DE1564365C3 - Festkörper-Bildwandler - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper-Bildwandler mit einem Schirm aus übereinanderliegenden zusammenhängenden oder aus einzelnen Elementen bestehenden Schichten, von denen zwischen einer einstrahlungsseitig liegenden Photoleitschicht und einer ausstrahlungsseitig liegenden Elektrolumineszenzschicht eine an die Elektrolumineszenzschicht angrenzende Impedanzschicht aus einem Material mit unlinearem Impedanzverlauf in Abhängigkeit vom anliegenden elektrischen Gleichfeld liegt, und mit an die Photoleitschicht bzw. die Elektrolumineszenzschicht anschließenden strahlungsdurchlässigen Elektroden, von denen Gleichstromelektroden einen Gleichstrom in Reihe durch die Photoleitschicht und die Impedanzschicht und Wechselstromelektroden einen Wechselstrom in Reihe durch die Impedanzschicht und die Elektrolumineszenzschicht ermöglichen.

Es ist ein derartiger Bildwandler bekannt (DT-AS 10 45 569), bei dem die Gleichspannung und die Wechselspannung überlagert an den Schichtstapel angelegt sind und der durch die Photoleitschicht bestimmte Gleichstrom den Arbeitspunkt der nichtlinearen Impedanzschicht festlegt, die ihrerseits den Wechselstrom bestimmt. Der Wechselstrom, dessen Beeinflussung unmittelbar durch die Photoleitschicht schwierig ist, kann so üoer die Gleichstromsteuerung beeinflußt werden und bewirkt seinerseits eine Steuerung der Lumineszenz in weitem Veränderungsbereich. Damit der Bildwandler mit dem auf diesem Prinzip beruhenden Lumineszenzsteuersystem mit hoher Empfindlichkeit arbeiten kann, muß die Kapazität der Elektrolumineszenzschicht in Richtung .ihrer Dicke ungefähr mit derjenigen der nichtlinearen Impedanzschicht in Richtung ihrer Dicke vergleichbar sein. Die nichtlineare Impedanzschicht, die z. B. aus BaTiCb- oder (Pb, Zr,)TiO3-Keramik od. dgl. besteht, hat jedoch eine sehr hohe Dielektrizitätskonstante, nämlich etwa 1000 bis 3000, die Elektrolumineszenzschicht aus dispergiertem elektrolumineszierendem Material dagegen eine niedrige spezifische Dielektrizitätskonstante von etwa 10 bis 20. Folglich muß, damit die vorstehenden Bedingungen erfüllt sind, die nichtlineare Impedanzschicht mehr als lOOmal so dick sein wie die Elektrolumineszenzschicht, deren Maximaldicke jedoch bei den bekannten Fertigungstechniken 30 bis 50 μιη erreicht, so daß die nichtlineare Impedanzschicht eine außerordentlich große Dicke in der Größenordnung von 3 bis 5 mm haben müßte. Andererseits muß das Gleichspannungsfeld in Richtung der Dicke der nichtlinearen Impedanzschicht ungefähr 10 kV/cm oder mehr betragen. Deshalb ist bei dem bekannten Aufbau mit einer dicken Impedanzschicht eine hohe Gleichspannung in der Größenordnung von einigen bis zu 10 kV notwendig. Aus diesem Grunde sind elektrolumineszierende Vorrichtungen, die auf dem vorstehenden Prinzip beruhen, äußerst schwer zu fertigen und werden in der Praxis kaum verwendet.

Es sind auch Bildverstärker mit Netz- oder Gitter-

elektroden bekannt (DT-Gbm 18 69 477), bei denen der Einfluß der an die Photoleitschicht anschließenden Gitterelektrode bei Bestrahlung zunimmt und damit eine dahinterliegende Elektrode zunehmend abschirmt.

Weiterhin ist ein Bildverstärker bekannt (DT-AS 12 02 913, Fig. 4,5), bei dem sämtliche Elektroden sich auf der Seite der Photoleitschicht befinden, und zwar abwechselnd so, daß das zwischen ihnen verlaufende Wechselfeld im Leitzustand der Photoleitschicht von dieser mehr oder weniger kurzgeschlossen wird und im Sperrzustand der Photoleitschicht weiter ausholt und bis in die Elektrolumineszenzschicht reicht, auf deren Ausstrahlungsseite sich noch eine das Erregerfeld ausrichtende blinde Elektrode befindet. Hierbei sind zur Wechselstromerregung der Elektrolumineszenzschicht dienende benachbarte Elektroden an entgegengesetzte Pole einer Wechselstromquelle angeschlossen. Eine ungünstige Charakteristik der durch die Einstrahlung in ihrem Wechselstromwiderstand beeinflußten Photoleitmaterialien ergibt eine ungünstige Gesamtcharakteristik dieses Bildverstärkers, außerdem hat das durch den Abstand der Wechselstromelektroden von der Elektrolumineszenzschicht geschwächte Wechselfeld nur eine ungünstige Ausnutzung zur Folge.

Weiterhin ist ein Bildverstärker bekannt (DT-AS

11 33 481), der eine unmittelbar lichtabhängige Kapazität aufweist und durch Induktivitäten für jeden elektrolumineszierenden Bildpunkt einen Schwingkreis bildet. Der Bildverstärker muß mit einer der Resonanzfrequenz bei gegebenem Beleuchtungszustand entsprechend der gewünschten Wandlercharakteristik zugeordneten Speisungsfrequenz betrieben werden und nutzt die Steilheit der Resonanzkurve auf Grund der durch unterschiedliche Beleuchtungsstärken bewirkten Verstimmung der einzelnen Elementar-Schwingkreise aus.

Es ist auch ein Bildverstärker bekannt (DT-AS

12 00 969), bei dem die Aufstrahlung des zu verstärkenden Bilds und die Abstrahlung des verstärkten Bilds auf die gleiche bzw. von der gleichen Oberfläche erfolgen. An dieser Stirn- oder Frontseite des Schirms des Bildverstärkers sind abwechselnd Elektrodenstreifen angeordnet, die an entgegengesetzte Pole einer Wechselstromquelle angeschlossen sind und zwischen denen jeweils ein Streifen aus Photoleitmaterial und ein Streifen aus Elektrolumineszenzmaterial liegen. Das Photoleitmaterial spricht hier unmittelbar in seiner Wechselstromimpedanz auf die Helligkeit des Eingangsbilds an.

Ausgehend von einem Bildwandler der eingangs genannten Art unter Verwendung einer unlinearen Impedanzschicht, deren Arbeitspunkt von Bildpunkt zu Bildpunkt mit Hilfe des durch die Einstrahlung bestimmten Gleichstroms eingestellt wird und den die Lumineszenz bewirkenden Wechselstrom steuert, liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Dicke der unlinearen Impedanzschicht und damit die erforderliche anzulegende Gleichspannung zu erniedrigen, ohne hierdurch die Umwandlungscharakteristik zu verschlechtern.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß von den an die Elektrolumineszenzschicht anschließenden Wechselstromelektroden zur Wechselstromerregung der Elektrolumineszenzschicht jeweils benachbarte an entgegengesetzte Pole der Wechselstromquelle angeschlossen sind und in der Impedanzschicht einen Wechselstrom in Richtung parallel zur Stirnseite des Festkörperbildwandlers bewirken.

Diese Anordnung hat zur Folge, daß der Wechselstrom die Elektrolumineszenzschicht in Richtung ihrer Dicke und die nichtlineare Impedanzschicht in Richtung ihrer Fläche, also parallel zur Schirmstirn- oder Frontseite, durchfließt und damit auch bei einer verhältnismäßig dünnen nichtlinearen Impedanzschicht in dieser einen wesentlich längeren Stromzweigweg hat als in der Elektrolumineszenzschicht. Die gegenseitige Anpassung der in Reihenschaltung liegenden Strom-

]o kreisteile in der Elektrolumineszenzschicht und in der Impedanzschicht ist damit auch bei einer dünnen Impedanzschicht verhältnismäßig leicht und zur Erzielung eines ausreichenden Gleichfeldes in der Impedanzschicht bedarf es nur einer mäßigen Gleichspannung.

Dies gilt sowohl, wenn das Material der Impedanzschicht gemäß Anspruch 2 ein Halbleitermaterial ist, das einen verhältnismäßig hohen Gleichstrom ermöglicht, als auch, wenn es nach Anspruch 3 ein ferroelektrisches Material, vorzugsweise ein Keramikmaterial ist, das dem Gleichstrom einen verhältnismäßig hohen Widerstand entgegensetzt. Die Anordnung kann gemäß Anspruch 4 so getroffen sein, daß das Gleichfeld im wesentlichen über die Dicke der unlinearen Impedanzschicht verläuft, oder nach Anspruch 5 so, daß es im wesentlichen in Richtung von deren Flächenausdehnung verläuft, indem auch der Gleichstrom zwischen benachbarten Elektrodenelementen unterschiedlicher Polarität nach seinem Durchtritt durch die Fotoleitschicht parallel zur Stirn des Schirms, also zur Frontseite, fließt.

Besteht in diesem Fall die Impedanzschicht aus einem Material mit hohem Gleichstromwiderstand, so kann zwischen ihr und der Photoleitschicht gemäß Anspruch 6 noch eine zusätzliche Widerstandsschicht eingebracht sein, die den Einfluß der Steuerung durch den Gleichstrom erhöht.

Die Ansprüche 7 bis 10 geben zweckmäßige Dimensionierungen an, durch deren Befolgung sich die elektrische Anpassung der Schichten aneinander und damit die Charakteristik bei dünner Impedanzschicht optimieren läßt.

In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise dargestellt, und zwar zeigen

Fig.l bis 3 schematische Schnitte durch Ausführungsformen des Bildwandlers,

F i g. 4 und 5 Äquivalentschaltkreise der Ausführungsformen nach den F i g. 2 bzw. 3.

Die Bildwandler nach Fig. 1 bis 3 wandeln ein Eingangsbild Li aus Licht oder unsichtbarer Strahlung gegebenenfalls invertierend ( Fig. 1) in ein Ausgangsbild Li um. Sie weisen eine Trägerunterlage 1 aus transparentem Glas mit hohem spezifischem Widerstand und hoher Durchschlagsfestigkeit und eine Vielzahl lichtdurchlässiger Elektroden 21 und 22 auf, die aus Zinnoxid bestehen und die auf der Trägerunterlage 1 in geeignetem Abstand voneinander in zwei Sätzen von elektrisch isolierten Elektrodengruppen abwechselnd angeordnet sind. Eine Wechselstromquelle 3 mit sehr niedrigem oder mit Ausgangswiderstand 0 legt an diese Elektrodengruppen eine Wechselspannung Va an. An die Elektroden 20, 21 schließt sich eine Elektrolumineszenzschicht 4 aus Luminophorpulver wie ZnS : Cu, Al mit einem geeigneten Bindemittel und weiterhin eine Impedanzschicht 5 aus einem Material mit nichtlinearem Impedanzverlauf in Abhängigkeit vom anliegenden elektrischen Gleichfeld an, z. B. aus ferroelektrischer BaTiCh- oder (Pb, Zr)TiO3-K.eramik; gegebenenfalls eine Widerstandsschicht 6 (Fig.2) und weiterhin eine zusammenhängende (Fig. 1) oder aus einzelnen EIe-

menten wie Stegen oder einem Gitter bestehende (Fig. 2,3) Photoleitschicht 7, die durch Vermengen eines pulverförmigen photoleitenden Materials mit einem hohen Dunkelwiderstand wie CaS: Cu, Cl mit einem Bindemittel mit hohem spezifischem Widerstand, wie z. B. Epoxyharz, geformt ist; auf der Photoleitschicht 7, gegebenenfalls auf deren einzelnen Elementen, sitzt eine Gleichstromelektrode 8, die für das Eingangsbild Li durchlässig ist, also aus Zinnoxid für Licht oder aus einem vakuumaufgedampftem Film oder ·° einer dünnen Metallplatte, wie Aluminium oder einer Schicht aus leitender Farbe für durchdringende Strahlung wie Röntgenstrahlen. Eine Gleichstromquelle 9 ist nach F i g. 1 zwischen die Elektrode 8 und eine Ausgangsklemme der Wechselstromquelle 3 geschaltet, um die Vorrichtung mit einer Gleichspannung Vs zu beaufschlagen und nach den Fig.2 und 3 zwischen Elektrodengruppen 8' und 8", in die die Gleichstromelektrode 8 dort aufgeteilt ist.

Da die Dielektrizitätskonstante der nichtlinearen Impedanzschicht 5 über lOOmal so groß ist wie diejenige der Elektrolumineszenzschicht 4, fließt auf Grund der Spannung Va ein starker Wechselstrom Ia in seitliche Richtung parallel zur Frontseite des Bildwandlers zwischen den Elektroden 21 und 22. Die Elektrolumineszenzschicht 4 ist außerordentlich dünn und beträgt beispielsweise 30 μίτι; jede Elektrode 21 und 22 hat eine geringe Breite von ungefähr etwa 200 μίτΐ; der Abstand zwischen den benachbarten Elektroden 21 und 22 beträgt mehr als ungefähr die doppelte Dicke der Elektrolumineszenzschicht 4, nämlich etwa 500 μίτΐ; die Höhe der Wechselspannung Va ist so gewählt, daß die Elektrolumineszenzschicht 4 durch das seitliche elektrische Wechselfeld zwischen den Elektroden 21 und 22 nicht luminesziert. Der parallel zur Stirnseite der nichtlinearen .Impedanzschicht 5 fließende Strom erzeugt jedoch ein starkes elektrisches Feld in Richtung der Dicke der dünnen Elektrolumineszenzschicht 4 und die an diesem Abschnitt entwickelte Lumineszenz ergibt ein Ausgangsbild Li von hoher Leuchtdichte.

Wird in diesem Zustand die Gleichspannung Vs an den Bildwandler gemäß F i g. 1 angelegt und auf die Elektrode 8 das Eingangsbild Li aufprojiziert, dann nimmt der Gleichstromwiderstand in Richtung der Dicke der Photoleitschicht 7 ab, es fließt ein Gleichstrom Ib zwischen der Elektrode 8 und den Elektroden 21,22, und eine Gleichspannungskomponente Vb und damit die Feldstärke in Richtung der Dicke der nichtlinearen Impedanzschicht 5 erhöht sich. Diese Zunahme der Spannung Vb hat eine Verminderung der Dielektrizitätskonstante der Impedanzschicht 5 zur Folge, was zu einem Abfall des seitlich vorbeifließenden Wechselstromes Ia führt. Auf diese Weise nimmt die Ausgangsleuchtdichte stark ab, wenn das Eingangsbild Li heller wird, und es entsteht ein strahlendes, negatives Umkehr-Ausgangsbild Li.

Zwecks wirksamer Steuerung ist der Gleichstromwiderstand der Impedanzschicht 5 geeignet kleiner als der Dunkelwiderstand der Photoleitschicht 7 und geeignet größer als der Gleichstromwiderstand der Elektrolumineszenzschicht 4. Für einen hochempfindlichen Betrieb des Bildwandlers muß die Wahl derart getroffen werden, daß hinsichtlich des Wechselstromkreises z. B. das geometrische Mittel aus Maximalkapazität und Minimalkapazität der nichtlinearen Impedanzschicht 5, die je nach der anliegenden Gleichspannung veränderlich sind, im wesentlichen der Kapazität des leuchtenden Abschnitts der Elektrolumineszenzschicht

4 gleich ist.

Um für beide Schichten etwa gleiche Kapazitäten zu erhalten, muß die Feldlinienlänge in der Impedanzschicht 5 mehr als lOOmal so groß sein wie die der Elektrolumineszenzschicht 4. Da jedoch benachbarte Wechselstromelektroden 21, 22 an entgegengesetzte Pole der Wechselstromquelle 3 geschaltet sind, wird die Änderung der Dielektrizitätskonstante nicht in Richtung der Dicke der Impedanzschicht, sondern in ihrer seitlichen Richtung, d. h. parallel zu ihrer Stirnseite, nutzbar gemacht. Nach Fig. 1 ist also ein Wechselstromkreis, an dem die Wechselspannung Va anliegt, durch eine Serienschaltung der Kapazitäten in Richtung der Dicke der lumineszierenden Abschnitte der Elektrolumineszenzschicht 4 zwischen den Elektroden 21, 22 und der nichtlinearen Impedanzschicht 5 sowie der Kapazität der nichtlinearen Impedanzschicht 5 in Richtung ihrer Flächenausdehnung, aiso in ihrer seitlichen Richtung, gebildet.

Die Kapazität der Impedanzschicht 5 in ihrer seitlichen Richtung kann vermindert werden, indem die Dicke der Schicht vermindert wird, so daß die Kapazität nahezu gleich der oben angegebenen Kapazität der Elektrolumineszenzschicht 4 ist. Diese Dicke kann in der Größenordnung von einigen 10 bis 100 μπι liegen, wenn das oben beschriebene Material verwendet wird. Außerdem kann zur Wahl der seitwärtigen Kapazität der Schicht 5 der Abstand zwischen den benachbarten Elektroden 21 und 22 verändert werden. Da die nichtlineare Impedanzschicht 5 außerordentlich dünn sein kann, genügt, selbst wenn für die Feldstärke durch die Gleichspannungskomponente Vb ein Maximalwert einer Größenordnung von z. B. 10 kV/cm notwendig ist, ein Spannungswert Vs von einigen 10 bis 100 V. Als weitere Folge kann auch die Photoleitschicht 7 außerordentlich dünn ausgebildet sein und in der Größenordnung von einigen 10 bis 100 μιη messen. Diese geringe Dicke der Photoleitschicht 7 stellt eine ausreichend tiefe Erregung der Schicht durch das Eingangsbild L\ sicher und ermöglicht einen hochempfindlichen Betrieb. Die Photoleitschicht 7 ist vom Wechselstromkreis getrennt und nur auf eine weitgehende Änderung ihres Gleichstromwiderstandes ausge- , legt. Auf Grund dieser Anordnung kann diese Schicht ψ mit sehr hoher Empfindlichkeit arbeiten. Eine hohe Frequenz der Wechselspannung Va erhöht die Verstärkungswirkung des Bildwandlers.

Auch nach F i g. 2 wird ein negatives Ausgangsbild Li erhalten. Der Aufbau enthält die Widerstandsschicht 6, die zum Verhindern einer Lichtrückkopplung opak ist. Die Photoleitschicht 7 besteht bei dieser Ausführung aus stegartigen Elementen, die parallel verlaufen und genau gegenüber den Elektroden 21, 22 angeordnet sind. Die einzelnen Elektroden der Elektrodengruppen 8' und 8" sitzen jeweils auf einem der Elemente der Schicht 7. Die Elektrodengruppen 8' und 8" für den Gleichstrom entsprechen den Elektroden 21 und 22 für den Wechselstrom. Zwischen diese Elektrodengruppen 8' und 8" ist die Gleichstromquelle 9 geschaltet.

Liegt die Gleichspannung Vs zwischen den Elektrodengruppen 8' und 8" und wird das Eingangsbild Li auf die Elektrode 8 projiziert (Fig.2), dann nimmt der Gleichstromwiderstand in Richtung der Dicke der Elemente der Photoleitschicht 7 ab, und es fließt der Strom Id über die Elektrodengruppen 8' und 8" durch die Schicht 7 und die Widerstandsschicht 6; er verursacht einen mit zunehmendem Lichteinfall wachsenden Spannungsabfall in seitlicher Richtung der

Widerstandsschicht 6 und erzeugt dadurch eine Vorspannung in Höhe der Gleichspannungskomponente Vd in Richtung parallel zur Flächenausdehnung der nichtlinearen Impedanzschicht 5. Folglich nimmt deren Dielektrizitätskonstante auf Grund der Belichtung durch das optische Eingangsbild Li ab, was zu einem Abfallen des seitlich vorbeifließenden Wechselstromes Ia und weiterhin zu einer Abnahme der Ausgangs-Leuchtdichte führt.

F i g. 4 zeigt einen Äquivalentschaltkreis der Vorrichtung nach Fig. 2. In Fig. 4 ist mit Rpc der Widerstand der Photoleitschicht 7, mit Rr der Widerstand der Widerstandsschicht 6, mit Cel die Kapazität der Elektrolumineszenzschicht 4 in Richtung von deren Dicke und mit Cd die Kapazität der nichtlinearen Impedanzschicht 5 in seitlicher Richtung bezeichnet. Aus Fig.4 ist ersichtlich, daß ein effektiver Wechselstromkreis, der mit der Gleichspannung Vb in Beziehung steht, gebildet ist durch eine Serienschaltung der Kapazitäten Cel in der Richtung der Dicke der zur Lumineszenz herangezogenen Abschnitte der Elektrolumineszenzschicht 4 zwischen einerseits den Elektroden 2' und 2" und andererseits der nichtlinearen Schicht 5 und der Kapazität Cd.

Die weitere Ausführungsform der Erfindung gemäß F i g. 3 entspricht im wesentlichen der Ausführungsform gemäß Fig. 2 mit der Ausnahme, daß die nichtlineare Impedanzschicht 5 nicht aus kapazitivem Keramikmaterial, sondern aus einem dünnen Halbleiterfilm, wie z. B. einem SiC-Varistor oder einem CdS-FiIm, besteht. Dafür entfällt die Widerstandsschicht 6. In F i g. 5 ist ein Äquivalentschaltkreis für die Vorrichtung gemäß Fig.3 dargestellt, wobei mit Rb der Widerstand der Schicht in Richtung ihrer Flächenausdehnung zwischen benachbarten Elementen der Photoleitschicht 7 ist. Rpc bezeichnet wieder den Widerstand der Photoleitschicht 7 in Richtung ihrer Dicke.

Bei dieser Ausführungsform hat eine Abnahme des Widerstandes Rpc der Photoleitschicht 7 auf Grund des Eingangsbilds L\ eine Spannungszunahme zur Folge, an der die nichtlineare Impedanzschicht 5 teilnimmt, sowie einen entsprechenden Abfall des Widerstandswertes Rb der Impedanzschicht 5. Dementsprechend fließt mit zunehmender Helligkeit des Eingangsbilds Li ein immer größerer Wechselstrom Ia in Richtung der Dicke der Elektrolumineszenzschicht 4 und daraus ergibt sich ein positives optisches Ausgangsbild.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

509 583/160

Claims (10)

Patentansprüche:

1. Festkörper-Bildwandler mit einem Schirm aus übereinanderliegenden zusammenhängenden oder aus einzelnen Elementen bestehenden Schichten, von denen zwischen einer einstrahlungsseitig liegenden Photoleitschicht und einer ausstrahlungsseitig liegenden Elektrolumineszenzschicht eine an die Elektrolumineszenzschicht angrenzende Impedanzschicht aus einem Material mit unlinearem Impedanzverlauf in Abhängigkeit vom anliegenden elektrischen Gleichfeld liegt, und mit an die Photoleitschicht bzw. die Elektrolumineszenzschicht anschließenden strahlungsdurchlässigen Elektroden, von denen Gleichstromelektroden einen Gleichstrom in Reihe durch die Photoleitschicht und die Impedanzschicht und Wechselstromelektroden einen Wechselstrom in Reihe durch die Impedanzschicht und die Elektrolumineszenzschicht ermöglichen, dadurch gekennzeichnet, daß von den an die Elektrolumineszenzschicht (4) anschließenden Wechselstromelektroden (21, 22) zur Wechselstromerregung der Elektrolumineszenzschicht (4) jeweils benachbarte an entgegengesetzte Pole der Wechselstromquelle (3) angeschlossen sind und in der Impedanzschicht (5) einen Wechselstrom in Richtung parallel zur Stirnseite des Festkörper-Bildwandlers bewirken.

2. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Impedanzschicht (5) ein Halbleitermaterial ist.

3. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Impedanzschicht (5) ein ferroelektrisches Material, vorzugsweise Keramikmaterial, ist.

4. Festkörper-Bildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromquelle (9) einerseits an die den Wechselstromelektroden (21, 22) am Schirm gegenüberliegende Gleichstromelektrode (8) und andererseits an eine Ausgangsklemme der Wechselstromquelle (3) geschaltet ist.

5. Festkörper-Bildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Wechselstromelektroden (21, 22) am Schirm gegenüberliegende Gleichstromelektrode (8) in zwei Elektrodengruppen (8', 8") aufgeteilt ist, zwischen die die Gleichstromquelle (9) geschaltet ist.

6. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Impedanzschicht (5) und den Elektrodengruppen (8', 8") der Gleichstromelektrode (8) eine Widerstandsschicht (6) angeordnet ist.

7. Festkörper-Bildwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den benachbarten Wechselstromelektroden (21,22) mehr als das Doppelte der Dicke der Elektrolumineszenzschicht (4) beträgt.

8. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstromwiderstand der Impedanzschicht (5) niedriger ist als der Dunkelwiderstand der Photoleitschicht (7).

9. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 3 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichstromwiderstand der Elektrolumineszenzschicht (4) niedriger ist als der Gleichstromwiderstand der Impedanzschicht (5).

10. Festkörper-Bildwandler nach Anspruch 3. 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das geometrische Mittel aus der Maximalkapazität und der Minimalkapazität der Impedan/schicht (5) im wesentlichen gleich der Kapazität des leuchtenden Teils der Elektrolumineszenzschicht (4) ist.