DE1540512A1 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrschicht-Leiterplatte - Google Patents

Description

Ergänzungsblatt zur Offenlegungsschrift 1 540512 Deutsche K!.: 21 c, 2/34

2. Januar 1970

Sanders Associates, Inc. Nashua, New Hampshire, U.S.A.

Verfahren zur Herstellung einer fllehrschicht-Leiterplatte

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Iflehrschicht-Leiterplatte mit massiven, gleichstoffigen, durch die Isolierschichten der Leiterplatte fuehrenden Durchverbindungen sowie ein Verfahren zur Herstellung einer aolchen Leiterplatte, Darueber· hinaus kann die erfindungsgemaesse IJIehrschicht-Leiterplatte als flexible Leiterplatte ausgebildet werden, die sich in oder auf verschiedene, unterschiedliche Konturen aufweisende Flaechen montieren laesst.

Der Fortschritt der Technik auf dem Gebiet der Elektronik hat dazu gefuehrt, dass immer mehr nach Kompaktheit und stabiler Bauweise verlangt u»ird souiie nach der flfloeglichkeit, fflehrschicht-Leiterplatten zu entwerfen, die sich sowohl als Hartstoffplatten wie als flexible Platten ausbilden lassen. Die Bemuehungen auf dem Gebiete der Hartstoff plattenfabrikation haben zu zahlreichen Neuerungen bei der Verbindung von verschiedenen, auf den Leiterplatten angeordneten Schaltungen gefuehrt. Zu diesen Neuerungen gehoeren plattierte Durchverbindungen von einer Schaltungsebene zur anderen sowie die Verwendung von angeloeteten oder angaschiueissten Stiften und Anschlussdosen. Des weiteren wurde vorgeschlagen, «aeulenartige Anschlueeee fuer die Schaltungeebenen nach dem Aufbauverfahren herzustellen oder aber nach dem Abbauverfahren, bei dem verhaeltnismaeseig dicke letallschichten ao weggesetzt «erden, dass man eaeulenaehnllche Elemente erhaelt, die zur Verbindung zwischen dan einzelnen Schaltungsebenen benutzt wardan.

Diese vorbekannten Verfahren kommen fuer spezielle Anwendungsgebiete in Frage, enthalten aber alia entweder kost-

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'Ergänzungsblatt zur Offenleguiigssclirift J 540 SJ Deutsche Kl.: 21 c, 2/34 Offenlegungstag: 2. Januar 1970

spielige oder komplizierte Verfahransschritte. In allen Faellen won Dunchverbindungen, in denen ein Loch vollstaendig durch die Traegerplatte gebohrt werden muss, ist die Hfloeglichkeit, auf der Platte Schaltungen unterzubringen, begrenzt. Die obeneriuaehnten Verfahren zur Herstellung von saeulenartigen Durchverbindungen erfordern in einem Fall ein mehrmaliges, kostspieliges Abschmirgeln, das sich aus der Forderung ergibt, die Isolierschichten im nicht ausgehaerteten Zustand unterzubringen, um sicherzustellen, dass alleSaeulen vollstaendig von Isoliermasse umgeben luerden.

Die nachstehend zu beschreibende Erfindung, bei der eine vorgepruefte Isolierplatte verwendet wird, geiuaehrleistet, dass an keiner Stelle der fertiggestellten ITflehrschicht-Leiterplatte fehlerhafte Unterbrechungen in den zwischen den Schaltungsebenen vorgesehenen Isolierschichten auftreten. Dagegen ist bei den fuer die Herstellung von saeulenartigen Durchverbindungen vorgesehenen Verfahren, bei denen nicht ausgehaertete Isoliermasse benutzt iuird, die einen halbfluessigen Zustand iuaehrend des Aushaertens erreicht, eine genaue Steuerung erforderlich, um Hohlraeume, Gasblasen und Verschmutzungen zu vermeiden, die ' andernfalls fuer die Isolierung einen nicht im voraus bestimmbaren dielektrischen UJsrt ergeben kosnnen.

IKlit der nachstehend beschriebenen Erfindung laesst sich sine Mehrschicht-Leiterplatte realisieren, bei der die obenerwaehnten Verfahrensschiuiarigkeiten vermieden werden und die sich von Natur aus in jeder beliebigen Stuackzahl zuverlaessiger, einfacher und mit geringerem Kostenaufwand herstellen laesst.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung Ist demgemaess, ein Verfahren zur Anfertigung einer leicht herstellbaren Hlehrechicht-Leiterplatte zu schaffen, die sich nach de«, gleichen Verfahren sowohl als Hartplatte wie als flexible Platte herstellen laesst und die massive, glaichstoffige Durchverbindungen aufweist, welche die Scheitungsebenen miteinander verbinden und sich nach einem Hauptsehritt

BAD ORIGINAL dee Verfahrens anfertigen lassen. Zur Hersteilung der

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Verbindungen zwischen den Schaltungeebenen der fflehrschicht-Leiterplatte brauchen keine Loecher durch die Platte gestanzt, gebohrt oder anderweitig gebildet zu . werden. Dia erfindungsgemaesse Leiterplatte bietet die PSoeglichkeit einer hohen Leitungsmusterdichte ohne die Gesamtschaltung in ihrer Vollkommenheit zu baeintraechtlgen. Die Erfindung- luird nachstehend en Hand der Zeichnung beschrieben. Es zeigern

Fig. 1 eins oberhalb einer Metallfolie angeordnete Isolierplatte;

Fig. 2 einen Querschnitt durch eine typische Isolierplatte aus Kunststoff mit behandelter metallfolie; ^

Fig. 3 einen Querschnitt durch eine aus Dielektrikum und Metallfolie bestehende Schichtplatte;

Fig. 4 einen Querschnitt durch eine mehrschichtplatte genaess der Erfindung;

Fig. 5 einen Querschnitt durch eine genetzte Mehrschichtplatte der Erfindung;

Fig. 6 einen Querschnitt durch eine eingekapselte Mehrschichtplatte der Erfindung;

Fig. 7 einen Querschnitt durch eine mehrfach gesetzte, vollstaendig gekapselte mehrschichtplatte der Erfindung}

Fig. 8 eine raeumliche Darstellung einer Art Leitungeanordnung, wie sie nach der vorliegenden Erfindung hergestellt «erden kenn;

Fig. 9 einen Querschnitt durch eins Mehrschichtplatte dar Erfindung, bei welcher dar Aetzvorgang abgewandelt wirdf

Fig. 10 einen Querschnitt durch eine in einen Arbeitsgang gesetzte Mehrschichtplatte vor der endgueltigen einkapselung!

' Fig. 11 einen Querschnitt durch eine aus Dielektrikum und metallfolie bestehende Schichtplatte «it aktivierten Loecherη im Dielektrikum und

fij. 12 ein Weiteres Ausfuehrungebeispiel der

BAD

Erfindung mit unabhaengig aufgebauten Durchverbindungan.

Fig. 1 zeigt eine Platte aus Rietallfolie 16 sowie eine darueber angeordnete Isolierplatte 11, in der Locher 12, 13 und 14 vorgesehen sind. Diese Figur dient lediglich zur Veranschaulichung der benutzten materialien und der Tatsache, dass die Isolierplatte 11 und die metallfolie 16 einen Raum einnehmen oder einnehmen koennen, dessen Groesse von der herzustellenden Schaltung sowie deren Verwendungszweck abhaengt.

Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch eine typische Isolierplatte 21 aus Kunststoff mit Loechern 12, 23. Diese Loecher lassen sich durch Perforieren, Bohren,Stanzen oder sogar durch chemisches Aetzen herstellen. Die Loecher sind in der Platte so angeordnet, dass sie einen freien Durchgang zur Herstellung von nachstehend noch im einzelnen beschriebenen Durchverbindungen bilden.

Direkt unterhalb der Isolierplatte 21 ist eine Platte aus* Metallfolie 24 dargestellt. Ober- und Unterseite der metallfolie sind vorbehandelt, wie schematisch bei 26 und 27 angedeutet ist. Diese Vorbehandlung ist nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung. Sie kann sich auf das Aufbringen einer Kleberschicht beziehen, um die Verklebung der metallfolie 24 mit der Isolierplatte 21 zu unterstuetzen. Die Behandlung der Flaeche 26 kann so erfolgen, dass sich ein Kupferoxydbelag ergibt, wie er in der U.S.-Patentschrift 2 997 521 dargestellt ist.

Von der Oberflaechenbehandlung der metallfolie 24 haengt es ab, wie die Isolierplatte 21 aus Kunststoff auf der Metallfolie 24 haftet. Bei Kupferoxyd genuegen Ulaerme und Druck, um die erforderliche Haftung an der Metallfolie 24 zu bewerkstelligen. Bei Klebern wird dagegen u. U. nur Druck benoetigt, je nachdem, was fuer ein Kleber benutzt wird.

Fig. 3 zeigt eine Schichtplatte, die durch Zusammenpressen der Isolierplatte 21 und der metallfolie 24 gebildet wurde. An dieser Stelle des Verfahrens sollen einige bestimmte materialien angegeben werden, die zur Herstellung von Leiterplatten der einen Ausfuehrungsform benutzt

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werden koennen. Beispielsweise kann die Isolierplatte 21 aus H-Film-Kunststoff bestehen, der beidseitig mit einer duennen Schicht aus Teflon beschichtet"ist, damit er am Kupfer oder an der metallfolie 24 besser haftet. Chemisch betrachtet ist Teflon fluorisiertes Aethylen und Propylen und der H-FiIm ein Polyamid. Teflon und H-FiIm sind Warenzeichen der DuPont Company, Delaware. Die Auswahl won mit' H-FiIm ueberzogenem Teflon beim bevorzugten Ausfuehrungsbeispiel ergibt bestimmte Vorteile. Selbstverstaendlicb beschraenkt sich die Erfindung nicht auf die Verwendung von irgendwelchen thermo- oder duroplastischen Kunststoffen. Da der beidseitig mit Teflon ueberzogene H-FiIm eine hoehere Schmelztemperatur als das Teflon hat, kann das Aufbringen der nachstehend beschriebenen, zur Einkapselung dienenden Deckschichten unter lüaerme und Druck erfolgen, ohne dass dabei die Gefahr besteht, dass der H-FiIm beim Verkleben der Deckschicht mit dem Teflon aufweicht. Der hochschmelzende H-FiIm ermoeglicht ausserdem die Herstellung der mehrlagigen Schaltung und bietet die liloeglichkeit, die ganze Leiterplatte in ein Loetbad zu tauchen. Durch die Verwendung mehrerer Isolierschichten wird ausserdem erreicht, dass die Gesamtisolierung mechanisch stabil ist, da Teflon die Eigenheit aufweist, staendig zu schrumpfen, insbesondere bei Erwaermung.

Als metallfolie 24 kann Kupfer, Nickel oder ein anderes geeignetes leitendes material verwendet werden, das sich zur Herstellung von Folien eignet. An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass die Abmessungen in den Figuren zwecks Veranschaulichung und Beschreibung der Erfindung stark uebertrieben dargestellt sind. Tatsaechlich sind die einzelnen Schichten in der Praxis aeusserst duenn. So betraegt beispielsweise die Dicke der aus Kunststoff bestehenden Isolierplatte 21 im allgemeinen ' Btuia 0,125 mm (0,005 Zoll) und die Dicke der metallfolie etwa 0,0125 bis 0,25 mm (0,0005 bis 0,010 Zoll).

Ist die Isolierplatte 21 mit der metallfolie verklebt, so wird die gesamte Oberflasche der Isolierplatte b·-

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handelt, so dass man die behandelten Flaschen 28, 29 und 31 erhaelt. Eine weitere Neuerung besteht in dem Gedanken, die Isolierflaeche ziuecks Anfertigung eines Leitungemusters wahlweise zu aktivieren, um spaoter eine leitschicht aufzubringen. In den Faallan, in denen Kupferoxyd oder ein Kleber v/eriuendet wird, muss von den Folienflaechen am Boden der Loecher 22, 23 das Kupferoxyd oder der Kle&er entfernt werden. Das Kupferoxyd kann mit einer Salzsaeureloasung und der Kleber mit einem geeigneten Loesemittel entfernt werden. Nach dieser Methode laesst sich das gesamte Kupferoxyd der Flaeche 27 entfernen.

Durch das Aktivieren der Oberflaeche des Kunststoffes und der U/aende der Loecher 22 und 23 soll der naechsta Verfahrenaschritt intensiviert werden. Dieser Verfahrensschritt besteht in dem Aufbringen einer Schicht aus geeignetem, elektrisch leitendem Material auf die aktivierten Flaschen 28, 29 und 31. Handelt es sich um Teflon, so wird zum Aktivieren dieser Flaechen eine Loesung aus einer Fluorbindung aufgetragen, um das Teflon zu aatzen. Danach kann das Teflon dann nach dem Shipley-Verfahren behandelt werden, bei dem eine stromlose Kupferloesung, wie beispielsweise das von der 5hipley Company, UJellesley, Massachusetts, erhaeltliche 328, verwendet wird. Diese Leitschicht, durch welche sich der Aufbau von Fig. 4 ergibt, kann alternativ auch durch Aufdampfen, Elektroplattieren oder nach einem anderen geeigneten, herkoemmlichen Verfahren zum Aufbringen von elektrisch leitendem material auf die aktivierte Flasche der oben beschriebenen Isolierplatte 21 aufgebracht werden.

Wie Fig. 4 zeigt, ergibt sich nach Durchfuehrung des Plattier- oder Niederschlagsschrittes eine Leitschicht 32, welche die gesamte Isolierplatte 21 abdeckt und ' darueber hinaus infolge der aktivierten Flaechen der Loecher 22 und 23 in diesen gleichstoffige, massive Durchverbindungen 33, 34 bildet, welche die aufgebracht· Leitschicht 32 mit der metallfolie 24 verbinden.

Uiie Fig. 4 zeigt, erscheinen auf der Oberseite der Leitschicht 32 kleine Vertiefungen 36, 37, die zur Veran-

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echaulichung stark vergroessert dargestellt sind. Diese Vertiefungen ergeben sich infolge der gleichmaessigen Geschwindigkeit, mit der das material auf die aktivierte Oberflasche der Isolierplatte aufgetragen wird. Oa das Beschichten mit konstanter Geschwindigkeit erfolgt, ergeben sich somit naturgemaess die Eintiefungen 36, 37 an den Stellen, an denen elektrische Durchverbindungen vorzusehen sind. Diese Eintiefungen ueben keinerlei Funktion aus, sondern ergeben sich lediglich zwangslaeufig bei der Herstellung der Leitschicht 32. Nachstehend wird noch ein alternatives Verfahren beschrieben, bei dem diese Eintiefungsn nicht auftreten.

Fig. 4 zeigt nicht das zum Aktivieren der Oberflaeche und der Löscher benutzte material. An dieser Stelle des Verfahrens hat man also zuiei (Tletallschichten erhalten, zwischen denen sich die Isolierplatte 21 befindet und die . durch die gieichstoffigen, massiven Durchverbindungen 33, 34 miteinander verbunden sind bzw* von diesen zusammengehalten werden· Im naechsten Verfahrensschritt wird unter Anwendung dar Photoaetztechnik ein vorbestimmtes Leitungsbild auf der Leitschicht 32 angefertigt, indem die Oberflaeche der Leitschicht 32 mit einem Photoabdekker behandelt und anschllessend geaetzt wird, so dass sich wie Fig. 5 zeigt - auf der Oberseite der Isolierplatte 21 ein offenliegendes Leitungsbild ergibt. Alternativ kann das Kupfer auch nur auf die obenbeschriebenen, aktivierten Flaschen aufgebracht werden. Diese in Fig. 5 schemetiech angedeutete Leiterplatte weist einen elektrischen Anschluss-Stuetzpunkt 39 und rechts von der Figur einen gesetzten Schaltungeteil 38 auf.

An dieser Stelle Hesse sich die Schaltung ohne weitere, den Anachluss-Stuetzpunkt 39 betreffende Verfahrensschritte verwenden. Auf ihrer Oberflaeche Hesse sich eine Zuleitung anbringen oder anschweisssn, und der gesetzte Schaltungsteil 38 koennte mit einem anderen elektrischen Bauelement des Systems verbunden werden.

Zur weiteren Uerstaerkung der ffiehrschlcht-Leiterplatte kann je nach den vorherrschenden Umgebungsbedingungen

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auf das Leitungsbild noch eine isolierende Deckplatte 41 aufgepresst werden, wodurch das durch dan soeben eruiaehnten Aetzschritt freigelegte Leitungemuster vollsteindig eingekapselt wird, wie Fig. 6 zeigt. Zur besseren Haftung der zum Einkapseln benutzten Deckplatte 41 koennen die zu verklebenden Flaechen des Leitungsmustere reit einem geeigneten Kleber oder Aufrauhmittel behandelt werden. Bei Kupfer kann zu diesem Zweck Kupferoxyd gebildet werden, wie es in der zuvor ertuaehnten U.S.-Patentschrift beschrieben ist.

Fig. 5, «5 und 7 zeigt links ein Loch 42, das eine Oeffnung fuer einen Anschluss-Stuetzpunkt bildet und benoetigt wird, um Bauelemente, die in die fflehrschicht-Leiterplatte miteinbezogen werden sollen, mit dem Anschluss-Stuetzpunkt zu verbinden.

Fig. 7 veranschaulicht in Wirklichkeit zwei Verfahrensschritte, dia eine vollstaendig fertige und eingekapselte -fflehrschicht-Leiterplatte ergeben. Uiie zu erkennen ist, ist die metallfolie 24 mit einem Photoabdecker behandelt und ein Verbindungazug 43 harausgeaetzt worden, der die beiden nassivsn Durchverbindungen 33 und 34 miteinander verbindet, so dass der Anschluss-Stuetzpunkt 39 mit dem geaetzten Schaltungsteil 3B elektrisch verbunden ist. Auf den Verbindungszug 43 wird eine zur Einkapselung dienende Isolierplatte 44 gepresst, die wie die Isolierplatte 21 aus Kunststoff bestehen kann und in diesem Fall unter Anwendung von Druck und Ulaerme aufgebracht wird. Durch diese Isolierplatte wird der betreffend· Teil der Schaltung vollstaendig eingekapselt. Stehen dagegen geeignete Kleber zur Verfuegung, so kann der Verbindungszug 43 mit einem Kleber bestrichen und anschließend die Isolierplatte 44 aufgepresst werden. Die Verwendung der oberen und unteren zur Einkapselung der Leiterplatte dienenden Isolierplatten 41, 44 kann je nach den Umetaenden zur Anfertigung einer brauchbaren elektrischen Schaltung erforderlich sein oder auch nicht.

B zeigt in dreidimensionaler Darstellung eine Schaltung der Art, wie sie sich nach den bis hier be-

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schriebenen Verfahren anfertigen laesst. Sie zeigt eine Anzahl von elektrischen Anschluss-Stuetzpunkten 51, 52 und 53, die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellt wurden. Die Anschluss-Stuetzpunkte 53 und sind durch die gleichstoffige, massive Durchverbindung 56 miteinander verbunden, die ihrerseits mechanisch und elektrisch mit einem Verbindungszug 58 des Leitungsmusters und von dort ueber eine zweite gleichatoffige, massive Durchverbindung 57 schliesslich mit dem elektrischen Anschluss-Stuetzpunkt 51 verbunden ist.

Fig. 'B dient zur Veranschaulichung einer von verschiedenen Herstellungsmoeglichkeiten, die das erfindungsgemaesse Verfahren bietet. Obwohl bis hier nur die Verbindung von zwei Leitschichten mit Hilfe der aufgebrachten Durchverbindungen beschrieben wurde, lassen sich erfindungegemaess aelbstverstaendlich noch weitere mitverbundene Leitschichten vorsehen. Zu diesem Zweck brauchen in den thermoplastischen Abdeckplatten lediglich Loecher vorgelocht oder vorgesehen zu werden, worauf auf diese Abdeckplatten weiteres elektrisch leitendes material aufgebracht wird und anschliessand Leitungsmuster vorbestimmter Gestalt unter Anwendung von Schablonen angefertigt und diese muster geaatzt werden, um mit fortschreitendem Verfahren eine dritte, vierte oder fuenfte Leitschicht zu bilden. Bei der Anfertigung solcher vielschichtigen Schaltungen beliebiger Dicke und Schichtzahl nuss der Schaltungskonstrukteur darauf achten, dass λ an den Stellen, an denen eine elektrische Durchverbindung zwischen zwei von einer Kunststoffplatte getrennten Leitungsmustern herzustellen ist, lediglich eine Qeffnung vorgesehen werden muss, die mit dem aufgebrachten, elektrisch leitenden material ausgefuellt wird. .,Solange diese Oeffnungen in den aufeinanderfolgenden Schichten uebereinander auftreten, laesst sich eine elektrische Durchverbindung von der unteren Leitschicht zu irgendeinem Zwiechenverbindungszug durch die gesamte Schaltung in der geeuenschten Meise herstellen. Es versteht sich, daas en den Stellen, an denen keine Verbindung zwischen den Leitungezuegen erfolgen soll, durch die bloese Anwesenheit von un-

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gelochtem, Isolierendem Kunststoffmaterial eine solche elektrische Verbindung verhindert mird.

Es wird nunmehr auf Fig. 9 und 10 Bezug genommen, in denen eine Abwandlung des bereits beschriebenen Verfahrens veranschaulicht ist. Diese Figuren dienen zur Erlaeuterung eines weiteren Ausfuehrungsbeispiels der Erfindung, das fuer die fflassenfabrikation von filehrschicht-Leiterplattan gedacht ist, bei denen beispielsweise nur zwei Leitschichten angefertigt werden sollen. Selbstverstaendlich koennen in der Praxis beliebig uiele Schichten nach den beschiiebenen Verfahren hergestellt werden.

Fig. 9 zeigt eine Anordnung der gleichen Art, wie sie Fig. 4 veranschaulicht. Hier ist auf einer aus Kunststoff bestehenden Isolierplatte il eine Leitschicht 62 mit massiven, gleichstoffigen Durchverbindungen zur Metallfolie 66 in der gleichen Weise aufgebracht, wie in Verbindung mit Fig. 2 bis 4 beschrieben wurde. Dies« Schichtplatte wird dann nach der zuvor beschriebenen Photoaetztechnik behandelt, d. h„, auf die Leitschicht 42 wird mit Photoabdecker das Leitungsbild durch eine Schablone aufgetragen, waehrend gleichzeitig auf die gleiche UJeise die metallfolie 66 ein Leitungsmuster erhaelt. Die Schichtplatte wird dann in eine Aetzloeeung gegeben, um die auf beiden Seiten der Isolierplatte auftretenden Leitungszuege gleichzeitig zu aetzen und eo in einem Schritt das herzustellen, was zuvor in zwei Schritten beschrieben wurde.

Fig. 10 zeigt zwei Abdeckplatten 71, 72, die auf den Anschluss-Stuetzpunkt 76, die Isolierplatte 61 und den geaetzten Schaltungsteil 68 gepresst werden, um die RSehrschicht-Leiterplatte in der in Fig. 7 dargestellten UJeise vollstaendig einzukapseln.

Fig. 11 zeigt eine Anordnung, bei der die Isolierplatte

21 aehnlich uiie in Fig. 3 mit der metallfolie 24 verklebt worden ist. Dedoch ist bei diesem Ausfuehrungsbeiepiel -der Erfindung vorgesehen, die Innenweiten der Loechar

22 und 23 nur bei 13 und 74 xu aktivieren·. I* naechsten Schritt kann dann das elektrisch leitende Material aufgebracht werden, daa - wie Fig. 12 zeigt -gleichstoffige,

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massive Saeulen bildet, welche fluchtgerechte Darchverbin» düngen zu weiterenLeitschichten oder elektrische Anschlussse bilden. Der weitere Verfahrensablauf erfolgt dann Nie zuvor beschrieben, um eine Schaltung ohne.Eintiefungen herzustellen.

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Claims (1)

1. Patentanspruch«

   1. Verfahren zur Herstellung einer liehrschicht-Leiterplatte, gekennzeichnet durch die Verfahreneschritte (a) Verkleben einer mindestens ein Loch aufweisenden Isolierplatte mit einer Metallfolie, (b) Beschichten der Isolierplatte mit einer Leitschicht, um die Isolierplatte vollstaendig zu ueberziehen und das Loch auszufuellen und (c) Aetzen eines Leitungsmuster« in die Leitschicht, wodurch das Leitungsmuster mit der metallfolie elektrisch und mechanisch verbunden wird.

   2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweites Leitungsmuster in die Metallfolie

   W geaetzt wird, um eine fflehrschicht-Leiterplatte mit zwei

   durch das Loch in der Isolierung elektrisch und mechanisch miteinander verbundene Schaltungen fertigzustellen.

   3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich· net, dass die Leitungsmuster gleichzeitig in die Leitschicht und die metallfolie geaetzt warden, um eine Rlehrschicht-Leiterplatte fertigzustellen, deren Leitungsmuster durch eine massive, aufgebrachte Durchverbindung miteinander verbunden sind.

   4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierplatte aus hochschmelzendem material besteht, das zwischen zwei niedriger als das hochschmel-

   ψ zende material schmelzenden Isolierschichten angeordnet und fest mit diesen verklebt ist.

   5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die gesamte Flasche der Isolierplatte und des Loches aktiviert uiird, um das Aufbringen eines anschlieseenden Usberzuges zu unterstützen.

   6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nur das Innere des Loches und die durch das Loch freigelegte Flaeche der Rietallfolie aktiviert werden.

   7* Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das geaetzte Leitungsbild mit einer Isolierplatte eingekapselt wird.

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   8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekannzeichnet, dass die geästeten Ladungsbilder der Leitschicht und der metallfolie gleichzeitig eingekapselt werden.

   9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekannzeichnet, dass die Qberflasche der Isolierplatte aktiviert u/ird, um das anschliessendB Aufbringen einer Leitschicht zu unterstuetzdn, dass auf die aktivierte Flasche eine Leitschicht aus elektrisch leitendem Material aufgebracht wird, um das Material elektrisch und mechanisch im Loch zu verbinden, dass in die Leitschicht ein erstes Leitungsmuster geaetzt wird, wodurch dieses Leitungsmuster elektrisch und mechanisch mit der metallfolie verbunden wird, und dass in die Metallfolie ein ziueitea Leitungsmuster geaetzt uiird.

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