DE2361635A1 - Halbleiter-gammastrahlungsdetektor - Google Patents
Halbleiter-gammastrahlungsdetektorInfo
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Description
11. Dezember 1973 9251-73 Dr.ν.B/S
Dipl.Phys. Peter Eichinger, 8000 München: 40, Ungererstr. 38
Professor Hartmut Kalimann, 3000 München 81, Elektrastr. 13
Halbleiter-Gainmastrahlungsdetektor
Die klassische Anordnung zur Spektroskopie von Gammastrahlung, die Kombination von Szintillatorfcristall und Photomultiplier,
hat den Vorteil eines großen SachweisVolumens,
läßt jedoch hinsichtlich der erreichbaren Energieauflösung zu
wünschen übrig. Die in jüngerer Zeit entwickelten Halbleiter-:
G-ammastrahlungsdetektoren, bei denen der Nachweis der Gammast rah.lungsquanteii in der Verarmungszoiie eines in Sperriehtung
vorgespannten, pn- oder pin-Übergaiiges oder Metall-Halbleiter-Kontaktes
erfolgt, haben demgegenüber den Vorteil einer guten Energieauflösung, während zumindest bei den bisher fast ausschließlich verwendeten Germaniuradetektoren wegen der -relativ
geringen KernladLingszahl (Z = 32) in Verbindiüi^ mit den begrenzten Volumina die Nachv/eis-empflndlichkeit .dem Szintillator
stark iinterlegen ist. Zudem müssen Germaniumdetektoren auf die
lOemperatur des flüssigen .Stickstoffs gekühlt" v/erden und das
da-'ilt verbundene Kühl- und Vakuurasvstem ist für viele Anwen-sehr
nachteilip. ■ - . ■ ' . -
Den I-iachteil, der geringen Hachweiserapfiiidlichkeit von
Halbleiterdetektoren kann man vermeiden, wenn man Halbleitermaterial mit höherer Kemladui"gssahl verwendet, wobei in erster
Linie Verbindungshalbleiter vom Typ Λ-ρ- B„T in Betracht.να.
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ziehen sind. Ilaiiche dieser Halbleitermaterialien zeichnen sich
außerdem durch eine so geringe thermische Trägererzeugung aus, daß ein Betrieb bei Zimmertemperatur oder nur geringer Kühlung
möglich wird (z.B. GdTe, GdS). Trotzdem es in jüngerer Zeit gelungen ist, Kristalle aus solchen Halbleitermaterialien mit
ausreichender Reinheit herzustellen, war es bisher wegen der
Kontaktierungsprobleme nicht möglich, praktisch brauchbare
Gammastrahlungsdetektoren dieses iia Prinzip seit langem bekannten
Typs herzustellen (siehe z.B. QB-PS 995 886). Um hohe Dunkelströme
zu vermeiden, müssen nämlich nicht-injizierende Kontakte
angebracht werden, wobei die besonders bei weniger reinem Halbleitermaterial S1-ir Trägersammlung erforderlichen hohen
Feldstärken hohe Anforderungen an die elektrische Burchbruchsfestigkeit
der Kontakte mit sich bringen. Nach dem derzeitigen Stand der Technik ist es nicht möglich, allen Anforderungen gerecht
werdende ρη-Übergänge in den erwähnten Halbleitermaterialien
herzustellen und die Anwendung von Hetall-Halbleiterkontakten
ist wegen lokaler Dotierungsschwanlcungen und des Auftretens
elektrischer !Durchschlage problematisch, so daß die
Betriebsspannungen imd damit auch die Energieauflösung bei
G-amraastrahltingsdetelctoren mit Halbleitermaterialien hoher Kern
ladungszahl praktisch durch die Art der Kontakte bestimmt wird.
Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe
zugrunde, einen Haroleiter-G-ammastrahlungsdetektor anzugeben,
der stabile Betriebseigenschaften bei hohen Betriebsspannungen aixfweist und dadurch die Verwendung von Halbleitermaterialien
hoher Kernladungszahl und Nachweisempfindlichkeit für die G-anmaspektroskopie ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch einen Halbleiter-G-ammastrahlungsdetektor
mit einem Halbleiterkörper und zwei Elektroden, die an voneinander getrennten Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers
angebracht sind, gelöst, der gekennzeichnet ist durch die Kombination der Merkmale:
a) Der Halbleiterkörper besteht aus Halbleitermaterial eines einzigen Leitungs-typs (er ist also sperrschichtfrei),'
609 82 W OS 3 2 wd original
b) im Halbleitermaterial sind die Ladungsträger beider Vorzeichen
beweglich, und das Produkt aus Beweglichkeit und freier Driftzeit (Lebensdauer) ist für jeden Ladungsträgertyp
_q ρ -1
größer als 10 ,m V ; ·
größer als 10 ,m V ; ·
c)zwischen mindestens einer der Elektroden und dem zugehörigen
Oberflächenbereich ist eine im Vergleich zum Abstand der Oberflächenbereiche dünne. Isolierschicht angeordnet.
Vorzugsweise befinden "sich die Oberf lächeribereiche auf
einander entgegengesetzten, im wesentlichen parallelen Seiten
des aus einem Einkristall bestehenden Halbleiterkörpers und dessen Dicke zwischen den Oberilächenbereichen beträgt mindest
ensOp mm.
Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. . --'_'_
Durch das Merkmal b) ist gewährleistet, daß beim Durchlaufen eines Elektrodenabstandes von 0,5 mm unter dem Einfluß
eines elektrischen Feldes von TO Vm" noch SO fo der durch
die nachzuweisende Gammastrahlung erzeugten Ladungsträger zum elektrischen Ausgangssignal beitragen;, es entspricht einer mittleren
Trägerlebensdauer, die doppelt so groß ist als die Transitzeit. . ■
Bezüglich des Merkmals c) ist zu erwähnen, daß in einer
Veröffentlichung betreffend den Einfluß des Kontaktes auf die
durch Alpha-Teilchen induzierten Stromimpulae in Cadmiunisulfidkristallen
(Zs. Phys. 172, 19-43 (TS63>, insbesondere Pigur
lind der dazugehörige Text auf Seite 28) das Verhalten eines
Cadmiumsulfidkristalles beschrieben worden ist, der sich zwischen zwei von ihm jeweils durch ein dünnes Glimmerplättchen
isolierten Metallelektroden befindet. Der Cadmiumsulfidkristall
war nur etwa 75 jam dick, die Leitfähigkeit und Lebensdauer
der Defektelektronen (Löcher) war sehr klein (das Produkt
-12 aus Lebensdauer und Beweglichkeit der Löcher betrug ca. 10
2 1
in ' V~ , siehe Seite 37 -1. c.) und die Amplitude der durch die
in ' V~ , siehe Seite 37 -1. c.) und die Amplitude der durch die
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Alpha-Teilchen erregten Stromimpulse betrug nur ein Bruchteil
der mit Metallkontakten erhaltenen Amplitude. Die berechnete
nutzbare Betriebsdauer betrug nur wenige Sekunden. Diese Anordnung wurde daher als unbrauchbar angesehen und nicht weiter
untersucht. Der genannten Veröffentlichung kann auch nicht entnommen werden, daß die Verwendung einer Isolierschicht zwischen
einer Metallelektrode und einem Halbleiterkörper in Kombination mit anderen wesentlichen Merkmalen zu einem brauchbaren Gammastrahlungsdetektor
mit sehr vorteilhaften Eigenschaften führen könnte.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert; es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispieles der Erfindung;
I1IgUr 2 eine schematische Darstellung eines Halbleitereinkristalles
mit der zugehörigen Elektrodenanordnung und
Figur 3 eine schematische Darstellung eines Teiles eines
Halbleitereinkristalles mit der zugehörigen Elektrodenanordnung, auf die bei der Erläuterung eines vorteilhaften Betriebsverfahrens
der vorliegenden Gammastrahlungsdetektoren. Bezug genommen wird.
Der in Pigur 1 als Ausführuiigsbeispiel der Erfindung
schematisch dargestellte G-ammastrahlungsdetektor enthält einen
monokristallinen Halbleiterkörper 10 aus einem Halbleitermaterial, das vorzugsweise mindestens ein Element relativ hoher
Ordnungszahl (vorzugsweise über 50) enthält, um eine hohe Nachweis
empfindlichkeit für Gammastrahlung zu gewährleisten. Als
Halbleitermaterial eignen sich insbesondere Verbindungen des Typs AjjByj also z.B. Cadmiumsulfid, Oadmiumselenid, öadmiumsulfidselenid,
ferner Bleisulfid, Oadmiumtellurid und dergl.
Das Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers soll eine hohe Reinheit haben, so daß die ladungsträger beider Vorzeichen,
also Elektronen und Defektelektronen (Löcher) eine ausreichende Lebensdauer und Beweglichkeit haben, um nach ihrer Erzeugung
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durch ein Gammaquant eine möglichst große Strecke im Halbleiterkörper
durchlaufen zu können. Hierauf wird weiter Unten noch eingegangen.
Die Oberflächen des Ilalbleiterkörpers 10, insbesondere
die zwei einander entgegengesetzte, im wesentlichen parallele
Oberflächenbereiche 12 χχηά 14 verbindenden Seiten, sind geätzt
oder anderweitig so behandelt, daß sie möglichst keine Oberflächendefekte, Haftstellen und dergl. aufweisen.
An den beiden Oberflächenbereichen 12 und 14 ist jeweils
eine Elektrodenanordnung angebracht, die im wesentlichen aus
einer Metallelektrode 16 und einer diese elektrisch gegen den
der betreffenden Elektrode benachbarten Oberflächenbereich isolierenden Isolierschicht 18 besteht. Die Isoliex'schicht 1st im
Vergleich zur Dicke des Halbleiterkörpers zwischen den Oberflächenbereichen 12 und 14 sehr dünn, und sie besteht vorzugsweise aus einer Kunststoffolie, z.B. einer metallisierten Polyesterfolie, wie sie unter dem Handelsnamen "Mylar" im Handel
ist. .
Bei dem in Eigur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel enthielt
jede Elektrodenanordnung ein Stück Kunststoffolie 20
des oben erwähnten Typs, das etwas über den betreffenden Oberflächenbereich
12 bzw. 14 hillausreicht, um Überschläge, die beim Anlegen einer hohen Betriebsspannung sonst auftreten
könnten, zu vermeiden. Die Kunststoffolie 20 ist einseitig mit einer dünnen Aluminiumschicht 22 bedampft, die sich auf der
dem Halbleiterkörper 10 abgewandten Seite der Kunststoffolie 20 befindet. Zwischen der Kunststoffolie 20 und der Metallelektrode 16 ist ferner noch eine dünne Folie 24 aus einem
v/eichen Metall, wie Indium,- angeordnet, um Unebenheiten auszugleichen
und um zu gewährleisten, daß die Kunststoffolie 20, wenn.sie mittels der Metallelektrode 16 an den Halbleiterkörper
10 angepreßt wird, überall ganz dicht an dem betreffenden Oberflächenbereich
anliegt.
Die Elektroden 16 sind in der auB !Figur 1 ersichtlichen
509824/0 532"
Weise mit einer Schaltungsanordnung verbunden, die einen einpoligen
Umschalter 26, eine schematisch als Batterie dargestellte Spannungsquelle 28, einen Arbeitswiderstand 30 und
eine Ausgangsklemme 32 enthält, an die, wie üblich, ein Impulsspektrometer
oder ein Impulshöhendiskriminator oder dergl. angeschlossen
werden kann.
Bein Halbleiterkörper 10 ist ferner eine Lichtquelle angeordnet, die eine Glühlampe 34, eine Stromquelle 36 und einen
iil in-Aus -Schalter 38 enthält, Der UnLSchalter 26 und der Ein-Aus-Schalter
38 können von Hand oder, wie in Figur 1 sehematisch
dargestellt ist, durch ein Progranimsteuergerät 40 (das z.B.
einen motorgetriebenen Nockenschalter enthalten kann) steuerbar
sein.
Bei dem G-ammastrahlungsdetektor gemäß Figur 1 sind zwei
verechiedene Betriebsarten möglich: Bei der ersten Betriebsart haben die Schalter 26 und 38 während der Messung die in Figur
dargestellten Betriebsstellungen, d.h. die Spannut^ squelle 28
ist in Reihe mit dem Arbeitswiderstand 30 anldie Elektroden 16
angeschlossen und die lichtquelle ist außer Betrieb.
Für die Erläuterung dieser Betriebsart sei angenommen, daß die von der Spannungsquelle 28 an den Hetallelektroden 16 erzeugte
Spannung allmählich von 0 auf ihren Höchstwert, den die SpannungsqueHe 23 zu liefern vermag, gesteigert werde. Wenn
die Spannung zwischen den Metallelektroden 16 von 0 aus ansteigt, v/erden zuerst die im Halbleiterkörper vorhandenen ,
thermisch erzeugten Ladungsträger zu den Oberflächenbereiclien 12 bzw. 14 gezogen. Bei Figur 2 ist dabei angenommen, daß der
Halbleiterkörper 10 undotiert, d.h. eigenleitend ist. Bei einer gewissen Spannung, die ein Bruchteil der maximalen Spannung
der Spannungsquelle 28 betragen soll, sind alle Ladungsträger
aus dem HaH-bleiterkörper 10 au den Oberflächenbereichen
12 und 14 abgewandert und die Ladungen an den Oberflächenbereichen
12 und 14 werden durch entsprechende Ladungen an den Iletallelektroden 16 gerade kompensiert, wie es in Figur 2 durch
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die unmittelbar neben den Metallelektroden 16 bzw. den Oberflächenbereichen
12 und 14 dargestellten Plus- und Minuszeichen dargestellt ist.
Wenn nun die Spannung an den.Metallelektroden weiter erhöht
wird, stehen für die dadurch in den Metallelektroden 16 auftretenden Ladungen, die durch eine zweite, äußere Reihe
von Plus- und Minuszeichen dargestellt sind, keine kompensierenden
Ladungsträger im Halbleiterkörper TO mehr zur Verfugung
und im Halbleiterkörper but sich dadurch ein elektrisches Feld E auf, das von der einen Metallelektrode 16 zur anderen
gerichtet ist. Der durch die beschriebenen-Vorgänge im äußeren
Stromkreis entstehende Stromimpuls wird vernachlässigt.
Der G-ammastrahlungsdetektor ist nun meßbereit. Wenn im
Halbleiterkörper 10 ein Gammaquanthv absorbiert wird, entsteht
eine der Energie des Gammaquants entsprechende Anzahl von Paaren
freier Ladungsträger, die unter der Wirkung des elektrischen Feldes E zu den Oberflächenbereichen 12 und 14 wandern. Dabei
entsteht ein Stromimpuls der kapazitiv durch die Isolierschichten 18 auf die Elektroden 16 gekoppelt wird und an der Ausgangsklemme
32 einen entsprechenden Ausgangsimpuls erzeugt, dessen Amplituden-Zeit-Integral der Energie des absorbierten
Gammaquants entspricht. Die nutzbare Betriebsdauer der Meßanordnung
bei dieser Betriebsart ergibt sich aus dem Verhältnis der Ladung, die sich auf den durch die Metallelektroden 16, die
Isolierschichten 18 und die Oberflächenbereiche 12 und 14 gebildeten Kondensatoren befindet, wenn die Feldstärke im Halbleiterkörper
um den maximal zulässigen Betrag (z.B. 10 $) gegen
über der zu Betriabsbeginn herrschenden Feldstärke abgesunken ist,
zu dem während dieser Zeitspanne geflossenen Strom, der durch die thermisch erzeugten Ladungsträger und die durch die nachgewiesene
Gammastrahlung erzeugten Ladungsträger getragen wurde.
Die Betriebsspannung wird lediglich durch das elektrische Isolationsvermögen der Isolierschicht 18 begrenzt und kann z.B.
in der Größenordnung von 1kV liegen. Ein Feldstärkeabfall von
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10 fo während des Betriebes ist im allgemeinen tragbar, da bei
entsprechend hoher Anfangsspannung dann immer noch eine vollständige
"ΑοβΒ^λΐτ^" der erzeugten Ladungsträger gewährleistet
ist. Wenn die Anfangsspannung 1 kV beträgt und die Oberflächen-
bereiche 12, 14 jeweils eine Fläche von 1 cm haben, können
etwa 3 x 10 Gammaquanten mit einer Energie von 1 MeV nachgewiesen werden, bis die zwischen den Oberfläclienbereiclien wirksame
Restspannung auf 900 V abgesunken ist. Die thermische Trägererzeugung kann erforderlichenfalls durch Kühlung des
Halbleiterkörpers 10 auf vernachlässigbare Werte herabgesetzt werden.
Bei der praktischen Ausführungsform bestand der Halbleiterkörper
10 aus einer 3 mm dicken Scheibe eigenleitenden SiIiciums (spezifischer Widerstand 250 kOhm cm) mit einem Durchmesser
von 20 mm. Die Oberflächen waren mit e^iner gekühlten Mischung aus dreipeilen Flußsäure und einem Teil Salpetersäure
geätzt worderuDiß Elektrodenanordnungen hatten den an Hand von
Figur 1 erläuterten Aufbau, als Kunststoffolie 20 diente eine
-4-2,5 x 10 ^ cm dicke, einseitig aluminisierte Polyesterfolie
des oben angegebenen Typs. Bei entsprechend geringer Strahlungsbelastung waren bei Raumtemperatur Betriebszeiten in der Größenordnung
von 10 Stunden ohne Schwierigkeiten erreichbar. Das Auflösungsvermögen war ausgezeichnet, so war z.B. die Auflösung
der 122-keV-Linie in allen Fällen besser als etwa 1,5 keV und
nur durch einen mit der äußeren Schaltung verbundenen Vorverstärker begrenzt.
Die mit Germanium erreichbaren Betriebszeiten sind etwas
kleiner. Ausgezeichnete Ergebnisse wurden auch mit hochreinen Oadmiumsulfideinkristallen erzielt, bei denen die nutzbare Betriebsdauer
mindestens in der Größenordnung liegt, die bei den erwähnten Siliciumkristallen erreicht wurde.
Wenn durch Ansammlung von Trägern an den Oberflächenbereichen
12 und H der vorgegebene untere Grenzwert der Feldstärke E erreicht ist, wird der Umschalter 26 umgeschaltet und
die Elektroden 16 dadurch im wesentlichen kurzgeschlossen.
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Gleichzeitig wird die Lichtquelle eingeschaltet und der Halbleiterkörper
10 belichtet. Auf diese Weise gleichen sich die Ladungen im Inneren des Halbleiterkörper aus und nach Ausschalten
der Lichtquelle kann die Spannung wieder an die Metallelektroden 16 angelegt und eine neue Meßperiode begonnen
werden.
Bei der zweiten Betriebsart wird zu Beginn die Spannung an die Metallelektroden 16 angelegt (der Umschalter 26 also in
die in Figur 1 dargestellte Bebriebsßfcellung gebracht) und dann
wird der Halbleiterkörper 10 kurzzeitig beleuchtet. Hachdem. die
Lichtquelle wieder abgeschaltet worden ist, wird der Umschalter 26 umgeschaltet, so daß die Elektroden 16 über den Arbeitswider
stand 30 kurzgeschlossen sind, wie es in Figur 3 dargestellt ist. Die Elektroden 16 bilden nun zusammen mit den zugehörigen
Oberflächenbereichen 12 bzw. 14 bzw. dort entstehenden Inversioiisschichteii
geladene Kondensatoren, die als Betriebsspannung quelle wirken. Die durch die G-aromastrahlungsquenten erzeugten
Ladungsträger kompensieren jeweils einen Teil der an den Oberflächenbereichen 12 und 14 befindlichen Ladungen, wobei dann
die entsprechenden Ladungen V021 den Metallelektroden 16 abfließen und einen Stromimpuls im Ausgangskreis erzeugen.
Die beschriebene zweite Betriebsart hat den großen Vorteil, daß der G-amniastrahlungsdetektor während des Betriebs nicht mit
einer Spannungsquelle verbunden, zu sein braucht für Experimente,
deren Dauer kurzer ist als die oben erläuterte Betriebsdauer, man kann daher mit räumlich sehr kleinen Meßanordnungen arbeiten,
da praktisch nur der "geladene" Halbleiterkörper mit den Elektrodenanordnungen benötigt wird und die Metallelektroden
16 direkt an eine Einrichtung zur Nutzbarmachung der Ausgangsimpulse
angeschlossen werden können.
Bei der zweiten Betriebsart erfolgt die Regenerierung dadurch, daß die Spannungsquelle an die Metallelektroden 16 angeschlossen,
der Halbleiterkörper dann kurzzeitig belichtet und die Spannungsquelle dann wieder aus dem äußeren Stromkreis
ausgeschaltet wird.
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Bei beiden Betriebsarten können die Schaltvorgänge periodisch durch die Programmsteuerung 40 bewirkt werden. Die Regenerierung
erfordert jeweils nur eine sehr kurze Zeit, 2.B. 1 ms, die im Hinblick auf die langen Meßzeiten vernachlässigt
werden kann.
Es ist selbstverständlich bei allen Ausführungsformen
durch ein für die nachzuweisende Gammastrahlung durchlässiges Gehäuse dafür Sorge getragen, daß der Halbleiterkörper 10 während
der Messungen nicht von störendem Fremdlicht getroffen wird.
Unter Umständen genügt es, wenn nur eine der beiden Metallelektroden
16 durch eine Isolierschicht vom Halbleiterkörper 10 getrennt ist.
Anstelle der erwähnten Halbleitermaterialien können selbstverständlich
auch noch andere Halbleitermaterialien verwendet werden, vorausgesetzt, daß sie den eingangs erwähnten Bedin£,-angen
genügen.
509824/0532
Claims (8)
- PatentansprücheyfHalbleiter-G-ammastrahlungsdetektor mit einem Halbleiterkörper und zv/ei Elektroden, die an voneinander getrennten Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers angebracht sind, gekennzeichnet durch die Kombination der Merkmale:a) Der Halbleiterkörper (10) besteht aus Halbleitermaterial eines einzigen Leituiigstyps;b) im Halbleitermaterial sind die Ladungsträger beider Torzeichen beweglich, und das Produkt aus Beweglichkeit und freier Driftzeit (Lebensdauer) ist für jeden Ladungsträgertyp größer als 10*"9 m2 TT1J-c) zwischen mindestens einer der Elektroden (16) und dem zugehörigen Oberflächenbereich (12, 14) ist eine im Vergleich zum Abstand der Oberflächenbereiche dünne Isolierschicht (18) angeordnet.
- 2. Halbleiter-G-ammastrahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenbereiche (12, 14) sich auf einander entgegengesetzten, parallelen Oberflächen des aus einem Einkristall bestehenden Halbleiterkörpers befinden und daß die Oberflächen des Halbleiterkörpers weitestgehend frei von Fehlstellen sind.
- 3. Halbleiter-Gammastrahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Oberflächenbereiche mindestens 0,5 mm beträgt.
- 4. Halbleiter-Gammastrahlungsdetektor nach Anspruch 1, 2 oder 3> dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus einer hochreinen halbleitenden Verbindung vom Typ A-ry Byj besteht.50 9.824/0532
- 5. Halbleiter-Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (18) aus einer dünnen Kunststoffolie, insbesondere Polyesterfolie, besteht.
- 6. Halbleiter-Gammastrahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffolie (20) über die Ränder der Oberflächenbereiche (12, 14) vorstellt.
- 7. Halbleiter-Gammastrahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektroden (16) mit einer Schaltungsanordnung verbunden sind, die eine Spannungsquelle (28), eine Arbeitsimpedanz (30), eine AusgangsHemme (32) und eine Unischaltvorrichtung (26) enthält, die die Spannungsquelle abzuschalten und die Elektroden kurzzuschließen gestattet, und daß eine Vorrichtung (34, 36, 38) zum kurzzeitigen Belichten des Halbleiterkörpers vorgesehen ist.
- 8. Halbleiter-Gammastrahlungsdetektor nach, einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich an den Oberflächenbereichen (12, 14) elektrische Ladungen entgegengesetzten Vorzeichens und solcher Größe befinden, daß im Halbleiterkörper (10) zwischen den Oberflächenbereichen ein für die vollständige Absaugung von durch Gammastrahlungsquanten erzeugten Trägern ausreichendes elektrisches Feld herrscht, und daß die Metallelektroden (16) direkt (ohne äußere Spannungsquelle) mit einer Vorrichtung zur Nutzbarmachung von Stromimpulsen verbunden ist (Figur 3).509824/0532
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