DE1539898B1 - Festkoerperbildwandler bzw bildverstaerker - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 8
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- IXGYSIAVLHDIBR-UHFFFAOYSA-L 1,3,2$l^{4},4$l^{2}-dioxaselenaplumbetane 2-oxide Chemical compound O=[Se]1O[Pb]O1 IXGYSIAVLHDIBR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YAAZJVLTOBUVTR-UHFFFAOYSA-N O[Se](O)=O.O[Se](O)=O.O[Se](O)=O.[AsH3].[AsH3] Chemical compound O[Se](O)=O.O[Se](O)=O.O[Se](O)=O.[AsH3].[AsH3] YAAZJVLTOBUVTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
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Description
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Die Erfindung betrifft einen Festkörperbildwand- leitenden Schicht unmittelbar anliegenden dünnen
ler bzw. -bildverstärker mit einer über eine der ein- Schicht aus einem Stoff mit hoher thermischer und
fallenden Strahlung zugewandte transparente Elek- elektrischer Leitfähigkeit besteht und daß an dieser
trodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht mit außerhalb des elektrischen Stromkreises unmittelbar
einer elektrischen Stromquelle verbundenen photo- 5 anliegend eine dünne Schicht aus einem Stoff mit
leitenden dünnen Schicht, in der die Intensitätsver- temperaturabhängiger Fluoreszenz zur Erzeugung des
teilung der einfallenden Strahlung eine entsprechende sichtbaren bzw. verstärkten Bildes vorgesehen ist.
Verteilung der elektrischen Leitfähigkeit, diese eine Dadurch, daß die aus einem Stoff mit temperaturentsprechende
Verteilung der elektrischen Strom- abhängiger Fluoreszenz bestehende Schicht nicht im
dichte und diese wiederum eine entsprechende Tem- ίο Strompfad des bildmäßig verteilten elektrischen
peraturverteilung bewirkt, sowie mit einer in wärme- Stromes liegt, beeinflußt der elektrische Widerstand
leitender Verbindung mit der photoleitenden dünnen dieser Schicht den Gesamtwiderstand des Strom-Schicht
stehenden, weiteren dünnen Schicht, die ein pfades nicht. Die erzielbare Widerstandsänderung im
der Temperaturverteilung der photoleitenden Schicht Strompfad ist dadurch wesentlich höher, was zu
entsprechendes sichtbares bzw. verstärktes Bild er- 15 höheren Temperaturen und größeren Temperaturzeugt,
differenzen des Wärmemusters führt. Außerdem ge-Bei den bekannten Festkörperbildwandlern bzw. stattet die Anordnung der Schicht aus einem Stoff
-bildverstärkern dieser Art muß sowohl die photo- mit temperaturabhängiger Fluoreszenz außerhalb des
leitende Schicht als auch die das sichtbare bzw. ver- Stromkreises die Verwendung einer photoleitenden
stärkte Bild erzeugende Schicht im Stromkreis zwi- ao Schicht mit einem verhältnismäßig geringen Widerschen
den Elektrodenschichten liegen, was zu ver- stand. Obwohl die Wärme auf der einen Seite der
schiedenen Nachteilen führt. So vermindert sich zweiten Elektrodensehicht erzeugt und durch diese
beispielsweise hierdurch die Wirksamkeit des Wand- hindurch in die Schicht mit temperaturabhängiger
lers bzw. Verstärkers, weil die das Bild erzeugende Fluoreszenz transportiert werden muß, erhält man
oder verstärkende Schicht einen verhältnismäßig 25 zumindest dann eine überraschend hohe Schärfe und
großen elektrischen Widerstand aufweist und dadurch eine gute Auflösung des Bildes, wenn man die zweite
die erzielbaren Widerstandsänderungen im Strompfad Elektrodenschicht erfindungsgemäß aus einem Stoff
begrenzt. Diese Verminderung der Empfindlichkeit herstellt, der nicht nur eine hohe elektrische, sondern
kann nicht durch die Verwendung eines Materials auch eine hohe thermische Leitfähigkeit besitzt und
mit höherer Empfindlichkeit für die das Bild erzeu- 30 diese Elektrodenschicht sehr dünn ausführt,
gende oder verstärkende Schicht ausgeglichen werden, Die einfallende Strahlung kann aus sichtbarem
weil der Widerstand dieses Materials mit zunehmen- Licht, infrarotem Licht, ultraviolettem Licht, einem
der Empfindlichkeit ebenfalls ansteigt. Die relativ ge- Mischlicht, Gammastrahlen oder irgendeiner anderen
ringe Empfindlichkeit der bekannten Wandler oder Strahlung bestehen, welche die Leitfähigkeit der
Verstärker ist auch darauf zurückzuführen, daß 35 photoleitenden Schicht beeinflussen kann. Auch die
wegen der für den Betrieb erforderlichen verhältnis- von der Schicht mit temperaturabhängiger Fluoresmäßig
hohen Spannung der Widerstand der photo- zenz erzeugte Strahlung braucht nicht nur sichtbares
leitenden Schicht verhältnismäßig groß sein muß, so Licht zu sein. Es ist auch eine Umwandlung eines
daß die erreichbare Stromstärke des zwischen den Bildes von einer Strahlungsart in eine andere mög-Elektroden
fließenden Stromes nicht sehr groß ist. 40 Hch. So kann beispielsweise ein aus infrarotem oder
Der erforderliche hohe Widerstand der photoleiten- ultraviolettem Licht bestehendes Bild in ein aus
den Schicht führt auch insofern zu Nachteilen, als sichtbarem Licht bestehendes Bild umgewandelt
die für diese Schicht verwendbaren Materialien einen werden. Sofern das empfangene Bild aus unsichtverhältnismäßig
geringen elektrischen Widerstand baren Strahlen besteht, braucht lediglich die photobesitzen,
weshalb die photoleitende Schicht so aus- 45 leitende Schicht aus einem auf diese Strahlung angebildet
werden muß, daß ein relativ langer Strom- sprechenden Stoff hergestellt zu sein. Selbstverständpfad
entsteht, was nicht nur beträchtliche Kosten Hch kann in einem solchen Fall der Bildumwandlung
verursacht, sondern auch eine Schicht mit vermin- auch eine Arbeitsweise mit einem Verstärkungsfaktor,
derter Zuverlässigkeit ergibt. Ferner muß die Elek- der kleiner als eins ist, von Bedeutung sein,
trode derjenigen Seite, auf der das erzeugte oder ver- 50 Bei einer vorteilhaften Ausführungsform ist die
stärkte Bild sichtbar werden soll, transparent sein, zweite Elektrodenschicht undurchsichtig. Hierdurch
was ebenfalls zur Erhöhung des Gesamtwiderstandes ist es möglich, für die Schicht mit temperaturabhänmit
den sich daraus ergebenden Nachteilen führt. giger Fluoreszenz einen Leuchtstoff zu verwenden,
Schließlich ist auch die relativ große Wärmekapazi- dessen durch eine äußere Hilfsstrahlenquelle angetät
der bekannten Wandler oder Verstärker nach- 55 regte Fluoreszenz unter der Einwirkung von Wärme
teilig, da hierdurch der-Wirkungsgrad und die Emp- auslöschbar ist. Das Licht der Hilfsstrahlenquelle
findlichkeit geschmälert/wird. und des Leuchtstoffes kann hierbei die photoleitende
Der Erfindung liegt Hie Aufgabe zugrunde, einen Schicht nicht beeinflussen und damit das Leitfähig-Festkörperbildwandler
bzw. -bildverstärker zu schaf- keitsbild in der photoleitenden Schicht nicht verfen,
der eine größere Empfindlichkeit und einen bes- 60 fälschen. Mit dieser Ausführungsform läßt sich ein
seren Wirkungsgrad erreichen läßt, trotzdem aber sehr hoher Intensitätspegel des erzeugten oder verhinsichtlich
der photoleitenden Schicht zu einem stärkten Bildes erreichen.
geringeren Aufwand und einer höheren Zuverlässig- Die Verwendung eines durch eine äußere Hilfs-
keit führt. Diese Aufgabe ist, ausgehend von einem Strahlenquelle angeregten Leuchtstoffes, dessen
Festkörperbildwandler Szw. -bildverstärker der ein- 65 Fluoreszenz unter der Wirkung von Wärme ausgangs
genannten Art, erfindungsgemäß dadurch ge- löschbar ist, führt dazu, daß das erzeugte oder verlöst,
daß die der einfallenden Strahlung abgewandte stärkte Bild ein Negativ des empfangenen Bildes ist.
zweite Elektrodenschicht aus einer an der photo- Eine positive Wiedergabe erhält man, wenn man
3 4
einen Leuchtstoff verwendet, dessen Fluoreszenz mit Wärmemuster. Wird an Stelle von Gleichstrom
zunehmender Wärme größer wird. In diesem Falle Wechselstrom verwendet, so gilt dieselbe Beziehung,
wird in der Regel eine Anregung durch eine äußere da die Impedanz des Systems praktisch vollständig
Hilfsstrahlenquelle nicht in Frage kommen. durch seinen Wirkwiderstand bedingt ist. Das Wärme-Besonders
gute Ergebnisse werden erzielt, wenn 5 muster, das durch die unterschiedliche Erwärmung
die außerhalb des elektrischen Stromkreises liegende in den einzelnen Bereichen der photoleitenden
Schicht eine Mischung von Zinksulfid, Kadmium- Schicht 12 entsteht, wird durch die dünne, licht-
sulfid, Chlornatrium, Silber, Nickel und einem nicht undurchlässige Elektrodenschicht 13 in die Schicht
fluoreszierenden Bindemittel enthält. Im selben Sinne 14 übertragen. Die Schicht 13 weist eine geringe
wirkt sich die Verwendung einer photoleitenden io Wärmeleitfähigkeit quer zu dieser Transportrichtung
Schicht aus, die Kadmiumsulfid enthält. auf, so daß das Temperaturgefälle des Wärmemusters
Die Auflösung und Bildschärfe wird günstig be- möglichst wenig beeinflußt wird. Das Wärmemuster
einflußt, wenn die Elektrodenschichten aus einem moduliert die Intensität der Fluoreszenz der ange-
Träger mit einem im Vakuum aufgedampften Metall regten Schicht 14 in der Weise, daß die Intensität
bestehen. Besonders vorteilhaft ist hierbei Gold. 15 der ausgesendeten Strahlen 16 um so mehr vermin-
Durch eine solche Ausbildung der Elektrodenschich- dert wird, je höher die Temperatur in dem zugeord-
ten wird auch eine minimale Wärmekapazität er- neten Bereich des Wärmemusters ist. Das aus den
reicht. Strahlen 16 bestehende Bild ist deshalb ein Negativ
Eine vorteilhafte Ausbildung der transparenten, des aus den die Schicht 12 beaufschlagenden Strah-
der einfallenden Strahlung zugekehrten Elektroden- 20 len 17 bestehenden Musters.
schicht ist eine mit Zinnoxyd beschichtete Glas- Es kann jedoch auch ein zu Fluoreszenz anregschicht.
- barer Leuchtstoff verwendet werden, bei dem die Im folgenden ist die Erfindung an Hand eines auf Intensität der ausgesendeten Strahlen mit steigender
Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels im der Temperatur zunimmt. In diesem Falle erhält
einzelnen erläutert. Die einzige Figur zeigt in sehe- 25 man eine positive Wiedergabe des aus den Strahlen
matischer Darstellung eine Ausführungsform des er- 17 bestehenden Musters. Im Ausführungsbeispiel ist
findungsgemäßen Festkörperbildwandlers bzw. -bild- eine mit Zinnoxyd beschichtete Glasscheibe, welche
Verstärkers. zusammen die Elektrodenschicht 11 bilden, mit einer Wie die Figur zeigt, sind folgende Schichten zu etwa 0,25 mm dicken, photoleitenden Schicht 12 aus
einem Stapel übereinandergelegt: 3° Kadmiumsulfid in Epoxydharz überzogen. Dieser
T-I 1 j ι.· L ·*·<
Überzug 12 wiederum ist auf der der Glasscheibe eme transparente Elektrodenschicht 11, abgekehrten Seite mit einer dünnen Schicht aus einer
eine photoleitende dünne Schicht 12, elektrisch leitenden Silberpaste beschichtet. Letztere
eme lichtundurchlassige, dünne zweite Elektro- bUdet die zwdte Hektrodenscfaicht 13. Die Leuchtdenschichtl3,
die aus einem·Stoff mit hoher 35 stoffschicht 14 besteht aus etwa 49o/o zinksulfid,
thermischer und elektrischer Leitfähigkeit be- 49o/o Kadmiumsulfid; 2«/» Chlornatrium, 400 pro
stent, und ^ 000 000 Teü süber und 2 γ 000 000 Tdlen
eine aus zu temperaturabhängige!· Fluoreszenz Nickd in einem nicht fluoresz£reilden Bindemittel.
fÄTJ11 Leuchtstoff bestehende dunne Die so zusammengesetzte Schicht 14 ist auf die freie
4o Sdte der Schicht 13 aufgebracht. Die Leuchtstoff-
Die letztgenannte Schicht 14 kann, was nicht dar- schicht 14 dieses Paketes wird mit ultraviolettem
gestellt ist, auf ihrer Außenseite mit einer transparen- Licht der äußeren Quelle 18 belichtet, das diese
ten Schutzschicht abgedeckt sein. Für eine optimale Schicht zu einer gleichmäßigen Fluoreszenz anregt.
Wirkung ist es erforderlich, die thermische Kapazität Die Intensität des ausgestrahlten Lichtes wird nur
der Schichten 11 bis 14 so klein zu machen, als dies 45 wenig vermindert, wenn man an die beiden Elektro-
mit der optimalen Wirksamkeit jeder einzelnen denschichten 11 und 13 eine Spannung von 160 Volt
Schicht noch verträglich ist. anlegt. Die Verminderung ist durch den geringen
Wenn der Verstärker oder Wandler in Betrieb ist, Strom bedingt, der durch die photoleitende Schicht
sind die Elektroden 11 und 13 an eine Spannungs- 12 fließt, auch wenn diese nicht von den Strahlen 17
quelle 15 angeschlossen. Außerdem ist die Leucht- 50 beaufschlagt wird. Es handelt sich hierbei um den
stoffschicht 14 mittels einer äußeren Quelle 18 akti- sogenannten »Dunkel-Strom«,
nischer Strahlung zur Fluoreszenz angeregt. Werden Bei einem Versuch wurde ein aus weißem Licht
nun elektromagnetische Strahlen 17 durch die trans- mit einer Intensität von 5 einmal bestehendes Bild
parente Elektrode 11 hindurch auf die photoleitende auf die Bildebene der photoleitenden Schicht 12
Schicht 12 geworfen, so vermindert sich der elek- 55 durch die Elektrodenschicht 11 hindurch geworfen,
irische Widerstand der Schicht 12 in denjenigen Be- Die Fluoreszenz der Leuchtstoffschicht 14 wird in
reichen, die von den Strahlen 17 beaufschlagt sind, diesem Falle in denjenigen Bereichen vermindert, die
und zwar proportional der Intensität der Strahlen. den beleuchteten Bereichen der Schicht 12 entspre-
Es fließt daher ein Strom durch die beaufschlagten chen. Die Helligkeit des negativen Fluoreszenzbildes
Bereiche der Schicht 12. Dieser bildmäßig verteilte 60 in der Leuchtstoffschicht 14 war wesentlich größer
Strom erzeugt in jedem Bereich eine Wärmeleistung als die Helligkeit des die Schicht 12 beaufschlagen-
gemäß der Gleichung den Lichtes, so daß eine Bildverstärkung vorhanden
M = T2.R
war·
' Statt der negativen Wiedergabe bei dem vorstehend
worin N die Wärmeleistung, / die Stromstärke und R 65 beschriebenen Ausführungsbeispiel erhält man eine
der Widerstand des Strompfads in der Schicht 12 be- positive Wiedergabe, wenn man eine Leuchtstoffdeuten.
Entsprechend den Leitfähigkeitsunterschie- schicht verwendet, die die Erregungsenergie speichert
den der Schicht 12 entsteht daher in dieser ein und dann in Form sichtbaren Lichtes freigibt, wenn
die Temperatur des als Leuchtstoff beispielsweise verwendeten Phosphors erhöht wird.
Wie schon erwähnt, ist es wichtig, daß die den Verstärker bildenden Schichten 11 bis 14 eine möglichst
geringe Wärmekapazität aufweisen. Eine transparente Elektrodenschicht mit geringer thermischer
Kapazität erhält man beispielsweise dadurch, daß man auf einem transparenten Träger, der eine geringe
thermische Kapazität besitzt, beispielsweise einem dünnen Film aus Polyäthylenterephthalat, eine
dünne transparente Schicht aus einem aufgedampften Metall vorsieht. Die photoleitende Schicht kann aus
einer dünnen Schicht eines photoleitenden Stoffes wie Kadmiumsulfid, Zinksulfid, Selen, Bleisulfid,
Antimonsulfid, Bleiselenit, Arsenselenit u. a. bestehen. Bei geeigneter Wahl des photoleitenden
Stoffes ist der Verstärker oder Wandler auch für andere elektromagnetische Strahlen als sichtbares
Licht, beispielsweise langwellige Gammastrahlen, ultraviolette Strahlen und kurzwellige infrarote sft
Strahlen, verwendbar. Wärmeempfindlicher Leuchtstoff, der sich für die Schicht 14 eignet, ist handelsüblich.
Geeigneter Leuchtstoff kann aber auch durch an sich bekannte Behandlungsverfahren hergestellt
werden. Durch eine entsprechende Wahl des verwendeten Leuchtstoffes kann die Farbe des verstärkten
Bildes, seine Helligkeit und die zur Erzeugung des Bildes notwendige Energie den Erfordernissen angepaßt
werden.
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Claims (7)
1. Festkörperbildwandler bzw. -bildverstärker mit einer über eine der einfallenden Strahlung
zugewandte transparente Elektrodenschicht und eine zweite Elektrodenschicht mit einer elektrischen
Stromquelle verbundenen photoleitenden dünnen Schicht, in der die Intensitätsverteilung
der einfallenden Strahlung eine entsprechende Verteilung der elektrischen Leitfähigkeit, diese
eine entsprechende Verteilung der elektrischen Stromdichte und diese wiederum eine entsprechende
Temperaturverteilung bewirkt, sowie mit einer in wärmeleitender Verbindung mit der
photoleitenden dünnen Schicht stehenden, weiteren dünnen Schicht, die ein der Temperaturverteilung
der photoleitenden Schicht entsprechendes sichtbares bzw. verstärktes Bild erzeugt, dadurch
gekennzeichnet, daß die der einfallenden
Strahlung abgewandte zweite Elektrodenschicht aus einer an der photoleitenden Schicht (12) unmittelbar anliegenden dünnen
Schicht (13) aus einem Stoff mit hoher thermischer und elektrischer Leitfähigkeit besteht und
daß an dieser außerhalb des elektrischen Stromkreises unmittelbar anliegend eine dünne Schicht
(14) aus einem Stoff mit temperaturabhängiger Fluoreszenz zur Erzeugung des sichtbaren bzw.
verstärkten Bildes vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenschicht
(13) undurchsichtig ist und daß die außerhalb des elektrischen Stromkreises liegende, von
einer äußeren Hilfsstrahlenquelle (18) angeregte Schicht (14) einen Leuchtstoff enthält, dessen
Fluoreszenz unter der Einwirkung von Wärme auslöschbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die außerhalb des elektrischen
Stromkreises liegende Schicht (14) eine Mischung von Zinksulfid, Kadmiumsulfid, Chlornatrium,
Silber, Nickel und einem nicht fluoreszierenden Bindemittel enthält.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht (12) Kadmiumsulfid enthält.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschichten
(11,13) aus einem Träger mit einem im Vakuum aufgedampften Metall bestehen.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Gold aufgedampft ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente
Elektrodenschicht (11) eine mit Zinnoxyd beschichtete Glasschicht aufweist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44269665A | 1965-03-25 | 1965-03-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1539898B1 true DE1539898B1 (de) | 1971-07-01 |
Family
ID=23757779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661539898 Pending DE1539898B1 (de) | 1965-03-25 | 1966-03-23 | Festkoerperbildwandler bzw bildverstaerker |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3453436A (de) |
DE (1) | DE1539898B1 (de) |
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GB675042A (en) * | 1949-02-11 | 1952-07-02 | Eastman Kodak Co | Thermal radiography |
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FR1364972A (fr) * | 1963-07-30 | 1964-06-26 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositif électroluminescent pour détecteur de rayonnement à observation visuelle |
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BE550888A (de) * |
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1965
- 1965-03-25 US US442696A patent/US3453436A/en not_active Expired - Lifetime
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1966
- 1966-03-23 DE DE19661539898 patent/DE1539898B1/de active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3453436A (en) | 1969-07-01 |
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