DE1588640A1 - Transistorisierte Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen - Google Patents

Description

RANK XEROX LIMITED
Rank Xerox House
338, Euston Road
London, W.W. 1
England

Transistorisierte Schaltungsanordnung zum Schalten hoher

Spannungen

Die Erfindung "bezieht sich auf transistorisierte Schalteinri<phtungen, insbesondere auf eine verbesserte, spannungskompensiirt« Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen,

Für Schaltzwecke haben Transistoren und Dioden eine weite Anwendung gefunden» Unter den vielen Einrichtungen zur Schaltung von Spannungen beziehungsweise Strömen vereinigen nur die Halbleiter eine gröJ3ere Anzahl günstiger Eigenschaften, z.B. geringe Schaltleistung, hohe Schaltgeschwindigkeit, geringe Größe, keine Heizleistung, geringe Kosten und eine sehr lange Lebensdauer, Zur Verwendung von Transistoren in elektronischen Schaltungen, müssen»

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insbesondere wenn ein zuverlässiges Arbeiten verlangt ist, die vom Hersteller für das jeweilige Element angegebenen Nennwerte eingehalten werden.

Transistoren und andere elektrische Bauelemente werden entweder in größeren Mengen bezogen, wobei ihre Kennwerte in einem grösseren Bereich streuen, oder in geringeren ausgesuchten Mengen mit Kennwerten innerhalb vorgeschriebener Grenzwerte. Im letzteren Palle werden die verschiedenen Elemente beider Herstellung geprüft und sortiert, um die Kennwerte innerhalb des verlangten Toleranzbereiches zu halten. Hierdurch werden jedoch die Kosten für derartig ausgesuchte Bauelemente sehr erhöht.

Sollen Transistoren zum Schalten hoher Spannungen verwendet werden, so ergeben sich für den Konstrukteur Frobleme durch die begrenzte Schaltleistung und Spannungsbeanspruchung der handelsüblichen Transistoren. Es sind bereits Transistoren für üohe Spannung oder leistungsbeanspruchung.bekannt, sie sind jedoch im allgemeinen sehr teuer und schwer erhältlich. Im Hinblick auf '.7irtschaftlichkeit wird daher die Anwendung mehrerer billiger, leicht erhältlicher Transistoren zur Schaltung hoher Spannungen angestrebt. Hierbei treten jedoch Probleme bezüglich der Zuverlässigkeit auf, da ein Überschreiten der maximalen Beanspruchung des jeweiligen Transistors sorgfältig vermieden v/erden muß. Bekanntlich kann ein Transistor bei Überschreiten der maximal zulässigen leistung und/oder der Durchbruchsspannung beschädigt und zerstört werden.

en

Für transistorisierte Schalteinrichtung mit einer Anzahl von in Reihe geschalteten Tranaigtpran. sjjpid Schutzeinrichtungen für den

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Γ stationären Betriebszustand des jeweiligen Transistors bekannt. Einen wirksamen Schutz für jeden Transistor einer Anzahl von in Reihe geschalteten Transistoren während Übergangs- oder Schalt-

zeiten gibt es jedoch noch nicht.

Die Erfindung betrifft nun eine verbesserte, mit mehreren Transistoren arbeitende Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen. Diese .Schaltungsanordnung ist gemäß der Erfindung gekennzeichnet durch einen mit SchaltSignalen angesteuerten Steuertransistor, durch eine Anzahl vom Steuertransistor gesteuerter Schalttransistoren mit einem Ausgangstransistor, die jeweils auf den Leitfähigkeitszustand des Steuertransistors ansprechen und mit diesem sowie mit einem Belastungswiderstand in Reihe an eine auf eine Last zu schaltende Spannungsquelle geschaltet sind, durch einen Spannungsteiler an der Spannungsquelle zur Bildung bestimmter Zwiijchenspannungen,durch erste Schutzeinrichtungen zur Kopplung der Zwischenspannungen als Vorspannungen auf die Schalttransistoren und zur Erzeugung gleicher stationärer Betriebsspannungen an den. Transistoren, und durch zweite Schutzeinrichtungen zur Haltung von Spannungsänderungen an den Transistoren im zulässigen Bereich.

Ein Ausführuncsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wird im folgenden an Hand der l'iguren beschrieben.

Es zeigen:

3?ig.1 die erfindan /sgemäße Schaltungsanordnung, Fig.2 sine graphische Darstellung verschiedener Parameterwerte :;ur Bemessung der in Pig.1 dargestellten Schaltung, Pi.-:. 5 eine Anzahl v:n Spannung s-Zeit-Yer lauf en zur Erläuterung

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der .Betriebsweise der in Fig.1 dargestellten Schaltungsanordnung für verschiedene Verhältnisse der Zeitkonstante der Schutzeinrichtungen zur Zeitkonstante der Belastung, Pig.4 eine Anzahl von Spannungs-Zeit-Verläufen an bestimmten Punkten'der in Pig.1 dargestellten Schaltungsanordnung, und Fig.5 eine Anzahl von Spannungs-Zeit-Verläufen der zulässigen Spannung an den Transistoren der Schaltung gemäß Fig.l während des . Abschaltens.

In Fig.1-ist eine gemäß der Erfindung ausgebildete transistorisierte Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen dargestellt. Die Transistoren Q-, Qp und Q, sind in Serie geschaltet und liegen an einer Spannungsquelle, die selektiv auf eine Last, beispüeweise eine kapazitive last CL, geschaltet werden soll. In der dargestellten Schaltungsanordnung sind HPN-Transistören verwendet, es können jedoch auch PNP-Transistören verwendet werden, wenn die vorhandenen Spannungen an den verschiedenen Elektroden umgekehrt werden. Im dargestellten Falle liegt der positive Pol einer Spannungsquelle Vco über einen Belastungswiderstand Et am Kollektor des Transistors Q,. Der Emitter dieses Transistors ist direkt mit dem Kollektor des Transistors Q₂, und dessen Emitter direkt mit dem Kollektor des Transistors Q₁ verbunden.

Die Vorspannungen für die Basiselektroden der gesteuerten Schalttransistoren Q₂ und Q- werden an einem aus den Widerständen R₁, R₂ und R. gebildeten Spannungsteiler abgegriffen, der am positiven Pol der Spannungsquelle Vcc und an Erde Hegt. Durch die Verwendung genau bemessener und untereinander gleicher Widerstände für diesen

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Spannungsteiler werden gleiche Spannungen an jedem Transistor während des stationären Betriebszustandes erzeugt. Die Widerstände Rp und R~ sind mit jeweils einem Anschluß an die jeweilige Basis des Transistors Q₂ bzw. Q, gelegt und "bilden auf diese Weise Stromwege für die Basisströme dieser Transistoren. Die Widerstände R₁- und Rg sind zwischen die Basis und den Emitter des Transistors Q₂ "bzw. Q, geschaltet und verringern, wie noch beschrieben wird, den .Basis-Emitter-Widerstand des jeweiligen Transistors, wodurch ein geringerer Widerstand für den jeweiligen Strom Iq-dq gebildet wird.

Die Schalttransistoren werden über die Widerstände R₂ und R, vom Spannungsteiler her an ihrer Basis mit einer Durchlaßspannung vorgespannt. Dem Steuertransistor Q₁ wird von einer Spannungöquelle Vb b über den Widerstand R^ eine Sperrspannung zugeführt. Ein Sehaltsignal gelangt vom Eingang 13 auf die Basis des Transistors Q₁ über den Widerstand R_ß, dem ein Kondensator CL zur Erhaltung der Impulsflanken parallelgeschaltet ist.

Bei Fehlen eines Schaltimpulses an der Eingangsklemme 13 ist die Baäs-Emitterstrecke des Transistors Q₁ in Sperrichtung gepolt, wodurch der Transistor gesperrt ist. Der Transistor Q₁ wird an der Basis angesteuert, während die Transistoren Q₂ und Q, am Emitter angesteuert werden. Daher fließt bei gesperrtem Transistor Q₁ kein Kollektorstrom und damit kein Emitterstrom im Transistor Q₂. In ähnlicher Weise fließt bei fehlendem Kollektorstrom des Transistors Q₂ kein Emitterstrom im Transistor Q^. In diesem Zustand der Transistoren 3-iegt die Spannung Vco an der kapazitiven Last Cy.

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Tritt an der Eingangskiemme 13 ein.Schaltsignal auf, so wird der Transistor Q₁ leitend. Damit beginnt in diesem Transistor ein Kollektorstromfluß und der Transistor Q₂ wird leitend, wodurch mit dessen Kollektorstrom der Transistor Q, leitend wird. Es ist zu erkennen, daß beim Übergang des Transistors Q₁ in den leitfähigen Zustand die gesteuerten Transistoren Qp und Q, gleichfalls leitend werden, wodurch die Spannungsquelle auf den Belastungswider stand Rj. arbeitet und an der kapazitiven Last C-r Erdpotential liegt. Dieser Einsehaltvorgang kann innerhalb sehr kurzer Zeit stattfinden. Beispielsweise beträft die Schaltzeit mit zwei gesteuerten Transistoren in einem typischen Ausfühungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ungefähr eine halbe Mikrosekunde.

Wie bereits erwähnt, entstehen durch den Serienbetrieb einer Anzahl von Transistoren zum Schalten hoher Spannungen vide Probleme, da die Transistoren normalerweise nicht eine untereinander gleiche Impedanz haben und daher Überspannungen an denjenigen Transistoren auftreten, die die höhere Impedanz haben. Um die zulässigen Betriebsspannungen an jedem der in Reihe geschalteten transistoren zu erzeugen, sind parallel mit den Widerständen R₁ , Rp ^unci ■&·* Verzögerungskondensatoren CL, Cp und CL· angeordnet, die die Anfangsspannungen an den verschiedenen Transistoren bis zu deren Abschaltung innerhalb des zulässigen Bereiches halten. Durch iie Wirkung, des Spannungsteilers werden dann an jedem Transistor gleiche Spannungen erzwungen, da die Teilerwiderstände wesentlich geringer sind als die Sperrwiderstände der Transistoren. Wird auf diese Weise durch den Spannungsteiler die zulässige Betriebsspannung im stationären Zustand gewährleistet, so muß der Zusammenhang zwischen der Zeitkonstante der Last, bedingt durch R_T und C₁-, und der Zeit-

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konstante RC der Schaltung derart festgelegt werden, daß Spannungsänderungen am Ausgangstransistör Q, innerhalb des zulässigen Bereiches liegen.

Zur Beibehaltung der zulässigen Spannungen an den Transistoren Q₁ f Q₂ und Q» im Augenblick des Abschaltens dienen die Kondensatoren C₁, C₂ und C, in Verbindung mit der kapazitiven Last C^, durch die die Anfangsspannungen verzögert werden. Alle Transistoren sollen während des für diesen Vorgang maßgebenden Zeitraumes abschalten. Wie im folgenden noch beschrieben wird, wird der am langsamsten schaltende Transistor als Steuertransistor verwendet, wenn Ausgangsimpulse mit kurzer Anstiegszeit verlangt sind und große Unterschiede der Abschaltzeit der Transistoren bestehen.

stiegs-Kö'nnen jedoch längere Anleiten zugelassen werden, so ist die Lage des langsamsten Transistors innerhalb der Schaltung weniger kritisch.

Mit einer Spannung an jedem Transistor innerhalb des zulässigen Bereiches ist nicht notwendigerweise eine SpannungsgleicÄßit an allen Transistoren verbunden, da die Spannung am Transistor Q* außer von der Spannung Vcc vom Verhältnis der Lastzeitkonstante R^ Ct 3ur Zeitkonstante RC der Schutzschaltung abhängig ist. Daher muß dieses Verhältnis so eingestellt werden, daß die Kollektor-Emitterspannung und die Kollektor-Basisspannung des Ausgangstransistors Q, wiüire:.·: des Übergangszustandes die zulässigen Werte nicht überschuss· t. Für einen typischen Transistor, wie er in einem Ausführungsbeisriel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verv.endet wird, betingt die zulässige Kollektor-Etnitterepannung 4-00 · Volt -and die zulässige Kollektor-Basisspannung 450 Volt. Durch Verwendung des geringeren Wertes· d-h. der zulässigen Kollektor-

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Emitterspannung, ist das Vorhandensein zulässiger Spannungen an allen Elektroden des Ausgangstransistörs Q, gewährleistet. Für die Schaltungsanordnung gemäß Fig.1 und die dargestellte Spannungsanschaltung gilt folgende Bedingung für die Übergangs, spannungen innerhalb des zulässigen Bereiches, d.h. unter 400 Volt für den Transistor Q,:

VoU) - Ve O) ^ too H)

Die Werte für die Ausgangsspannung V_n und die Spannung an der Basis und am Emitter des Transistors Q* können als Zeitfunktionen geschrieben und in die Gleichung 1 eingesetzt werden:

t i 3t

Für e^neiWert von 1000 Volt für Vcc kann die Gleichung 2 umgeformt und folgendermaßen geschrieben Werdens * -J- - ±L

Das Verhältnis der Schutzschaltungszeitkonstante RC zur Lastzeitkonstante Rt Ct ist:

Durch Einsetzen der Gleichung 4 in die Gleichung 3 erhält man:

Verwendbare Verhältnisse der Zeitkonstante RC zur Zeitkonstante Rj₁ C₁ können durch Auflösung der Gleichung 5 nach verschiedenen Werten von K erhalten werden. Wie aus Fig.2 hervorgeht, kann die Gleichung 5 für verschiedene Werte von K graphisch dargestellt werden, wodurch eine Festlegung von Werten K im Hinblick auf die

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Speisespannung und die zulässigen Werte des Transistors möglich ist. Wie in J?ig.2 dargestellt ist, muß für die Jeweils verwendete Spannung und den Transistor der Wert K geringer oder gleich 2,6 sein, um die zulässige Kollektor-Emitterspannung von 400 YoIt durch Spannungsanderungen.nicht zu überschreiten. Durch Einsetzen verschiedener Werte von K in die Ausdrücke für Yc(t) und durch Subtraktion dieses Wertes von dem zeitlichen Wert YO(t) der Ausgangsspannung kann die Spannung am Transistor Q, aid Funktion der Zeit für verschiedene .Werte von K "bestimmt werden. Wie in Fig.3 gezeigt ist, wird durch Verringerung des Wertes K, d.h. des Verhältnisses der Zeitkonstanten, die Spannungsänderung am Ausgangstransistor Q- verringert. Unter der Annahme, daß die Lastzeitkonstante Rt Cj₁ durch eine vorgegebene Anstiegszeit festgelegt ist und daß die Widerstandswerte des Spannungsteilers durch die Basisströme bzw, -spannungen vorgegeben sind, muß ein Verzögerungskondensator C verwendet werden, der diesen Anforderungen angepaßt ist. Da geringe Kapazitätswerte nicht den gewünschten Bffekt der Verzögerung der Anfangs spannungen an den Transistoren Q₁ und Qp erzeugen und daher zu hohe Spannungen an diesen transistoren auftreten, besteht ein Probim darin, den maximalen Wert für die Kondensatoren C zu bestimmen, der die Spannungsänderung am Transistor Q~ innerhalb des zulässigen Wertes hält.

Die folgende Tabelle I enthält Schaltungswerte, wie sie in einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung verwendet wurden, welches zum Schalten einer Spannung von 1000 Volt mit einer Schaltfrequenz von bis zu 25 ^H² geeignet ist.

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	= 175 k	Ohm	Tabelle	I	40 Picofarad	Transistoren
	= 175 k	Ohm	Kondensatoren	27 Picofarad	Q1 - 2F3439
Widerstände	= 175 k	Ohm	0I =	27 Picofarad	Q2 - 2N3439
R1	= 175 k	Ohm	O1 =	27 Picofarad	Q3 - 2N3439
R2	= 680 = 680	Ohm Ohm	O2 =
R3		O3 =
R4
R5 R6

Wie bereits erläutert, stellt die Auswahl des Wertes für die Verzögerungskondensatoren einen Kompromiss zwischen den günstigen Werten für Rr und R und den zulässigen Betriebsspannungsänderungen dar. Aus der Gleichung 5 ergibt sich mit dem aus Fig.2 erhaltenen höchstmöglichen Wert für K der folgende Wert für die Kapazität C, angepaßt an die Schaltungsparameter:

Aus den in der Tabelle I aufgeführten Werten kann der Wert G zu 29,8 Picofarad berechnet werden. Der Wert von 27 Picofarad in der Tabelle I stellt einen Kompromiss dar, der im Hinblick auf den nächstgeringeren handebüblichen Standardwert ausgewählt wurde. Der Lastwiderstand Rt wurde derart gewählt, daß die Transistoren in der Nähe der Spitze der typischen hp_E vs I -Kurve arbeiten. Dadurch ergibt sich die Möglichkeit, die im Spannungsteiler verbrauchte Leistung durch Erhöhung des Wertes für die Widerstände R₁ bis R. zu verringern, da die Widerstände R₂ und R^ beide Gleichstromwiderstände für die Basisströme der Transistoren Qp und Q^ sind. Ferner bildet der Widerstand R₂ einen Teil des stationären Span-

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nungsteilers, durch den ein Querstrom fließt. Haben die Teilerwiderstände R₁, R₂ un d R^ den gleichen Wert, so ergeben sich, wie bereits erwähnt, während des leitfähigen Zustandes an allen Transistoren gleiche Spannungen. Die Werte für die Widerstände Rc und Rg zur Verringerung des Basis-Emitterwiderstandes der Transistoren Q₂ und Q, und damit zur Bildung eines geringeren Widerstandes für den Strom I₀₅₀ wurden für den Transistor 2N3439 berechnet. Zum Schalten von Hochspannungen sind die Teilerwider-, stände und die Basiswiderstände sehr groß und die Spannungsbeanspruchung der Transistoren Q2 und Q3 erreicht den zulässigen Wert ⁷OEO' ^der geringer ist als V_0ER, wenn R ein Basis-Emitterwideretand dee Transistors ist. Für den Transistor 2N34-39 beträgt die zulässige Spannung V_0ER 400 Volt, wobei Rgj, geringer oder gleich 1 Kiloohm 1st.

Für die in Pig.~1 dargestellte Schaltung wird im folgenden der Abschaltevorgang beschrieben, wobei für alle Transistoren eine praktisch gleichzeitige Abschaltung vorausgesetzt wird.

Wie bereits erwähnt, ist es bei großen Unterschieden der Schaltzeiten der verwendeten Transistoren günstig, den Transistor mit der längsten Abschaltezeit als Steuertransistor Q₁ einzusetzen. Befinden sich die Transistoren im leitfähigen Zustand, so liegen die Spannungen V^ und V_Q, d.h. die Basisspannungen der Transistoren Q₂ und Q, auf dem Potential des Emitters des Transistors Q₁, d.h. auf Erdpotential. Die Spannung V» am Verbindungspunkt der Widerstände Rp, R, und R. des Spannungsteilers beträgt durch die

Vco
Spannungsteilung ²^ und damit kann in den Transistoren Basisstrom fließen, wodurch die Ausgagsspannung VO auf dem Emitterpotential des Transistors Q₁, d.h. auf Erdpotential gehalten wird,

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fs JLugenbliok dee .Abschalten·, d.h. an der Eüolcflanke dee am Xingang 13 auftretenden Sohaltiavpulees wird die lasis dee Transistor* Q₁ über den Widerstand H- wieder in Sperrichtung gepolt. Soiait beginnt der Transistor Q₁ 'abniechalten und die Transistoren Q₂ TUiC Q« nÜBsen durch den abnehmenden Xollektoretrom dee ^ran-Bietor Q₁ infolge ihrer Emittersteuerung diesem Torgang folgen. Damit beginnt die Spannung T₃₃ durch die BpannungBteilerwirlcung ia Augenblick der Abschaltung des Transietore Q₁ in Hiihtung auf den Vert ■■ ■ ■ ■ anzuBteigen. J&nlich Bteigt Ale Spannung T. gegen ' dar Vert ^r- v&& die SpannuÄg T₀ gegen den ¥ert an. Die SpannungBänderungen T«(t), Tj(t) und T₀(t) können folgendermaßen dargestellt werden:

± _ 3t

3t

Bekanntlich folgt dlt Spannung T₀₁ am Emitter des Transistors Q₂ der Spannung T. an dar Baal· dieses Iraneietore und in ähnlicher Vtise folgt die Spannung T₀₂ am Emitter des Transistors Q, der Spannung Tq an dessen Baeis. Da aus den Gleichungen 10 und 12 T₀(t) ■ 2 TjXt) ist und die Spannung am Kollektor des Transistors Q₂, d.h. T₀₂₉ dan Terlauf 7₀(t) hat, hat die Spannung am Kollektor dee Translator» Q₂ dan zweifachen Vert der Spannung T₀₁ am Kollektor des Transistors Q₄*

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009821/0734 °°^ργ "

Die Spannungsänderung der .Ausgangsspannung TT-. als !Funktion der Zeit während des Abschaltens hat den folgenden Verlauf:

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Die Kurven für T_Qt V«.. und Y„₂ während der Abschaltung sind in Jj¹Ig.4 dargestellt. Wie aus dfesen Kurven hervorgeht, sind die Spannungen an den Transistoren, d.h. die Spannungen zwischen den verschiedenen Kurven nicht höher als die für den transistor 2H3439 zulässigen Spannungen. In ähnlicher Weise zeigt Pig.5» daß die Spannungsänderungen an den Transistoren in einer in Pig.i dargestellten Schaltung bei einer zu schaltenden Spannung von 1000 YoIt und einem Zeitkonstantenverhältnis von 2,36 innerhalb des für den Transistor 2N3439 zulässigen Bereiches liegen, obwohl sie sich bemerkenswert unterscheiden.

Vorstehend wurde eine verbesserte transistorisierte Schaltungsanordnung zum Schalten von Spannungen beschrieben, die größer sind, als die für die in Reihe geschalteten Transistoren jeweils zulässigen Werte. Durch die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung werden . sichere Betriebsspannungen an den jeweiligen Transistoren einer,* Reihenschaltung nicht nur während des'stationären Betriebes sondernk was viel wichtiger ist, auch während der Schaltzeiten erzwungen'.

Die Erfindung wurde an Hand eines AusführungsbeiSpieles beschrieben. Es sind vielo&ndere Ausführungsformen der Erfindung möglich, die dur£h deren Grundgedanken umfaßt werden. Beispielsweise kann «i&- stelle einer kapazitiven Last in gleicher Weise eine andere Laßt verwendet werden· So sind viele weitere Abänderungen möglich, ohne vom ü-rundßrinzip der Erfindung abzuweichen,

·:-... BADORiGSNAL

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Claims (1)

1. -H-

   1. Transistorisierte Schaltungsanordnung zum Schalten hoher Spannungen, gekennzeichnet durch einen mit Schaltsignalen (+V) angesteuerten Steuertransistor (Q-), durch eine Anzahl vom Steuertransistor (Q₁) gesteuerter Schalttransistor¹¹ (Q₂, Q,) mit einem Ausgangstransistör (Q^), die jeweils auf den leitfähigkeitszustand des Steuertransistors (Q-) ansprechen und mit diesem sowie mit einem Belastungswiderstand (Rt) in Reihe an eine auf eine last (Ct) zu schaltende Spannungsquelle (Tee,Erde) geschaltet sind, durch einen Spannungsteiler (R-,Rp,R.) an der Spannungsquelle (VcCjErde) zur Bildung bestimmter Zwischenspannungen (Y.J^), durch erste Schutzeinrichtungen (R- "bis Rr) zur Kopplung der Zwischenspannungen (V., Vg) als Vorspannungen auf die Schalttransistoren (Qp, Q-,) und zur Erzeugung gleicher stationärer Betriebsspannungen an den Transistoren (Q₁ ,QpjQv) > ^unö· durch zweite Schutzeinrichtungen (C₁ "bis C-,C_x) zur Haltung von Spannungsänderungen an den Transistoren (Q^QpjQ·^) im zulässigen Bereich.

   • Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die zweiten Schutzeinrichtungen (C₁ "bis C,, Ct) im zulässigen Bereich gehaltenen Spannungswerte untereinander ungleich sind. ,

   • Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Schutzeinrichtungen (R₁ bis Rg) Kopplungswiderstände ^2» ^3) tunfaßen, die die Zwischenspannungen (Va,^) des Spannungsteiler» auf die Basiselektroden der Schalttransistoren (Q₂, Qj) kopptln, und daß die zweiten Schutzeinrichtungen (C₂,C₅) den

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   (R₂,R-) piirnllclee-nchnltrte 7ί·τ~ lcondennntoren Bind*

   -ί. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3» dedurch gekennzeichnet, daß ferner ein TerEOncrungelrondennntor (C₁) dean unmittelbar an Berüge· •punkt (Erd*) der eu ochiiltniden Spannting (Tee) lieg&nden Viderettuid (K₁) flee S^nnrrunreteller· p*ra3l<?l£efTChalt«1; lot.

   I M

   5« Schaltungsanordnung nach Anrrpruch 3_r Jedureh gekenueeiehnet, daß das Tertiiltnie I « F^üT" ^{der le}i**'«*»**='*·^{11 der} ·ρ·*·β tmd der fvcittn Selnitteinrichttm^a (R₁JK₂,E^,C₁ ,C₂,C,) unfi der Xaetviderett-sde (R^,C^) eine Irantant* kleitier oder gleich eine» rorbeetissBten Vert let, dtr rar Beibehaltung der OrCSt der Bpannungetnderungen «■ AuBfrangttraziPiBtoT (Q-) innerhalb dessen euläBnigeo Bereich für die loll^ktor-Baaieepeinirttng vnd lollettor-Eedttererforderlich i»t·

   6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, daduroh gekennzeichnet, dai die den ppennuncsteiler bildenden Iflderetände (R^ ,E₂,^) untere ine der gleich Bind und daS radndeet ein Eopplvngtrvi&ar stand (R-) eiren Viii erstand des Spanatmgateilera bildet.

   7· Schaltun£βanOrdnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ferner zwischen Basis und Sadtter der Schalttransiatoren (Q₂,Q-) Viderstände (R₁^,Rg) «ur Terringerung des jeweiligen Basis-Batitter- -n Torgeeehen sind·

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   BADORiGiNAL

   8. Schaltungsanordnung nach Inspruch 3$ dadurch gekennzeichnet, daß ferner tin mit der Basis des Steuertransistors (Q₁) verbundener Steuereingang (13) zur Zuführung der den Steuertransistor (Q₁) entsperrenden Schaltsignale sowie eine mit der Baäs des Steuertransistore (Q₁) verbundene Sperrspannungsquelle (-Yb"b) Torgesehen ist.

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