DE2916770A1 - Abbildungsvorrichtung und -system - Google Patents

Abbildungsvorrichtung und -system

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DE2916770A1
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Charles Thomas Elliott
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UK Secretary of State for Defence
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UK Secretary of State for Defence
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Description

The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland, Whitehall, London SWl, Großbritannien
Äbbildungsvorrichtung und -system
Die Erfindung betrifft eine Abbildungsvorrichtung und ein Abbildungssystem sowie insbesondere einen Streifendetektor und ein System mit einem Streifendetektor.
Ein herkömmlicher Streifendetektor (vgl. z. B. GB-PS 1 488 258) hat einen Streifen aus photoleitendem Material (z. B. Cadmium-Quecksilber-Tellurid) mit zwei Stroinelektroden, von denen eine an jedem Ende des Streifens vorgesehen ist, um einen Vorstrom einzuspeisen. Zwischen diesen Elektroden und nahe bei der zweiten Elektrode liegt eine Leseelektrode, die eine lokalisierte Abtast- oder Probenfläche festlegt. Während des Betriebs wird eine -infrarote Szene auf den Streifen mittels einer System-Optik fokussiert, und ambipolare Ladungsträger (das sind Elektronen- und Löcher-Paare in ladungsneutraler Kombination) werden entlang der aktiven Länge des Streifens zwischen den beiden Stromelek-
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troden photoinduziert. Die photoinduzierten ambipolaren Ladungsträger haben ein Dichteprofil entsprechend der Stärke des fokussierten Bildes. Bei anliegendem Vorstrom driften die ambipolaren Ladungsträger zur Abtastfläche, wo mittels einer mit der Leseelektrode verbundenen Hilfs- oder Zusatz-Leseschaltung ein elektrisches Signal als Maß der lokalen ambipolaren Ladungsträgerdichte*erzeugt wird, wobei dieses Signal elektrisch das Bild darstellt.
Eine kontinuierliche Integrations-Betriebsart eines derartigen Streifendetektors wurde bereits erläutert (vgl. GB-PS 1 488 258), bei dem das Bild entlang des Detektors mit einer Geschwindigkeit abgetastet wird, die an die mittlere Wanderungs- oder Driftgeschwindigkeit der ambipolaren Ladungsträger angepaßt ist. Auf diese Weise wird die ambipolare Ladungsträgerdichte kontinuierlich integriert, wenn der Streifen abgetastet wird.
Alternativ wird bei einer gepulsten Betriebsart eines Streifendetektors (vgl. GB-Patentanmeldung 45..995/77) ein stationäres Bild auf den Detektor fokussiert, und es wird erlaubt, daß sich eine Steh-Verteilung der ambipolaren Ladungsträger ansammeln kann. Nach einer Ansammlungsperiode, die
nicht länger als die mittlere Minoritätsladungsträger-Lebensdauer ist, wird ein gepulster Vorstrom angelegt, um die Ladungsträger zum Lesebereich zu schwemmen.
Die Lesebereich-Geometrien der oben erläuterten Vorrichtungen hängen von der Betriebsart, den physikalischen Parametern des photoleitenden Materials {z. B. Ladungsträger-Beweglichkeit, Lebensdauer und Diffusion) und der Stromeinspeisung sowie der System-Optik ab. Insbesondere können die Lese-
bereich-Geoitietrie und die zugeordnete Schaltung so aufgebaut werden, daß sich eine optimale Bildauflösung ergibt. Das erhaltene elektrische Signal ist ein Maß der ambipolaren Dichte, die über eine lokalisierte Abtastfläche gemittelt ist. Z. B. kann die Leseschaltung so aufgebaut werden, daß sie die Leitfähigkeit zwischen der zweiten Elektrode und der Leseelektrode erfaßt; der Abstand dieser Elektroden und die Streifenbreite bestimmen dabei eine Abtastfläche einer festen Geometrie. Alternativ kann jedoch die Leseelektrode in der Form eines Diodenkontaktes ausgeführt sein, wobei abhängig von der Integrationsperiode-Kennlinie der zugeordneten Leseschaltung eine gleichwertige oder äquivalente Abtastfläche vorhanden ist. Die äquivalente Abtastfläche hat hier eine Abmessung "vt", wobei "v" die Geschwindigkeit der zur Diode geschwemmten Ladungsträger und "t" die Integrationsperxode bedeuten. Für eine optimale Bildauflösung sind die Abtastflächen-Abmessungen jeweils nicht größer als die Länge, über die ambipolare Ladungsträger thermisch zwischen der Erzeugung und Erfassung diffundieren. Wenn sich daher die Zeit zwischen der ersten Erzeugung und Erfassung der Ladungsträger-Lebensdauer nähert, liegen die Abtastflächen-Abmessungen insbesondere in der Größenordnung der ambipolaren Ladungsträger-Diffusionslänge. Wenn die Abmessungen des Lesebereiches größer sind, wird die Auflösung geometrieabhängig, da Auflösung durch Mitteln über der Abtastfläche verloren wird. Wenn die Abmessungen kleiner sind, ist die Auflösung diffusionsbegrenzt, da die Auflösung nunmehr von der Diffusionsverteilung abhängt; und auch in diesem Fall ist das Ausgangssignal in nicht erforderlicher Weise verringert.
Bisher war es daher problematisch, daß die Auflösung durch die thermische Diffusion eng begrenzt war. Die Eigen-
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schäften der Vorrichtung sind (bisher) eingeschränkt, und auch die Wahl geeigneter Materialien war auf Werkstoffe begrenzt, die sich durch kurze Diffusionslängen auszeichnen .
Weiterhin hat die Wärmediffusion die Erzielung hoher Rauschabstände begrenzt. Es soll die in kontinuierlicher Integration betriebene obige Vorrichtung untersucht werden. Deren Rauschabstand-Verhaiten kann mit einer herkömmlichen linearen Anordnung diskreter Detektoren verglichen werden, deren jeder in Reihe abgetastet wird, wobei das Ausgangssignal jedes Detektors über eine entsprechende einzelne Verzögerungsleitung summiert wird. Der Rauschabstand der Summe von "n" Bauelementen ist um den Faktor τ/η besser als der Rauschabstand eines einzigen Bauelements. Entsprechend kann der Streifendetektor als die Summe von "n" Ersatzbauelementen aufweisend aufgefaßt werden, wobei "n" abhängig von der Geometrie der Vorrichtung festgelegt ist durch:
η = 2L/1 = 2L/if ,
mit L = Streifenlänge zwischen erster und zweiter Elektrode,
1 = Abtastflächen-Abmessung, und
d* = ambipolare Ladungsträger-Diffusionslänge.
Infrarot-Systeme wurden für 3 bis 5 ,um- und 8 bis 14 ,um-
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Band-Anwendungen entwickelt. Zur Erzielung eines guten Rauschabstandes bei kleinen Raumfrequenzen Cd. h. entsprechend Bildern großer Objekte) sind lange Ladungsträger-Lebensdauern erforderlich, wobei dies jedoch mit der angestrebten guten räumlichen Auflösung in Widerspruch ist, da die Diffusionslänge proportional zur Quadratwurzel der Lebensdauer ist. Lange Ladungsträger-Lebensdauern sind in Cadmium-Quecksilber-Tellurid verfügbar, das bei ca. 200 °K für einen 3 bis 5 ,um-Bandbetrieb arbeitet. Infolge der schlechten räumlichen Auflösung (L * 60 ,um) ist es daher bisher nicht möglich, voll die verbesserten Rauschabstände auszunutzen, die die langen Lebensdauern ermöglichen.
Die erfindungsgemäße Abbildungsvorrichtung hat:
Einen länglichen Streifen aus Halbleitermaterial, das Photoladungsträger erzeugen kann, wenn ein optisches Strahlungsbild darauf fokussiert wird,
eine erste und eine zweite Elektrode, die auf dem Streifen beabstandet sind, um durch den Streifen einen Vorstrom zu schicken, und
eine dritte Elektrode zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, um ein Maß einer lokalen Photoladungsträger-Dichte erfassen zu können,
wobei zwischen der ersten und der zweiten Elektrode der Streifen so ausgebildet ist, daß im Betrieb die Photoladungsträger in einem Strömungsweg driften, in dem die Diffusions-Streuung in einer Längsrichtung auf eine Streuung begrenzt ist, die im wesentlichen kleiner als die Diffusionslänge des
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C _
Materials ist.
Selbstverständlich umfaßt ein optisches Strahlungsbild auch ein infrarotes Strahlungsbild.
Der Streifen kann in seiner Struktur durch die Anordnung mehrerer eng beabstandeter dünner Doppelkamm-Schlitze oder-Rillen angepaßt werden, die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens erstrecken, wobei der Abstand zwischen abwechselnden Schlitzen kleiner als die Diffusionslänge ist. Vorzugsweise liegen die mehreren Schlitze in einem Endbereich des Streifens neben der zweiten Elektrode. Weiterhin können mehrere Schlitze zwischen der ersten Elektrode und dem Endbereich vorgesehen werden, wobei sich der Abstand zwischen diesen Schlitzen schrittweise verringert, um an den engen Abstand der Endschlitze angepaßt zu werden.
Alternativ kann der Streifen mit zahlreichen, zwischen der ersten und der zweiten Elektrode liegenden und gleich beabstandeten Schlitzen versehen werden, die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens erstrecken, wobei der gleichmäßige Abstand kleiner als die Diffusionslänge ist.
Die Vorrichtung kann so aufgebaut sein, daß sie im kontinuierlichen Integrationsbetrieb arbeiten kann, oder sie kann so aufgebaut sein, daß sie im gepulsten Betrieb arbeiten kann. Bei einem Aufbau für einen kontinuierlichen Integrationsbetrieb kann die Vorrichtung in einem System enthalten sein, das auch eine Optik zum Abtasten eines Bildes entlang der Länge der Vorrichtung und eine Stromquelle zum Driften der Photoladungsträger mit einer vorbestimmten Geschwin-
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digkeit entlang des Driftweges aufweist, wobei die vorbestiinmte Geschwindigkeit so eingestellt ist, daß im Betrieb die Bildgeschwindigkeit und das die mittlere Geschwindigkeitskomponente der vorbestimmten Driftgeschwindigkeit, die parallel zur Länge des Streifens aufgelöst ist, im wesentlichen so angepaßt sind, daß die Photoladungsträger-Dichte kontinuierlich in Übereinstimmung mit dem abgetasteten Bild integriert wird.
Auf diese Weise diffundieren die Photoladungsträger frei lediglich in der Richtung des Driftweges. Eine Diffusion senkrecht zum Driftweg kann geometrisch begrenzt werden, und in jedem Fall ist die Diffusions-Streuung in einer Längsrichtung, d. h. die parallel zur Länge des Streifens aufgelöste Komponente der Diffusion, hier kleiner als der Diffusionslängen-Kennwert des Materials.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht eines Streifendetektors zum Widerstandslesen,
Fig. 2 eine Vordersicht des in Fig. 1 dargestellten Detektors,
Fig. 3 eine Draufsicht des Endbereiches eines zum Diodenlesen aufgebauten Streifendetektors,
Fig. 4 eine Vordersicht des Endbereiches des in Fig. 3 dargestellten Detektors,
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Fig. 5 eine schematische Darstellung eines Abbildungssystems mit dem Detektor der Fig. T und 2 oder 3 und 4 für einen kontinuierlichen Integrations- und
Fig. 6 eine Draufsicht eines Streifendetektors nach einem anderen Ausführungsbeispiel.
In den Fig. 1 und 2 hat ein Streifendetektor 1 ein Substrat 3 aus einem photoleitenden Halbleitermaterial (z. B. Cadmium-Quecksilber-Tellurid) in der Form eines länglichen Streifens einer Breite "w" und einer Dicke "t". Das Substrat liegt auf einem Träger 4 aus einem isolierenden Material, wie z. B. Saphir. Entlang der Länge des Streifens sind zwei beabstandete Stromelektroden 5/ 7 vorgesehen, die um eine Entfernung "L" getrennt sind. Diese können die Form von Metallfilmkontakten (z. B. Gold) haben, die auf die Substratfläche aufgetragen sind. Zwischen den Stromelektroden 5, 7 sind zahlreiche offenendige, dünne Doppelkamm-Schiitze A., A2, ... A einer Breite "s" vorgesehen, die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Substrates 3 erstrecken und periodisch von Mitte zu Mitte um eine Entfernung "y" beabstandet sind, wobei y kleiner als die Diffusionslänge ist. Die Schlitze A1, A2, ... A lassen so eine genau festgelegte Schlangenlinien-Struktur 13 zurück, die zwischen den Eingangselektroden 5 und 7 einen Driftweg einer im Vergleich mit dem Elektrodenabstand L merklich gesteigerten Länge bildet. Der so erzeugte Driftweg durchsetzt die Breite des Streifens, und die Steigerung in der Weglänge ist - wenigstens in einem mikroskopischen Maßstab - überall
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entlang des Streifens zwischen den Elektroden 5 und 7 gleichmäßig. Die Steigerung in der Weglänge kann durch einen Faktor "f" quantitativ angegeben werden, der aus dem Verhältnis der Länge "P" des mäanderförmigen Driftweges zur Länge "L" zwischen den Elektroden erhalten wird:
f = P/L & w/y .
Die Schlitze können z. B. durch Ätzen hergestellt werden. Andere Techniken, wie z. B. die bei der Säge-Herstellung verwendete Technik, können benutzt werden; es sei jedoch darauf hingewiesen, daß Oberflächenfehler RekombinationsZentren für die Elektronen und Löcher bilden und so die Ladungsträger-Lebensdauer herabsetzen. Durch derartige Techniken erzeugte oberflächennahe Fehler sollten daher z. B. durch einen zusätzlichen Ätzschritt entfernt werden. Da die Schlitze einen toten Raum darstellen, ist es auch wünschenswert, daß deren Breite "s" innerhalb praktischer Grenzen auf einem Mindestwert gehalten wird, um dadurch den aktiven Flächeninhalt der übrigen Substratfläche zu optimieren.
Das Widerstandslesen wird durch eine Leseelektrode 9 aus z. B. einem Gold-Metallfiim erleichtert, der in der Nähe der zweiten Stromelektrode 7 vorgesehen ist. Die Leseelektrode kann z. B. aus einem Gold-Metallfilm bestehen, der einen transparenten Teil aufweist, der teilweise das Substrat überlappt, wobei sich der Rest der Elektrode auf dem Träger 4 erstreckt. Die Leseelektrode 9 und die zweite Elektrode 7 dazwischen bilden eine Abtastflache 10 mit fester Geometrie. Wenn diese Elektroden mit einer (nicht dargestellten) Susats-Leseschaltung
verbunden sind, kann ein Maß der lokalen amb!polaren Ladungsträgerdichte, z. B. die Leitfähigkeit, die über der Fläche 10 gemittelt ist, erfaßt werden.
Alternativ kann ein Diodenlesen vorgesehen werden, wie dies in den Fig. 3 und 4 gezeigt ist. In diesem Fall ist ein Leseabgriff in der Form einer Diodenelektrode 9' auf dem Substrat 3 in der Nähe der zweiten Eingangselektrode 7 gebildet. Die Diode kann z. B. durch eine p-Diffusion oder Ionenimplantation gebildet werden, wenn der Halbleiter aus leichtdotiertem η-Material besteht. Im Betrieb erzeugt die mit den Elektroden 9' und 7 verbundene Zusatz-Leseschaltung eine Sperrspannung für die Diode. Die Integrationszeit "T" der Zusatz-Schaltung legt das Ausmaß der Ersatzfläche 10' fest, die durch die und in der Nähe der Diodenelektrode 91 gebildet ist. Die Diode erzeugt einen Signalstrom als Maß der lokalen ambipolaren Ladungstragerdxchte, wenn Mxnorxtätsladungsträger über die Dioden-Zwischenfläche geschwemmt werden. Es kann angenommen werden, daß die Diode eine wirksame Abtastfläche mit einer charakteristischen Dimension oder Abmessung "VT" ausschwemmt, wobei "V" die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger zur Diode 9' bedeutet .
Wenn ein Bild einer optischen Strahlungsszene auf die Substratfläche fokussiert wird, werden ambipolare Photoladungsträger photoinduziert, und es entsteht ein Dichteprofil entlang des Streifens. Wenn ein Vorstrom durch den Streifen zwischen der Elektrode 5 und der Elektrode 7 fließt, driften die Ladungsträger entlang des mäanderförmigen Driftweges, der durch die Schlangenlinien-Struktur 13 festgelegt ist. Die Ladungsträger sind frei, in der Richtung dieses Weges zu diffundieren. Jedoch ist senkrecht zu diesem Weg, d. h. in einer
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Längsrichtung, die Diffusion durch die Ablenkung an den Struktur-Seiten begrenzt. Auf diese Weise ist die maximale Diffusionsstreuung auf weniger als die charakteristische Diffusionslänge um ca, einen Faktor 1/f eingeschränkt.
Ein Bilddetektor-System ist in Fig. 5 gezeigt und hat zusätzlich zum Detektor 1 eine Optik 21, eine Vorstromquelle 23 und eine Lese-Schaltung 25. Die Optik ist so angeordnet, daß sie ein Bild einer optischen Strahlungsszene "S" auf den Streifendetektor fokussiert. Wenn das System im kontinuierlichen Integrationsbetrieb arbeitet, hat die Optik 21 eine Abtasteinrichtung, wie z. B. einen umlaufenden Spiegel 27. Auf diese Weise kann ein Bild der Szene bei einer Geschwindigkeit "u" entlang der Länge des Streifendetektors 1 abgetastet werden. Wenn ein Vorstrom am Streifendetektor 1 über die Elektroden 5 und 7 liegt, driften die photoinduzierten Ladungsträger entlang des mäanderförmigen Driftweges zur Abtastfläche des Streifens mit einer Geschwindigkeit "v". Die mittlere Geschwindigkeit "u", mit der die Photoladungsträger von der Elektrode 5 zur Elektrode 7 in der Richtung parallel zur Länge des Streifens driften, ist daher etwas kleiner und gegeben durch:
u1 - (1/f) · v.
Um zu gewährleisten, daß die Ladungsträger-Ladung in Übereinstimmung mit dem sich bewegenden Bild integriert wird, sind die Abtastgeschwindigkeit u und die mittlere Ladungsträger-Geschwindigkeit u1 durch Einstellen der Abtasteinrichtung, des Vorstromes oder von beiden angepaßt.
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Daher gilt bei der Einstellung:
Beispiele für das Material, die physikalischen Parameter und vorteilhafte Abmessungen werden im folgenden gegeben:
Material: Leicht dotiertes n—leitendes Cadmium-Quecksilber-Tellurid mit einer Zusammensetzung, die eine Grenzwellenlänge von 4 ,um bei 193 0K ergibt (ungefähre Zusammensetzung Cd OQHgn -,,,Te). Mit einer Nenn-Ladungsträgerdichte von 5 · 10'^ cm~3 ergeben sich eine Überschuß-Ladungsträger-Lebensdauer von ungefähr 20 ,us, eine Minoritäts-Löcher-Be-
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weglichkeit von ungefähr 200 cm V s und eine ambipolare
Ladungsträger-Diffusionslänge von ungefähr 80 ,um. Betriebsart: Kontinuierliche Integration
Dicke t = 5 ,um
Länge L = 1,6 · 103 ,um
γ = 20 ,um
w = 60 ,um
s = 8 ,um
Nennauflösung: 60 ,um
Datenfluß: 4,5 · 105
3 — 1 Abtastgeschwindigkeit "u": 2,7 · 10 cm s Vorstrom-Änsteuerspannung: 19V
Erhöhung des Rauschabstandes im Verhältnis mit einem diskreten Bauelement um einen Faktor 3.
Betriebsart: Gepulst
Dicke t = 5 ,um
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Länge L = 300 ,um
y = 20 ,um
w= 60 ,um
s= 8 ,um
Nennauflösung: 60 ,um
Anzahl der Auflösungselemente: 5 Speicherungszeit: 20 ,us
Impulsdauer: 2 ,us
Spitzen-Ansteuerspannung beim Lesen: 26 V.
Es können herkömmliche Techniken zum Vorbereiten dünner photoleitender Detektoren mit passivierten Oberflächen einer geringen Oberflächen-Rekombinationsgeschwindigkeit verwendet werden. Die Form der Vorrichtung kann mittels photolithographischer Techniken und Ätzen mittels 10 % Brom: Methanol oder 10 % Brom: Äthylenglykol bestimmt werden.
In der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung 1' ist ein Endbereich R^ des Streifens 3 neben der zweiten Elektrode 7 mit mehreren eng beabstandeten Schlitzen A versehen, die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens erstrecken. Diese Schlitze A sind jeweils um eine Entfernung kleiner als die charakteristische Diffusionslänge beabstandet· Verschieden vom oben erläuterten Aufbau sind die eng beabstandeten Schlitze lediglich vorgesehen, wenn die Diffusionsstreuung der Photoladungsträger einen merklichen Wert erreicht. Die Steigerungen im Gesamtwiderstand und in der Gesamtverlustleistung aufgrund einer erhöhten Strömungsweglänge sind so im Vergleich mit den Steigerungen im Widerstand und in der Verlustleistung der oben beschriebenen Vorrichtung verringert. In einem Zwischenbereich R zwischen dem iEndbereich R^ und der ersten Elektrode 5 sind weitere Schlitze A1, A2, ... eingeführt. In ähnlicher Weise erstrecken sich diese abwech-
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"7 -
selnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens 3. Der Abstand zwischen aufeinanderfolgenden Schlitzen in diesem Bereich weicht von einem Paar der aufeinanderfolgenden Schlitze zum nächsten Paar ab, und die Größe dieses Abstandes ist schrittweise verringert, um gegebenenfalls an den engen Abstand der Schlitze A im Anschlußbereich R„ angepaßt zu sein. Auf diese Weise wird die mittlere'Abweichung der Ladungsträger-Geschwindigkeiten verringert. Dies wird weiter durch Formen des Streifens 3 erleichtert. So hat in Fig. 6 der geschlitzte Streifen 3 keine rechtwinkligen Ecken; diese wurden durch Ätzen entfernt. Im Mittenbereich ist die Mäander-Weg-Breite schrittweise und glatt spitzzulaufend, während sie im Anschlußbereich entweder schrittweise spitzzulaufend oder etwa von konstanter Breite (wie dargestellt) ist.
#) End- oder
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e e r s e
ite

Claims (7)

  1. Ansprüche
  2. 2.
    einem länglichen Streifen aus Halbleitermaterial, das Photoladungsträger erzeugen kann, wenn darauf ein optisches Strahlungs-bild fokussiert wird,
    einer ersten und einer zweiten Stromelektrode, die beabstandet sind und auf dem Streifen liegen, um einen Vorstrom durch den Streifen zu schicken, und
    einer Leseelektrode auf dem Streifen zwischen der ersten und der zweiten Stromelektrode,
    gekennzeichnet
    durch
    eine Sperreinrichtung (A^, A~, - -· A11; A) zum teilweisen Teilen des VDlxnnens des Streifens {3) ,
    so daß die Diffusion der Photoladungsträger in der Längsrichtung von der ersten Stromelektrode i5) zur zweiten Stromelektrode (7) auf eine Streuung im wesentlichen kleiner als der Diffusionslängen-Kennwert des Materials begrenzt ist.
    Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Sperreinrichtung mehrere beabstandete dünne Doppelkamm-Schlitze (A.., A2, .·. A. ^; A) aufweist, die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens (3) erstrecken.
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  3. 3. Abbildungs.vorrichtung. nach—An-sp-r-uGh-·2,-· - - - - ■
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Schlitze (A. , A2 , . . . A...) gleich längs der Länge des Streifens (3) beabstandet sind.
  4. 4. Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Schlitze (A) in einem End- oder Anschlußbereich (ILj1) des Streifens (3) vorgesehen sind.
  5. 5. Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch
    mehrere zweite dünne Doppelkamm-Schlitze (A1, A~, ... A), die sich abwechselnd von entgegengesetzten Seiten des Streifens (3) erstrecken und in einem Zwischenbereich (R ) des Streifens (3) vorgesehen sind, wobei jeder Schlitz (A1, A2, ...A) in diesem Zwischenbereich (R } vom nächsten Schlitz beabstandet ist und dieser Abstand schrittweise abnimmt, um den Abstand der Schlitze (A) im End- oder Ansehiußbereich (Rp) anzupassen.
  6. 6. Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß der Streifen (3) so geformt ist, daß ein Weg (13) von ungefähr konstanter Breite entsteht, der zwischen den abwechselnden Schlitzen (A1, A2, ... A1.; A) mäanderförmig verläuft.
  7. 7. Abbildungssystem, mit
    einer Abbildungsvorrichtung,
    einer Pokussiereinrichtung zum Fokussieren eines Bildes auf die Abbildungsvorrichtung,
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    PRlGlNSAL INSPECTED
    einer Abtasteinrichtung zum Abtasten des fokussierten Bildes in einer Längsrichtung entlang der Länge der Abbildungsvorrichtung,
    einer Steuereinrichtung zum Erzeugen eines kontinuierlich durchlaufenen Stromes der in der Abbildungsvorrichtung gebildeten Photoladungsträger, und
    einer mit der Abbildungsvorrichtung zusammenwirkenden Leseeinrichtung zum Erzeugen eines Maßes einer Größe der Photoladungsträger-Dichte in dem Bereich der Abbildungsvorrichtung,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die in der Abbildungsvorrichtung (1) erzeugten Photoladungsträger zur Bewegung in einen mäanderförmigen Weg (13) gezwungen sind, so daß die Photoladungsträger-Diffusion in einer Längsrichtung auf eine Streuung kleiner als der Diffusionslängen-Kennwert des Materials der Abbildungsvorrichtung (1) begrenzt ist, und
    daß die Steuereinrichtung (23) auf die Photoladungsträger eine mittlere Längskomponente der Geschwindigkeit übertragen kann, die gleich ist der Geschwindigkeit des abgetasteten Bildes.
DE19792916770 1978-04-25 1979-04-25 Abbildungsvorrichtung und -system Withdrawn DE2916770A1 (de)

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DE2553378A1 (de) * 1974-11-27 1976-08-12 Secr Defence Brit Waermestrahlungsfuehler

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