DE1544278A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines synthetischen Monokristalls - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines synthetischen MonokristallsInfo
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- DE1544278A1 DE1544278A1 DE1966S0101889 DES0101889A DE1544278A1 DE 1544278 A1 DE1544278 A1 DE 1544278A1 DE 1966S0101889 DE1966S0101889 DE 1966S0101889 DE S0101889 A DES0101889 A DE S0101889A DE 1544278 A1 DE1544278 A1 DE 1544278A1
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- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
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- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1028—Crucibleless apparatus having means providing movement of discrete droplets or solid particles to thin-film precursor [e.g., Verneuil method]
Description
.vonKrÄDg
Dr.-Ing. Th. Meyer Dr. FuM Sch-D/ib
Societe d'Electro-Chimie, d'Electro-fietallurgie et des
Aeiöries Electriques d'Ugine, Paris 8e, Rue du General Foy "IO
Υ.£ΐ£§*ίΐ£5:, UPS1. Vorrichtung^ zur_ Herstellung^ eine_s_ synthetischen
-Monokristalls
Die Erfindung betrifft die Herstellung künstlicher Honokristalle,
z.B. Rubine, mit einer Qualität, daß sie dort, wo große Reinheit und Homogenität erforderlich ist, wie
z.B. bei der Bildung von Lasern, verwendet v/erden können.
Es ist bekannt, daß der Wirkungsgrad eines lasers rait Monokristall
nur erhöht wird, wenn der Honokristall, der seinen Resonanzhohlrauia bildet, sehr rein, sehr homogen und praktisch
ohne Fehler ist.
Das klassische Verfahren zur Herstellung eines synthetischen
Monokristalls, welches unter der Bezeichnung "Verfahren von Verneuil" bekannt ist, besteht darin, einen an der Oberfläche
mittels einer Flamme aus einem Knallgasbrenner geschmolzenen Kristeillkeim dadurch zu speisen, daß in die Flamne ein pulverisiertes
Gemisch aus Tonerde und Chromoxyd eingeführt AVird. Dieses Verfahren ermöglicht es nicht, mit ausreichender
Wiederholbarkeit Monokristalle für Laser herzustellen,'
da die durch dieses Verfahren hergestellten Kristalle eine
große Anzahl von Struktur-, Reinheits- und Homogenitätsfehlern
aufweisen.
Um Monokristalle hoher Qualität zu erzeugen, ist angegeben
worden, unter einer überwachten1Atmosphäre ohne eine Flamme
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zu arbeiten und die Brennerflamme des Verfahrens nach Verneuil durch das Bild eines elektrischen Lichtbogens im Inneren
eines abgedichteten Ofens zu ersetzen; vgl. den Artikel von P.A. Halden und R. Sedlacek "Verneuil Crystal Growth in
the Arc-Image Furnace", veröffentlicht in "The--Review of
Scientific Instruments", Band 34, Nr. 6 vom Juni 1963, Seiten
622 bis 626c Bei der in diesem Artikel beschriebenen
Einrichtung ist die von dem Lichtbogen herrührende Warne über eine Spiegelanordnung auf die Oberfläche des Kristallkeims
konzentriert, v;ährend die zuzuführenden Materialien in?Pulverform vorbereitet sind, deren Korngröße einen Durchmesser
von 10· bis 75 Mikron besitzt. Der Kristall ist während des Wachsens, das durch eine Rotationsbev;egung zum Ausgleich
der Temperaturen und eine Translati'onsbewegung zum Halten der Oberfläche in der Brennzone der Spiegel gefördert ist,
über Hilfserwärnmngsmittel auf einer Temperatur in der ITähe
seines Schmelzpunktes gehalten, die am Ende des Vorgangs ein langsames und gleichmäßiges Abkühlen ermöglichen. Bei dieser
Einrichtung stellt jedoch der Austausch der Kohleelektroden
des elektrischen Lichtbogens, die bei dem Vorgang verwendet werden, schwierige Probleme und die Spiegel zur Konzentration
der Wärme sind oft durch eine Ablagerung von verdampftem oder fein verteiltem Zufuhrmaterial verschmutzt, was die Erhitzung
in ihrer Brennzone vermindert, was zur Folge hat, daß die Herstellung nicht genügend kontinuierlich ist, um
die Kristalle ohne Fehler bis zu einer für Laser notwendigen Größe wachsen zu lassen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von synthetischen Monokriatallen mit Hilfe., der ohne Flaime arbeitenden
Schmelzmethode zu vervollkommnen, um Honokristalle
ohne Fehler, z.B. der für Laser gewünschten Abmessung, zu i erhalten.
Gemäß dem Verfahren nach der Erfindung wird der Kristallkeim, von dem aus der Monokristall gebildet werden soll, auf einen
Support gegeben, der mit Mitteln verbunden ist, die sein progressives Absteigen und/oder seine Rotation gestatten; man
bringt progressiv auf den oberen Teil des Keims des Mona-
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kristalls das zu schmelzende Material auf, wobei die Fusion
über Mittel sichergestellt wird, die über dem oberen Teil des Honokriotalls die Wärme, die von einer Heizquelle ausgeht,
konzentrieren, wobei die Einheit des Trägers, des Monokristalls, der Wärmequelle, der die Wärme konzentrierenden
Mittel und die Verteilungsmittel für die zu schmelzende Materie unter einer gesteuerten Atmosphäre angeordnet werden.
Bei dem Verfahren werden eine Pusionskamiier und' eine
Abkühlkamnier übereinander angeordnet und durch einen thermischen,
horizontal verlaufenden Schirm abgetrennt, der den Monoki'istall während seiner Bildung durchläßt ο Die Wärme
wird von einem konzentrischen Widerstand ausgesandt, der von dem e:\ektrischen Strom erhitzt 13t und der konzentriert
über dem oberen Teil des Monokristalls und über dem Teil de&
zu schmelzenden Materials ist, der in Kontakt mit dem oberen Teil des Monokristalls über Mittel steht, die andererseits
die Fusionskamnier begrenzen. Der untere, feste Teil des gebildeten
Monokristalls steigt in das Innere der Abkühlkammer ab, deren Wandung eine Dispersion der Wärme verhindert und
die Temperatur auf ein geeignetes Niveau unter der Wirkung eines elektrischen Stromes absteigen läßt, der sie durchdringt,
wobei die notwendige Wärme zur Sicherstellung des Temperaturbereichs entsprechend der gewünschten gesteuerten
Abkühlung erzeugt wird
Das zu schmelzende Material wird in Ausgestaltung der Erfindung
nach und nach dem Monokristall entsprechend der Geschwindigkeit
seiner Bildung zugeführt, und zwar in Form von bereits kristallisiertem Material oder in =n Form eines gefritteten
Gemisches, welches die in dem Honokristall gewünschten
verschiedenen Oxyde enthält.
Es ist vorteilhaft, das so zugeführte Material vor Erreichen
der Fusionszone vorzuwärmen. Zu diesem Zweck kann man das Material in Form von Kügelchen zuführen, deren Durchmesser
in der Größenordnung von Millimetern liegt, z.B. zwischen 0,1 und 2 mr.i ■ Diese Kügelchen werden vorteilhaft nacheinander
auf die Oberfläche der Schmelszone an der Spitze des in Bildung befindlichen Monokristalls aufgebracht.
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-ι-
Man kann auch das Material in Form einer Stange ztifulifehT die
in dem Ausmaß der Fusion ihres inneren Endes während des Eindringens in die Fusionszone nachgeführt wird. Die so am inneren
Ende des Stabes gebildete Flüssigkeit kann vorteilhaft ohne Diskontinuität auf die Spitze des Monokristalls -während
seiner Bildung zufließen«
Man kann das inerte Gas wählen, das die gesteuerte Atmosphäre bildet und den Druck regeln. Man kann unter einer Argon-Atmosphäre
arbeiten bei einem Druck, der unterhalb oder oberhalb des atmosphärischen Druckes liegt.
Der in Bildung befindliche Monokristall kann in Rotation versetzt werden, ebenso wie der zu schmelzende Materialiitab; die
Rotationsgeschwindigkeiten des Monokristalls und des Stabes
können gleich oder unterschiedlich sein.
Es muß darauf hingewiesen werden, daß man für die kontrollierte Abkühlung nicht nur einen Abkühlbereich vorsehen darf, in
demrdie Temperatur der Abkühlkamr.ier regelmäßig und ausgehend
von dem Spitzenwert progressiv abnimmt, sondern auch Bereiche, in denen diese Temperatur beliebig geändert wird, was
auch aufsteigende Temperaturbereiche einschließt.
Die Einrichtungen nach der Erfindung enthalten Einzeleinrichtungen,
von denen einige bekannt sind, deren Vereinigung jedoch notwendig ist, um mit Erfolg dan Verfahren nach der Erfindung
ausführen zu können.
Die Einrichtungen zur Realisierung der vorliegenden Erfindung enthalten im wesentlichen einen abgedichteten Eehälter, der
mit Mitteln verbunden ist, um dort die gewünschte Atmosphäre
zu halten,. Mittel zum Tragen des Monokristalls während seiner Bildung und zur Sicherstellung seiner Längsverschiebung und/
oder seiner Drehbewegung, Mittel zur Sicherstellung der progressiven Speisung des zu schmelzenden Materials, einen horizontal
verlaufenden Schirm, der von einer zentralen Öffnung durchbrochen ist und der eine Fusionskammer und eine Abkühlkammer
voneinander trennt, einen Heizuiderstand, der in der
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Fusionskammer konzentrisch um die Spitze des Kristalls -während
seiner Bildung und/oder des zu schmelzenden Materialteils in Kontakt mit der Schmelzzone an der Spitze des zu
"bildenden Kristalls angeordnet ist, Mittel, die in Längsrichtung den oberen Teil der .Fusionskammer "begrenzen und
verhindern, daß Wärme nach außen dringt, einen vertikal angeordneten, erhitzten Widerstand für einen elektrischen
Strom, der die obere Begrenzung durchdringt und Längswände der Abkühlkammer "bildet, und Mittel zur Verhinderunj von
Wärmeverlusten, die in Längsrichtung von diesem Widerstand ausgehen könnten«
Der verwendete Behälter,kann von "bekannter Art sein. Er kann
ζ.Β» eine doppelte Wandung "besitzen, die mit den notwendigen
Öffnungen versehen ist, um sie in Verbindung zu "bringen mit"
den Speiseeinrichtungen für das zu schmelzende Material oder mit den Organen zur Herbeiführung oder zur Aufrechterhaltung
der gewünschten Atmosphäre-
Wenn das zu schmelzende Material in Form von Kügelchen zugeführt
wird, enthalten die Mittel zur progressiven Zufuhr einen Verteiler und eine Vorwärmeinrichtung«
Man kann jede Verteilereinrichtung verwenden, z.B. einen Körper, in dem ein zylindrischer Rotor mit horizontaler Achse
sich dreht, der an seiner Peripherie mit Taschen versehen ist; diese Taschen laufen nacheinander an einer öffnung eines
Behälters vorbei, der im oberen Teil des Körpers angeordnet ist, sodann an einer Ausgangsöffnung, die am unteren Teil
des Körpers angeordnet ist.
Als verwendbare Sinrichtung für die Vorwärmung am Ausgang des Verteilers kann man eine Einrichtung verwenden, die aus
einem Vertikalzylinder besteht, der in der zentralen Öffnung der Mittel, die die Wärmeverluste oberhalb der Fusionskammer
begrenzen, angeordnet ist; dieser zentrale Körper ist nach oben und nach unten mit zwei axialen Leitungen und mit gegenüber der Horizontalen geneigten Kanälen versehen, die von
der Peripherie ausgehen und ineinander münden, derart, daß
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die in den axialen oberen Weg eindringenden Kagfe^CTi^nr »acheinander
den geneigten Kanälen folgen und aus dem inneren Kanal austreten. " .
Eine weitere für die Vorwarnung der Kügelchen verwendbare
Einrichtung besteht aus einem vertikalen Vollzylinder, an dessen Peripherie eine schraubenlinienfüriiige Hut eingebracht
ist und der von einem Zylinder umgeben ist= I)ierje
Einrichtung ist, wie die vorstehend beschriebene Einrichtung, in der zentralen Öffnung der Mittel angeordret, die
die Wärmeverlusvö oberhalb der Fusionskamr.:er begrenzen
Wenn das zu schmelzende Material in Form einer Stange zugeführt wird, durchdringt diese die zentrale Öffnung der die
Wärmeverluste nach oben, ausgehend von der Fuaionskamner, begrenzenden
Mittel; sie ist von Mitteln gehalten, die ihren progressiven Vorschub nach unten und/oder ihre Rotation ermöglichen;
sie kann durch eine absteigende Hülle bis in die Nähe des Fusionsteils geschützt sein»
Der in der Fusionskamraer angeordnete Heizwiderstand kann
verschiedene Formen besitzen» Man kann ihn als dünnes· Bi-V·-
ausbilden und diesem die Form eines Kegelstumpfes geben-,
Man kann ihn auch durch mehrere Metallspiralen großen Widerstandes bilden, die die Fusionszone im oberen Teil des in
Bildung befindlichen Monokristalls und den inneren Teil des zu schmelzenden Stabes umgeben.
Die Fusionskammer ist erfindungsgamäß mit einer Reihe von
in Längsrichtung sich erstreckenden, kreisförmigen Abschirmungen versehen und nach oben durch eine Reihe von horizontalen,
durch axiale Öffnungen durchbrochene Abschirmungen begrenzt;dabei arbeiten diese verschiedenen Abschirmungen
zur Verhinderung der Wärmeverluste, die von der Fusionskaiainer
ausgehen, zusammen und sichern jenseits dieser Kammer eine progressive und schnelle Verminderung der Temperatur.
Man kann Sichtstellen vorsehen, die es gestatten, das Innere der Fusionskammer zu beobachten.
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Die Abküh!kammer ist von einem zylindrischen Widerstand "^idcr=:±.=.'4d
begrenzt, der von einem elektrischen Strom durchflossen ist und die Wandungen dieser Kammer bildet= Konzenr
trische Schirme umgeben den Widerstand.
Als geeignetes Mateiial zur Bildung der Schirme kann man
feuerfeste Metalle verwenden, z.B. Tantal, Molybdän, Wolfram,. Die metallischen Oberflächen können maximal reflektierend
ausgebildet sein.
Als geeignetes Material zur Bildung der Widerstände nimmt
man Metalle mit iiijtfueionspunki; sehr hohem Widerstand und
mit geeignetem elektrischen Widerstand; Tantal, Wolfram kommen in Frage.
Wenn man es wünscht, dem geschmolzenen Teil an der Spitze des
Honokristalls ein vorgegebenes Volumen zu geben, kann man v.m die zentrale Öffnung des thermischen Schirmes, der die beiden
Kammern voneinander trennt, einen Ring vorsehen, der die Schmelzsone an der Spitze des MonoUristalls an der Achse des
letzteren hält.
Die Erfindung wird besser verständlich beim lesen der folgenden
Beschreibung und beim Studium der beigefügten Zeichnungen in denen
i?ig. 1 und 2 Teilansichten des Ofens innQusrscbnitt und
in Draufsicht sind, der für die !Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung verwendbar ist;
Fig. 3 ein Querschnitt einer Einrichtung zum Verteilen
von Kügelchen aus dem zuzuführenden Material ist;
Pig. 4 und 5 im Schnitt dargestellte, schematische Ansichten von Vorwärmeeinrichtungen für die Kügelchen
sind und
Pig. 6 eine schematische Ansicht im Schnitt für eine Vorwärneeinrichtung
nach einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist mit einer damit verbundenen
Einrichtung zur Sicherstellung, des Haltens und des Vorschubs des zugeführten Materials, v;e.L-ehes
in
't-
Figo 1 zeigt im Schnitt den oberen Teil eines Ofe"hs inrt' ITeizwiderständen.
Dieser Ofen ist in einen evakuierten, zylindrischen Behälter 1 mit vertikaler Achse eingeschlossen, der
an seinen Enden über Platten verschlossen ist, von denen lediglich die obere Platte 2 dargestellt ist, und der über eine
Öffnung 3 großen Durchmessers mit einer nicht dargestellten . Pumpeinrichtung verbunden ist, die es ermöglicht, ein Vakuum
von 10 mm Hg zu realisieren. Der evakuierte Behälter 1 und
seine Endplatten bestehen aus einer doppelten Wandung, 1 und 10, 2 und 20, zwischen deren Wänden Wasser umläuft, um eine
kräftige Kühlung zu erhalten.
In der Achse des evakuierten Behälters 1 ist in einer konischen Lagerung 51 ein Monokristall 4 zentriert. Das Lager 51
bildet das obere Ende einer vertikalen Molybdänstange 5, deren Durchmesser so klein wie möglichiist, um Wärmeverluste
zu verhindern, und deren unteres Ende mit einer nich'i;4dargestellten,
mechanischen Einrichtung in Vei'bindung steht, die in an sich bekannter Weise über Motoren angetrieben wird,
um eine Rotations- und Translationsbewegung des Kristalls sioherzustellen-
Wie Fig. 2 zeigt, ist die doppelte Wandung des evakuierten Behälters Λ weiterhin von einem Seitenfenster 6 durchbrochen,
welches mittels einer Quarzplatte verschlossen ist und auf das ein Vergrößerungsglas aufgesetzt sein kann, welches es
ermöglicht, das Ende des Kriütails, seine Speisung und sein
Wachsen zu beobachten«
In dem mittleren Teil des Eehälters 1 und koaxial zu ihm sind Heizwiderstände Y und 8 angeordnet, die voneinander über eine
Abschirmung 9 getrennt sind und die auf jeweils einer Seite dieser Abschirmung die Fusionskamnier für die Oberflächenfusion
und 'die Abkühlkammer für die gesteuerte Abkühlung begrenzen. Als Heizwiderstand 7 ist ein dünnes Band aus Wolfram
oder Tantal in Form eines sehr füechen Kegelstumpfes mit
vertikaler Achse vorgesehen, der in im wesentlichen radialer Richtung durch zwei vertikale, parallel zur Achse des Seitenfensters
6 verlaufende Ebenen geschnitten ist und der über·
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diese Schnittflächen mit Hilfe von Verbindungen'71 und 72
gespeist ist, zwischen denen der für die Beobachtung des Endes des Kristalls 4 über das mit dem Seitenfenster 6 verbundene
Vergrößerungsglas notwendige Zwischenraum gelassen ist«
Die Verbindungen 71 und 72 sind mit Hohlleitern 73.und 74 verbunden, die durch inneren Viasserumlauf gekühlt und mit
der unteren Platte des Behälters 1 verbunden sind. Als Heizwiderstand 8 ist ein zylindrisches Tantalband vorgesehen,
das zackenartig über Sägezahnschnitte 80 aufgeschnitten ist, die entlang seinen Erzeugenden hergestellt sind, und das
koaxial zu dem Heizwiderstand 7 unterhalb der Abschirmung 9 angeordnet ist* Er ist über Radialverbindungen 81, 82 und vertikale Hohlleiter 83} 84' mit innerem Kühlwasserunilauf gespeist,
die an der unteren Platte des Behälters 1 befestigt sind ο
TTm einen Wärmeverlust durch Strahlung zu vermeiden, umgeben
zylindrische Schirme 11 die Fusions- und Abkühlkammern» Diese
Schirme sind konzentrisch zu den äußeren Schirmen angeordnet und können z.B. aus dem Metall "Inconel", d.h„ einer Nickellegierung
aus 80 io Nickel, 14 $ Chrom und 6 i» Eisen bestehen,
während die mittleren Abschirmungen aus Molybdän und die den Kamaern am meisten benachbarten Abschirmungen aus Tantal bestehen.
"Xn diesen Abschirmungen sind die zur Preigabe des
Beobachtungsfeldes des Seitenfensters 6 und den Durchlaß der Verbindungen für die Heizwiderstände 7 und 8 notwendigen
Krümmungen vorgesehen. Jeder Schirm 11 ist durch horizontal an seinem Ende angeordnete Schirme veivollständigto Die
Schirme 12, die am oberen Ende der Schirme 11 angeordnet sind, sind an der oberen Platte 2 über Distanzstücke 13 befestigt.
Sie sind in ihrer Mitte mit einem kreisförmigen Loch versehen, durch das die Einrichtung zur Speisung des
Kristalls 4 durchtreten kann.
Die Steuerung der Temperaturen in der Fusionskamrier und in
der Abkühlkammer wird mittels Thermopaaren aus Wolfram und
Wolfram-RJ-c—nium hergestellt, die in der Nähe der Heizelemente angeordnet sind.
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Pig, 3 zeigt im Schnitt den Verteiler 30 für die Kügelchen.
Der Verteiler'30 enthälteeineri Körper 31 aus poliertem,
nicht oxydierendem Stahl, dessen oberer Teil zylindrisch ausgebildet ist und dessen Basis 32 eine Platte bildet,
die an ihren Rändern in ein Lager eingreift, welches zu diesem Zweck mit einem Sockel 33 versehen ist, der auf der
oberen Platte 2 des Behälters 1 befestigt ist. Die Platte
32 ist andererseits über die Basis einer metallischen Glocke 34 gehalten, die auf dem Sockel 33 dank eines Torus 35 vollständig
dicht befestigt ist«
Der Körper 31 ist in seinem mittleren Teil vollständig von
einer zylindrischen Lagerung durchdrungen, deren Wandungen chromiert und poliert sein können und in der ein zylindrischer
Rotor 36 gelagert ist, der in gleicher Yfeise chrcmieri;
und poliert sein kann und dessen Durchmesser angemlher-i;
1 mm kleiner ist als der Durchmesser der Lagerung, Tür Rotor
36 ist mit der Welle eines nicht dargestellten Elektromotors verbunden, der seine Zentrierung in der Lagerung
sicherstellt ο
In regelmäßigem Abstand sind in die ümfangszone, die durch
einen rechtv/inkligen Meridianschnitt des Rotors 36 bestimmt ist, zylindrische Taschen 361 eingeschnitten, die eine Öffnung
und eine Tiefe besitzen, die etwas größer ist als der Durchmesser der Kristallkügelchen.
In den oberen Teil der Lagerung des Rotors 36 mündet ein Trichter 37, der in die Masse des Körpers 31 des Verteilers
eingeschnitten ist und der die Rubinkügelchen 38 enthält. Sobald sich eine Tasche 361 des Rotors 36 vor der Öffnung
des Trichters! 37 befindet, wird ein Kügelchen 38 dort eingebracht.
Dieses Kügelchen wird dann mit dem Rotor 36 gedreht, bis die Tasche 361 an einem Kanal 39, der am Fuß des
Körpers 31 angeordnet ist und der die Verbindung der Lagerung des Rotors 36 mit dem Behälter 1 des Ofens darstellt,
angekommen ist. Die Achse des Kanals 39, die mit der Achse des Körpers 31 zusammenfällt ist in der Verlängerung der
Achse der Vorwärmeinrichtung 40 angeordnet,
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Die Vorwärmeinrichtung 40 nach Figo 4 "besteht aus einem
zylindrischen Körper aus Tantal, der die zu diesem Zweck in
die horizontalen Abschirmungen 12 eingelassenen Öffnungen
durchdringt und an seinem oberen Teil einen Kragen 41 trägt,
der an der obersten Abschirmung 12 befestigt ist. Das untere
Ende der Vorwärmeinrichtung 40 ragt in die Fusionskamrner
hinein bis auf einen sehr geringen Abstand von der Lage, die das oberste Ende des Kristalls 4 einnehmen inuße Zylindrische
Kanäle, wie die Kanäle 42 und 43, die in regelmäßigem Abstand voneinander und gegenüber der Horizontalen wechselweise
um 30^ in dem einen und in dem spiegelbildlich entgegengesetzten Sinn geneigt sind und von denen jeweils der
eine in den anderen mündet, sind in den Zylinder 40 eingeschnitten
Eine trichterförmige Axialüffnung gibt Zugang
t ·
zu dem ersten Kanal 42 und der letzte, schräge Kanal mündet"
in einem axialen Ausgangskanal 45.
Wenn ein Kügelchen den Verteiler durch den Kanal 39 verläßt«
fällt es direkt in die trichterförmige Axialöffnung 44 der Vorwärmeinrichtung 40, folgt einer unterbrochenen Linie, die
von Teilen der jeweiligen Geraden gebildet t-st, die untereinander Winkel von 60° bilden und die sich in mehr und
mehr erhitzten Zonen befinden, bis es schliei31ich durch den
Kanal 45 auf das geschmolzene Ende des Krista.t.ls 4 fällt.. wo das Kügelchen schließlich eine genügend große Temperatur
besitzt^" um nicht eine Abkühlung des Oberf jächenbelags unterhalb
seines Schmelzpunktes hervorzurufen«
Sie verschiedenen Phasen der Herstellung eines synthetischen
Honokriatalls mit der bisher beschriebenen Vorrichtung nach
der Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
1 c Erstes Entgasen des Behälters '. ,
Nachdem der Verteiler für die Kristallkügelchen gefüllt ·
ist, wird ein Vakuum von 5. 0" mm Hg in dem Behälter
hergestellt. Äur gleichen Zeit werden die beiden Heizelemente
7 und 8 für zwei Stunden auf eine Temperatur von 2000° G gebracht. Danach wird der Ofen unter Beibehaltung des Vakuums langsam abgekühlt,
RAD
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Einführung des Kristallkeims 4.
Nachdem der Kristall 4 in die Lagerung 51 auf der Molybdänstange
5 angebracht ist, wird dieser dadurch ganz genau zentriert, daß die Molybdänstange 5 um sich selbst
gedreht wird. Die Stange 5 folgt dann einer vertikalen . Translationsbewegung, damit das obere Ende des Kristalls'
4 bis auf 1mm über die Ebenen der Abschirmung 9 hinausragt, die die Fusionskammer von der Abkühlkammer trennt.
Zweites Entgasen des Behälters 1 °
Für dieses neue Entgasen wird ein Vakuum von 10 ram Hg
in dem Behälter 1 erzeugt. Die beiden Heizelemente 7 und 8 sind auf eine Temperatur von iOOO0 C gebracht. Sobald
das gewünschte Vakuum erzeugt ist, wird der elektrische Strom, der in den Heizelementen 7 und 8 umläuft, unterbrochen,
wodurch eine Abkühlung des Ofens eintritt.
Einführung von Argon«
Das aus einer Flasche austretende Argon wird nur in den Behälter 1 eingeführt, nachdem es einem Reinigungsvorgang
unterworfen wurde, welches Feuchtigkeitsspuren beseitigt. Das den Behälter 1 ausfüllende inerte Gas muß
weniger als fünf Teile pro Millionen Teile Wasserstoff und Wasser enthalten. Diese Bedingung ist unabdingbar,
da nicht nur die Verunreinigung des Kristalls vermieden werden muß, sondern auch eine Beschädigung aller der
Ofenteile, die auf hohen Temperaturen gehalten sind. Das Argon wird in den Behälter 1 eingeführt, bis ein Druck
von 850 mm Hg erreicht ist. Man läßt dann einen Spülvorgang ablaufen, bei dem etwa 2 Liter pro Minute eingeführt
werden.
Herstellung des Kristalls 4.
Der Motor für die Umdrehung des Kristalls wird eingeschaltet.
Die beiden Heizelemente 7 und 8 werden nacheinander auf hohe Temperatur gebracht, bis das Innere
der Abkühlkamraer etwa- auf 195Oc C- ist= Die Temperatur
der Fusionskammer wird dann progressiv erhöht, bis bei, etwa 2050° C am äußersten Ende des Kristalls 4 eine
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- ι 5 -
Schmelzung der Oberfläche eintritt„ Dieser Vorgang wird
durch das Vergrößerungsglas beobachtet-
Einige Grad vor diesem Schmelzen v/ird der Teil des Kristalls
4, der sich in der Fusionskamner befindet, sehr glänzend und seine nach außen vorspringenden Kanten werden
eingedrückt. In dem Ausmaß des Fortschreitens des
Schmelzen wird der Kristall 4 von Hand bewegt, bis sich sein oberes Ende etwa 2 mm oberhalb des Schirmes 9 befindete
- ■ ■
Nach und nach, nimmt der untere Teil des Kristalls 4 das
Aussehen einer Kugelkalotte an. Wenn diese sauber abgegrenzt ist, ohne daß ein Fließen festgestellt wird, wird
der Motor für die Translationsbewegung der Stange 5 eingeschaltet»
Zur gleichen Zeit wird der Verteiler für die· Kügelchen eingeschaltet und die Temperatur in der Pusionskammer
auf rund 2100° C erhöht, um die beim Schmelzen auftretende Abkühlung des Kristalls, die durch die Zufuhr
der Kügelchen hervorgerufen ist, zu kompensieren» Eine
solche Abkühlung könnte, wie schon ausgeführt wurde, eine teilweise Verfestigung des Endes des Kristalls 4 hervorrufen,
aus denen Dislokationen der kristallinen Struktur resultieren könnten»
Die Kügelchen müssen nacheinander auf die Mitte des Kristalls
auftreffen und die Translationsgeschwindigkeit der
Stange 5 wird in Abhängigkeit von dem Verteilungsbereich der Kügelchen geregelte
Wenn der Kristall 4 hergestellt ist, vermindert man langsam und progressiv den in den Heizelementen 7 und 8 umlaufenden
Strom bis zur Abkühlung· des Kristalls auf die Umgebungstemperatur.
Figo 5 zeigt eine andere Einrichtung zum Vorwäiiaen der Kügelchen,
wie sie bei dem Ofen nach der Erfindung verwendbar ist» Die Einrichtung enthält einen Zylinder 50, der wie der Zylinder
40 d'er.Fig» 4 zu diesem Zweck in die horizontalen Ab-
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schirmungen 12 dea Widerstandsheizofens eingebrachte Öffnungen ,durchdringt= '
Der Zylinder 50 besteht aus Molybdän und ruht mittels eines
Kragens 52 auf der obersten Abschirmung 12, Unter dem Kragen 52 ist der Umfang des Zylinders 50 nach Art einer schraubenliniejrifb'rmigen.
Nut 51 mit quadratischem Querschnitt ausgebildet,
deren Seitenlänge etwas größer ist als der Durchmesser eines Kügelchens. Eine Tantalverkleidung 53, die über
einen Stift 56 auf dem Zylinder 50 befestigt ist, umgibt den
Zylinder 50 auf seiner gesamten Länge, soweit sie die Nut 51
trägt. Eine axial angeordnete, bauchige Öffnung 54, die in die Masse des Zylinders 50 eingeschnitten iot, gibt Zugang zu
der schraubenJ-iniqnförmigen Nut 51 , die am unteren Ende des
Zylinders 50 in einem axial angeordneten Ausgangskanal 55 endet» Die Dimensionen des Zylinders 50 und die Ganghöhe der
Schraubenlinie sind in Abhängigkeit von den abgestuften Temperaturen zwischen seinen beiden Enden sobberechnet, daß die
Kügelchen, die Fusionskammer bei optimaler Temperatur erreichen.
Die zentrale Öffnung der Abschirmung 9, in der der Kristall 4 im Terlauf seines Wachsens erscheint, ist durch einen Hing
60 aus Rhenium,■ der mit einem auf dem Rand aufliegenden Kragen
61 versehen ist, kalibriert-. Wenn die vertikale Translationsgeschwindigkeit
des Kristalls 4 genau geregelt ist, ruht das Niveau des in Schmelzung befindlichen Honokristails
mit seinem Ende im inneren des Rings 60 und der Kristall bildet sich mit dessen Abmessungen, indem er dort mit geringeii'
Reibung verschoben und gedreht wird.
Die Figur 6 zeigt eine Einheit, die den Verteiler für die
Kügelchen und die Vorwärmeinrichtung ersetzt, wenn die Speisung des Kristalls mit Hilfe"eines zylindrischen Stabes 92
aus Honokristall oder einem durch Fritten agglomerierten Gemisch
aus Tonerde und Chromoxyd gebildet ist»
Der Stab 92 ist von einer Stange 94 aus Molybdän gehalten, deren unteres Ende ein zylindrisches Lager 91 trägt, in dem
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sie von einer Schraube 93 aus Molybdän aufgehammen und gehalten
ist.
Der dem Ofen gegenüber äußere Teil der Stange 94 steht in Verbindung
mit einer mechanischen Einrichtung, die einen Motor besitzt, der die für eine gute Ausbildung des Kristalls notwendige
vertikale Translationsbewegung und Rotationsbewegung sicherstellt;= Sein innerer Teil, der den Stab 92 trägt, dringt
durch eine wasserdichte richtung 90 in den Ofen, wo er sich
in ein Rohr 96 erstreckt, welches ebenfalls aus Molybdän bestellt, und ißt in seinem oberen Teil von einem Krsgen 95 ge- ·
halten, der in eine Basis 32 gesteckt ist, die fest mit der oberen Platte 2 des Ofens durch den Sockel 33 und die metallische
Glocke 34 verbunden ist.
Pas untere Ende des Rohres 96 besitzt in Inneren einen lurchtritt
97 mit verringertem Querschnitt, der eine genaue Führung des Stabes 92 in der Achse des Kristalls 4 sicherstellt. Sie
dringt in die Schmelakammer für die Oberflüchenfusion des
Ofens ein, indem sie die in den horizontalen Abschirmungen 12 vorgesehenen öffnungen und die zentrale öffnung des Heizwiderstandea
durchdringtt
Per Kristall 4 ist .in eine Rotationsbewegung um sich selbst
versetzt, s.B. in der Größenordnung von iO Umdrehungen pro Minute, und eine absteigende, vertikale Translationsbewegung,
die der longitudinalen. Yiachsgeschwindigkeit entspricht, z.B.
in der Größenordnung von 12 mm/h für ein Kaliber von 6 mm
In gleicher Weise ist der Stab 92, dessen Kaliber in der Größenordnung
von 3 mm liegen kann, einer Drehbewegung um sich selbst ausgesetzt, um üngenauigkeiten in der Symmetrie bei der
Umdrehung und der Temperatur im Inneren der Fusionskamiuer zu
unterdrücken*,wobei diese Rotation im selben Sinn ausgeführt
sein kann, wie die des Kristalls 4, vorzugswiese mit einer unterschiedlichen Drehzahl, oder aber im entgegengesetzten
Sinn,, z.B^ mit einer Geschwindigkeit in der Größenordnung von
2,5 ü/min, ebenso wie eine Translationsbewegung in absteigen- '
der vertikaler Richtung, deren Geschwindigkeit mit der Ab-
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Stiegsgeschwindigkeit des Kristalls 4 durch eine konstante Beziehung verbunden ist, die von den jeweiligen Abmessungen
und der Natur des Stabes abhängt.
Die Beobachtung der Brucheinschnürung der Masse des im Schmelzens begriffenen Kristalls in Form eines Diabolo, die
im kapillaren Gleichgewicht zwischen den Enden des Stabes 92 und des Kristalls 4 ist, gestattet es, die relativen Geschwindigkeiten
der Motoren für die Steuerung der Drehung und der Translation des Kristalls 4 und des Stabes 92 einzustellen»
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Claims (1)
- PatentansprücheVerfahren zur Herstellung von synthetischen Monokristallen, die insbesondere für den Aufbau von Lasern verwendet werden, dadurch gekennzeichnet, daß in einer mit einem inerten Gas, z.B. Argon, gefüllten und ohne Verwendung einer offenen Flamme auf eine vorwählbare Temperatur gebrachte Fusionkammer zur Durchführung einer Oberflächenschnielzung ein Kristallkeim eingebracht wird, auf dessen Oberfläche nach ihrem Schmelzen ein das Wachsen des Kristalls hervorrufendes, vorerhitztes Material gegeben wird, wobei der entstehende Kristall im Takt der Materialzufuhr in"eine Abküh!kammer gezogen wird„Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als zugeführtes Material Kristalle verwendet werden»Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als zugeführtes Material ein durch Fritten hergestelltes Agglomerat aus Tonerde und Ohromoxyd verwendet wird,4ο Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material in Form von Kügelchen nacheinander in steuerbaren Intervallen zugeführt wird, die einen Durchmesser in der Größenordnung von Millimetern haben«.5= Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material in Form eines kontinuierlich nachgeführten, zylindrischen Stabes zugeführt wird, der vertikal über den Kristallkeim geführt wird und mit seinem inneren Ende in eine solche Entfernung von dem Kristallkeim gebracht wird, daß eine Oberflächenfusion eintritt,6- Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die .Zufuhr der Kügelchen oder der Vorschub'des Stabes proportional der Wachstumsgeschwindigkeit des Kristalls iato009821/15627» Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der proportional der Viachsturasgeschv/indigkeit in die Abkühlkamaer gezogene Kristall um eine vertikale Achse rotiert,8ο Verfahren nach dem auf Anspruch 5 und 6 rückbezogenen Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Stab um seine Achse rotiert,9= Vorrichtung zur !Durchführung des Verfahrens nach einem d-er vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenfusion in einem über elektrische Widerstände (7,8) beheizten Ofen durchgeführt ist, der durch eine mit einer Öffnung versehene Trennwand 'K 9) in die eine einstellbare Temperatur aufweisende Fusionsksmmer, in die bis zu einem einstellbaren Niveau der mit neuem Material zu fusionierende Teilades Kristalls 4 hineinragt, und die darunter angeordnete, eine niedrigere. Temperatur als die Pusionskamnier aufweisende Abküh!kammer geteilt ist, in die durch die Öffnung der fusionierte Teil des Kristalls und ein bewegbarer Träger gezogen sind»1Oo Vorrichtung nach Anspruch 9, zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine oberhalb der Fu.sionskammer angeordnete Einrichtung zur Zuführung der Kügelchen in einstellbarer Folge und eine zwischen Zufuhreinrichtung und Pusionskamnier angeordnete Vorwärmeinrichtung, der unter der Wirkung der Schwerkraft die die Zufuhreinrichtung verlassenden Kügelchen zugeführt sind, die ihren Fall verzögert und sie auf eine Temperatur vorwärmt, daß sie nach Verlassen ohne Hervorrufen einer örtlichen Verfestigung von der geschmolzenen Kristallspttze umhüllbar sind„ iο Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Zufuhr der Kügelchen aus horizontal gelagerten Hotor (36) mit an der Peripherie angeordneten Taschen (361) besteht, die aus einem über dem Rotor angeordneten Trichter (31) je ein Kügelchen aufnehmen und009821/1862nach einer nit einstellbarer Drehzahl durchgeführten halben Umdrehung des Rotors über einen Kanal (39) an die Vorwänneeinricktung abgeben.12, Voirichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorwärmeeinrichtung (40) aus einem zylindrischen Körper aus Tantal gebildet ist, in den un 30° und ur.i 150° gegenüber der Horizontalen geneigte, wechselweise ineinander übergehende Kanäle (42, 43) vorgesehen sind, und deren Auegang (45) unmittelbar über der obersten Spitze des Rubinkristalls in der Pusionskar.nor mündet.,Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzoichnot, daß die Vorwärmeeinrichtung aus einen von einen Hohlzylihder (53) umgebenden Molybdänzylinder (50) gebildet ist, an dessen Peripherie eine schraubenlinionförnige Nut (51) vorgesehen ist, die*den Eingang (54) nit den unmittelbar über der obersten Spitze des Rubinkristalls in der Fusionskamiiiernsündenden Ausgang (55) verbindet.14: Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß,die Kristallspitze von einen Metallring (60' umgeben ist:Vorrichtung nach Anspruch 9 zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Stab (92) in einem Rohr (96) axial beweglich gelagert ist, unmittelbar über der obersten Spitze des Kristalls endenden und über eine ein Endlager bildenden Strang axial verschiebllch ist16. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Widerstände (7,8) aus Wolfram und/ oder Tantal bestehene17= Vorrichtung nach Anspruch 16« dadurch gekennzeichnet. daß die elektrischen Widerstände (7.8) aua dünnen Blechen bestehen, die zu Zylindern, Kegeln oder Spiralen gefcrnt sind, deren Mittelachse nit der Vertikaiachae des Ofens cusaüHiienf iillt o'009821/1562BAD ORIGINAL
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR5078A FR1432731A (fr) | 1965-02-10 | 1965-02-10 | Procédé et dispositif de fabrication de rubis synthétique en particulier pour lasers |
FR45551A FR89503E (fr) | 1966-01-11 | 1966-01-11 | Procédé et dispositif de fabrication de rubis synthétique en particulier pour lasers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1544278A1 true DE1544278A1 (de) | 1970-05-21 |
DE1544278B2 DE1544278B2 (de) | 1976-04-29 |
Family
ID=26161954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1966S0101889 Granted DE1544278B2 (de) | 1965-02-10 | 1966-02-08 | Verfahren und vorrichtung zum zuechten von einkristallen nach der flammenlosen verneuil-methode |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3519394A (de) |
JP (1) | JPS5113751B1 (de) |
BE (1) | BE676042A (de) |
CH (1) | CH457373A (de) |
DE (1) | DE1544278B2 (de) |
GB (1) | GB1137732A (de) |
NL (1) | NL6601707A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3798007A (en) * | 1969-12-05 | 1974-03-19 | Ibm | Method and apparatus for producing large diameter monocrystals |
DE2542886B2 (de) * | 1975-09-25 | 1978-09-21 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zur Pulverförderung bei der Kristallzüchtung nach Verneuil |
JPS62128309U (de) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | ||
US5665011A (en) * | 1996-11-22 | 1997-09-09 | Thomas; Robert | Golf putter head |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1653022A (en) * | 1924-07-12 | 1927-12-20 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Apparatus for the production of artificial jewels or precious stones |
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-
1966
- 1966-02-04 BE BE676042D patent/BE676042A/xx unknown
- 1966-02-08 DE DE1966S0101889 patent/DE1544278B2/de active Granted
- 1966-02-10 NL NL6601707A patent/NL6601707A/xx unknown
- 1966-02-10 JP JP41007928A patent/JPS5113751B1/ja active Pending
- 1966-02-10 CH CH187866A patent/CH457373A/fr unknown
- 1966-02-10 GB GB5949/66A patent/GB1137732A/en not_active Expired
-
1967
- 1967-01-09 US US615287A patent/US3519394A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1137732A (en) | 1968-12-27 |
NL6601707A (de) | 1966-08-11 |
DE1544278B2 (de) | 1976-04-29 |
US3519394A (en) | 1970-07-07 |
JPS5113751B1 (de) | 1976-05-01 |
CH457373A (fr) | 1968-06-15 |
BE676042A (de) | 1966-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |