperrichtung vorsogenannte Diodenschaltung 1 oder 2, wie sie vor- gespannte Diodenschaltung eine sehr niedrige Impe-

danz und beeinträchtigt die Arbeitsweise des Modulators nicht.

Die Bedingung der Vorzeichenumkehr der Fortpflanzungsrichtung der Mikrowellen-Energie bei jeder Halbwelle des Modulationssignals wird durch die Anordnung der Diodenschaltungen 1 und 2 erfüllt, die voneinander eine Viertelwellenlänge, bezogen auf die Wellenlänge in der Leitung, entfernt sind. Diese Entfernung zwischen den beiden Reflexionsebenen entspricht einer Phasenverschiebung von π ίο der von den beiden Stoßstellen reflektierten Welle. Eine derartige Anordnung bildet einen Mikrowellenmodulator mit Trägerunterdrückung.

F i g. 3 zeigt in vereinfachter Form den Spannungsverlauf der Hochfrequenzwelle für ein sinusförmiges Modulationssignal. Wenn / die Modulationsfrequenz und F die hochfrequente Welle ist, liefert der Modulator die Signale F ±f, die den beiden Seitenbändern entsprechen, und wobei der Träger F unterdrückt ist.

Die Leitung kann entweder eine Koaxialleitung oder ein Hohlleiter sein. Im letzteren Falle beträgt die Entferung zwischen den Diodenschaltungen 1 und 2 ein Viertel der sich im Hohlleiter einstellenden Wellenlänge. Eine für bestimmte Anwendungen vorteilhafte Ausführungsform ergibt sich aus der Verwendung einer Band- oder Streifenleitung als Mikrowellenleitung.

Die in den F i g. 1 und 2 dargestellten Kapazitäten dienen zur Isolierung der gesonderten Schaltung zur Erzeugung der Vorspannung für die Dioden in bezug auf die Mikrowellenschaltung, für die die Kapazitäten einen Kurzschluß darstellen.

F i g. 4 zeigt ein schematisches Beispiel einer Serienschaltung in einer Koaxialleitung. Die Zuführung des Modulationssignals geschieht mit Hilfe von Viertelwellen-Stichleitungen. Die kapazitive Trennung erfolgt an der für beide Diodenschaltungen gemeinsamen Stichleitung zur Zuführung des Modulationssignals.

Eine weitere Ausführungsform veranschaulicht in vereinfachter Weise F i g. 5. Die Dioden und ihre zugehörigen Schaltungen sind in Parallelschaltung in einem Hohlleiter angeordnet, der von einem Lastwiderstand 4 abgeschlossen ist. Die Ruhevorspannung und das Modulationssignal werden über gegen den Hohlleiter isolierende bzw. trennende Kapazitäten zugeführt.

Zur Entnahme der reflektierten Mikrowellenenergie kann der Modulator mit einer gesonderten Höchstfrequenzschaltung verbunden sein, die zwischen dem Generator und dem Verbraucher liegt. Für diese Schaltung sind verschiedene Anordnungen geeignet. Sie dient zur Abtrennung bzw. Unterdrückung des nichtbenützten Seitenbandes und besteht im allgemeinen aus einer »magisches T« genannten SHF-Falle, d. h. einer angepaßten Differentialverzweigung, die in passender Weise mit zwei Modulatoren mit Trägerunterdrückung verbunden ist und durch die das Nutzseitenband zum Verbraucher gelangt, während das andere Seitenband zurück in den Generator gespeist wird. Ein derartiges System ist in F i g. 6 schematisch angedeutet. Die Falle 6 ist bei A mit dem Mikrowellengenerator verbunden, der den Träger der Frequenz F liefert. Der Anschluß B führt zu dem Verbraucher. Die Modulatoren der erfmdungsgemäß vorgeschlagenen Art liegen an den Anschlüssen C und D. Die Modulationsspannungen für die beiden Modulatoren werden von der gesonderten Schaltung 3 erzeugt und erfahren eine gegenseitige Phasenverschiebung von π/2 vermittels eines Phasenschiebers 7, den eine der Modulationsspannungen durchlaufen muß, bevor sie an den zugehörigen Modulator gelangt. Die elektrischen Längen der Verbindungen von der Falle zu den Modulatoren unterscheiden sich um /./8, wodurch in der betrachteten Zuführung die reflektierte Welle eine Phasenverschiebung τι/2 erfährt. Das aus der Frequenz F+/ bestehende Nutzseitenband wird über den Anschluß B dem Verbraucher zugeführt. Das nichtbenützte Seitenband der Frequenz f—F wird über den Anschluß A in den Generator zurückgespeist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 209 522/270

Claims (7)

1 2 Ringverzweigung (6) mit einer zweiten gleich-Patentansprüche: artigen Modulatorschaltung (12, 22, 42) derart verbunden ist, daß der nachfolgenden Stufe nur

1. Mikrowellenmodulator mit Trägerunter- ein einziges Seitenband zugeführt wird,

drückung aus Festkörperschaltungen mit Dioden 5 7. Modulatorschaltung für Einseitenbandüber-

oder Varactordioden, die das Modulationssignal tragung mit unterdrücktem Träger, bestehend

erhalten, dadurch gekennzeichnet, daß aus zwei Modulatoren nach Anspruch 6, dadurch

in einer mit einem Lastwiderstand (4) abgeschlos- gekennzeichnet, daß die Modulatoren (11, 21, 41

senen Mikrowellenleitung zwei an sich bekannte und 12, 22, 42) jeweils mit zwei Anschlüssen

Diodenschaltungen (1, 2) im Abstand von einer io (C, D) der entkoppelten Ringverzweigung (6) Viertelwellenlänge in Serie oder parallel ge- verbunden sind, deren dritter Anschluß (A) das

schaltet sind und aus je einer Halbleiterdiode, von einem HF-Generator erzeugte HF-Signal (F)

verbunden mit feste Reaktanzen darstellenden erhält und deren vierter Anschluß (B) das geElementen, bestehen und eine etwa linear mit der wünschte Seitenband (F + f oder F — f) liefert,

anliegenden Vorspannung veränderliche Impe- 15 wobei der eine Modulator direkt, der andere danz bilden, die den Reflexionsfaktor zwischen 0 über einen die Phase des Modulationssignals um

und 1 ändern läßt, wobei dessen jeweilige Größe _π/2 verschiebenden Phasenschieber (7) mit der

von der zwischen ihren Spitzenwerten schwan- Modulationsschaltung (3) verbunden sind und

kenden Amplitude der an den jeweiligen Dioden die elektrischen Weglängen zwischen der Ringanliegenden Vorspannung abhängt und die Di- 20 verzweigung und der ersten Diodenschaltung (11 öden im Falle der Serienschaltung gleichsinnig, bzw. 12) jeder der Modulatoren sich um ein

im Falle der Parallelschaltung gegensinnig ge- Achtel der hochfrequenten Wellenlänge unterschaltet sind und die aus dem Modulationssignal scheiden,

gebildete Vorspannung von einer gesonderten
Schaltung (3) geliefert und über das zwischen 25

den beiden Diodenschaltungen (1, 2) liegende

Leitungsstück sowie zwei weitere, im Falle der

Parallelschaltung gegen die Mikrowellenleitung

isolierte Leiter den Dioden zugeführt wird und Die Erfindung betrifft einen Mikrowellenmodu-

schließlich die Impedanz der Diodenschaltungen 30 lator mit Trägerunterdrückung aus Festkörperschal-

(1, 2) und des Lastwiderstandes (4) so gewählt tungen mit Dioden oder Varactordioden, die das

sind, daß ohne Vorhandensein einer Modulation Modulationssignal erhalten.

die Mikrowellenleitung sich im angepaßten Zu- Bekanntlich wird in gewissen Schaltungen oder

stand befindet. elektronischen Systemen von der Technik der Fre-

2. Modulator nach Anspruch 1 zur Verwen- ₃₅ quenzumsetzung Gebrauch gemacht. Frequenzdung in einer Koaxialleitung, dadurch gekenn- umsetzer enthalten Modulatoren, die durch Leiter zeichnet, daß die Diodenschaltungen (1, 2) in mit nichtlinearer, vorzugsweise quadratischer Kenn-Serie oder parallel geschaltet sind und die hier- linie gebildet werden und die die Multiplikation der für das Modulationssignal liefernde, gesonderte an ihren Eingängen anliegenden sinusförmigen Schaltung (3) im ersteren Falle über Viertel- ₄₀ Spannungsfunktionen gestatten. wellenlängen-Stichleitungen, im letzteren Falle Es gibt eine ganze Reihe von verschiedenen Moüber Entkopplungskondensatoren angeschlossen dulatortypen, und es werden je nach zu liefernder ist und dabei eine Gleichspannungsquelle (5) im Leistung verschiedene aktive Elemente verwendet. Falle der Parallelschaltung vorgesehen ist, die Die zur Amplitudenmodulation mit unterdrücktem eine Spannung geeigneter Größe an die Dioden 45 Träger verwendeten Modulatoren arbeiten üblicherzur Erzielung einer ungestörten Wellenfort- _weise mit Abschneidung oder Vorzeichenumkehr, Pflanzung bei Abwesenheit einer Modulation ab- wobei der modulierende Strom während der posigibt. tiven Halbwellen des Trägerstromes fließt und wäh-

3. Modulator nach Anspruch 1, dadurch ge- rend der negativen Halbwellen unterbrochen oder kennzeichnet, daß die Mikrowellenleitung eine 50 in seinem Vorzeichen umgekehrt wird. Der Modu-Bandleitung ist und die Diodenschaltungen (1,2) lator liefert an seinem Ausgang ein Signal, das aus in Serie im Mittelleiter angeordnet sind. den Seitenbändern besteht und bei dem der HF-

4. Modulator nach Anspruch 3, dadurch ge- Träger entfernt ist. Die bekanntesten Anordnungen kennzeichnet, daß die Bandleitung aus einem sind die Brücken- oder Ringschaltungen, die für ge-Mittelleiter und zwei parallelen, diesen einschlie- ₅₅ ringe Leistungen aus Halbleiterdioden aufgebaut ßenden, auf Massepotential liegenden Außen- sind. Eines der Seitenbänder wird anschließend entleitern besteht. fernt, was üblicherweise durch geeignete Filter ge-

5. Modulator nach Anspruch 1 zur Verwen- schieht.

dung in einem Hohlleiter, dadurch gekennzeich- Im Mikrowellen-Gebiet werden Modulatoren net, daß die Diodenschaltungen (1, 2) parallel 60 dieser Art im allgemeinen mit Hilfe eines als hochgeschaltet sind und eine Viertelwellenlänge, be- frequenter Mischer wirkenden Kristalls gebildet. Bei zogen auf die Hohlleiterwelle, auseinander liegen einer häufig verwendeten Anordnung liegt der und daß die gesonderte Schaltung (3) gegen den Kristall im Nebenschluß, d. h. parallel, zu einer Hohlleiter durch Kapazitäten isoliert ist. Viertellängenwellen-Kurzschlußleitung. Für einen

6. Modulatorschaltung nach einem der vorher- 65 Mittelwert der am Kristall anliegenden Vorspannung gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, ist die Anordnung an die Übertragungsleitung andaß zur Trägerunterdrückung die Modulator- gepaßt.

Das Modulationssignal liegt an dem Kristall, schaltung (11, 21, 41) über eine entkoppelte und die so erhaltene veränderliche Reflexion ruft die