DE1562099A1 - Transistorverstaerker mit Gegentaktendstufe in Emitterschaltung,deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden,vorzugsweise Traegerfrequenzverstaerker - Google Patents
Transistorverstaerker mit Gegentaktendstufe in Emitterschaltung,deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden,vorzugsweise TraegerfrequenzverstaerkerInfo
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3066—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output
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- Amplifiers (AREA)
Description
STMDARDELEKTRIKLOEEIiZAG 1562099
7 Stüttgart-Zuffenhausen
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Hellmuth-Hirth-Str. 42
SEL/Reg.1T
"Transistorverstärker mit Gegent-aktends-tüfe
in Emitterschaltung, deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reilie durchflossen werden, vorzugsweise Trägerfreuuenzver-.
stärker"
Die Erfindung "bezieht sich auf einen Transistorverstärker mit
Gegentaktstufe, die mit Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
bestückt ist, die in Emitterschaltung betrieben
vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden, wobei die Kollektoren der Endstufentransistoren miteinander verbunden
sind und ihre Basen von einer vorgeschalteten Treiberstufe gesteuert
werden, bei derYcTas Aus gangs signal wechs els tr ommäßig
zwischen dem Verbindungspunkt der Kollektoren der Endstufentransistoren und dem Schaltungsbezugspunkt (Masse) entnommen
wird, insbesondere Fernmeldeverstärker und vorzugsweise Träger-'
frequenzverstärker.
Gegentaktendstufen, deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden, sind an sich bekannt, wobei
das ihnen zugrunde liegende Prinzip in der anglo-amerikanischen
Literatur mit "Single ended push-pull" bezeichnet wird. Es gibt dabei Ausführungsformen, bei denen die beiden vom Versorgungsgleichstrom
in Reihe durchflossenen Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen, wobei dann das Steuersignal
für die Basis des zweiten Transistors vom Kollektor-Ausgangssignal
des ersten abgeleitet wird (DAS 1 026 361,
29.1.1968 \ . . ·
.Le/Ro (21. April 1969) -2-
009808/07 42
■■■■.■■■-■■■■■ "BAD ORIGINAL
1 067 866, 1 143 859, 1 218 526, 1 218 527), wie auch solche,
bei denen die beiden Endstufentransistoren zueinander entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyp aufweisen, wobei ihre Basen I dann wechselstrommäßig gleichphasig angesteuert werden
(DAS 1 232 208).
Die Endstufen, die Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps
aufweisen, bei denen das Steuersignal für die Basis des zweiten Transistors vom Kollektorausgangssignal des ersten Transistors
abgeleitet wird, sind nur für reinen A-Betrieb verwendbar, da
alle Verzerrungen im ersten Transistor auch den zweiten steuern und sich nicht im Ausgang gegeneinander aufheben.
Bei den Anordnungen gemäß der deutschen Auslegeschrift 1 232 werden nun zwar die Basen der beiden gleichstrommäßig in Reihe
geschalteten Sndstufentransistoren unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps
wechselstrommäßig von einer gemeinsamen Treiberstufe gesteuert, jedoch kann infolge der gleichstrommäßigen Hintereinanderschaltung
der beiden Endstufentransistoren nur die Basis des einen mit Gleichstromkopplung gesteuert werden,
während der andere nur mit B/C-Kopplung gesteuert werden kann,
wobei dieser dann noch über einen Basisspannungsteiler die
benötigte Basisvorspannung erhalten muß. Die beiden unterschiedlichen
Kopplungsarten erschweren nicht nur das Erzielen einer hinreichenden Symmetrie, die R/G-Kopplung beschränkt
dabei den Einsatz dieser Endstufe auch auf reinen A-Betrieb,
H* einer
da sonstVinfolge Aufladung des Koppelkondensators bewirkte^
ArbeitspunktverschiebungöÄ sich nicht die für eine AB-
bzw. B-Stufe benötigte gleichmäßige Ansteueruig der Transistoren
erzielen läßt. Die gleichen Schwierigkeiten ergeben sich aber auch bereits bei reinem Α-Betrieb, wenn der Verstärker mit unipolaren
Impulsen beaufschlagt wird.
In vielen Fällen ist es aber aus Gründen des v/irkungsgrades
erwünscht die Endstufen im AB- bzw. im-B-Betrieb zu .betreiben',
wobei dann noch für den Nutzbereich eine hinreichend hohe
V/QZ\J
Klirrdämpfung gefordert werden muß, in bekannter'Weise
eine starre Ansteuerung der Endstufentransistoren durch Α«,ΛΙ1,»·'
BAD ORIGINAL
009808/074 2
-3-
eingeprägten Strom oder eingeprägter Spannung angestrebt wird»
Pie Erfindung setzt sich nun zur Aufgabe für Transistorverstärker,
insbesondere für Fernmeldeverstärker, vorzugsweise • Trägerfrequenzverstärker, eine Gegentaktendstufe, die mit
Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bestückt ist, die in Emitterschaltung betrieben vom Versorgungsgleichstrom
in Reihe durchflossen werden, wobei die Kollektoren der Endstufentransistoren miteinander verbunden sind und die
Basen von einer vorgeschalteten Treiberstufe gesteuert werden, bei der ferner das Ausgangssignal wechselstrommäßig zwischen
dem Verbindungspunkt 'der Kollektoren der Sndstufentransistoren
und dem Schaltungsbezugspunkt (Masse) entnommen wird, zum Betrieb als AB- bzw. B-Verstärker anzugeben. Erfindungsgemäß
wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß zur Ansteuerung der Endstufe mit eingeprägten Strom die Treiberstufe ebenfalls
aus zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
in Emitterschaltung besteht, daß die Basen der Treiberstufentransistoren
in an sich bekannter Weise gleichphasig angesteuert werden und ihre Kollektoren jeweils mit den Basen der Endstufentransistoren
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps verbunden
sind, so daß in an sich bekannter Weise die Kollektorströ'me
der Treiberstufentransistoren aus den Basisströmen der
Büstufentransistoren bestehen, während die Emitter der Treiberstufentransistoren bei Bedarf unter Zwischenschaltung
eines Stabilisierungswiderstandes wechselstrommäßig am Schaltungsbezugspunkt
(Masse) liegen.
Entsprechend wird zurAnsteuerung der Endstufentransistoren
mit eingeprägter Spannung die gestellte Aufgabe dadurch gelöst, daß die Treiberstufe ebenfalls, aus zwei Transistoren
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in Kollektorschaltung besteht, daß die Basen der Treiberstufentransistoren in an
sich bekannter Weise gleichphasig angesteuert werden und
ihre Emitter jeweils mit den Basen der Endstufentransistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps'verbunden sind, so daß
in an sich bekannter Weise die Emitterströme der Treiber-
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Stufentransistoren aus den Basisströmen der Endstufentransistoren
bestehen, während die Kollektoren der Treiberstufentransistoren bei Bedarf unter Zwischenschaltung eines Schutzwiderstandes
wechselstrommäßig am Schaltungsbezugspunkt (Masse)
liegen.
Die Erfindung soll nun anhand der Figuren eingehend beschrieben werden. Es zeigt dabei:
Pig.1...3 Signalstromläufe von Endstufen des erfindungsge- .
mäßen Transistorverstärkers;
Pig.4...6 vollständige Stromläufe der Endstufen nach Fig.1...3j
Fig.7...9 Stromläufe eines vollständigen Transistorverstär- ■
kere mit den Endstufen nach Fig.4...6;
Fig.1 zeigt den reinen Wechselstromlauf einer Treiber- und
Endstufe des erfindungsgemäßen Transistorverstärkers. Die Die Treiberstufentran-Si stören Trsi und Trs2 weisen zueinander
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp auf, und zwar ist in dem
dargestellten Beispiel Trs1 ein p-n-p und Trs2 ein n-p-n Transistor, Die Basen dieser beiden Transistoren Trs1 und Trs2
sind wechselstrommäßig miteinander verbunden und werden durch das zu verstärkende Signal gesteuert, während ihre Emitter
am + bzw. am -Pol der Versorgungsspannung liegen. Die Endstufentransistoren
Trs3 und Trs4 weisen ebenfalls zueinander entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp auf, wobei Trs3 ein n-p-n
und Trs4 ein p-n-p Transistor ist. Die Emitter dieser Endstufentransistoren liegen wiederum am — bzw. +Pol der Versorgungsspannung, während ihre Kollektoren miteinander verbunden sind.
Zwischen dem Verbindungspunkt der beiden Kollektoren und dem Verbindungspunkt zweier in Reihe geschalteter Kondensatoren
C1 und 02 liegt der Lastwiderstand RL. Die Basen der Endstufentransistoren
Trs3 bzw. Trs4 sind jeweils mit dem Kollektor des Treiberstufentransistors Trsi bzw. Trs2 verbunden, der zu
dem Endstufentransistor entgegegengesetzten Leitfähigkeitstyp
aufweist. Es fließt so also jeweils der Kollektorstrom eines Treiberstufentransistors (Trs1 bzw. Trs2) über die Basis-Emitterstrecke eines· Endstufentransistors (Trs3 bzw. Trs4), so daß
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-5-
also die Endstufentransistoren starr durch den von den Treiberstufen eingeprägten Kollektorstrom gesteuert werden. .
Fig.2 zeigt eine ähnlich aufgebaute Treiberstufen-Endstufenanordnung.
Hier sind die Emitter der Treiberstufentransistoren Trs1 und Trs2 miteinander verbunden und liegen an dem durch
den Verbindungspunkt der Kondensatoren C1 und 02 gebildeten.
Symmetriepunkt, so daß auch so die Treiberstufe mit symmetriert
wird.
Die Anordnung nach Pig.3 entspricht der nach Fig.1, jedoch
sind hier die Treiberstufentransistoren nicht "in Emitterschaltung,
sondern in Kollektorschaltung betrieben, so daß ihre Kollektoren an der Versorgungsspannung liegen, während ihre
Emitter jeweils mit den Basen der Endstufentransistoren gleichen Leitfähigkeit styps verbunden sind, so daß die an den
Emittern der Treiberstufentransistoren Trat und Trs2 niederohmig anstehende Signalspannung die Endstufentransistoren
starr mit eingeprägter Spannung steuert.
Fig.4...6 zeigen nun Strpmläufe der Treiber- und Endstufenanordnungen.
Diese unterscheiden sich von den reinen Wechselstromläufen
der Fig.1...3 dadurch, daß Basisspannungsteiler zur '
Einstellung des Arbeitspunktes der Treiberstufentransistoren einschließlich Mitteln zur parallelen Einkopplung des 'Eingangs-,
signales auf die Basen der Treiberstufentransistoren vorgesehen
sind. Für die Signaleinkopplung sind jeweils zwei Varianten a und b ·dargestellt, wobei die Variante a vorausgesetzt, daß
der Basisspannungsteilerwiderstand zwischen den Basen der
beiden Treiberstufentransistoren wertmäßig hinreichend klein
und der Eingangswiderstand der Treiberstufentransistoren hin- .gthalten wsrdtnMtoii,
■
reichend groß/»srtf so daß der Signalspannungsabfall am aufgeteilten
Spannungsteilerwiderstand zwischen den Basen vernachlässigbar klein bleibt. Die Variante b vermeidet diese Be-
\i3sSU
dingung, erfordert abeiTcLen Mehraufwand eines weiteren Koppelkondensators.
·■...'■
. .-■ . 009 80 8./07 4'2
Jodtr,
Die V/iderstände in den Emitterkreisen der Treiber- undVEndstufentransistoren
dienen zur Temperaturetabilisation und
weisen besonders bei den Endstufentransistoren nur geringe Widerstandswerte auf. v/ährend bei der Anordnung nach Fig.5»
bei der die Reihenschaltung der Kondensatoren C1 und 02 an
den Emittern der Endstufentransistoren C1 und 02 liegt, die Emitterwiderstände der Endstüfentransistoren vom Ausgangswechselstrom
nicht durchflossen werden, also kein Ausgangsleistungsverlust auftritt, liegen diese Kondensatoren 01 und
02 mit ihren nicht gemeinsamen Polen bei den Anordnungen nach Pig.4 und 6 direkt an der Versorgungsspannung. Zwar tritt nun
durch die Emitterwiderstände der Endstufentransistoren ein Ausgangsleistungsverlust auf, so daß darauf geachtet werden
muß, daß diese Widerstände wertmäßig klein gegenüber R^ bleiben,
sie befinden sich abe^r auch nicht im Ladekreis der Kondensatoren 01 und 02, so daß durch sie keine störenden Zeitkonstanten
gebildet werden.
Wann
die Endstufentransistoren im A/B- bzw. B-Betrieb arbeiten,
die Endstufentransistoren im A/B- bzw. B-Betrieb arbeiten,
dft müssen in den Signalstromkreisen, in derem Zuge sichvfür die
Signalhalbwellen unterschiedlicher Polarität unterschiedlich
arbeitenden Transistoren befinden, Zeitkonstanten möglichst ganz vermieden werden, damit nicht durch Integration der Signalströme
an diesen Zeitkonstanten Arbeitspunktverschiebungen auftreten können. Wenn die Kapazitätswerte der Kondensatoren 01 und
02, wie an sich bekannt, so hoch gewählt werden, daß diese Kondensatoren während einer Halbwelle der Signalspannung mit
der niedrigsten Frequenz nur soweit entladen werden, daß die dadurch verursachte Versorgungsspannungsschwankung der. einzelnen
Endstufentransistoren keine unzulässigen Verzerrungen
der Kurvenform hervorrufen, enthalten die Anordnungen entsprechend
Fig.4...6 in ihren Signalstromkreisen keine weiteren
Zeitkonstanten, die bei A/B- oder B-Betrieb der Endstufentransistoren
Verlagerungen des Arbeitspunktes und damit Verzerrungen hervorrufen können.
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Pig.7...9 zeigen nun.Stromläufe von mit den Treiber- und
Endstufen nach Fig.1...3 bzw.4...6 aufgebauten Trägerfrequenzverstärkern. Diese Verstärker weisen jeder noch eine
■ Vorstufe in Emitterschaltung mit einem Transistor Trs5 auf.
Ferner sind Ein- und Ausgangsübertrager vorgesehen, um in bekannter
Weise nicht nur eine Anpassung an die Leitungsscheinwiderstände zu ermöglichen, sondern um auch eine galvanische
Trennung des Verstärkers von der Leitung zum Schütze gegen
StörSpannungen und sonstige Beeinflussungen oder auch eine
Anschlußmöglichkeit an eine erdsymmetrische Leitung zu ermöglichen. Um Ein- und Ausgangswiderstände auf einen vorgegebenen gewünschten Wert einstellen zu können, ist vom Ausgang
des Verstärkers eine an sich bekannte gemischte Strom-Spannungs-Parallel-Seriengegenkopplung
(Brückengegenkopplung) vorgesehen· Wechselstrommäßig ist dabei der Emitter des Vorstufentransistors
Trs5 mit dem Symmetriepunkt der Endstufe, also dem Verbindungspunkt der beiden Kondensatoren C1 und C2
verbunden.
' Durch Einsatz der beschriebenen Maßnahmen kann erreicht werden, daß auch mit einem Transistorverstärker, dessen Endstufe
im A/B- bzw. B-Betrieb arbeitet, die hohen Linearitätsforderungen
der Trägerfrequenztechnik eingehalten werden können. Der Einsatz solcher Verstärker ermöglicht nicht nur einen guten
Wirkungsgrad der Endstufen, also eine gute Ausnutzung der eingesetzten
Endstufentransistoren, sondern ist stets auch dann .von Interesse, wenn nur eine beschränkte Versorgungsleistung,
z.B. bei Fernspeisung,zur Verfügung steht. Es besteht dann die
Möglichkeit, den Verstärker im A/B-Betrieb zu betreiben und
die Endstufen bis zum mittleren Lei^tüngspegel in A-Betrieb.'
Arbeiten.dagegen für die Pegelspitzen in den B-Betrieb übergehen
zu lassen. Die benötigten Versorgungsledstungsspitzen ·
können dabei aus der in den Kondensatoren G1 und G2 gespeicherten Energie entnommen werden, wobei evtl. noch ein weiterer
Pufferkondensator über der Versorgungsspannung liegen kaiin·
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Untersuchungen an ausgeführten Verstärkern der beschriebenen
Art ergaben, daß sich mit erheblich geringeren Gegenkopplungsyerten
die geforderten hohen Klirrdämpfungen erzielen lassen vLe mit den bekannten Verstärkerschaltungen. Hierdurch können
jedoch höhere Verstärkungsgrade bei guter Stabilität des Verstärkers erzielt und dabei der Versorgungsleistungsbedarf in
tragbaren Grenzen gehalten werden.
4 Patentansprüche
3 Bl.Zeichng., 9 Fig,
Unterlag JU (Aru7 § 1 Aus. 2 Nr. l Satz 3 des Änderungsge*. v. 4.9. löi
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Claims (4)
1. Transistorverstärker mit Gegentaktendstufe, die mit Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bestückt ist, die
in Emitterschaltung betrieben vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden, wobei die Kollektoren der Endstufen-'transistoren
miteinander verbunden sind und die Basen von einer · vorgeschalteten Treiberstufe gesteuert werden, bei der ferner
das Ausgangssignal wechseistrommäßig zwischen dem Verbindungspunkt der Kollektoren der Endstufentransistoren und dem Schaltungsbezugspunkt
(Masse) entnommen wird, insbesondere Fernmeldeverstärker und vorzugsweise Träg-;erfrequenzverstärker, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Betrieb der Endstufe als AB- bzw.B-Verstärker und Ansteuerung der Endstufe mit eingeprägtem Strom die
Treiberstufe ebenfalls aus zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in Emitterschaltung besteht, daß die Basen
der Treiberstufentransistoren in an sich bekannter V/eise gleichphasig
angesteuert werden und ihre Kollektoren jeweils mit den
Basen der Endstufentransistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps verbunden sind, so daß in an sich bekannter Weise
die Kollektorströme der Treiberstufentransistoren aus den
Basisströmen der Endstufentransistoren bestehen, während die Emitter der Treiberstufentransistoren bei Bedarf unter Zwischenschaltung
eines Stabilisierungswiderstandes wechseistrommmäßig
am Schaltungsbezugspunkt (Masse) liegen.
I. Transistorverstärker mit G-egentakt endstufe, die mit Transistoren
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps bestückt ist, die in Emitterschaltung betrieben vom Versorgungsgleichstrom in
Seihe durchflossen werden, wobei die Kollektoren miteinander
verbunden sind und die Basen von einer vorgeschalteten Treiberstufe
gesteuert werden, bei der ferner das Ausgangssignal
wechselstrommäßig zwischen dem Verbindungspunkt der Endstufentransistoren und dem Schaltungsbezugspunkt (Masse) entnommen
wird, insbesondere fernmeldeverstärker und vorzugsweise Trägerfrequenzverstärker,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Betrieb
-10-
?,!»->
Unterlagan {Art ? §1 'Abs.
2-Mr. I^ Satz 3 Sea^Änderunea(Wfcv.4.9.iÖi
SEL/Reg.11 671 - 10 - :-. ._.:.:.,
der Endstufe als AB- bzw. B-Verstärker und Ansteuerung der
Endstufe mit eingeprägter Spannung die Treiherstuf e ebenfalls
aus zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in Kollektorschaltung besteht, daß die Basen der Treiberstufentransistoren
in an sich bekannter ./eise gleichphasig angesteuert
v/erden und ihre Emitter jeweils mit den Basen der Endstufentransistoren gleichen . . Leitfähigkeitstyps
verbunden sind, so dai3 in an sich bekannter 7eise die Eniitterströme
der Treiberstufentransistoren aus den Basisströmen der
lindstufentransistoren bestehen, während die Kollektoren der
Treiberstufentransistoren bei Bedarf unter Zwischenschaltung
eines ochutzwiderstandes wechselstrommäßig am ochaltungfj. zugspunkt
(Hasse) liegen.
3. Transistorverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß den Treiber- und Endstufen eine Vorstufe in Emitterschaltung vorgeschaltet ist, daß der Emitter des
Transistors (Trs5) dieser Vorstufe wechselstrommäßig mit dem
durch den Verbindungspunkt der Kondensatoren C1 und C2 gebildeten
Symmetriepunkt verbunden ist.
4. Transistorverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß vom Verstärkerausgang auf den Verstärker Eingang eine
gemischte Strom-Spannungs-Parallel-oeriengegenkopplung
(Brückengegenkopplung) erfolgt.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681562099 DE1562099A1 (de) | 1968-01-30 | 1968-01-30 | Transistorverstaerker mit Gegentaktendstufe in Emitterschaltung,deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden,vorzugsweise Traegerfrequenzverstaerker |
FR6901960A FR2000996A1 (de) | 1968-01-30 | 1969-01-30 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEST027817 | 1968-01-30 | ||
DE19681562099 DE1562099A1 (de) | 1968-01-30 | 1968-01-30 | Transistorverstaerker mit Gegentaktendstufe in Emitterschaltung,deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden,vorzugsweise Traegerfrequenzverstaerker |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1562099A1 true DE1562099A1 (de) | 1970-02-19 |
Family
ID=25753035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681562099 Pending DE1562099A1 (de) | 1968-01-30 | 1968-01-30 | Transistorverstaerker mit Gegentaktendstufe in Emitterschaltung,deren Transistoren vom Versorgungsgleichstrom in Reihe durchflossen werden,vorzugsweise Traegerfrequenzverstaerker |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1562099A1 (de) |
FR (1) | FR2000996A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0268159A2 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterverstärkerschaltung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2477572B (en) * | 2010-02-09 | 2012-01-04 | Toshiba Res Europ Ltd | High power wideband amplifier and method |
-
1968
- 1968-01-30 DE DE19681562099 patent/DE1562099A1/de active Pending
-
1969
- 1969-01-30 FR FR6901960A patent/FR2000996A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0268159A2 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterverstärkerschaltung |
EP0268159A3 (de) * | 1986-11-13 | 1989-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterverstärkerschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2000996A1 (de) | 1969-09-19 |
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