DE1539867B2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE1539867B2
DE1539867B2 DE1539867A DE1539867A DE1539867B2 DE 1539867 B2 DE1539867 B2 DE 1539867B2 DE 1539867 A DE1539867 A DE 1539867A DE 1539867 A DE1539867 A DE 1539867A DE 1539867 B2 DE1539867 B2 DE 1539867B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diodes
operated
zener diode
zones
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1539867A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1539867A1 (de
Inventor
Dipl.-Phys. Dr. 7800 Freiburg Weinerth Hans
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE19661539867 priority Critical patent/DE1539867C3/de
Priority claimed from DE19661539867 external-priority patent/DE1539867C3/de
Priority to GB40946/67A priority patent/GB1176088A/en
Priority to FR1549324D priority patent/FR1549324A/fr
Publication of DE1539867A1 publication Critical patent/DE1539867A1/de
Publication of DE1539867B2 publication Critical patent/DE1539867B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1539867C3 publication Critical patent/DE1539867C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/201Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
    • H10D84/204Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
DE19661539867 1951-01-28 1966-09-13 Temperaturkompensierte Z-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired DE1539867C3 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19661539867 DE1539867C3 (de) 1966-09-13 1966-09-13 Temperaturkompensierte Z-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB40946/67A GB1176088A (en) 1951-01-28 1967-09-07 Temperature Compensated Zener Diode.
FR1549324D FR1549324A (enrdf_load_stackoverflow) 1951-01-28 1967-09-13

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19661539867 DE1539867C3 (de) 1966-09-13 1966-09-13 Temperaturkompensierte Z-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DED0051079 1966-09-13
DED0051079 1966-09-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1539867A1 DE1539867A1 (de) 1970-05-21
DE1539867B2 true DE1539867B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1974-05-09
DE1539867C3 DE1539867C3 (de) 1976-09-30

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19601277A1 (de) * 1996-01-16 1997-07-24 Telefunken Microelectron Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz von integrierten Schaltkreisen vor Fremdladungen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19601277A1 (de) * 1996-01-16 1997-07-24 Telefunken Microelectron Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz von integrierten Schaltkreisen vor Fremdladungen
DE19601277C2 (de) * 1996-01-16 2000-05-11 Temic Semiconductor Gmbh Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz von integrierten Schaltkreisen vor Fremdladungen beider Polaritäten

Also Published As

Publication number Publication date
GB1176088A (en) 1970-01-01
FR1549324A (enrdf_load_stackoverflow) 1968-12-13
DE1539867A1 (de) 1970-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2143029C3 (de) Integrierte Halbleiterschutzanordnung für zwei komplementäre Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE2121086C3 (de) Vierschicht-Halbleiterbauelement mit integrierter Gleichrichterdiode
DE1764274C3 (de) Monolithisch integrierte Halbleiterstruktur zur Zuleitung von Versorgungsspannungen für nachträglich zu integrierende Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2354489A1 (de) Schottky-sperrschichtdioden
DE1090331B (de) Strombegrenzende Halbleiteranordnung, insbesondere Diode, mit einem Halbleiterkoerper mit einer Folge von wenigstens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps
DE1437435B2 (de) Hochfrequenzverstärker mit Feldeffekttransistor
EP0000863B1 (de) Temperaturkompensierter integrierter Halbleiterwiderstand
DE2756268A1 (de) Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode
DE1212221B (de) Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und zwei sperrfreien Basiselektroden
DE1489193C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1639177C3 (de) Monolithisch integrierte Gleichrichterschaltung
DE2507038C3 (de) Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2263075A1 (de) Monolithische integrierte halbleiteranordnung
DE1539867C3 (de) Temperaturkompensierte Z-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2215850A1 (de) Schutzdiodenanordnung fuer gitterisolierte feldeffekttransistoren
DE1539867B2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE1816683B2 (de) Mechanisch elektrischer wandler
DE2527076A1 (de) Integriertes schaltungsbauteil
DE2657511A1 (de) Monolithisch integrierbare speicherzelle
DE1514228B2 (de) Feldeffekttransistor
DE2042313C3 (de) Halbleiterbauelement
DE2456635C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit negativem Widerstand
DE1274245B (de) Halbleiter-Gleichrichterdiode fuer Starkstrom
DE19734985B4 (de) Transistorbauelement
DE1185292B (de) Doppelhalbleiterbauelement mit einem Esaki-UEbergang und einem parallel geschalteten weiteren UEbergang

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)