DE1537177A1 - Analog-Digital-Wandler - Google Patents

Description

Dipl.-Ing.Heinz Glaessen

Patentanwalt

7 Stuttgart-1, Postfach 3141

ISE/Reg. 3746
K.W.Cattermole-27

INTEMATIOHAL STAHDARD ELECTRIC CORPORATION, New York "Analog-Digital-Wandler"

Die Priorität der Anmeldung Nr.46 295/66 in Großbritannien vom 17.Oktober 1966 wird in Anspruch, genommen.

Die vorliegende Erfindung betrifft Analog-Digital-TJmwerter, wie z.B. Coder, die in Pulscodemodulations-Systemen der Fernmeldetechnik verwendet werden und die Halbleiterbauelemente mit einem Halbleitermaterial enthalten, das bei höheren elektrischen Feldstärken Effekte von beweglichen Instabilitätsbereichen aufweist.

Wird ein Kristall bestimmter Halbleitermaterialien einem konstanten elektrischen Feld oberhalb eines kritischen Wertes ausgesetzt, dann enthält der durch den Kristall fließende Gesamtstrom eine Schwingungskomponente, deren Frequenz durch den Durchlauf der Raumladungsverteilung zwischen den Kontaktflächen des Kristalls gegeben ist. Die Erscheinung tritt bei normalen Temperaturen auf, erfordert nicht die Verwendung eines magnetischen Feldes und scheint nicht eine besondere Dotierung oder Geometrie der Probe zu erfordern. Die Erscheinung wurde zuerst von J.B.Gunn (Solid State Communications, Bd.I, Seite 88, 1963) beschrieben und ist deshalb als Gunn-Effekt bekannt. Der Gunn-Effekt rührt vom Aufheizen der sich normalerweise in einem unteren Band mit niedrigerer effektiver Masse und hoher Beweglichkeit (K=O) befindlichen Elektronen durch das elektrische Feld infolge des Übergangs in ein unteres Band mit höherer effektiver Masse und geringerer Beweglichkeit (K=100) her. Dieser Vorgang äußert sich

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durch, einen Bereich negativer differentieller Leitfähigkeit in der Abhängigkeit der Elektronendriftgeschwindigkeit (oder des Stromes) vom angelegten Feld, Bei einer Vorspannung innerhalb des Bereiches negativer Leitfähigkeit bewegt sich ein Bereich hoher Feldstärke, "Domäne" genannt, während einer Periode der Stromschwingung von Kathode zur Anode. Die Schwingungsfrequenz wird in erster Linie durch die Länge des Strompfades durch den Kristall bestimmt. Die Erscheinung wurde in IIl/V-Halbleitern, wie Galliumarsenid und Indium-Phosphid, vom n-Leitfähigkeitstyp entdeckt.

Die hier verwendete Bezeichnung "Halbleitermaterial, das bei höheren Feldstärken Instabilitätseffekte aufweist" kennzeichnet zumindest alle die Materialien, die den im vorigen Abschnitt erklärten Gunn-Effekt oder ähnliche funktionell damit zusammenhängende Erscheinungen aufweist, die auf einem etwas unterschiedlichen inneren Vorgang beruhen können.

Der v/ert der angelegten Feldstärke, unterhalb der ein spontanes Selbstschwingen nicht auftritt, kann als Gunn-ächwellwert bezeichnet werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Analog-Digital-Wandler mit einem Halbleiterkörper, in welchem oberhalb einer Schwellstärke bewegliche Instabilitätsbereichejl des Gunn-Effektes ausgelöst werden können, und der zwei Kontakte aufweist, an die eine Vorspannung unterhalb einer die Schwellfeldstärke ergebenden Schwellspannung angelegt wird, die durch ein Eingangssignal zumindest örtlich im Halbleiterkörper die Schwellfeldstärke überschreiten läßt, und bei dem der mittlere Querschnittsflächenwiderstand von dem einen zum anderen Kontakt zunimmt, so daß' die Laufstrecke der Instabilitätsbereiche von der Größe des Eingangssignales abhängt und bei dem durch den Instabilitätsbereich an wählbaren Stellen Impulse erzeugt werden, zu schaffen, der sehr schnell arbeitet. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß von den während eines Durchlaufes des Instabilitätsbereiches erzeugten Impulsen für einen n-stelligen Code die letzten η Impulse ausgewertet werden und daß die wählbaren Stellen zur Im-

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pulserzeugung entsprechend einem Code bestimmt werden, bei dem die n-1 ersten Stellen eines Oodewertes den n-1 letzten Stellen des Torhergehenden Codes entsprechen.

Das verwendete Bauelement kann bei unterschiedlichen Frequenzen, wie b/reitbandig frequenzmodulierten Signalen, betrieben werden, da seine Wirkungsweise unabhängig von der Impulswiederholungsfrequenz ist, soweit diese unter der Eigenschwingungsfrequenz des Gunn-Effektes liegt. Die obere Frequenzgrenze bei derartigen Bau-

elementen liegt in der Größenordnung von 10 Hz.

Die Erfindung wird nun an Hand der in den beiliegenden Zeichnungen ^ilSrgeffTelXten Ausführungsbeispiele nach einer Erläuterung bereits vorgeschlagener Bauelemente näher erläutert. Es zeigen

Fig.1 eine Strom (I)-Feidstärke (E) -Kennlinie für den grundlegenden Elektronen-Übergangsmechanismus eines bereits vorgeschlagenen Halbleiterbauelementes,

Pig.2 bis 5 typische, durch ein derartiges Halbleiterbauelement erzeugte Wellenformen,

Fig.6 schematisch einen Pestkörper-Analog-Digitalwandler, der durch änderung der Leitfähigkeit der leitenden Querschnittsfläche des Körpers erzeugt wird,

Fig.7 einen Festkörper-Analog-Digitalwandler, der durch Diffusion von Dotierungen in bestimmte Flächen des Halbleiterkörpers zur Umwandlung seiner Leitfähigkeit hergestellt wurde,

Fig.8 einen abgewandelten Festkörper-Analog-Digitalwandler, bei dem die Spannung der "Domäne" durch eine oder mehrere Elektroden entlang der Anordnung abgetastet wird,

Fig.9 schematisch die Abwandlung eines Elementes nach Fig.6 für die Verwendung in einem Analog-Digitalwandler nach der Erfindung,

Fig.10 eine verbesserte Ausführung der Anordnung nach Fig.9 und

Fig.11 ein ?1οckdiagramm eines Analog-Digitalwandlers, der das in Fig.9 bzw.10 dargestellte Element verwendet.

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Wird an einen Halbleiterkristall, der den in vorstehenden Ab schnitten beschriebenen Gunn-Effekt aufweist, eine einseitig gerichtete Feldstärke E angelegt, die am Kristall mit einem Normalwert Ε_Λ eine Potentialdifferenz von einstellbarem Wert ergibt,und

ο t

wird der Wert der angelegten Feldstärke, der oberhalb einer unteren Schwellfeldstärke E^ des Materials liegt, zumindest Örtlich innerhalb des Körpers für eine Zeit, die kürzer als die Instabilitätsübergangszeit zwischen den auseinanderliegenden Kontakten (an die die einseitig gerichtete Feldstärke E angelegt wird) ist, über den Haltewert Em gebracht-, dann weicht der vermöge der einseitig gerichteten Feldstärke durch den Kristall fliessende Strom von seinem stationären Nennwert ab, wodurch das Material auf Grund der Bildung eines Bereiches großer Feldinstabilitäten in den instabilen Zustand gebracht wird. Diesen" grundlegenden Elektronenübergangsmechanismus veranschaulicht die Kurve gemäß Fig.1.

Im Falle von Galliumarsenid liegt dieser untere Sohwellwert bei etwa 5Ο96 des Schwellwertes für ununterbrochene Gunn-Effekt-Schwingungen. Das stationäre Feld kann ununterbrochen oder zur Verminderung der Gesamtverlustleistung impulsförmig dem Bauelement zugeführt werden.

Liegt I₀ gerade oberhalb I_min» wie in der Kurve gemäß Fig.1 gezeigt ist, dann wird die "Domäne" sich auflösen, sobald sie in einen Bereich mit niedererem spezifischem Widerstand eintritt und E₀ unter ^Emin ^abfällt· D^ies wird durch die Wellenform gemäß Fig.2 veranschaulicht.

Ist jedoch I₀ derartig bemessen, daß sich die Domäne durch ver schiedene Tröge der Feldstärke fortpflanzt, bevor ein Wert unterhalb E_min erreicht wird, dann erscheinen mehrere kleinere Impulse, die in Fig.3 dargestellt sind, da die Domäne während ihres Fortschrei tens entlang dem Kristall einem wachsenden Widerstandepfad ausgesetzt ist. Es besteht natürlich ein Ilinimalwert, auf den die Größe der kleineren Impulse abfallen würde, was von den Eigenschaften des verwendeten Halbleitermaterials abhängt. Für etwas höhere Werte von I₀ würde sich eine Wellenform nach Fig.4 ergeben.

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- Hat sich der Ursprungaatromimpuls, der dem ersten Unstabilitätsbereich höherer Feldstärke zugeordnet iat, über die gesamte Länge dea Kristalls fortgepflanzt, und wird das an das Bauelement angelegte Potential oberhalb dea Schwellwertes gehalten, dann wird daa Halbleitermaterial augenblicklich in aeinen nicht stabilen Zustand zurückkehren, bevor die Folge wiederholt wird (Fig.5)· Wenn die an den Kristall angelegte Potentialdifferenz oberhalb des Schwellwertea gehalten wird, ergibt sich ein kontinuierlicher Prozess der eine ununterbrochene Folge von Ausgangaimpulsen liefert.'

Iat der Wideratand des Halbleiterkristalls nach unten abgestuft, dann würde sich die Domäne bzw. der Unstabilitätsbereich hoher Feldstärke über eine Entfernung fortpflanzen, die durch die angelegte Vorspannung und durch den Punkt gegeben iat, an dem die Feldstärke unterhalb E._ fällt. Bei Anwendung dieser Technik ist ea möglich Festkörper-Goder zu erzeugen, die beispielsweise für die Verwendung als Analog-Digital-Wandler angepast werden können.

Die. Fig.6 zeigt im Prinzip einen Festkörper-Analog-Digitalwandler, der aus einem keilförmigen Halbleiterkristall 1 mit den erforderlichen elektrischen Eigenschaften, beispielsweise aus n-leitendem Galliumarsenid besteht und an seinen Endflächen befestigte ohmsohe Flächenkontakte 2 und 3 aufweist.

In eine Längsfläche dee Kristalls werden Abschnitte von variierender spezifischer Leitfähigkeit längs des Kristalls 1 durch Ätzen oder unter Verwendung von Pressluft durch Abtragen hergestellt.·

In der Praxis kann der Kristall 1 auf einer halbisolierenden Unterlage, beispielsweise aus Galliumarsenid, durch epitaktisches Wachstum gebildet werden. Es kann auch ein einheitlicher Körper aus Halbleitermaterial verwendet werden. Die Kontaktflachen 2 und 3> beispielsweise aus Zinn, werden an den Endflächen dea Kristalls, beispielsweise durch Aufdampfen im Vakuum, hergestellt. Danaoii wird das Element einer Wärmebehandlung in einer ein Flussmittel ent haltenden reduzierenden Atmosphäre ausgesetzt, um die Metall-Halb- *leiter-Verbindung zu legieren und den ohmachen Übergang herzustellen.

Um über die Flächenkontakte 2 und 3 eine Potentialdifferenz von einatell-barem Wert anzulegen, wird, eine in einer Richtung wirksame . .·

■ BAD ORlQlNAl. -6-

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Stromquelle verwendet. Ein in der Zeichnung nicht dargeatellttr j Ausgangekreis wird zur Entnahme etwaiger Sohwingungsanteile dft« im Kristall 1 fliessenden Stromes verwendet«

Die als Gunn-Effekt bekannte Erscheinung äussert sich durch das Auftreten einer Schwingüngskomponenten des durch den Kristall 1 fliessenden Stromes im Ausgangskreis, sobald die Potentialdifferenz am Kristall 1 einen kritischen Wert übersteigt. Beim Bauelement gemäß Pig.6 wird durch das über die Flächenkontakte 2 und 3 angelegte Potential das Material in den instabilen Zustand gebracht. Es wird derartig bemessen, daß ein beweglicher Instabilitätsbereich an der ersten der Gruben 4 entsteht, sobald das dem angelegten Potential entsprechende elektrische PeId dort auftrifft, und das Material wieder in seinen stabilen Zustand zurückfällt. Der durch diesen Bereich fliessende Strom erfährt einen einzelnen Ausschlag über seinen Stationärwert auf Grund der Bildung dieses Bereiches hoher Feldinstabilitäten; d.fcu der Sciiwellwert wird überschritten. Dieses hohe PeId, welches sich im Ausgangskreis als Stromimpuls bemerkbar macht, pflanzt sieh dann entlang dem Kristall 1 fort_s wobei die Fortpflanzentfernung durch die angelegte Vorspannung und den Punkt, an dem das PeId unter E . abfällt» gegeben ist» Während der Ausbreitung beeinflußt die hohe Feldstärke Strom beim Auftreffen auf die übrigen Gruben 4 wiederum den Strom, der einzelne Ausschläge über den Stationärwert an jeder einzelnen der übrigen Gruben 4· Auf Grund der Änderung in der Querschnittsfläßhe des Bauelementes ist die Höhe der Impulse dieser Reihen kleiner als die der Impulse des ersten Bereiches hoher Feldinstabilitätρ da das elektrische Feld dem anwachsenden Widerstand unterworfen ist. Natürlich gibt es einen Minimalwert, auf den die Höhe dieser Impulse abfällt, was vom Material abhängt, wi@ bereite erwähnt· * ■ f

Die Fig«7 zeigt im Prinzip einen Festkö'rper-G©d©r_s der ©ine Ab-* Wandlung der Anordnung gemäß Fig«6 darstellt* Dieses Bauelement , ist wie das des Fig,6 ausgebildet mit der Ausnahme, daß der Kristall 1 aus einer Scheibe mit planparallelen Oberflächenseiten besteht^ und die leitfähigkeit des Materials durch Dotieren des Kristalls \ mit geeigneten Dotierungamiiteln zur Herstellung von Zonen sich -

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Ändernden spezifischen Widerstandes abgestuft let. Die Zonen 7 *,. «eisen den gleichen fcpesifisohen Widerstand auf. Bei den Zonen 8 * ' »ie 14 let aber eine stufenweise Zunahme des spe«iflachen Widerstandet der aufeinanderfolgenden Zonen vorgesehen,, wodurch die •ei der Oodierungseinheit gemäß Fig.6 erhaltenen Bedingungen nachgebildet *fiad.

. Bit Wirkungsweise dieser Bauelemente ist genau die gleiche wie Aie der Oodierungseinheit gemäß Fig.6.

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Ht Fig«8 seigt Ib Prinsip einen Pestkörper-Analog-Digitalwandler, ' bei dta die "Domäne·· bew. der Bereich hoher Feldinetabilitat durch j eine cder mehrere Elektroden entlang des Bauelementes abgetastet Wird· Die Bemessung dieses Bauelementes ist genau die gleiche wie bei der Einheit gea&B Flg.6, mit der Ausnahme, daß die Gruben 4 fehlem und der Ausgangskreis abgewandelt ist. Auf einer Oberflächen-■eito de· Halbleiterkriatalla 1 sind eine weitere Seihe von Flä- «]i.eikontakten 15 angeordnet, die gegen diesen durch eine dünne ! Sehicht τοη Ieoliermaterial 22, s.B. Silikat, elektrisch isoliert sind. Di· fielfaoh-Elektroden befinden sich somit in der Hähe des

hoher Feldstärke im Bauelement und da die I hohe leldetttrke,* die »loh, wie oben festgestellt, in Form eines •oharfen Stromlmpulses im Ausgangskreis äußert, sich entlang dem Bauelement ausbreitet, wird sie an jedem der Flächenkontakte 15 nacheinander abgetastet und mit dem Ausgang über die Schicht 22 kmpaiitiT gekoppelt und erseugt eine Serie von Auegangsimpulsen. Wiederum ist die Ausbreitungsentfernung des Instabilitätsbereiches sit hohen Feldstärken durch die angelegte Vorspannung und den Bmnkt bestimmt, an. dem das Feld unter Eg_1n abfällt. Derartige denente* sind bereits vorgesehlagen.

Aus dem Obigen läßt sich entnehmen, daß dann, wenn ein unter-.,.,..., I sehiedliohes analoges Eingangssignal an die Festkurperanordnungen, die in den Fig.6,7,8 dargestellt sind, angelegt wird, ein unterschiedliches digitales Ausgangsimpulsmuster erhalten wird, d.h. eiae Reihe τοη gleichförmigen Impulsen, die gesählt werden können, tut ein digitales Haß des Eingangssignales darzustellen.

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In Fig.9 ist ein Festkörper-Analog-Digital-Umwerter schematisch dargestellt, der eine Abwandlung der Anordnung nach Fig.6 ist. In dieser Anordnung sind die Streifen oder Grube 4- in der Form einer Codekette angeordnet, wobei für jeden Codewert 1 eine Grube 4 vorhanden ist, die für jeden Codewert 0 fehlt. Da die Entfernung, die der Bereich hoher Feldinstabilität in der Anordnung durchläuft, direkt von dem variablen analogen Eingangssignal abhängig ist, gegeben die. letzten Ziffern vor dem Auslöschen des Instabilitätsbereiches hoher Feldstärke eine codierte Information . der Größe des variablen analogen Eingangssignales.

Da es notwendig ist, daß der 'Instabilitätsbereich hoher Feldstärke sich selbst an einem Punkt, der einem Zeichen 0 entspricht, auslöscht, ist es notwendig, für jedes dieser Zeichen eine weitere Grube vorzusehen, um dadurch sicherzustellen, daß bei einem gegebenen Analogeingangssignal der sich ausbreitende Instabilitätsbereich hoher Feldstärke eine gegebene Entfernung durchläuft, bevor er an einer Grube ausgelöscht wird und ein bestimmtes digitales Ausgangssignal für dieses analoge Eingangssignal abgibt. TTm diese Arbeitsweise zu ermöglichen, ist es notwendig, daß man tiefe Gruben 19 und flache Gruben 20 für die Zeichen 1 und 0 vorsieht, wie dies in Fig.10 dargestellt ist. Möglicherweise müßten für die Zeichen 0 größere Neigungen vorgesehen werden als für die Zeichen 1· Das Ausgangssignal besteht dann aus großen und kleinen Impulsen für die Zeichen 1 bzw. 0, so daß eine Regeneration notwendig wird.

Ein Kettencode ist in folgenden Weg aufgebaut.Jeder der H Pegel ist als eine Folge von η Ziffern definiert, wobei 2ⁿ H ist.Die ersteh n-1 Ziffern jedes Pegels sind die gleichen wie die letzten n-1 Ziffern des vorhergehenden Pegels. Ein sehr einfaches Beispiel für einen zweiziffrigen Kettencode ist nachfolgend angegeben.

Pegel	Ziffern
1	OO
2	01
3	11
	009811/11P55

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Man erhält ao die periodische Folge 001100110011. Dieser Code kann, wie in dem obengenannten Beispiel so gewählt werden, daß der erste Pegel wiederholt werden kann, ohne daß die Regel unterbrochen wird, daß die ersten n-1 Ziffern eines Pegels gleich den letzten n-1 Ziffern des vorhergehenden Pegels sind. Wenn so eine Folge, die aus einer beliebigen Spalte der Tabelle besteht, periodisch wiederholt wird, kann eine beliebige Gruppe von U + n-1 Elementen daraus gewählt werden'und als Basis für den Code genommen werden..

Die U Untergruppen von η benachbarten Elementen sind alle unterschiedlich und entsprechen den Zeichen des Codes. In dem obengenannten Beispiel können die fünf Codeelemente z.B. 00110 sein und die benachbarten Paare von Elementen sind dann die Zeichen, die in der obengenannten Tabelle aufgeführt sind.

Nachfolgend sind noch Folgen für verschiedene nicht redundante" Code tabellenmäßig aufgeführt.

Zahl der Zahl der Grundfolge

Ziffern (n) Pegel (If) :. [ :

2	4	0011 (0)
	8	00011101 (00)
4	16	000101001111011 (000)
5	32	00000100101011010001100111110111 (0000)

Wenn in dieser obigen Tabelle die Grundfolge mit H Elementen gefolgt wird von n-1 Elementen ( in Klammern), die vom Anfang wiederholt werden, so ergibt dieses Ganze direkt eine günstige Anordnung für die Gruben 4 des Analog-Digital-Wandlers, der in den Fig.9 und 1Q dargestellt ist. Es sei noch darauf hingewiesen,daß diese Folge an einem beliebigen Punkt begonnen werden kann, komplementiert oder umgekehrt werden kann, wenn sich daraus ein Vorteil für den Aufbau ergibt. Es können auch Fplgen für nicht redundante Code verwendet werden.

'Der Pestkörper-Analog-Digital-Wandler, der in der Fig.8 dargestellt ist, kann auch so eingerichtet werden, daß er entsprechend dem Kettencode arbeitet. Dies kann dadurch durchgeführt werden, daß man.

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BAD .ORIGINAL

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einen Kontaktbereich 15 für jedes Zeichen 1 im Oode hat, &#$ bei dem Code 0 nicht vorhanden ist. Wenn zwei leihen von KOJlK-' taktiereichen 15 auf dem Halbleiterkristall 1 vorgesehen sind, und jede von ihnen nach einem unterschiedlichen Codemuster aufgebaut ist, dann kann von einer einzigen Einheit ein weiterer Bereich von Kettencoden erhalten werden.

Das Bloekdiagramm eines praktischen Analog-Digital-Umwandler- , Systems, das die in den Fig.7» 8, 9 und 10 dargestellten Analog-Digital: -Wandler verwendet, ist in der Fig.11 dargestellt. Das digitale Ausgangssignal von dem Analog-Digital-Wandler 16 ist an eine Versögerungseinrichtung 17 angelegt, die die letzten η Ziffern des digitalen Aus gangs signal es speichern kann«, Das Ausgangssignal von der Verzögerungseinrichtung 17 wird an eine Torschaltung 18 angelegt, die durch den Analog-Digital-Wandler betätigt wird, wenn die Instabilitätsbereiche hoher Feldstärke ausgelöscht sind, so daß die letzten η Ziffern des digitalen Signales vor dem Auslöschen zu den Ausgangskreisen durchgelassen werden. Die digitalen Ausgangssignale, die durch die Verzögerungseinrichtung 17 vor dem Auslöschen des Instabilitätsbereiches hoher Feldstärke durchgelassen sind, werden in dem Eingangskreis der Torschaltung 18 vernichtet« Die praktischen Probleme, diebei der Behandlung der sehr kurzen Dauer der Ausgangsimpulse bei z.B. Pulscodemodulationssystemen der Fernmeldetechnik auftreten, können dadurch umgangen werden, daß das Aus gangs signal nach Art eines Stroboskops festgestellt wird. Dies würde bedeuten, daß jeder Analogsignalabtastwert mehrere Kaie hintereinander codiert wird« Dieses ist ohne weiteres möglich, bedingt durch die hohe Geschwindigkeit, mit der dieser Vorgang abläuft.

5 Patentansprüche

3 Bl.Zeichng. mit 11 Fig,

-11-.· : 009811/1155 _ßAD ^^ '

Claims (1)

1. Patentansprüche

   • *

   Analog-Digital-Wandler mit einem Halbleiterkörper, in welchem oberhalb einer Schwellstärke bewegliche Instabilitätsbereiohe des Gunn-Effektee ausgelöst werden können, und der zwei Eontakte aufweiet, an die eine Vorspannung unterhalb einer die Sohwellfeidstärke ergebenden Schwellspannung angelegt wird, die durch ein Eingangssignal zumindest örtlich im Halbleiterkörper die Schwellfeldstärke überschreiten läßt, und bei dem der mittlere Querschnittsflächenwiderstand von dem einen zum anderen Kontakt zunimmt, so daß die Laufstrecke der Instabilitätebereiche von der Grosse des Eingangssignals abhängt und bei dem durch den Instabilitätsbereich an wählbaren Stellen Impulse erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß von den während eines Durchlaufes des Instabilitätsbereiches erzeugten Impulsen- für einen n-stelligen Code die letzten η Impulse aus» gewertet werden und daß die wählbaren Stellen zur Impulserzeugung entsprechend einem Code bestimmt werden, bei den die n-1 ersten Stellen eines Codewertes den n-1 letzten Stellen des vorhergehenden Codes entsprechen.

   :. i

   Analog-Digital-Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, [ daß der umzuwandelnde Analogabtastwert das Eingangssignal ist.

   Analog-Digital-Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an den wählbaren Stellen durch unterschiedliche Vertiefungen der Oberfläche Impulse des einen oder anderen Wertes ( 1 oder 0) erzeugt werden»

   Analog-Digital-Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an den wählbaren Stellen von der Oberfläche isolierte Kontaktbereiche angebracht werden an denen Impulse des einen oder anderen Wertes abgenommen werden.

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   Analog-Digital-Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsimpulse des Halbleiterkörpers (16) über eine Verzögerungseinrichtung (17) mit der .Verzögerung entsprechend der Dauer von η Ausgangsimpulsen an eine Torschaltung (18) angelegt werden, die dann durchschaltet, wenn der Halbleiterkörper den letzten Ausgangsimpuls abgegeben hat.

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