DE1569317C2 - Verwendung einer Füllmasse für Transistorgehäuse - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft die Verwendung einer Füllmasse für die Gehäuse von Transistoren.

Es ist bekannt, Gehäuse für Transistoren mit einer Füllmasse, z. B. einem Silikonöl oder einem Silikonfett, zu füllen, um den Halbleiterkörper des Transistors gegenüber etwa mit in das Gehäuse eingeschlossenen Gasen und Dämpfen zu schützen und um die Wärme von dem Halbleiterkörper besser abzuleiten. Weiter ist es ganz allgemein bekannt, kaltvulkanisierende Silikonmassen, die nach dem Vergießen aushärten, zum Einbetten von beliebigen Teilen, und so auch elektrischen Schaltelementen, zu verwenden.

Beim Füllen der Gehäuse von Transistoren, deren Halbleiterkörper eine gegenüber mechanischen Beanspruchungen empfindliche Oberfläche hat und empfindliche Teile, wie z. B. dünne Zuleitungsdrähte, aufweist, müssen an das Füllen zwei sich zum Teil widersprechende Forderungen gestellt werden:
.. 1. Die Füllmasse muß, wenn sie in das Bauelementengehäuse eingefüllt wird bzw. das Bauelement in das mit der Füllmasse vorgefüllte Gehäuse eingesetzt wird, so nachgiebig sein, daß es die empfindlichen Teile des Bauelementes, wie z. B. die obengenannten dünnen Anschlußdrähte bei einem Transistor, nicht beschädigt; und

2. die Füllmasse muß so fest sein, daß sie während des späteren Gebrauchs des Bauelementes in verschiedenen Lagen nicht innerhalb des Gehäuses zu fließen beginnt und dabei Teile der Bauelementenoberfläche freilegt, was, besonders bei Transistoren, zu einer Veränderung der elektrischen Eigenschaften des Bauelementes führt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein ίο Gehäuse für einen Transistor so zu füllen, daß die beiden obengenannten Forderungen erfüllt werden: Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch die Verwendung einer Masse aus 98 Gewichtsteilen Silikonöl, 2 Gewichtsteilen vulkanisierendem Silikonkautschuk, z. B. Silikon-Einbettmasse, 1 Gewichtsteil Härter für den Silikonkautschuk und 40 Gewichtsteilen Molekularsiebpulver.

Transistoren sind zum Teil mit so dünnen Anschlußdrähten (7 μΐη Durchmesser) versehen, daß bei einer zähen Füllmasse die Gefahr besteht, daß beim Einbringen des auf dem Gehäuseteil befestigten Transistors in das Gehäuseoberteil die Drähte durch den Widerstand der Füllmasse zerrissen oder von ihren Befestigungspunkten abgerissen werden.
Werden die Transistoroberteile mit der Füllmasse gefüllt, so ist die Viskosität der Füllmasse bis zu einem Zeitraum von etwa 20 Stunden nach ihrer Anmischung noch so niedrig, daß die Transistoren ohne Gefahr für ihre Anschlußdrähte in das Gehäuseoberteil eingebracht werden können. Nach einer Zeitspanne von etwa 15 Stunden bei Erwärmung auf 70° C vulkanisiert die Füllmasse dann und wird so steif, daß sie ihre Lage innerhalb des Gehäuses nicht mehr verändert.

Das in der Füllmasse enthaltene Molekularsiebpulver dient in bekannter Weise dazu, eventuell doch in das Gehäuse mit eingeschlossene oder in ihm frei werdende Gas- und/oder Dampfspuren zu binden.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Verwendung einer Masse aus 98 Gewichtsteilen Silikonöl, 2 Gewichtsteilen vulkanisierendem Silikonkautschuk, 1 Gewichtsteil Härter für den Silikonkautschuk und 40 Gewichtsteilen Molekularsiebpulver als Füllmasse für das Gehäuse eines Transistors.